基于不同ZnO纳米颗粒低衰减特性的有机太阳能电池及制备
方法
技术领域
[0001] 本
发明涉及有机
半导体薄膜太阳能电池领域,具体涉及一种高响应度及高
稳定性的基于不同ZnO纳米颗粒低衰减特性的
有机太阳能电池及其制备方法。
背景技术
[0002] 随着世界经济的发展,
能源消耗、环境污染等问题日益成为世界各国关注的首要问题,传统化石能源随着人们的不断开发已经趋于枯竭的边缘。太阳能作为一种
可再生能源正符合这一要求。太阳能每秒钟到达地面的
能量高达80万千瓦,若把地球表面0.1%的太12
阳能转为
电能,转变率5%,每年发电量就可达5.6×10 千瓦/小时。在太阳能的有效利用中,太阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活
力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。根据太阳能电池光
活性层材料的性质的不同,可以将光活性层材料分为无机半导体材料和
有机半导体材料。无机半导体材料由于发展起步早,研究比较广泛,基于无机半导体材料的无机太阳能电池在太阳能电池应用中占据了主导地位。但是无机半导体材料本身有其不足之处,比如加工工艺非常复杂、材料要求苛刻、不易进行大面积柔性加工、某些材料具有毒性等,这些缺点制约了无机太阳电池的进一步发展。与无机半导体材料相比,基于有机半导体材料的有机太阳能电池,不仅具有与无机太阳能电池相同的最高理论光电转换效率,而且还具有
质量轻、可湿法成膜、能加工成特种形状、易制成柔性器件、甚至可以实现全塑料化等显著优势,目前己经成为国内外研究的热点之一,也是解决能源危机的希望所在。
[0003] 然而,与无机太阳能电池已经大规模生产相比,有机太阳能电池由于其目前的光电转换效率还相对较低,其商用化还尚需时日。在各种提高有机太阳能电池光电转换效率的措施中,制备合适的
阴极缓冲层是一种十分有效方法。当前,普遍应用的阴极缓冲层材料为可溶性的n型无机
金属化合物,如ZnO、TiOx和Cs2CO3,其中以ZnO应用最为广泛。
[0004] 但是,采用
旋涂ZnO纳米颗粒分散液作为阴极缓冲层时,由于不同尺寸ZnO颗粒之间的间隙不同,形成
缺陷的程度不同,从而导致载流子的传输与分离情况不同,这就导致不同尺寸ZnO纳米颗粒制备的器件光衰减程度大相径庭。因此,研究如何优化和选择无机金属化合物阴极缓冲层,是提高有机太阳能电池光电转换效率的有效途径,也是目前有机太阳能电池领域研究的重点及难点之一。
发明内容
[0005] 本发明的目的在于:提供一种
基于不同ZnO纳米颗粒低衰减特性的有机太阳能电池及制备方法,解决由于小尺寸ZnO颗粒之间的间隙较大,分散性差,容易形成缺陷,从而导致载流子的传输与分离受阻且光衰减大,同时大尺寸ZnO纳米颗粒薄膜的界面较为粗糙,使得器件拥有较大的界面
接触电阻与较高的载流子复合几率,这都将严重制约器件的性能的问题。
[0006] 本发明采用的技术方案如下:
[0007] 一种基于不同ZnO纳米颗粒低衰减特性的有机太阳能电池,所述有机太阳能电池采用反型结构,从下到上依次为:衬底,透明导电阴极ITO,阴极缓冲层,光活性层,
阳极缓冲层,金属阳极,所述阴极缓冲层为不同直径大小的ZnO纳米颗粒分散液,所述ZnO纳米颗粒的直径范围是10~120nm,所述阴极缓冲层厚度范围为30~60nm。
[0008] 进一步地,所述光活性层由
电子给体材料PBDB-T与电子受体材料ITIC的混合溶液制备而成,其厚度范围为50~300nm;所述混合溶液中电子给体材料PBDB-T和电子受体材料ITIC的质量百分比为1:1,所述混合溶液的浓度为10~30mg/ml,所述电子给体材料PBDB-T与电子受体材料ITIC均属于非
富勒烯体系的常用材料,在此不做赘述。
[0009] 进一步地,所述阳极缓冲层材料为PEDOT:PSS,其厚度范围为5~20nm。
[0010] 进一步地,所述金属阳极材料为Ag、Al和Au中的一种或多种,其厚度范围为100~200nm。
[0011] 进一步地,所述衬底材料为透明
聚合物,所述透明聚合物材料为聚乙烯、聚甲基
丙烯酸甲酯、聚
碳酸酯、聚
氨基
甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋
树脂和聚丙烯酸的一种或多种。
[0012] 一种基于不同ZnO纳米颗粒低衰减特性的有机太阳能电池的制备方法,制备过程包括以下步骤:
[0013] 1)对由衬底及透明导电阴极ITO所组成的
基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;
[0014] 2)把不同直径大小的ZnO纳米颗粒分散液用无
水乙醇稀释10~100倍,然后置于搅拌台上搅拌,制备得到ZnO纳米颗粒分散液;
[0015] 3)在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆、印刷或
喷涂不同直径大小的ZnO纳米颗粒分散液,并将所形成的薄膜进行低温
烘烤,制备得到阴极缓冲层;
[0016] 4)在阴极缓冲层上采用旋涂或喷涂或自组装或喷墨打印或丝网印刷的方式制备PBDB-T:ITIC光活性层;
[0017] 5)在光活性层表面旋转涂覆、印刷或喷涂阳极缓冲层PEDOT:PSS溶液,并进行热
