一种硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极的制备方法
专利汇可以提供一种硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种硒化镉敏化的四 氧 化三钴光电 阴极 的制备方法，属于材料科学技术领域和光电催化制氢领域。本发明先通过简单的离子层 吸附 的方法，将硒化镉负载在氧化铟 锡 基底上，然后再通过光辅助 电沉积 的方法沉积助催化剂二硫化钼，从而制备出这种高效的复合光电阴极。本方法制备的硒化镉敏化的复合光电阴极制备方法简便、 稳定性 好、价格低廉，应用于工业生产中可大幅度节约成本，是一种有较大工业光电催化产氢前景的新型催化材料。，下面是一种硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种光电阴极，其特征在于，以硒化镉为吸光物质，以四氧化三钴为空穴传导层；通过离子层吸附的方法，将硒化镉负载在四氧化三钴基底上，再通过光辅助电沉积的方法沉积一层二硫化钼作为助催化剂。
2.一种光电阴极的制备方法，其特征在于，所述光电阴极是硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极，所述方法包括如下步骤：
(1)清洗FTO导电玻璃；
(2)制备FTO/Co3O4基底：将步骤(1)处理后的FTO导电玻璃与硝酸钴、尿素，于100℃水热处理2-6小时，冷却后冲洗、干燥，于430℃焙烧3小时，得到FTO/Co3O4；
(3)制备FTO/Co3O4/CdSe电极：采取离子交替吸附的方式将硒化镉沉积在FTO/Co3O4上；
(4)通过负载MoS2助催化剂制备FTO/Co3O4/CdSe/MoS2电极，使用光辅助电化学沉积的方法负载MoS2。
3.根据权利要求2所述的一种光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤(1)清洗FTO导电玻璃，是将FTO玻璃切成小块，然后称取一定质量的氢氧化钾，向氢氧化钾中加入适量的异丙醇配制成氢氧化钾的异丙醇溶液，配制完溶液后将切好的FTO导电玻璃放入溶液中，在回流的条件下煮沸20-50分钟，随后取出分别在去离子水、丙酮及乙醇中超声多次，取出后在干燥箱中101～115℃干燥。
4.根据权利要求3所述的一种光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤(1)中氢氧化钾的异丙醇溶液中氢氧化钾的浓度为2mol·L-1。
5.根据权利要求3所述的一种光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，在干燥箱中干燥10-40分钟。
6.根据权利要求2～5任一所述的一种光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，将经过步骤(1)处理好的FTO导电玻璃放入水热反应釜中，然后加入含有0.05M硝酸钴和等浓度的尿素溶液，100℃水热2-6小时，自然冷却后用去离子水冲洗，60℃干燥后放入马弗炉中430℃焙烧3小时，得到FTO/Co3O4。
7.根据权利要求2～5任一所述的一种光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，首先，称取一定量硒粉和硼氢化钠，并加入一定体积无水乙醇剧烈搅拌得到无色澄清的Se2-溶液，然后，取等体积无水乙醇，向无水乙醇中加入一定量氯化镉超声溶解得到Cd2+溶液，最后，将FTO/Co3O4顺次浸入上述Se2-溶液和Cd2+溶液中，每次30s，通过浸泡次数来控制硒化镉的含量。
8.根据权利要求2～5任一所述的一种光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，制备含有一定浓度的硫代钼酸铵的氯化钾溶液作为沉积液，将沉积液加入三通槽中用氮气排去沉积液中的氧气，将FTO/Co3O4/CdSe在恒定电势、可见光下沉积一段时间，然后，将得到的FTO/Co3O4/CdSe/MoS2电极用去离子水冲洗掉表面残余的硫代钼酸铵前驱体，自然干燥。
9.权利要求1所述的光电阴极在光电化学分解水产氢、太阳能光伏设备、光电化学降解有机废物、光电化学催化有机合成反应中的应用。
一种硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极的制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
115℃干燥。
入一定体积无水乙醇剧烈搅拌得到无色澄清的Se 溶液，然后，取等体积无水乙醇，向无水乙醇中加入一定量氯化镉超声溶解得到Cd2+溶液，最后，将FTO/Co3O4顺次浸入上述Se2-溶液和Cd2+溶液中，每次30秒，通过浸泡次数来控制硒化镉的含量。
具体实施方式
10-40分钟，取出备用。
实施例1 -70μA/cm2 -50μA/cm2
对比例1 -60μA/cm2 -30μA/cm2
对比例2 -30μA/cm2 -5μA/cm2
对比例3 -40μA/cm2 几乎为0μA/cm2
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