缺陷登记方法
阅读：810发布：2020-05-12
专利汇可以提供缺陷登记方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一个实施方式提供一种能够使 硬盘 装置的品质提高的 缺陷 登记方法。实施方式的缺陷登记方法包括测定步骤、第1提取步骤和登记步骤。测定步骤是按每个单位区域测定磁盘的具备多个单位区域且具有设定容量的冗余区域的存储区域的性能的步骤。第1提取步骤包括按照性能的测定值从差到好的顺序提取1个以上的单位区域的第2提取步骤。登记步骤是将提取出的设定容量的单位区域作为缺陷 位置 而登记的步骤。，下面是缺陷登记方法专利的具体信息内容。
1.一种缺陷登记方法，包括：
测定步骤，按每个单位区域测定磁盘的存储区域的性能，所述磁盘的存储区域具有设定容量的冗余区域并具备多个单位区域；
第1提取步骤，从所述多个单位区域中提取所述设定容量的单位区域；以及登记步骤，将所述提取出的所述设定容量的单位区域作为缺陷位置而登记；
所述第1提取步骤包括第2提取步骤，在所述第2提取步骤中，按照所述性能的测定值从差到好的顺序提取至少1个以上的单位区域。
2.根据权利要求1所述的缺陷登记方法，
所述测定步骤包括：在所述存储区域进行数据的写入以及读取，并测定读取出的所述数据所包含的错误比特数来作为所述性能的步骤。
3.根据权利要求1所述的缺陷登记方法，
所述多个单位区域中的至少1个为具备多个扇区的磁道，
所述测定步骤包括：
按每个扇区测定所述磁道具备的所述多个扇区的所述性能的步骤；和基于通过所述多个扇区的所述性能的测定得到的多个测定值取得所述磁道的所述性能的步骤。
4.根据权利要求3所述的缺陷登记方法，
所述测定步骤包括：基于所述多个测定值的顺序，从所述多个测定值中选择从差的一侧起第2个以后的测定值的步骤。
5.根据权利要求1所述的缺陷登记方法，
所述第1提取步骤还包括：
提取所述性能比设定基准差的单位区域的第3提取步骤；和
取得从所述设定容量中除去了通过所述第3提取步骤提取出的单位区域的总量得到的剩裕量的取得步骤，
所述第2提取步骤是按照所述性能的测定值从差到好的顺序提取与所述剩裕量相应的单位区域的步骤。
6.根据权利要求1所述的缺陷登记方法，
所述测定步骤包括：测定维特比解码时的维特比度量裕量即VMM来作为所述性能的步骤。
7.根据权利要求1所述的缺陷登记方法，
所述测定步骤包括：测定形成于所述存储区域的表面的突起的数量来作为所述性能的步骤。
8.根据权利要求1所述的缺陷登记方法，
所述测定步骤包括：对所述存储区域进行波形数据的写入以及读取，并测定在所述写入之前的所述波形数据与所述读取之后的所述波形数据中不同的位置的数量来作为所述性能的步骤。
9.根据权利要求1所述的缺陷登记方法，
所述测定步骤包括：测定对所述存储区域进行访问的头的定位误差量来作为所述性能的步骤。
10.根据权利要求1所述的缺陷登记方法，
所述测定步骤包括：执行多个项目的测定，并基于通过所述多个项目的测定得到的多个测定值来运算所述性能的步骤。
11.根据权利要求10所述的缺陷登记方法，
所述测定步骤包括：
对所述多个测定值的每一个乘以加权系数的步骤；和
将分别乘有所述加权系数的所述多个测定值相加的步骤。
缺陷登记方法
[0001] 相关申请
技术领域
[0003] 本实施方式涉及缺陷登记方法。
背景技术
[0005] 具有永久缺陷的位置不提供给用户区域而被设为不使用。在一例中，禁止向具有永久缺陷的位置分配逻辑地址。通过将具有永久缺陷的位置设为不使用而减少的容量由预先设置于磁盘的冗余区域来代替。发明内容
[0006] 一个实施方式提供一种能够使硬盘装置的品质提高的缺陷登记方法。
[0007] 根据一个实施方式，缺陷登记方法包括测定步骤、第1提取步骤和登记步骤。测定步骤是按每个单位区域测定磁盘的具备多个单位区域且具有设定容量的冗余区域的存储区域的性能的步骤。第1提取步骤包括按照性能的测定值从差到好的顺序提取1个以上的单位区域的第2提取步骤。登记步骤是将提取出的设定容量的单位区域作为缺陷位置而登记的步骤。附图说明
