一种石墨烯/非晶硅太阳能电池及其制备方法
专利汇可以提供一种石墨烯/非晶硅太阳能电池及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种 石墨 烯/ 非晶 硅 太阳 电池 及其制备方法，该电池 自下而上 依次有衬底、导电 镀 膜 层、n型非晶硅 薄膜 层、i型非晶硅薄膜层及 石墨烯 层，所述的太阳电池还设有第一 电极 和第二电极，第一电极设置在导 电镀 膜层上，第二电极设置在石墨烯层上。其制备方法如下：先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积n型非晶硅薄膜层，再沉积i型非晶硅薄膜层；然后将石墨烯转移至非晶硅层上；最后在石墨烯层及导电镀膜层上分别制作电极，获得太阳电池。本发明在低成本及简单工艺的 基础 上可获得转化效率高的新型太阳电池。，下面是一种石墨烯/非晶硅太阳能电池及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种石墨烯/非晶硅太阳电池，其特征在于自下而上依次有衬底（1）、导电镀膜层（2）、n型非晶硅薄膜层（3）、i型非晶硅薄膜层（4）及石墨烯层（5），所述的太阳电池还设有第一电极（6）和第二电极（7），第一电极（6）设置在导电镀膜层（2）上，第二电极（7）设置在石墨烯层（5）上。
2.根据权利要求1所述的石墨烯/非晶硅太阳电池，其特征在于所述的导电镀膜层（2）为金属、ITO、FTO、n型掺杂氧化锌或p型掺杂氧化锌。
3.根据权利要求1所述的石墨烯/非晶硅太阳电池，其特征在于所述的石墨烯层（5）中的石墨烯为1-10层。
4. 根据权利要求1所述的石墨烯/非晶硅太阳电池，其特征在于所述的衬底（1）为刚性衬底或柔性衬底。
5. 根据权利要求1所述的石墨烯/非晶硅太阳电池，其特征在于所述的第一电极（6）为金、钯、银、钛、铬和镍中的一种或几种的复合电极，所述的第二电极（7）为金、钯、银、钛、铬和镍中的一种或几种的复合电极。
6. 根据权利要求1所述的石墨烯/非晶硅太阳电池，其特征在于所述的导电镀膜层（2）厚度为1纳米至500纳米，n型非晶硅薄膜层（3）厚度为5纳米至500纳米，i型非晶硅薄膜层（4）厚度为10纳米至10微米。
7. 制备如权利要求1~6任一项所述的石墨烯/非晶硅太阳电池的方法，其特征在于包括如下步骤：
1）在洁净的衬底（1）上生长导电镀膜层（2）；
2）在导电镀膜层（2）上沉积n型非晶硅薄膜层（3），再沉积i型非晶硅薄膜层（4），并在导电镀膜层（2）表面预留生长第一电极（6）的面积；
3）将石墨烯转移至i型非晶硅薄膜层（4）上，获得石墨烯层（5）；
4）在导电镀膜层（2）上沉积第一电极（6），并在石墨烯层（5）上沉积第二电极（7）。
一种石墨烯/非晶硅太阳能电池及其制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
2）在导电镀膜层上沉积n型非晶硅薄膜层，再沉积i型非晶硅薄膜层，并在导电镀膜层表面预留生长第一电极的面积；
3）将石墨烯转移至i型非晶硅薄膜层上获得石墨烯层；
4）在导电镀膜层上沉积第一电极，并在石墨烯层上沉积第二电极。
具体实施方式
6和第二电极7，第一电极6设置在导电镀膜层2上，第二电极7设置在石墨烯层5上。
2）在玻璃衬底上利用磁控溅射沉积500纳米厚的掺铟氧化锡；
3）在掺铟氧化锡层上利用化学气相沉积技术沉积5纳米厚的n型非晶硅薄膜层，再在其上沉积10微米厚的i型非晶硅薄膜层，并在ITO层上预留生长第一电极的面积；
4）将单层石墨烯转移至i型非晶硅薄膜层上；
5）在石墨烯上以及ITO层预留面积处涂覆银浆并烘干，得到石墨烯/非晶硅太阳电池。
2）在PET衬底上利用磁控溅射沉积1纳米厚的金；
3）在金导电层上利用等离子增强化学气相沉积技术生长5纳米厚的n型非晶硅薄膜层，再利用同样技术在其上沉积10纳米厚的i型非晶硅薄膜层，并在金导电层上预留生长第一电极的面积；
4）将10层石墨烯转移至i型非晶硅薄膜层上；
5）在石墨烯上以及金导电层上预留面积处涂利用电子束蒸发沉积钛钯银复合电极，得到石墨烯/非晶硅太阳电池。
2）在PI衬底上利用磁控溅射沉积40纳米厚的AZO；
3）在AZO层上利用等离子增强化学气相沉积技术生长500纳米厚的n型非晶硅薄膜层，再利用同样技术在其上沉积0.8微米厚的i型非晶硅薄膜层，并在AZO层上预留生长第一电极的面积；
4）将5层石墨烯转移至i型非晶硅薄膜层上；
5）在石墨烯上以及AZO层上预留面积处涂利用热蒸发技术沉积镍电极，得到石墨烯/非晶硅太阳电池。
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