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缺陷模拟系统与方法

阅读:332发布:2020-06-03

专利汇可以提供缺陷模拟系统与方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 缺陷 模拟系统与方法。该缺陷模拟系统包括缺陷布局数据产生器及处理器。该缺陷布局数据产生器,其提供一组缺陷布局数据,其包含一预定数量的点缺陷,其中该点缺陷的面积为至少一种预定尺寸。该处理器,其比较该缺陷布局数据和一预定的包含多个 导线 区域的 电路 布局,并判断该点缺陷是否位于该导线区域上。,下面是缺陷模拟系统与方法专利的具体信息内容。

1.一种缺陷模拟方法,其包括:
提供一缺陷布局数据库,其包含至少一缺陷布局的数据,该 缺陷布局包含一预定数量的点缺陷,其中该点缺陷的面积为至少 一种预定尺寸,其中该点缺陷的位置为随机决定或依据一预定规 则决定,其中该点缺陷的数量及面积为使用者决定;
从一电路布局数据库撷取一电路布局,其包含多个导线区域, 且其中该缺陷布局数据库和该电路布局数据库所存的数据为相同 格式;
比较该缺陷布局和该电路布局;以及
决定是否该点缺陷中至少一个位于该导线区域上。
2.根据权利要求1所述的缺陷模拟方法,其特征在于,进一 步自该缺陷布局数据库中选取一不同的缺陷布局,并重复这些步 骤。
3.根据权利要求1所述的缺陷模拟方法,其特征在于,进一 步决定是否该缺陷中至少一个导致导线区域之间短路及/或断路。
4.根据权利要求1所述的缺陷模拟方法,其特征在于,进一 步估算当该电路布局上具有该缺陷布局所界定的点缺陷时,该电 路布局受害程度。
5.根据权利要求1所述的缺陷模拟方法,其特征在于,进一 步估算当该电路布局上具有该缺陷布局所界定的点缺陷时,该电 路布局的良率。
6.一种缺陷模拟系统,其包括:
一缺陷布局数据产生器,其提供一缺陷布局,其包含一预定 数量的点缺陷,其中该点缺陷的面积为至少一种预定尺寸,其中 该点缺陷的位置为随机决定或依据一预定规则决定,其中该点缺 陷的数量及面积为使用者决定;以及
一处理器,其比较该缺陷布局的数据和一预定的包含多个导 线区域的电路布局,并判断是否该点缺陷中至少一个位于该导线 区域上。
7.根据权利要求6所述的缺陷模拟系统,其特征在于,进一 步包含一缺陷布局数据库,其包含该缺陷布局。
8.根据权利要求7所述的缺陷模拟系统,其特征在于,该电 路布局取自一电路布局数据库,且其中该缺陷布局数据库和该电 路布局数据库所存的数据为相同或相容格式。
9.根据权利要求6所述的缺陷模拟系统,其特征在于,该处 理器进一步判断是否该点缺陷中至少一个导致导线区域之间短路 及/或断路。
10.根据权利要求6所述的缺陷模拟系统,其特征在于,该处 理器进一步估算当该电路布局上具有该缺陷布局所界定的点缺陷 时,该电路布局受害程度。
11.根据权利要求6所述的缺陷模拟系统,其特征在于,该处 理器进一步估算当该电路布局上具有该缺陷布局所界定的点缺陷 时,该电路布局的良率。

