一种坩埚缺陷检测方法
阅读：970发布：2020-06-02
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一种坩埚缺陷检测方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种检测方法，特别是一种采用脉冲反射式检测的坩埚内部缺陷的检测方法。
背景技术
[0002] 高纯度石英坩埚是生产硅单晶体所必需的石英容器。在硅单晶拉制生产过程中，将使用石英坩埚作为熔融高纯硅的载体，由拉制杆从石英坩埚内熔融液体中，遂步拉制由硅的单晶体，在整个生产过程中，对石英坩埚的纯度和缺陷控制提出了非常高的要求，目前国内外的控制水平还采用初步的人工检测，对坩埚内表面的气泡、黑点等通过检测标准来控制。
发明内容
[0004] 本发明的目的是通过以下技术方案来实现：
[0005] 一种坩埚缺陷检测方法，其特征在于：采用脉冲反射式检测，给待测坩埚发射持续时间很短的电脉冲，激励探头发射脉冲超声波，并接受在样品中反射回来的脉冲信号，通过检测信号的返回时间和幅度做出判断。
[0006] 由手采用了上述技术方案，本发明具有如下有益效果：
[0008] 图1是本发明的原理图。
[0009] 其中：A：检测波开始；B：有缺陷的地方；C：检测波结束。
具体实施方式
[0010] 下面根据实施例对本发明作进一步详细说明。
[0011] 当今坩埚的顶尖产品，是高新技术产品一高纯石英玻璃坩埚。石英坩埚是拉制大直径单晶硅的消耗性器皿，每生产一炉单晶硅就用掉一只坩蜗。单晶硅是生产大规模集成电路的原材料，对坩埚的要求十分苛刻。高纯度石英坩埚是拉制大直径单晶硅，发展大规模集成电路必不可少的基础材料。高纯度石英坩埚是生产硅单晶体所必需的石英容器。在硅单晶拉制生产过程中，将使用石英坩埚作为熔融高纯硅的载体，由拉制杆从石英坩埚内熔融液体中，逐步拉制出硅的单晶体。
[0012] 采用脉冲反射式检测，给待测坩埚发射持续时间很短的电脉冲，激励探头发射脉冲超声波，并接受在样品中反射回来的脉冲信号，通过检测信号的返回时间和幅度做出是否存在缺陷和缺陷大小的判断。
[0013] 图1为本发明的原理图，将超声信号的幅度和时间的关系用直角坐标系显示，横坐标为时间，纵坐标为信号幅度，超声在坩埚中传播，声速是恒定的，传播时间可以变为距离，于是可以得到反射面距入射面的距离，而坩埚的厚度都是比较均匀的，如果内部有缺陷，很容易扫描得出。
[0014] 显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其他不同形式的变化和变动。这里无法对所有的实施方式予以穷举。凡是属于本发明的技术方案所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
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