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本発明の好ましい実施形態を本明細書中に記載し、その中には、本発明を実施するための発明者が知っている最良の形態を含む。 好ましい実施形態の変更は上述の記載を読んだときに当業者に明らかになるであろう。 本発明の発明者は当業者がこのような変更を適宜使用することを期待し、そして発明者は本明細書中に具体的に記載したものとは異なって発明が実施されることを意図している。 したがって、本発明は適用可能な法によって認められるとおりの添付の特許請求の範囲に記載される対象のすべての変更及び均等を包含する。 さらに、そのすべての可能な変更中の上述の要素の任意の組み合わせは、本明細書中に示されておらず又は内容から明らかに矛盾していないかぎり本発明に包含される。
なお、本発明の実施態様としては下記の態様を挙げることができる:
〈1〉(i)下記(a)〜(g)から本質的になり、かつpHが7〜11である化学機械研磨組成物、及び研磨パッドと、基材を接触させること:
(a)0.5質量%〜20質量%の湿式法シリカ、
(b)0.01質量%〜5質量%の有機カルボン酸、
(c)0.0005質量%〜2質量%のアミノホスホン酸、
(d)0.01質量%〜5質量%のテトラアルキルアンモニウム塩、
(e)水酸化カリウム、
(f)随意に重炭酸塩、及び、
(g)水、
(ii)シリコンウェハの縁に対して上記研磨パッドを、上記化学機械研磨組成物を介在させて動かすこと、及び、
(iii)上記縁の少なくとも一部を磨り減らして、上記シリコンウェハの縁を研磨すること、
を含む、縁がシリコンから本質的になるシリコンウェハの縁の研磨方法。
〈2〉上記研磨組成物が、0.02質量%〜5質量%の有機カルボン酸、0.02質量%〜2質量%のアミノホスホン酸、及び0.1質量%〜5質量%のテトラアルキルアンモニウム塩を含む、上記〈1〉項に記載の方法。
〈3〉上記研磨組成物が、5質量%〜20質量%の湿式法シリカを含む、上記〈2〉項に記載の方法。
〈4〉上記研磨組成物が、10質量%〜15質量%の湿式法シリカを含む、上記〈3〉項に記載の方法。
〈5〉上記湿式法シリカは平均粒子サイズが4nm〜180nmである、上記〈2〉項に記載の方法。
〈6〉上記湿式法シリカは平均粒子サイズが20nm〜50nmである、上記〈5〉項に記載の方法。
〈7〉上記研磨組成物が、0.1質量%〜2質量%の有機カルボン酸を含む、上記〈2〉項に記載の方法。
〈8〉上記有機カルボン酸はヒドロキシカルボン酸である、上記〈7〉項に記載の方法。
〈9〉上記有機カルボン酸は乳酸、シュウ酸、2−ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、上記〈8〉項に記載の方法。
〈10〉上記研磨組成物が、0.1質量%〜1質量%のアミノホスホン酸を含む、上記〈2〉項に記載の方法。
〈11〉上記アミノホスホン酸はエチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、上記〈10〉項に記載の方法。
〈12〉上記アミノホスホン酸はアミノトリ(メチレンホスホン酸)である、上記〈11〉項に記載の方法。
〈13〉上記研磨組成物が、重炭酸塩を含み、上記重炭酸塩は重炭酸カリウムである、上記〈2〉項に記載の方法。
〈14〉上記研磨組成物が、pHが8〜10である、上記〈2〉項に記載の方法。
〈15〉上記研磨組成物が、下記(a)〜(g)から本質的になる、上記〈1〉項に記載の方法:
(a)0.5質量%〜20質量%の湿式法シリカ、
(b)0.01質量%〜5質量%の、乳酸、シュウ酸、2−ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる有機カルボン酸、
(c)0.0005質量%〜2質量%の、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるアミノホスホン酸、
(d)0.01質量%〜5質量%のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、
(e)0.05質量%〜2質量%の水酸化カリウム、
(f)0.05質量%〜5質量%の重炭酸カリウム、及び、
(g)水。
〈16〉(i)下記(a)〜(g)から本質的になり、かつpHが7〜11である化学機械研磨組成物、及び研磨パッドと、基材を接触させること:
(a)0.5質量%〜20質量%のシリカ、
(b)0.01質量%〜5質量%の有機カルボン酸、
(c)0.0005質量%〜1質量%のアミノホスホン酸、
(d)0.01質量%〜5質量%のテトラアルキルアンモニウム塩、
(e)随意に重炭酸塩、
(f)随意に水酸化カリウム、及び、
(g)水、
(ii)ウェハの縁に対して上記研磨パッドを、上記化学機械研磨組成物を介在させて動かすこと、及び、
(iii)上記縁の少なくとも一部を磨り減らして、上記ウェハの縁を研磨すること、
を含む、縁がシリコン及び酸化シリコンから本質的になる表面を有するウェハの縁の研磨方法。
〈17〉上記研磨組成物が、0.02質量%〜5質量%の有機カルボン酸、0.02質量%〜2質量%のアミノホスホン酸、及び0.1質量%〜5質量%のテトラアルキルアンモニウム塩を含む、上記〈16〉項に記載の方法。
〈18〉上記シリカはヒュームドシリカである、上記〈17〉項に記載の方法。
〈19〉上記研磨組成物が、5質量%〜20質量%のシリカを含む、上記〈17〉項に記載の方法。
〈20〉上記研磨組成物が、10質量%〜15質量%のシリカを含む、上記〈19〉項に記載の方法。
〈21〉上記シリカは平均粒子サイズが4nm〜180nmである、上記〈17〉項に記載の方法。
〈22〉上記シリカは平均粒子サイズが20nm〜50nmである、上記〈21〉項に記載の方法。
〈23〉上記研磨組成物が、0.1質量%〜2質量%の有機カルボン酸を含む、上記〈17〉項に記載の方法。
〈24〉上記有機カルボン酸はヒドロキシカルボン酸である、上記〈23〉項に記載の方法。
〈25〉上記有機カルボン酸は乳酸、シュウ酸、2−ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、上記〈24〉項に記載の方法。
〈26〉上記研磨組成物が、0.1質量%〜1質量%のアミノホスホン酸を含む、上記〈17〉項に記載の方法。
〈27〉上記アミノホスホン酸はエチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、上記〈26〉項に記載の方法。
〈28〉上記アミノホスホン酸はアミノトリ(メチレンホスホン酸)である、上記〈27〉項に記載の方法。
〈29〉上記研磨組成物が、重炭酸塩を含み、上記重炭酸塩は重炭酸カリウムである、上記〈17〉項に記載の方法。
〈30〉上記研磨組成物が、水酸化カリウムを含む、上記〈17〉項に記載の方法。
〈31〉上記研磨組成物が、pHが8〜10である、上記〈17〉項に記載の方法。
〈32〉上記研磨組成物が、下記(a)〜(g)から本質的になる、上記〈16〉項に記載の方法:
(a)0.5質量%〜20質量%の湿式法シリカ、
(b)0.01質量%〜5質量%の、乳酸、シュウ酸、2−ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる有機カルボン酸、
(c)0.0005質量%〜2質量%の、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるアミノホスホン酸、
(d)0.01質量%〜5質量%のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、
(e)0.05質量%〜2質量%の水酸化カリウム、
(f)0.05質量%〜5質量%の重炭酸カリウム、及び、
(g)水。
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