说明书全文

技术领域

发明有关于电路布局设计,特别是有关于电路布局的缺陷 模拟的方法和系统。

背景技术

近年来,半导体集成电路(IC)快速发展,随着IC材料与设 计的技术进步,IC产品的电路设计也越来越精细复杂。单一IC上 可能必须包含数个不同的电路装置。当这些电路装置的大小降至 次微米或深次微米的阶段,电路受到制程中微粒等的影响也更严 重。
依据传统的缺陷检查方法,使用复杂数值计算,来估计依据 某一电路布局制程的电路装置,受到微粒等影响造成缺陷的受害 程度。通常,这种分析不但需要复杂的运算,且耗费相当大的运 算时间和资源。
据此,需要提供一个系统及方法,用以在电路布局设计的阶 段,能够有效估算出依据某一电路布局制程的电路装置,受到微 粒等影响造成缺陷的受害程度。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一系统及方法,用以在电 路布局设计的阶段,能够有效估算出依据某一电路布局制程的电 路装置,受到微粒等影响造成缺陷的受害程度。
为达成本发明上述目的,本发明提供一种缺陷模拟系统,其 包括缺陷布局数据产生器及处理器。该缺陷布局数据产生器,其 提供一缺陷布局,其包含一预定数量的点缺陷,其中该点缺陷的 面积为至少一种预定尺寸,其中该点缺陷的位置为随机决定或依 据一预定规则决定,其中该点缺陷的数量及面积为使用者决定。 该处理器,其比较该缺陷布局的数据和一预定的包含多个导线区 域的电路布局,并决定是否该点缺陷中至少一个位于该导线区域 上。
本发明所述的缺陷模拟系统,进一步包含一缺陷布局数据库, 其包含该缺陷布局。
本发明所述的缺陷模拟系统,该电路布局取自一电路布局数 据库,且其中该缺陷布局数据库和该电路布局数据库所存的数据 为相同或相容格式。
本发明所述的缺陷模拟系统,该处理器进一步判断是否该点 缺陷中至少一个导致导线区域之间短路(short-circuit)及/或断 路(open-circuit)。
本发明所述的缺陷模拟系统,该处理器进一步估算当该电路 布局上具有该缺陷布局所界定的点缺陷时,该电路布局受害程度。
本发明所述的缺陷模拟系统,该处理器进一步估算当该电路 布局上具有该缺陷布局所界定的点缺陷时,该电路布局的良率。
本发明还提供一种缺陷模拟方法。该方法首先提供一缺陷布 局数据,其包含一预定数量的点缺陷,其中该点缺陷的面积为至 少一种预定尺寸,其中该点缺陷的位置为随机决定或依据一预定 规则决定,其中该点缺陷的数量及面积为使用者决定。并提供一 电路布局,其包含多个导线区域。并比较该缺陷布局数据和该电 路布局。继之,判断该点缺陷中至少一个是否位于该导线区域上。
本发明所述的缺陷模拟方法,进一步自该缺陷布局数据库中 选取一不同的缺陷布局,并重复这些步骤。
本发明所述的缺陷模拟方法,进一步决定是否该缺陷中至少 一个导致导线区域之间短路(short-circuit)及/或断路 (open-circuit)。
本发明所述的缺陷模拟方法,进一步估算当该电路布局上具 有该缺陷布局所界定的点缺陷时,该电路布局受害程度。
本发明所述的缺陷模拟方法,进一步估算当该电路布局上具 有该缺陷布局所界定的点缺陷时,该电路布局的良率。
依据本发明的缺陷模拟方法可以通过执行一计算机程序来实 现,其中上述计算机程序存储于一存储介质中。
附图说明
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特 举实施例,并配合附图进行详细说明如下:
图1是显示依据本发明实施例的缺陷模拟系统的示意图。
图2显示依据本发明实施例的缺陷模拟方法的流程图
图3A~3C显示依据本发明实施例的缺陷布局和电路布局比 对分析的示意图。

