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一种直接氮化制备高性能Ta3N5/Bi光催化材料的方法

阅读:990发布:2024-02-26

专利汇可以提供一种直接氮化制备高性能Ta3N5/Bi光催化材料的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 采用低功函的金属Bi修饰Ta3N5,使得Ta3N5界面能带向下弯曲,在界面处Ta3N5一侧构筑了一个由表面指向体相的 电场 ,驱动Ta3N5光生 电子 转移至金属Bi。此外,本发明公开了一种直接氮化钽酸铋原位获得Ta3N5/Bi的方法,Ta3N5和Bi之间的 接触 更加紧密。Ta3N5一侧的界面电场和优质的界面结极大地提高了Ta3N5光生载流子的分离效率,有效地抑制了CH4产生的逆向反应,从而显著提高其光催化还原CO2为CH4的活性。,下面是一种直接氮化制备高性能Ta3N5/Bi光催化材料的方法专利的具体信息内容。

1.一种利用钽酸铋原位制备Ta3N5/Bi的方法,其特征是包括以下步骤:
(1)以五化二钽、氧化铋为原料,以氯化钠和氯化混合物为熔盐介质,750~950℃高温焙烧4~6h,抽滤、去离子反复洗涤去除氯化钠和氯化钾后,80℃干燥后得钽酸铋。
(2)以钽酸铋为前驱体,将其置于管式炉中以400~600mL/min的流量通入NH3,以5~10℃/min的升温速率将其加热至750~850℃,并将温度保持在750~850℃,焙烧8~12h,保持气流量不变,自然冷却至室温,得棕红色的Ta3N5/Bi。
2.根据权利要求1所述的一种利用钽酸铋原位合成Ta3N5/Bi的方法,其特征是:(1)中所述的焙烧温度是850℃,焙烧时间是5h。
3.根据权利要求1所述的一种利用钽酸铋原位合成Ta3N5/Bi的方法,其特征是:(2)中所述的NH3流量为500mL/min,升温速率为10℃/min,氮化温度为750℃,氮化时间10h。

