具多孔SiCOH介電質直接化學機械研磨之可靠後段整合製程 RELIABLE BEOL INTEGRATION PROCESS WITH DIRECT CMP OF POROUS SiCOH DIELECTRIC
专利汇可以提供具多孔SiCOH介電質直接化學機械研磨之可靠後段整合製程 RELIABLE BEOL INTEGRATION PROCESS WITH DIRECT CMP OF POROUS SiCOH DIELECTRIC专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本發明關於單或雙鑲嵌(damascene)型內連線結構製造的改良方法，此製造方法，對於硬光罩保存或製造後之金屬導線之間的導電性皆不會造成問題。本發明的方法至少包括化學機械 研磨 以及紫外線(UV)曝露或化學修復處理步驟，這些步驟改善了所形成的內連線結構之可靠性。本發明亦關於一內連線結構，係包含一種SiCOH類的多孔性超低介電係數(k)介電質，其表層會被修飾以便形成一梯度層，該梯度層同時是一 密度 梯度也是一個 碳 (C)含量梯度。，下面是具多孔SiCOH介電質直接化學機械研磨之可靠後段整合製程 RELIABLE BEOL INTEGRATION PROCESS WITH DIRECT CMP OF POROUS SiCOH DIELECTRIC专利的具体信息内容。
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