测试铝膨胀缺陷的方法专利检索-缺陷形式要求专利权专利检索查询-专利查询网

测试 铝膨胀 缺陷的方法

阅读：744发布：2020-06-02

专利汇可以提供测试铝膨胀缺陷的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种能对晶片铝膨胀缺陷情形进行监测的测试铝膨胀缺陷的方法，包括以下步骤：首先选择划片槽中掩膜上第一片铝和与第一片铝相邻并包围第一片铝的第二片铝作为测试对象；然后用晶片电特性测试仪测量该第一片铝和该第二片铝之间的电阻；如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气短路，则判定该掩膜上的铝线之间存在铝膨胀缺陷，如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气开路，则判定该掩膜上的铝线之间不存在铝膨胀缺陷。本发明选择最容易出现铝膨胀缺陷的第一片铝被第二片铝包围的图形作为测试对象，通过该第一片铝和该第二片铝之间的电气短路或电气开路来判断晶片掩膜上是否存在铝膨胀缺陷，方便简捷，结果准确。，下面是测试铝膨胀缺陷的方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种测试铝膨胀缺陷的方法，其特征是，包括以下步骤：
测试对象选定步骤，选择划片槽中掩膜上第一片铝和与第一片铝相邻并包围第一片铝的第二片铝作为测试对象；
测量步骤，测量该第一片铝和该第二片铝之间的电阻；
判断步骤，如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气短路，则判定该掩膜上的铝线之间存在铝膨胀缺陷；如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气开路，则判定该掩膜上的铝线之间不存在铝膨胀缺陷。
2.根据权利要求1所述的测试铝膨胀缺陷的方法，其特征是，所述第一片铝的数量为复数个，在所述测量步骤中，所有第一片铝之间电气连接。
3.根据权利要求1或2所述的测试铝膨胀缺陷的方法，其特征是，在所述测量步骤中，采用晶片电特性测试仪测量所述第一片铝和所述第二片铝之间的电阻。

说明书全文

测试铝膨胀 缺陷的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种半导体制造中的测试方法，特别是晶片(wafer)制造工艺中测试铝膨胀缺陷结构的方法。

背景技术

[0002] 制造晶片时，如果存在铝膨胀缺陷，会直接导致产品的良品率下降，因此在晶片制造过程中需要对铝膨胀缺陷进行监控。目前采用的铝膨胀缺陷监控方法主要是通过晶片扫描(wafer scan)实现，晶片扫描方法是通过芯片(die)之间的比较找出铝膨胀缺陷，即通过光学的方法对相邻重复图形的比较来判断是否存在铝膨胀缺陷。

[0003] 上述利用晶片扫描对铝膨胀缺陷进行监控的方法是对晶片进行抽测，无法监控到所有晶片，而且测试时间较长，所用设备成本较高。

发明内容

[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种能对晶片铝膨胀缺陷情形进行监测的测试铝膨胀缺陷的方法。

[0005] 为解决上述技术问题，本发明测试铝膨胀缺陷的方法包括以下步骤：测试对象选定步骤，选择划片槽中掩膜上第一片铝和与第一片铝相邻并包围第一片铝的第二片铝作为测试对象；测量步骤，测量该第一片铝和该第二片铝之间的电阻；判断步骤，如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气短路，则判定该掩膜上的铝线之间存在铝膨胀缺陷，如果该第一片铝和该第二片铝之间为电气开路，则判定该掩膜上的铝线之间不存在铝膨胀缺陷。

[0006] 第一片铝数量为复数个，在测量步骤中，所有第一片铝之间电气连接。

[0007] 在测量步骤中，采用晶片电特性测试仪测量第一片铝和第二片铝之间的电阻。

[0008] 本发明选择最容易出现铝膨胀缺陷的第一片铝被第二片铝包围的图形作为测试对象，并通过该第一片铝和该第二片铝之间的电气短路或电气开路来判断晶片掩膜上是否存在铝膨胀缺陷，其测试过程方便简捷，其判断结果准确。附图说明

[0009] 图1是采用本发明所提供的方法进行测试时，所选取的最容易出现铝膨胀缺陷的情形，其中第一片铝和第二片铝相邻并被第二片铝包围；

[0010] 图2是对图1所示图形进行测试时，测试引脚连接示意图，本图是沿图1中C-C方向的截面示意图；

[0011] 图3是铝膨胀的发生过程示意图，左侧表示未发生铝膨胀的情形，右侧表示铝膨胀发生后的情形，发生铝膨胀后，本来相邻但是各自分离的第一片铝和第二片铝在一拐角处连接在一起；