说明书全文

一种直接氮化制备高性能Ta3N5/Bi光催化材料的方法

1、技术领域

[0001] 本发明涉及一种新型的半导体/金属光催化复合材料、制备方法和应用领域,尤其是一种Ta3N5/Bi光催化复合材料的制备及其在光催化还原CO2为CH4中的应用。2、技术背景
[0002] 当前世界能源消耗的80%仍来自于以石油、天然气等为主的化石能源。化石燃料的过度消耗不仅造成能源供应危机,而且导致大气中CO2浓度持续增加,从而产生温室效应。以H2O为还原剂,利用光催化技术将CO2转化为燃料甲烷可望同时解决能源短缺及大气中CO2浓度持续上升的问题。与传统技术相比,光催化还原CO2为CH4具有能耗低、操作简便、反应条件温和及二次污染较少等优点。
[0003] CO2光催化转化为CH4分两个半反应进行。首先,被半导体光催剂价带空穴化产生氢离子和氧气(4H2O+8h+→2O2+8H+),然后氢离子迁移至导带与光生电子和CO2反应生成甲烷(CO2+8e+8H+→CH4+2H2O)。因此,要实现光催化高效转化CO2为CH4的关键是提高光催化材料的载流子分离效率和抑制CH4产生的逆向反应。
[0004] Ta3N5在光催化分解水及降解有机污染物方面显示出良好的光催化活性,受到了国内外研究者们的普遍关注。近年来,研究人员发现采用金属修饰Ta3N5可以进一步提高它的光催化活性。如,Ta3N5经金属Pt修饰后,Ta3N5的光催化活性得到了显著增强。然而,由于金属Pt的功函数(约5.7eV)大于Ta3N5的功函数(约4.5eV),在Pt和Ta3N5接触之后,为了达到热学平衡,在结区域Ta3N5表面能带将向上弯曲,从而在Ta3N5和Pt之间形成肖特基势垒。这个肖特基势垒将阻止Ta3N5的光电子迁移至Pt上,因此必须要提供足够高的能量才能促使Ta3N5的光生电子越过这个肖特基势垒到金属Pt上,从而达到提高Ta3N5载流子分离效率、增强其光催化活性的目的。
[0005] 这意味着,如果用功函数小于Ta3N5的金属修饰Ta3N5,它的表面能带将向下弯曲,在Ta3N5和金属之间将形成欧姆接触,Ta3N5的光电子将很容易迁移到金属上,从而能极大地提高它的载流子分离效率。同时也能够将H2O的氧化反应和CO2的还原反应分别构建在Ta3N5和金属上,有效地抑制CH4产生的逆向反应。
[0006] 本发明选择功函数小于Ta3N5的金属Bi(约4.2eV)原位修饰Ta3N5,经过金属Bi修饰后的Ta3N5光催化还原CO2产CH4的效率比纯的Ta3N5效率提高大约5倍。3、发明内容
[0007] 发明一种用于高效转化CO2为CH4的Ta3N5/Bi光催化剂及其制备方法。
[0008] 4、本发明所采用的技术方案是:一种高效还原CO2产CH4的Ta3N5/Bi[0009] 光催化复合材料的制备方法,包括以下步骤:
[0010] (1)将一定量的Ta2O5、Bi2O3、NaCl和KCl一起放入研钵,然后加入适量的无水乙醇,充分研磨直至乙醇挥发干。
[0011] (2)将上述混合样品置于电热恒温鼓干燥箱中80℃干燥1h后,再次研磨均匀。
[0012] (3)将研磨好的样品置于弗炉,以5℃/min的升温速率加热至850℃,并保持这一温度焙烧5h,自然冷却至室温。
[0013] (4)将焙烧后的样品用去离子水洗涤、过滤,并重复上述操作3到5遍,充分去除样品中的NaCl和KCl,然后将样品置于烘箱中80℃干燥2h后,获得白色的BiTaO4粉末。
[0014] (5)将BiTaO4样品放入氧化坩埚,并将其置于管式炉中,以500mL/min流量通入NH3,并以10℃/min的升温速率加热至750℃,并将温度保持在750℃焙烧10h,自然冷却至室温,获得棕红色的Ta3N5/Bi光催化复合材料。
[0015] 本发明与现有材料和工艺相比具有以下优点:
[0016] (1)本发明制备了一种新型的光催化复合材料Ta3N5/Bi。
[0017] (2)本发明采用BiTaO4为前驱体,利用NH3一步氮化原位获得Ta3N5/Bi,该方法使得Ta3N5和Bi之间的接触更加紧密。此外,利用功函数小的金属Bi修饰Ta3N5,在Ta3N5和Bi之间形成欧姆接触,有效地降低了界面势垒高度,极大地促进了光生电子从Ta3N5转移至金属Bi,显著提高了Ta3N5光生载流子的分离效率。附图说明
[0018] (1)图1是Ta3N5、Ta3N5/Bi和M-Ta3N5/Bi的X射线衍射图
[0019] (2)图2是Ta3N5、M-Ta3N5/Bi及Ta3N5/Bi的X射线光电子能谱图,其中(a)Ta3N5Ta 4f;(b)Ta3N5N 1s;(c)M-Ta3N5Bi 4f;(d)M-Ta3N5Ta 4f;(e)M-Ta3N5N 1s;(f)Ta3N5Bi 4f;(g)Ta3N5Ta 4f;(h)Ta3N5N 1s
[0020] (3)图3是(a)Ta3N5、(b)是BiTaO4、(c)是M-Ta3N5/Bi、(d)Ta3N5/Bi的扫描电子显微镜图;(e)是Ta3N5/Bi透射电子显微镜图;(f)是Ta3N5/Bi的选区衍射图
[0021] (4)图4是Ta3N5,M-Ta3N5/Bi和Ta3N5/Bi的紫外-可见漫反射光谱[0022] (5)图5是Bi粉、Ta3N5、M-Ta3N5/Bi和Ta3N5/Bi光催化还原CO2产CH4图(反应器体积250mL、光源300W氙灯、催化剂量0.1g,CO2初始压力705bar、H2O 0.4mL)[0023] (6)图6是Ta3N5,M-Ta3N5/Bi和Ta3N5/Bi的荧光光谱

具体实施方式

[0024] 实施例1
[0025] 称取0.51g Bi2O3、0.48g Ta2O5、0.32g NaCl和0.41g KCl放入研钵,向其中加入5mL的无水乙醇,充分研磨直至乙醇挥发干。将上述混合样品置于电热恒温鼓风干燥箱中80℃干燥1h后,再次研磨均匀。将研磨好的样品置于马弗炉,以5℃/min的升温速率加热至850℃,并保持这一温度焙烧5h,自然冷却至室温。将焙烧后的样品用去离子水洗涤、过滤,并重复上述操作3到5遍,充分去除样品中的NaCl和KCl,然后将样品置于烘箱中80℃干燥2h后,获得白色的BiTaO4粉末。将BiTaO4样品放入氧化铝坩埚,并将其置于管式炉中,以500mL/min流量通入NH3,并以10℃/min的升温速率加热至750℃,并将温度保持在750℃焙烧10h,自然冷却至室温,获得棕红色的Ta3N5/Bi光催化材料。
[0026] 比较例1
[0027] 称取0.51g Bi2O3和0.48g Ta2O5放入研钵,向其中加入5mL的无水乙醇,充分研磨直至乙醇挥发干。将上述混合样品置于电热恒温鼓风干燥箱中80℃干燥1h后,再次研磨均匀。将上述样品置于放入氧化铝坩埚,并将其置于管式炉中,以500mL/min流量通入NH3,并以10℃/min的升温速率加热至750℃,并将温度保持在750℃焙烧10h,自然冷却至室温,获得棕红色的M-Ta3N5/Bi光催化复合材料。
[0028] 比较例2
[0029] 称取1g Ta2O5放入氧化铝坩埚,并将其置于管式炉中,以500mL/min流量通入NH3,并以10℃/min的升温速率加热至750℃,并将温度保持在750℃焙烧10h,自然冷却至室温,获得棕红色的Ta3N5光催化材料。
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