[0009] 图2是表示第1实施方式所涉及的磁盘的构成的一例的图。
[0010] 图3是表示第1实施方式所涉及的硬盘装置的控制电路的构成的一例的图。
[0011] 图4是表示第1实施方式所涉及的硬盘装置的功能的构成的一例的图。
[0012] 图5是表示第1实施方式所涉及的测定部的动作的一例的流程图。
[0013] 图6是表示第1实施方式所涉及的容量取得部、提取部以及登记部的动作的一例的流程图。
[0014] 图7是表示第2实施方式所涉及的容量取得部、提取部以及登记部的动作的一例的流程图。
[0015] 图8是表示用于对第3实施方式所涉及的硬盘装置进行永久缺陷位置的登记的构成例的图。
具体实施方式
[0016] 以下参照附图对实施方式所涉及的缺陷登记方法进行详细说明。另外，本发明并不限定于这些实施方式。
[0017] (第1实施方式)
[0018] 图1是表示第1实施方式所涉及的硬盘装置的硬件构成的一例的图。在图1中，表示将硬盘装置1的上部盖拆掉的情况下的框体100内部的构成。如图1所示，硬盘装置1具备磁盘101、进行数据的读取以及写入的磁头102等。
[0019] 磁盘101为所设置的2张磁盘内的1张(第1磁盘101)，另1张(第2磁盘101(参照图3))被配置于第1磁盘101的背面侧(图1的纸面的进深侧)。此外，在本实施方式中，将磁盘的张数设为2张进行说明，但磁盘的张数为1张即可，另外也可以为3张以上。
[0021] 磁头102被安装于臂104的前端部。臂104通过VCM(Voice Coil Motor：音圈马达)105而驱动，以轴106为中心在确定的范围内朝向正负双方向旋转。通过该动作，磁头102在虚线T上移动，定位于磁盘101的半径方向的某一个磁道上。由磁头102与臂104构成的头单元在各磁盘101的表面与背面分别设有1组，合计设有4组。各组的头单元能够通过头编号而确定。
[0022] 具体而言，磁头102被搭载于位于悬架107的前端的头滑架108上，所述悬架107被设置于臂104的前端部。磁头102具有读元件以及写元件，通过读元件读取磁盘101上的扫描对象一面的数据，通过写元件在磁盘101上的上述扫描对象一面上写入数据。也就是说，磁头102对设置于磁盘101的记录面(存储区域110)进行访问。在图1所示的示例中，磁头102对第1磁盘101上的表面进行数据的读取以及写入。
[0023] 除此之外，硬盘装置1具备将磁头102从磁盘101上退避而停放(parking)的斜坡加载机构109等。
[0024] 在图1的位于的纸面的进深侧的硬盘装置1的底部，设有控制硬盘装置1的各部的控制电路20(参照图3)。控制电路20经由为了与外部连接而设置于硬盘装置1的框体100的连接销等接口与主机(未图示)通信，根据来自主机的命令等而控制硬盘装置1的各部。
[0025] 图2是表示第1实施方式所涉及的磁盘101的构成的一例的图。磁盘101在盘(platter)的两面具有磁性体，在出厂前通过伺服写入装置等写入有伺服信息。伺服信息例如为突发图形。在图2中，作为写入了伺服信息的伺服区的配置的一例，示出了配置为放射状的伺服区101a。在磁盘101的半径方向上以预定的间距设有同心圆的多个磁道101b。各磁道101b的圆周上连续形成有多个扇区。各扇区具有磁性区域，自由进行数据的改写。
[0026] 图3是表示第1实施方式所涉及的硬盘装置1的控制电路20的构成的一例的图。此外，在图3中，控制对象对于与图1所示的结构相同的结构赋予同一标号。如图3所示，控制电路20具有前置放大器(PreAmp)21、读取通道电路(RDC)22、硬盘控制器(HDC)23、DSP(Digital Signal Processor：数字信号处理器)24、MPU(Micro Processing Unit：微处理单元)25和存储器26。