退火;
[0019] 进一步地,步骤(3)所述薄膜低温烘烤的
温度范围在30~40℃,时间范围为10~30min。
[0020] 进一步地,步骤(5)所述阳极缓冲层热退火温度范围在120~140℃,时间范围为25~35min。
[0021] 进一步地,所述热退火和低温烘烤方式采用恒温热台加热、烘箱加热、远红外加热、热
风加热的一种或多种。
[0022] 综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:
[0023] 1.本发明通过选用合适尺寸的ZnO纳米颗粒(直径约100nm),减少了阴极缓冲层里的缺陷,增加了阴极缓冲层的
导电性进而提升其电子传输能力。
[0024] 2.本发明通过选用合适尺寸的ZnO纳米颗粒(直径约100nm),提高了阴极缓冲层的电子迁移率,减少了载流子的再复合几率。
[0025] 3.本发明通过选用合适尺寸的ZnO纳米颗粒(直径约100nm),降低了器件的光衰减特性特别是在x射线,γ射线中的效果尤为明显,为
有机光电子器件进入太空奠定
基础。
附图说明
[0026] 图1是本发明的结构示意图;
[0027] 图中标记为:1-衬底、2-透明导电阴极ITO、3-阴极缓冲层、4-光活性层、5-阳极缓冲层、6-金属阳极。
具体实施方式
[0028] 下面将结合本发明
实施例中的附图1,对本发明实施例中的技术方案进行清楚完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0029] 实施例1
[0030] 对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底1及透明导电阴极ITO2所组成的基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;在透明导电阴极ITO2表面旋转涂覆直径约为10nm的ZnO纳米颗粒(5000rpm,40s,50nm)制备阴极缓冲层3,并将所形成的薄膜进行低温烘烤(30℃,20min);在阴极缓冲层3上采用旋涂制备PBDB-T:ITIC(1:1,20mg/ml)光活性层4(2000rpm,50s,200nm),在光活性层4表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液(3000rpm,60s,30nm)制备阳极缓冲层5,并将所形成的薄膜进行热退火(130℃,30min),在阴极缓冲层3上蒸镀金属阴极Ag(100nm)。
在标准测试条件下:AM 1.5,100mW/cm2,测得器件的开路
电压(VOC)=0.88V,
短路电流(JSC)=15.5mA/cm2,填充因子(FF)=0.66,光电转换效率(PCE)=9.00%。
[0031] 实施例2
[0032] 对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底1及透明导电阴极ITO2所组成的基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;在透明导电阴极ITO2表面旋转涂覆直径约为20nm的ZnO纳米颗粒(5000rpm,40s,50nm)制备阴极缓冲层3,并将所形成的薄膜进行低温烘烤(30℃,20min);在阴极缓冲层3上采用旋涂制备PBDB-T:ITIC(1:1,20mg/ml)光活性层4(2000rpm,50s,200nm),在光活性层4表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液(3000rpm,60s,30nm)制备阳极缓冲层5,并将所形成的薄膜进行热退火(130℃,30min),在阴极缓冲层3上蒸镀金属阴极Ag(100nm)。
在标准测试条件下:AM 1.5,100mW/cm2,测得器件的开路电压(VOC)=0.88V,短路电流(JSC)=16.3mA/cm2,填充因子(FF)=0.68,光电转换效率(PCE)=9.75%。
[0033] 实施例3
[0034] 对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底1及透明导电阴极ITO2所组成的基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;在透明导电阴极ITO2表面旋转涂覆直径约为30nm的ZnO纳米颗粒(5000rpm,40s,50nm)制备阴极缓冲层3,并将所形成的薄膜进行低温烘烤(30℃,20min);在阴极缓冲层3上采用旋涂制备PBDB-T:ITIC(1:1,20mg/ml)光活性层4(2000rpm,50s,200nm),在光活性层4表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液(3000rpm,60s,30nm)制备阳极缓冲层5,并将所形成的薄膜进行热退火(130℃,30min),在阴极缓冲层3上蒸镀金属阴极Ag(100nm)。
在标准测试条件下:AM 1.5,100mW/cm2,测得器件的开路电压(VOC)=0.88V,短路电流(JSC)
2
=16.5mA/cm,填充因子(FF)=0.63,光电转换效率(PCE)=9.15%。