[0012] 图4是应用本发明所提供的方法对第一片铝和第二片铝之间具有不同间距的图形进行比较测试，虚框a中所包含的第一片铝与第二片铝之间的距离为Sa，虚框b中所包含的第一片铝与第二片铝之间的距离为Sb，且Sa＞Sb；

[0013] 图5是对图4所示图形进行测试时，测试引脚连接示意图。

[0014] 具体实施方法

[0015] 下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。

[0016] 图1表示采用本发明所提供的方法进行测试时，最容易出现铝膨胀缺陷的典型图形，其中第二片铝2是大片铝，其中包围了多个小片的第一片铝1，这些第一片铝1和第二片铝相邻。测试时的测试引脚连接如图2所示，图2是沿图1中C-C方向的截面示意图，第一片铝引脚21与所有的第一片铝1电气连接，第二片铝引脚22与第二片铝2电气连接。

[0017] 图3是当铝膨胀的发生过程示意图，左侧表示未发生铝膨胀的情形，电气上表现为开路；右侧表示铝膨胀发生后的情形，发生铝膨胀后，本来相邻但是各自的第一片铝和第二片铝在一拐角处连接在一起，从而在电气上表现为短路。

[0018] 测试的时候利用晶片电特性测试仪(WAT)，通过第一片铝引脚21和第二片铝引脚22测量该第一片铝1和该第二片铝之间的电阻。如果该第一片铝引脚21和该第二片铝引脚22之间为电气短路，则相应地，该多个第一片铝1和该第二片铝2之间必定存在铝膨胀缺陷，据此判定该掩膜上的铝线之间存在铝膨胀缺陷。如果该第一片铝引脚21和该第二片铝引脚22之间为电气开路，则相应地，该多个第一片铝1和该第二片铝2之间为开路，由此可判定该掩膜上的铝线之间不存在铝膨胀缺陷。

[0019] 本发明还可以用来对不同工艺尺寸的图形的铝膨胀情形进行研究。如图4所示，将虚框a中包含的多个第一片铝称作a组第一片铝1a，虚框b中包含的多个第一片铝称作b组第一片铝1b；虚框a中所包含的第一片铝与第二片铝之间的距离为Sa，虚框b中所包含的第一片铝与第二片铝之间的距离为Sb，且Sa＞Sb。和图4相应的测试引脚连接关系如图5所示，第二片铝引脚22连接连接第二片铝，a组第一片铝引脚21a连接虚框a中所包含的所有a组第一片铝1a；b组第一片铝引脚21b连接虚框b中所包含的所有b组第一片铝1b。

[0020] 在不同的情形下，测试结果和对铝膨胀缺陷的判断可用下表表示：

[0021]22-21a 22-21b 铝膨胀缺陷判断
测试结果1 开路开路虚框a中和虚框b中均没有铝膨胀缺陷
测试结果2 开路短路虚框a中没有铝膨胀缺陷；虚框b中存
在铝膨胀缺陷
测试结果3 短路短路虚框a中和虚框b中均存在铝膨胀缺陷

[0022] 如果出现测试结果2，则表明当第一片铝与第二片铝处于Sa和Sb之间，可能会出现铝膨胀缺陷。

[0023] 本发明利用晶片电特性测试仪来监控生产线中晶片掩膜上的铝膨胀情形，可覆盖所有晶片，测试快速而便捷；另外，通过对铝线间距离不同的图形进行比较，可以更细化监控工艺的变化对铝膨胀的影响。

标题	发布/更新时间	阅读量
缺陷预测	2020-05-11	451
缺陷检查方法	2020-05-12	222
缺陷检测方法	2020-05-12	976
弧面缺陷测量卡	2020-05-12	947
石墨烯缺陷检测	2020-05-12	116
缺陷分析法	2020-05-11	165
缺陷检测装置	2020-05-12	56
缺陷检测装置	2020-05-12	408
AGSE缺陷菌株	2020-05-11	605
AGSE缺陷菌株	2020-05-11	717

测试铝膨胀缺陷的方法

测试铝膨胀缺陷的方法

技术领域

背景技术

发明内容

该功能需要专业版企业版VIP权限，您可以：