[0027] 前置放大器21对磁头102(读元件)从磁盘101读取出的信号进行增幅并输出，向RDC22供给。另外，前置放大器21对从RDC22供给的信号进行增幅，向磁头102(写元件)供给。
[0028] RDC22具备执行用于纠错的编码以及解码的ECC(Error Correction Code：纠错代码)电路27。RDC22通过ECC电路27将用于向磁盘101写入的数据进行编码，将编码后的数据作为信号而向前置放大器21供给。另外，RDC22通过ECC电路27将从磁盘101读取、并从前置放大器21供给的信号进行解码，由此执行信号所包含的错误的检测以及纠正。并且，RDC22将对错误进行了纠正的信号作为数字数据而向HDC23输出。
[0029] 此外，ECC电路27使用的用于纠错的编码以及解码的方式并不限定于特定的方式。在一例中，能够采用LDPC(Low Density Parity Check：低密度奇偶校验)。
[0030] DSP24控制主轴马达以及VCM105，进行寻道以及跟随(following)等的定位控制。具体而言，DSP24对从来自RDC22的信号得到的伺服信息进行解调，根据从伺服信息解调出的位置与目标位置的误差，运算VCM驱动指令值，由此进行上述定位控制。
[0031] HDC23利用预定的接口与主机连接，执行与主机的通信。接口依据的标准并不限定于特定的标准。HDC23从RDC22接受数据，将该数据向主机传送。另外，HDC23从主机接受数据，将该数据向RDC22输出。
[0032] MPU25对HDC23接受的来自主机的命令进行解析，进行硬盘装置1主体的状态的监视以及硬盘装置1的各部的控制等。
[0033] 存储器26为自由进行数据的改写的存储装置。存储器26为保存有用于MPU25执行的各种处理的程序以及各种管理信息的区域、作为缓冲器的区域、作为高速缓存的区域等而发挥作用。存储器26由易失性存储器、非易失性存储器或它们的组合而构成。易失性存储器例如也可以为SRAM(Static Random Access Memory：静态随机存取存储器)、DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)等。非易失性存储器也可以为闪存等。
[0034] 图4是表示第1实施方式所涉及的硬盘装置1的功能的构成的一例的图。在磁盘101中，通过多个扇区构成存储区域110。
[0035] 控制电路20在出厂前，检测存储区域110所包含的不良位置(不良的扇区或不良的磁道)，将检测出的不良位置登记于永久缺陷信息112。永久缺陷信息112为系统信息的1种，登记于永久缺陷信息112的不良位置被设为不使用。以后，有时候将登记于永久缺陷信息112的位置标记为永久缺陷位置。
[0036] 另外，存储区域110包含冗余区域111。冗余区域111是作为永久缺陷位置的代替而使用的区域。即，存储区域110的容量至少比硬盘装置1的标记容量多冗余区域111的容量。冗余区域111具有预先设定的容量。此外，冗余区域111既可以作为被设置于预定位置的区域而不能被指定，也可以构成为能够指定。
[0037] 近年来，通过磁盘的记录密度的增长或搭载于硬盘装置的磁盘的张数的增加，每1个硬盘装置的磁道数量达数百万个，每1个硬盘装置的扇区数量达数十～数百亿个。调整记录密度(TPI、BPI等)以使得各磁道的品质尽可能变得均等。然而，使因各磁道和/或扇区的微观的磁特性的偏差等引起的读写特性的偏差完全为零很困难。由此，从提高硬盘装置的品质的观点出发，不仅将具有瑕疵、伺服不良等明显的缺陷(以后，标记为典型性缺陷)的位置、还将读写特性差的位置作为永久缺陷位置而登记这一做法是有效的。
[0038] 作为与本申请发明进行比较的方法(比较例)，有如下方法，即，通过利用了固定的品质基准进行的比较而确定永久缺陷位置。然而，与典型性缺陷不同，难以预测读写特性。由此，在适用比较例的情况下，难以事先决定用于比较的品质基准。例如，在设定了高品质基准的情况下，永久缺陷位置的合计容量会超过冗余区域111的容量，其结果，有可能无法向用户提供与标记容量相应的存储区域。另外，在设定了低品质基准的情况下，会向用户提供读写特性比较差的位置，由此导致硬盘装置的品质下降。