[0035] 实施例4
[0036] 对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底1及透明导电阴极ITO2所组成的基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;在透明导电阴极ITO2表面旋转涂覆直径约为40nm的ZnO纳米颗粒(5000rpm,40s,50nm)制备阴极缓冲层3,并将所形成的薄膜进行低温烘烤(30℃,20min);在阴极缓冲层3上采用旋涂制备PBDB-T:ITIC(1:1,20mg/ml)光活性层4(2000rpm,50s,200nm),在光活性层4表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液(3000rpm,60s,30nm)制备阳极缓冲层5,并将所形成的薄膜进行热退火(130℃,30min),在阴极缓冲层3上蒸镀金属阴极Ag(100nm)。
在标准测试条件下:AM 1.5,100mW/cm2,测得器件的开路电压(VOC)=0.88V,短路电流()=
16.5mA/cm2,填充因子(FF)=0.66,光电转换效率(PCE)=9.58%。
[0037] 实施例5
[0038] 对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底1及透明导电阴极ITO2所组成的基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;在透明导电阴极ITO2表面旋转涂覆直径约为50nm的ZnO纳米颗粒(5000rpm,40s,50nm)制备阴极缓冲层3,并将所形成的薄膜进行低温烘烤(30℃,20min);在阴极缓冲层3上采用旋涂制备PBDB-T:ITIC(1:1,20mg/ml)光活性层4(2000rpm,50s,200nm),在光活性层4表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液(3000rpm,60s,30nm)制备阳极缓冲层5,并将所形成的薄膜进行热退火(130℃,30min),在阴极缓冲层3上蒸镀金属阴极Ag(100nm)。
在标准测试条件下:AM 1.5,100mW/cm2,测得器件的开路电压(VOC)=0.88V,短路电流(JSC)
2
=15.7mA/cm,填充因子(FF)=0.63,光电转换效率(PCE)=8.70%。
[0039] 实施例6
[0040] 对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底1及透明导电阴极ITO2所组成的基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;在透明导电阴极ITO2表面旋转涂覆直径约为60nm的ZnO纳米颗粒(5000rpm,40s,50nm)制备阴极缓冲层3,并将所形成的薄膜进行低温烘烤(30℃,20min);在阴极缓冲层3上采用旋涂制备PBDB-T:ITIC(1:1,20mg/ml)光活性层4(2000rpm,50s,200nm),在光活性层4表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液(3000rpm,60s,30nm)制备阳极缓冲层5,并将所形成的薄膜进行热退火(130℃,30min),在阴极缓冲层3上蒸镀金属阴极Ag(100nm)。
在标准测试条件下:AM 1.5,100mW/cm2,测得器件的开路电压(VOC)=0.88V,短路电流(JSC)=15.5mA/cm2,填充因子(FF)=0.60,光电转换效率(PCE)=8.18%。
[0041] 实施例7
[0042] 对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底1及透明导电阴极ITO2所组成的基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;在透明导电阴极ITO2表面旋转涂覆直径约为70nm的ZnO纳米颗粒(5000rpm,40s,50nm)制备阴极缓冲层3,并将所形成的薄膜进行低温烘烤(30℃,20min);在阴极缓冲层3上采用旋涂制备PBDB-T:ITIC(1:1,20mg/ml)光活性层4(2000rpm,50s,200nm),在光活性层4表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液(3000rpm,60s,30nm)制备阳极缓冲层5,并将所形成的薄膜进行热退火(130℃,30min),在阴极缓冲层3上蒸镀金属阴极Ag(100nm)。
2
在标准测试条件下:AM 1.5,100mW/cm,测得器件的开路电压(VOC)=0.88V,短路电流(JSC)=15.0mA/cm2,填充因子(FF)=0.56,光电转换效率(PCE)=7.39%。
[0043] 实施例8
