技术领域
[0001] 本实用新型涉及一种
水处理装置,特别涉及一种集成式涡街反应器。
背景技术
[0002] 絮凝是给水处理的最重要的工艺环节,絮凝长大过程是微小颗粒
接触碰撞的过程。絮凝效果的好坏取决下面的两个因素:一是混凝剂
水解后产生的高分子络合物形成
吸附架桥的连接能
力,这是由混凝剂的性质决定的;二是微小颗粒接触碰撞的几率和如何控制它们进行合理的有效碰撞,这是由设备的动力学条件决定的。要想使
水体中颗粒相互碰撞,就必须使其与水流产生相对运动,这样水流就会对颗粒运动产生水力阻力。由于不同尺度颗粒所受水力阻力不同,所以不同尺度之间就产生了速度差。这一速度差为相邻不同尺度颗粒的碰撞提供了条件。如何让水中颗粒与水流产生相对运动呢?最好办法是改变水流的速度。改变速度方法有两种:一是改变水流时平均速度大小。二是改变水流方向。由此,如果能在絮凝池中大幅度的增加
湍流涡旋的比例,就可以大幅度的增加颗粒碰撞次数,有效的改善絮凝效果。这可以在絮凝池的流动通道上增设絮凝设备的办法来实现。接触絮凝沉淀机理是利用上向水流顶托作用和絮体沉淀作用,在斜板中下部形成具有自动更新能力的悬浮泥渣层,这样既利用了沉淀机理,又融入了接触絮凝、过滤吸附理论,可获得更佳的处理效果。
[0003] 目前,絮凝池使用的水处理装置使用的材料一般是竹木或金属材料,其制作成本高、重量大,安装不便;而且大多存在使用寿命短、效率低、使用成本高。
发明内容
[0004] 本实用新型的目的是要提供集成式涡街反应器,以解决现有水处理装置存在制作成本高、重量大,安装不便、使用寿命短、效率低、使用成本高等问题。
[0005] 为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:一种集成式涡街反应器,包括方形不锈
钢框架,所述
不锈钢框架上均匀等距的设置有若干涡街反应平板框,所述涡街反应平板框内均匀等距地设置有多根涡街旋转杆。
[0006] 作为优选,所述涡街旋转杆左右两端设置有限位轴,涡街反应平板框的两侧框架上均设有轴孔,所述限位轴套设在轴孔内。
[0007] 作为优选,所述涡街旋转杆上轴向设置有若干
叶片,在任意两叶片之间的涡街旋转杆上还轴向设有凸条。
[0008] 本实用新型的具有耐
腐蚀、抗
氧化、使用寿命长等特点。其涡街旋转杆上采用改性聚丙烯
型材,成本低,重量小,同时本实用新型可使水流产生高
频谱阵列式涡旋,产生的矾花密实;而且本实用新型采用整体式,安装方便,管理维护简单,对
原水水量和水质变化的适应性较强,可适应难处理的高浊水、低浊水及微污染水质,絮凝效果稳定,在水力条件下可自行旋转,防止淤泥,长期使用不产生藻类;本实用新型采用
中轴支撑式滑动结构,可有效消除
应力,不易损坏,使用寿命长。
附图说明
[0009] 图1是本实用新型的结构示意图;
[0010] 图2是本实用新型侧视图;
[0011] 图3是本实用新型涡街反应平板框的主视图;
[0012] 图4是本实用新型涡街旋转杆的结构示意图;
[0013] 图5是图4所示涡街旋转杆的剖视图;
[0014] 图6是本实用新型应用工作状态示意图。
具体实施方式
[0015] 下面结合附图和具体实施方式,对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
[0016] 图1是本实用新型结构示意图;图2是本实用新型的侧视图;图3是本实用新型涡街反应平板框的主视图;图4是本实用新型涡街旋转杆的结构示意图;图5是图4所示涡街旋转杆的剖视图;由图1结合图2、3、4、5可知,集成式涡街反应器主要由不锈钢框架1、涡街旋转杆2等构成。不锈钢框架1上均匀等距的设置有若干涡街反应平板框11,涡街反应平板框11内均匀等距地设置有多根涡街旋转杆2。涡街旋转杆2左右两端设置有限位轴3。涡街反应平板框11的两侧框架上均设有轴孔31,限位轴3套设在轴孔31内。涡街旋转杆
2上轴向设置有若干叶片21,在任意两叶片21之间的涡街旋转杆2上还轴向设有凸条22。
[0017] 图6是本实用新型的实际应用工作状态图。由图6可知,絮凝池4底部设置有絮凝剂添加装置5,将本实用新型放置在絮凝池4水流通道上,水流通过时被设备切割、碰撞、反弹,速度发生激烈变化,大涡旋变成小涡旋,小涡旋最后变成高强度高
频率的微涡旋,并呈阵列式分布形成涡街,离心惯性效应成倍放大,大幅度地增加了颗粒碰撞次数。同时由于水流在通过反应设备时的惯性和边界效应,矾花产生强烈
变形,在水流的揉动作用下变得更密实。并通过采用
絮凝体分形控制技术对不同动力学条件下的颗粒数量、颗粒尺度、均匀度、密实度、形态进行分析,提出絮凝过程动力学控制参数,在设备上科学合理地布设多层涡街装置,控制着絮凝池中矾花颗粒的合理长大,形成粒度均匀合适的更易于沉淀的密实矾花,有效地改善和提高了絮凝效果。
[0018] 最后,应当指出,以上具体实施方式仅是本发明较有代表性的例子。显然,本发明不限于上述具体实施方式。凡是依据本发明的技术实质对以上具体实施方式所作的任何简单
修改、等同变化与修饰,均应认为属于本发明的保护范围。