[0039] 根据第1实施方式，测定存储区域110内的各位置的性能。从具有典型性缺陷的位置以及读写特性不良的位置出发，通过测定可得到表示性能差这一情况的数值。对于不具有典型性缺陷、读写特性良好的位置，通过测定可得到表示性能良好这一情况的数值。基于测定出的性能，提取与冗余区域111的容量相应的位置，将提取出的各位置作为永久缺陷位置而登记于永久缺陷信息112。即，通过永久缺陷位置的登记将全部的冗余区域111消耗掉。在提取的处理中，按照性能从差到好的顺序执行位置的提取。由此，由于能够尽可能将读写性能差的位置作为永久缺陷位置而进行登记，所以品质提高。
[0040] 在一例中，永久缺陷位置的确定以及登记的处理通过控制电路20执行。控制电路20在接收到来自主机的专用的命令的情况下，开始永久缺陷位置的确定以及登记的处理。
控制电路20为了执行永久缺陷位置的确定以及登记的处理而具备以下所述的构成。
控制电路20为了执行永久缺陷位置的确定以及登记的处理而具备以下所述的构成。
[0041] MPU25基于保存于存储器26等的预定的程序，作为测定部211、容量取得部212、提取部213以及登记部214而发挥作用。
[0042] 测定部211测定存储区域110内的各位置的性能。此外，所谓位置，在此指的是具有成为各种处理的单位的范围的区域、即单位区域。单位区域能够任意设定。单位区域例如为扇区或磁道。
[0043] 所测定的性能的评价指标并不限定于特定的评价指标。例如，测定部211可以采用尝试对扇区进行的数据的写入以及读取而得到的错误指标。
[0044] 错误指标例如也可以为扇区错误率。然而，为了高精度地取得扇区错误率，需要对所有扇区尝试100～100000次左右的写入以及读取。要遍及硬盘装置1内的数十～数百亿的扇区实施该写入以及读取，从制造处理时间的观点来看并不现实。
[0045] 由此，为了缩短测定所花费的时间，测定部211例如也可以取得通过RDC22内的ECC电路27对从单一的扇区读取出的数据进行检测并纠正而得到的错误比特数来作为与该扇区有关的性能。或者，测定部211例如也可以取得Viterbi解码时的VMM(Viterbi Metric Margin：维特比度量裕量)来作为性能。
[0046] 测定部211将测定结果即性能的测定值记录于性能信息221并保存于存储器26。在此，在测定部211将在每个扇区得到的测定值记录于性能信息221的情况下，由于硬盘装置1具有的扇区的数量很大，所以性能信息221的记录所需的大小的增大。由此，测定部211也可以将测定值的记录的粒度从扇区变更为磁道。具体而言，例如，测定部211基于与1个磁道所包含的多个扇区有关的多个测定值，运算该磁道的性能。
[0047] 磁道的性能的运算方法并不限定于特定的方法。例如，测定部211运算1个磁道所包含的所有的扇区的测定值的平均值，将该平均值作为表示该磁道的性能的值而记录于性能信息221(第1取得方法)。
[0048] 此外，以后，将表示通过测定或运算得到的性能的值标记为性能的评价值，或者仅标记为评价值。
[0049] 通过第1取得方法得到的磁道的评价值很大程度上依赖于该磁道内的每个扇区的评价值的偏差。即使在磁道中包含评价值特别差的扇区，也有可能由于该磁道内的扇区的评价值的偏差，该磁道的评价值不会变差到将该磁道作为永久缺陷位置而提取的程度。也就是说，有可能应该作为永久缺陷位置而被提取的磁道没有被作为永久缺陷位置而提取。为了防止该情况的发生，例如，测定部211也可以将1个磁道所包含的所有的扇区的评价值中的最差的值作为该磁道的评价值而记录于性能信息221(第2取得方法)。
[0050] 在此，所谓评价值差，指的是评价值表示的性能差。例如在采用错误比特数作为表示性能的评价指标的情况下，评价值越大，则该评价值表示的性能就越差。评价值的大小关系与性能的好坏的关系能够根据性能的评价指标而变化。
