专利汇可以提供一种多层硅片封装结构中的信息传输装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种多层 硅 片 封装结构中的信息传输装置,包括若干层叠放置的 半导体 硅片 ,各层半导体硅片上均设有光电转化器,通过互为发送光电 信号 从而实现半导体硅片中集成 电路 功能模 块 之间的信息传输;其中,光电转化器包括至少一个 光发射器件 、至少一个 光接收器 件以及至少一个光电转化控制电路。本发明提供的多层硅片封装结构中的信息传输装置,在集成电路 制造过程 中,在半导体硅片上同时制造光电转化器,利用光 电信号 进行芯片间的信息传输,无需对硅衬底进行通孔工艺,避免了繁琐的硅通孔互连封装工艺,具有工艺难度低、易于实施、成本低等特点。,下面是一种多层硅片封装结构中的信息传输装置专利的具体信息内容。
1.一种多层硅片封装结构中的信息传输装置,其特征在于,包括若干层叠放置的半导体硅片,各层半导体硅片上均设有光电转化器,通过互为发送光电信号从而实现半导体硅片中集成电路功能模块之间的信息传输;
其中,所述光电转化器包括至少一个光发射器件及一个光接收器件以及至少一个光电转化控制电路,所述光电转化控制电路连接光发射器件及光接收器件,所述光发射器件及光接收器件在光电转化控制电路的控制下,将需要传输的电信号通过光发射器件转换为光信号输出,或者将接收到的光信号通过光接收器件转化为电信号输出。
2.根据权利要求1所述的多层硅片封装结构中的信息传输装置,其特征在于,所述光发射器件以及光接收器件通过金属互连线与半导体集成电路功能模块连接,与集成电路功能模块在制造过程中同时完成。
3.根据权利要求1所述的多层硅片封装结构中的信息传输装置,其特征在于,所述光发射器件的周围形成有呈环状的围栏结构,所述围栏结构内填充有金属材料,以使所述光发射器件发出的光的传输路径垂直于半导体硅片。
4.根据权利要求3所述的多层硅片封装结构中的信息传输装置,其特征在于,所述金属材料为钨。
5.根据权利要求3所述的多层硅片封装结构中的信息传输装置,其特征在于,所述围栏结构的下端延伸至半导体衬底中的浅沟槽隔离结构中。
6.根据权利要求1所述的多层硅片封装结构中的信息传输装置,其特征在于,所述光发射器件为发光二极管。
7.根据权利要求1所述的多层硅片封装结构中的信息传输装置,其特征在于,所述光接收器件为光敏二极管或光敏电阻。
8.根据权利要求1所述的多层硅片封装结构中的信息传输装置,其特征在于,所述光发射器件或光接收器件的有源区的禁带宽度小于半导体衬底的禁带宽度。
9.根据权利要求8所述的多层硅片封装结构中的信息传输装置,其特征在于,所述光发射器件或光接收器件的有源区的材质为锗硅或锗。
10.根据权利要求1所述的多层硅片封装结构中的信息传输装置,其特征在于,所述光发射器件上设有用于提高电导性的硅化物层。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
P型PERC双面太阳能电池的背面电极和电池 | 2020-06-13 | 1 |
一种双面太阳能电池印刷对准装置及对准方法 | 2020-10-16 | 0 |
硅与III-V族化合物硅键合材料及其键合方法 | 2020-12-28 | 1 |
一种双工件台换台自转装置及其使用方法 | 2023-04-29 | 1 |
一种基于PVD技术制备局部多晶硅薄膜钝化接触的方法 | 2020-05-14 | 0 |
一种硅片脱胶清洗方法及装置 | 2021-12-24 | 0 |
一种基于晶闸管结构的浪涌保护阵列及制造方法 | 2020-06-30 | 2 |
一种半导体器件及关键尺寸的测量方法 | 2023-01-17 | 1 |
一种隔板的处理方法 | 2020-07-14 | 0 |
一种硅片切割机的砂浆过滤装置 | 2021-10-07 | 0 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。