[0044] 对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底1及透明导电阴极ITO2所组成的基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;在透明导电阴极ITO2表面旋转涂覆直径约为80nm的ZnO纳米颗粒(5000rpm,40s,50nm)制备阴极缓冲层3,并将所形成的薄膜进行低温烘烤(30℃,20min);在阴极缓冲层3上采用旋涂制备PBDB-T:ITIC(1:1,20mg/ml)光活性层4(2000rpm,50s,200nm),在光活性层4表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液(3000rpm,60s,30nm)制备阳极缓冲层5,并将所形成的薄膜进行热退火(130℃,30min),在阴极缓冲层3上蒸镀金属阴极Ag(100nm)。
在标准测试条件下:AM 1.5,100mW/cm2,测得器件的开路电压(VOC)=0.88V,短路电流(JSC)=14.8mA/cm2,填充因子(FF)=0.54,光电转换效率(PCE)=7.03%。
[0045] 实施例9
[0046] 对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底1及透明导电阴极ITO2所组成的基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;在透明导电阴极ITO2表面旋转涂覆直径约为90nm的ZnO纳米颗粒(5000rpm,40s,50nm)制备阴极缓冲层3,并将所形成的薄膜进行低温烘烤(30℃,20min);在阴极缓冲层3上采用旋涂制备PBDB-T:ITIC(1:1,20mg/ml)光活性层4(2000rpm,50s,200nm),在光活性层4表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液(3000rpm,60s,30nm)制备阳极缓冲层5,并将所形成的薄膜进行热退火(130℃,30min),在阴极缓冲层3上蒸镀金属阴极Ag(100nm)。
2
在标准测试条件下:AM 1.5,100mW/cm,测得器件的开路电压(VOC)=0.88V,短路电流(JSC)=14.6mA/cm2,填充因子(FF)=0.53,光电转换效率(PCE)=6.81%。
[0047] 实施例10
[0048] 对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底1及透明导电阴极ITO2所组成的基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;在透明导电阴极ITO2表面旋转涂覆直径约为100nm的ZnO纳米颗粒(5000rpm,40s,50nm)制备阴极缓冲层3,并将所形成的薄膜进行低温烘烤(30℃,20min);在阴极缓冲层3上采用旋涂制备PBDB-T:ITIC(1:1,20mg/ml)光活性层4(2000rpm,50s,200nm),在光活性层4表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液(3000rpm,60s,30nm)制备阳极缓冲层5,并将所形成的薄膜进行热退火(130℃,30min),在阴极缓冲层3上蒸镀金属阴极Ag(100nm)。
在标准测试条件下:AM 1.5,100mW/cm2,测得器件的开路电压(VOC)=0.88V,短路电流(JSC)=14.5mA/cm2,填充因子(FF)=0.56,光电转换效率(PCE)=7.15%。
[0049] 表1:有机太阳能电池器件光衰减性能参数
[0050]
[0051]
[0052] 由上表可以看出:通过优化ZnO纳米颗粒尺寸制备得到的太阳能电池(即实施例6制备而成的太阳能电池,结构为:ITO/ZnO/PBDB-T:ITIC/PEDOT:PSS/Ag)相于较小尺寸ZnO纳米颗粒分散液制备得到的太阳能电池(即实施例1制备而成的太阳能电池),其短路电流
密度变大,填充因子提高,这是由于40nm ZnO纳米颗粒分散液中,减少了阴极缓冲层3里的缺陷,因而提升了阴极缓冲层3的电子迁移率,同时降低了器件的光衰减速率;相与较大尺寸(直径~100nm)ZnO纳米颗粒分散液制备得到的太阳能电池(即实施例10制备而成的太阳能电池),具有较好的ZnO纳米颗粒的薄膜形貌,在阴极缓冲层3与光活性层4界面形成了更好的
欧姆接触,增大了器件的光电流密度和填充因子,最终获得光电转换效率较高的器件。
[0053] 利用不同的ZnO纳米颗粒制备有机太阳能电池表现出了不同的光衰减特性,ZnO纳米颗粒尺寸越大(直径~100nm)的器件性能衰减的越低,在α射线,γ射线中的效果尤为明显,为
有机光电子器件进入太空奠定基础。光衰减的原因在于在器件面积相同的情况下,ZnO纳米颗粒尺寸越大,不同颗粒间的空隙范围越小,这样就减少了阴极缓冲层3中的缺陷,提升了阴极缓冲层3的电子传输能力。同时,较大尺寸ZnO纳米颗粒薄膜的界面较为粗糙,使得器件拥有较大的界面接触电阻与较高的载流子复合几率,这都将严重制约器件的性能的问题。因此,在保证器件性能的同时能降低器件的光衰减特性,选择合适尺寸的ZnO纳米颗粒尤为重要。
[0054] 尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行
修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。