[0051] 另外，在扇区的评价值的测定中有时可再现性很小。在这样的情况下适用了第2取得方法的情况下，因噪声的影响，有可能取得了比实际的性能差的值来作为某扇区的评价值，将该值记录为磁道的评价值。也就是说，有可能因噪声的影响而将健全的磁道作为永久缺陷位置而提取。
[0052] 由此，例如，测定部211也可以使用1个磁道所包含的所有的扇区的评价值中从差的一侧起第2个以后的值来运算磁道的评价值(第3取得方法)。在一例中，当在1个磁道中含有500个扇区的情况下，测定部211将500个扇区的评价值中从差的一侧起第5个值作为该磁道的评价值。或者测定部211将1个磁道所包含的所有的扇区的评价值中从差的一侧起第预定个(例如第1个)到另外的第预定个(例如第5个)为止的评价值作为该磁道的性能的评价值。通过考虑1个磁道所包含的所有的扇区的评价值中从差的一侧起第2个以后的值而取得该磁道的评价值，能够降低偏差的影响以及噪声的影响这两方。
[0053] 测定部211将磁道的性能的评价值与该磁道的物理地址设为对而记录于性能信息221。
[0054] 此外，叙述了测定部211将测定结果的记录的粒度从扇区变更为磁道的示例，但测定部211也可以不必变更测定结果的记录的粒度。也就是说，测定部211也可以将各扇区的评价值记录于性能信息221。在该情况下，测定部211只要将扇区的评价值与该扇区的物理地址设为对而记录于性能信息221即可。
[0055] 容量取得部212取得能够作为永久缺陷位置的代替而使用的区域的容量、即冗余区域111的容量。冗余区域111的容量也可以在制造时作为参数而提供，在该情况下容量取得部212读取该参数。另外，容量取得部212例如也可以通过将与标记容量相应的逻辑地址向存储区域110内的物理地址分配，然后计算存储区域110内的没有分配逻辑地址的物理地址的量，从而取得冗余区域111的容量。
[0056] 提取部213从所有的磁道中，按照记录于该性能信息221的评价值从差到良的顺序，提取与冗余区域111的容量相应的磁道。
[0057] 例如提取部213按照记录于性能信息221的评价值的顺序对所有的磁道的物理地址进行分类(sort)。而且，提取部213基于通过分类而得到的物理地址的列，从性能差的一侧起选择与冗余区域111的容量相应的磁道的物理地址。此外，提取的方法并不限定于此。
[0058] 登记部214将通过提取部213提取出的所有的磁道记录于永久缺陷信息112。登记部214将登记完成了的永久缺陷信息112作为系统信息而记录于存储区域110。
[0059] 接下来，对第1实施方式的登记磁盘的缺陷的方法进行说明。图5是表示第1实施方式所涉及的测定部211的动作的一例的流程图。
[0060] 首先，测定部211将表示作为性能的测定的对象的磁道的参数对(cyl,hd)初始化为(0,0)(S101)。在此，cyl是表示柱面编号的参数，hd是表示头编号的参数。在本图的示例中，表示各磁道的位置的物理地址设为通过柱面编号与头编号的对来表现。以后，将通过参数对(cyl,hd)而确定的位置的磁道标记为磁道(cyl,hd)。
[0061] 测定部211对磁道(cyl,hd)所包含的所有的扇区执行数据的写入以及读取，在每个扇区取得评价值(S102)。在一例中，测定部211从ECC电路27取得从扇区读取的数据所包含的错误比特数来作为该扇区的评价值。
[0062] 然后，测定部211基于在每个扇区得到的评价值，算出磁道(cyl,hd)的性能的评价值(S103)。例如，测定部211通过包含前述的第1～第3取得方法等的任意的方法，取得磁道(cyl,hd)的性能的评价值。此外，将磁道(cyl,hd)的性能的评价值标记为P(cyl,hd)。
[0063] 然后，测定部211将所取得的磁道的性能的评价值P(cyl,hd)记录于性能信息221(S104)。测定部211例如将评价值P(cyl,hd)与磁道(cyl,hd)的物理地址(cyl,hd)进行关联并以追加形式进行记录。