具体实施方式

为了让本发明的目的、特征、及优点能更明显易懂,下文特 举较佳实施例,并配合图1至图3A~3C做详细说明。本发明说明 书提供不同的实施例来说明本发明不同实施方式的技术特征。其 中,实施例中的各元件的配置为说明之用,并非用以限制本发明。 且实施例中附图标记的部分重复是为了简化说明,并非意指不同 实施例之间的关联性。
图1是显示依据本发明实施例的缺陷模拟系统的示意图。依据 本发明实施例,缺陷模拟系统100与电路布局提供端150连结实施。 缺陷模拟系统100包含接口101、缺陷布局数据产生器103、缺陷 布局数据库105、及处理器107。电路布局提供端150提供电路布 局数据到缺陷模拟系统100。缺陷模拟系统100通过接口101和电 路布局提供端150连结。随机数产生器104产生多个随机数,并将 产生的该随机数传送到缺陷布局产生器103。缺陷布局产生器103 依据该随机数,决定多个点缺陷在一缺陷布局中分布的位置。缺 陷布局产生器103依据其所决定的点缺陷位置,产生一缺陷布局, 其包含一预定数量的点缺陷,其中该点缺陷的面积为至少一种预 定尺寸。由缺陷布局产生器103所产生的缺陷布局,被储存在缺陷 布局数据库105中,并交由处理器107进行处理。处理器107依据 使用者下达的指令,接收一电路布局数据的输入,并比较该缺陷 布局和一预定的包含多个导线区域的电路布局。处理器107决定是 否该点缺陷中至少一个位于该导线区域上,亦即,该点缺陷是否 和该导线区域重迭或接触。处理器107并决定是否该点缺陷中至少 一个导致导线区域之间短路(short-circuit)及/或断路 (open-circuit)。
图2显示依据本发明实施例缺陷模拟方法的流程图。图2所显 示的缺陷模拟方法,是将一电路布局的设计数据与预先设定完成 的各个缺陷布局进行比对,以估算该电路布局在不同密度/不同大 小的缺陷存在下,依据该电路布局所制造的电路装置,其功能受 到影响的程度。
参见图2,首先提供缺陷布局数据库,其中该缺陷布局数据库 中包含多个缺陷布局的数据。在步骤S211中,接收用以界定缺陷 数量和尺寸的数值数据。其中该缺陷尺寸的数值数据可以依据一 预定规则决定或由使用者决定,其中该点缺陷的面积为至少一种 预定尺寸。在步骤S213中,产生多个随机数,其用以界定该缺陷 分布的位置。该随机数可以为通过一伪随机数产生器依据一预定 的数学公式所产生的整数。该随机数的数量可以依据在步骤S211 中接收的缺陷数量而定。在步骤S214中,依据步骤S213所产生的 该随机数决定多个点缺陷分布位置所在的坐标值。继之,依据上 述坐标值及预定的坐标轴,产生包含上述点缺陷的缺陷布局。在 步骤S215中,产生缺陷布局,其包含该预定数量及尺寸的点缺陷, 且其中该点缺陷依据上述坐标位置配置。在步骤S23中,提供电路 布局,其包含多个导线区域。该电路布局可以由使用者提供,或 是从一电路布局数据库中撷取而得。参见图3A,该电路布局包含 多个导线区域31。在步骤S25中,比较该缺陷布局和该电路布局。 在步骤S27中,决定是否该点缺陷中至少一个位于该导线区域上。 例如,可以利用简单的布林运算来进行上述步骤S27的判断运算, 而无须使用传统的复杂数值运算。在步骤S28中,决定是否该点缺 陷中至少一个导致导线区域之间短路(short-circuit)及/或断路 (open-circuit)。参见图3B,导线区域31a被点缺陷33a截断。这 种被点缺陷截断的状况,造成该段导线31a呈现断路。参见图3C, 导线区域31b和31c被点缺陷33b桥接起来。因此在该段导线部分 造成短路。
在某些状况下,除了使用一实验性的较佳缺陷布局来进行上 述方法之外,也可以使用不同的缺陷布局,重复施行上述步骤。 重复施行上述步骤所得到的结果,可以一起作为协助做出工程决 策之用。
上述系统和方法可以应用于特定尺寸的外来物质或其他缺陷 种类,例如物质缺失、缺洞、层间介电缺陷或通孔和接触点的缺 陷等。
上述方法所得到的分析结果,也可以使用在其他方面的应用。 例如,本发明的缺陷模拟可以使用于估算一电路布局对于制造过 程中引入的缺陷的敏感性和受害程度。该敏感性及/或受害程度的 估计数据,可以用于估计该电路布局对应的电路装置的可能良率, 或是进行进一步的工程研究。本发明方法所得到的分析结果,也 可以用于估计在规划阶段,某一预定数量的良好电路晶片所需的 成本或需要生产的量。
上述用来决定电路布局特性的技术,也可以用于决定用于自 动集成电路设计的特定设计环境的特性。尤其是,上述方法可以 用以比较不同设计环境所产生的电路布局的可生产性及其他特 性。
本发明的系统与方法,可以在合理时间内,以一般的计算机 运算资源,完成大型集成电路(例如包含1000000晶体管)的分 析。而且,本发明的实际运用也不以设计阶层(design hierarchy) 的分析为限,其也可以用于电路装置的尺寸或其设计环境的分析。 且本发明系统可以被一般使用者所使用。
虽然本发明已通过较佳实施例说明如上,但该较佳实施例并 非用以限定本发明。本领域的技术人员,在不脱离本发明的精神 和范围内,应有能对该较佳实施例做出各种更改和补充,因此 本发明的保护范围以权利要求书的范围为准。
附图中符号的简单说明如下:
100:缺陷模拟系统
150:电路布局提供端
101:接口
103:缺陷布局产生器
105:缺陷布局数据库
107:处理器
104:随机数产生器
31:导线区域
31a:导线区域
33a:点缺陷
31b:导线区域
31c:导线区域
相关专利内容
标题 发布/更新时间 阅读量
缺陷检测方法 2020-05-12 690
去除缺陷的方法 2020-05-12 108
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