[0064] 接下来，测定部211将参数cyl的值增加1(S105)，判定参数cyl的值是否超过了柱面编号的最大值(S106)。在参数cyl的值没有超过柱面编号的最大值的情况下(S106，否)，测定部211再次执行S102的处理。
[0065] 在参数cyl的值超过了柱面编号的最大值的情况下(S106，是)，测定部211将参数hd的值增加1，将参数cyl的值复位为零(S107)。然后，测定部211判定参数hd的值是否超过了头编号的最大值(S108)。在参数hd的值没有超过头编号的最大值的情况下(S108，否)，测定部211再次执行S102的处理。
[0066] 在参数hd的值超过了头编号的最大值的情况下(S108，是)，由测定部211进行的动作结束。
[0067] 图6是表示第1实施方式所涉及的容量取得部212、提取部213以及登记部214的动作的一例的流程图。本图所示的一系列处理在图5所例示的测定部211的工作之后执行。
[0068] 首先，容量取得部212取得冗余区域111的容量(S201)。
[0069] 接下来，提取部213从所有的磁道中，按照记录于该性能信息221的评价值从差到良的顺序，提取与冗余区域111的容量相应的磁道(S202)。
[0070] 接下来，登记部214将提取出的所有的磁道登记于永久缺陷信息112(S203)。例如，登记部214将提取出的所有的磁道的物理地址(cyl,hd)登记于永久缺陷信息112。
[0071] 通过S203，容量取得部212、提取部213以及登记部214的动作结束。
[0072] 完成了的永久缺陷信息112例如在将与标记容量相应的逻辑地址向存储区域110内的物理地址分配时被使用。不向在永久缺陷信息112中作为永久缺陷位置而记录的位置分配逻辑地址。由此，与作为冗余区域111而准备的容量相当的量的位置，通过不分配逻辑地址而成为不能使用的状态。
[0073] 控制电路20也可以在永久缺陷信息112的完成后进行上述的逻辑地址的分配。也可以在执行了逻辑地址的分配后，将硬盘装置1出厂。
[0074] 此外，对将永久缺陷信息112保存于存储区域110内进行了说明。保存有永久缺陷信息112的位置并不限定于此。例如在存储器26具备非易失性存储器的情况下，也可以在该非易失性存储器中保存有永久缺陷信息112。
[0075] 另外，对冗余区域111作为永久缺陷位置的代替而使用进行了说明。除了冗余区域111之外，也可以在存储区域110设有为在出厂后产生的缺陷位置而准备的第2冗余区域。
[0076] 另外，对测定部211、容量取得部212、提取部213以及登记部214通过MPU25执行预定的程序而实现进行了说明。测定部211、容量取得部212、提取部213以及登记部214的一部分或全部也可以通过硬件电路实现。另外，对错误指标使用ECC电路27被测定进行了说明，但也可以通过MPU25对纠错编码进行解码而通过MPU25被测定。
[0077] 如上所述，根据第1实施方式，测定部211按每个磁道测定存储区域110的性能。提取部213从所有磁道中按照通过测定而得到的性能的评价值从差到好的顺序提取与冗余区域111的容量相应的磁道。登记部214将提取出的磁道作为永久缺陷位置而登记于永久缺陷信息112。通过该构成，与利用固定的品质基准对永久缺陷位置进行确定并登记的情况相比，由于能够更多地将读写特性差的位置设为不使用，所以能够使硬盘装置的品质提高。
[0078] 另外，在一例中，测定部211对存储区域110进行数据的写入以及读取，测定读取出的数据所包含的错误比特数。通过该构成，与将扇区错误率作为测定对象的评价指标的情况相比，能够高速取得性能的评价值。
[0079] 另外，如前所述，测定对象的评价指标并不仅限定于错误比特数。
[0080] 例如，在制造的过程中，有时在存储区域110的表面形成有突起。突起是无意中形成的，会引起性能的恶化。因此，测定部211也可以将形成于存储区域110的表面的突起的数量作为性能的评价值而测定。在磁头102上设有接触传感器，测定部211对通过该接触传感器检测出的突起的数量进行计数。接触传感器例如为AE(Acoustic Emission：声发射)传感器或检测摩擦热的传感器等。测定出的突起的数量越多，则视为性能越差。
[0081] 在另一例中，测定部211也可以对存储区域110进行波形数据的写入以及读取，将在写入前的波形数据与读取出的波形数据中不同的部分的数量作为性能的评价值而进行测定。测定部211例如通过使用固定波长的波形数据，对读取出的波形数据所包含的缺损部分进行波形解析来进行计数。
[0082] 在又一例中，测定部211也可以将磁头102的定位误差量作为性能的评价值而进行测定。例如，测定部211使DSP24在各扇区的附近的伺服区对磁头102进行定位控制。而且，测定部211从DSP24取得定位误差量、即从伺服信息解调出的位置与目标位置的误差。而且，测定部211根据取得的误差导出每个扇区的定位误差量。在扇区与伺服区相邻的情况下，测定部211也可以将从DSP24取得的误差作为该扇区的定位误差量。在扇区与附近的伺服区分离的情况下，测定部211也可以基于分离的距离来运算该扇区的定位误差量。
[0083] 另外，在以上的说明中，对测定部211测定单一评价指标的评价值的例子进行了说明。测定部211也可以通过测定与各自不同的多个评价指标相关的评价值，将所得到的多个评价值进行合成由此运算1个评价值。换言之，测定部211也可以执行评价指标各自不同的多个项目的测定，基于通过多个项目的测定而得到的多个评价值而运算1个性能的评价值。
[0084] 在一例中，测定部211对1个单位区域，测定错误比特数、形成于存储区域110的表面的突起的数量以及波形数据的缺损部分的数量。并且，测定部211基于测定出的错误比特数、测定出的形成于存储区域110的表面的突起的数量的测定值以及测定出的波形数据的缺损部分的数量，运算该单位区域的性能的评价值。
[0085] 基于通过多个项目的测定而得到的多个评价值而运算1个评价值的方法并不限定于特定的方法。例如，测定部211也可以通过对项目不同的多个评价值的每一个乘以加权系数，将分别乘有加权系数的多个评价值相加，由此运算1个评价值。具体而言，测定部211通过下述的式(1)运算性能的评价值P(cyl,hd)。
[0086]
[0087] 在此，Pi(cyl,hd)是通过与项目i相关的测定得到的评价值。另外，Ai是对与项目i有关的性能指标设定的加权系数。
[0088] 此外，如前所述，性能被测定的单位区域并不限定于磁道。性能被测定的单位区域也可以为扇区。另外，性能被测定的单位区域也可以为磁道、扇区以外的任意的区域。另外，在多个单位区域，磁道与扇区也可以并存。
[0089] 另外，测定部211按每个扇区测定磁道具备的多个扇区的性能，基于通过对多个扇区的测定而得到的多个评价值取得了磁道的评价值。通过该构成，由于能够减少作为暂时数据而保存于存储器26的性能信息221的大小，所以能够削减存储器26的容量。
[0090] 另外，作为一例，测定部211从通过对磁道具备的多个扇区的测定而得到的多个评价值中，基于所述多个评价值的顺序，选择从差的一侧起第2个以后的评价值。而且，测定部211基于选择出的第2个以后的评价值求出磁道的评价值。通过该构成，在永久缺陷位置的提取的处理中，能够降低因扇区的评价值的偏差的影响以及扇区的评价值的噪声的影响引起的提取错误。
[0091] (第2实施方式)
[0092] 在第1实施方式中，对废弃了利用固定的品质基准来确定永久缺陷位置的处理的例子进行了说明。缺陷登记方法也可以包含利用了固定的品质基准的处理。
[0093] 图7是表示第2实施方式所涉及的容量取得部212、提取部213以及登记部214的动作的一例的流程图。本图所示的一系列处理在图5所例示的测定部211的动作之后执行。
[0094] 首先，提取部213从所有的磁道中，提取性能比预定的品质基准差的磁道(S301)。
[0095] 在S301中，提取部213例如提取性能信息221所记录的评价值比预定的品质基准差的磁道。
[0096] 或者，也可以是，测定部211例如按每个磁道取得与性能信息221所记录的测定结果不同的特定的性能指标所相关的评价值，提取部213在S301中，提取与该特定的性能指标相关的评价值比预定的品质基准差的磁道。
[0097] 在S301的处理之后，登记部214将通过S301的处理提取出的所有的磁道登记于永久缺陷信息112(S302)。
[0098] 接下来，容量取得部212取得从冗余区域111的容量减去已经登记的永久缺陷位置的总量而得到的剩裕量(S303)。例如，容量取得部212也可以通过向除去已经登记的永久缺陷位置的存储区域110分配与标记容量相应的逻辑地址，来运算剩裕量。
[0099] 接下来，提取部213从除去被登记为永久缺陷位置的磁道的所有的磁道中，按照记录于性能信息221的评价值从差到好的顺序，提取与剩裕量相应的磁道(S304)。
[0100] 接下来，登记部214将通过S304的处理提取出的所有的磁道登记于永久缺陷信息112(S305)。
[0101] 通过S305，容量取得部212、提取部213以及登记部214的动作结束。
[0102] 这样，提取部213提取评价值比预定的品质基准差的磁道来作为永久缺陷位置，容量取得部212运算从冗余区域111的容量除去了已经提取出的磁道的总量而得到的剩裕量。然后，提取部213按照评价值从差到好的顺序，进一步提取与剩裕量相应的磁道来作为永久缺陷位置。通过该构成，能够切实地将不满足预定的品质基准的位置确定为永久缺陷位置而进行登记。
[0103] (第3实施方式)
[0104] 在第1实施方式以及第2实施方式中，对通过硬盘装置1执行永久缺陷位置的确定以及登记的处理的例子进行了说明。第1实施方式以及第2实施方式的永久缺陷位置的确定以及登记的处理的一部分或全部也可以通过其他的装置执行。
[0105] 例如如图8所例示，硬盘装置1在该硬盘装置1出厂之前，经由预定的接口2连接于外部装置3。
[0106] 外部装置3作为一例为具备处理器310和存储器320的计算机。处理器310基于预定的程序，作为测定部211、容量取得部212、提取部213以及登记部214而发挥作用。另外，在存储器320中，保存有记述了通过测定部211得到的测定结果的性能信息221。
[0107] 测定部211、容量取得部212、提取部213以及登记部214的功能与在第1实施方式中叙述的同名的要素的功能相同。另外，性能信息221的构成与在第1实施方式中叙述的构成相同。
[0108] 外部装置3通过测定部211、容量取得部212、提取部213以及登记部214，生成永久缺陷信息112，将生成了的永久缺陷信息112保存于存储区域110。并且，例如外部装置3或硬盘装置1的控制电路20避开记录于永久缺陷信息112的永久缺陷位置而执行逻辑地址的分配。在执行逻辑地址的分配之后，硬盘装置1被从外部装置3拆下而出厂。
[0109] 另外，外部装置3可以是计算机，也可以是由硬件电路构成的装置。测定部211、容量取得部212、提取部213以及登记部214中的一部分或全部也可以通过硬件电路实现。
[0110] 此外，在本实施方式中，叙述了测定部211、容量取得部212、提取部213以及登记部214通过外部装置3实现的示例。测定部211、容量取得部212、提取部213以及登记部214中的一部分也可以通过硬盘装置1实现。
[0111] 虽然说明了几个实施方式，但这些实施方式只是作为示例而提出的，并非意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包括在发明的范围和/或宗旨中，并且包括在技术方案所记载的发明及与其均等的范围内。
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