一种八英寸硅单晶硅片切割方法
专利汇可以提供一种八英寸硅单晶硅片切割方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种八英寸 硅 单晶 硅片 多线切割机及其切割方法，包括 导轨 丝杠 、 工作台 、 砂浆 喷嘴 、槽轮和接片槽；所述导轨丝杠设于工作台上，所述导轨丝杠与工作台间从上到下依次设有工作台 铁 垫和绝缘垫，所述工作台配有喷浆沙嘴，所述喷浆沙嘴下设有接片槽，所述接片槽的两侧设有槽轮，所述槽轮上部布有线网，所述工作台的下表面的中间 位置 设有一倒梯型内凹槽，用于夹持 工件 。本发明的有益效果是可以满足大直径硅片生产的需求，并使其具备更高的加工能 力 ，达到节约成本，提高效率的目的。，下面是一种八英寸硅单晶硅片切割方法专利的具体信息内容。
1.一种切割八英寸硅单晶硅片的方法，该方法采用多线切割机作为设备，该设备包括导轨丝杠、工作台、砂浆喷嘴、槽轮和接片槽；所述导轨丝杠设于工作台上，所述导轨丝杠与工作台间从上到下依次设有工作台铁垫和绝缘垫，所述工作台配有砂浆喷嘴，所述砂浆喷嘴下设有接片槽，所述接片槽的两侧设有槽轮，所述槽轮上布有线网，所述工作台的下表面的中间位置设有一倒梯型内凹槽，用于夹持工件；所述砂浆喷嘴由两根水平管和九根下砂管组成，第一水平管下表面与第一至五根所述下砂管的上端垂直相交，所述第一至五根下砂管的下端又与第二水平管的上表面相交，所述第二水平管长于第一水平管，所述第二水平管的下表面与第六至九根所述下砂管垂直相交，所述第六至九根下砂管平均分为两组，两组分别位于所述第二水平管的两端，两两下砂管间平行；其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)硅单晶安放在所述工作台中，并与所述工作台的内凹槽夹紧；(2)调整供线侧线网张力和回收侧线网张力，在所述槽轮上绕上钢线形成所述线网；(3)向下移动硅单晶，使硅单晶接触到所述线网，设定切割起始位置，然后将硅单晶提升1mm；(4)在砂浆搅拌桶中放入按照质量比=1：0.95的碳化硅和聚乙二醇切削液混合液，设置所述砂浆喷嘴的砂浆流量；(5)设置切速与线网运转速度，预热30分钟后，切削液流经所述砂浆喷嘴的水平管及下砂管，从所述第六至九根下砂管管口喷至所述线网上，硅单晶下降，所述槽轮带动线网开始转动，开始切割；(6)切割完成后，确认切割位置是否完全切透，将工作台上升至原点，卸下硅单晶，进行去胶清洗。
2.根据权利要求1所述的切割八英寸硅单晶硅片的方法，其特征在于：所述槽轮直径为250±5mm。
3.根据权利要求1所述的切割八英寸硅单晶硅片的方法，其特征在于：所述接片槽深
230±5mm。
4.根据权利要求1所述的切割八英寸硅单晶硅片的方法，其特征在于：步骤(2)中的供线侧线网张力为26‐28N，回收侧线网张力为25‐26N。
5.根据权利要求1所述的切割八英寸硅单晶硅片的方法，其特征在于：步骤(4)中的砂浆流量设置为：40‐60L/min。
6.根据权利要求1所述的切割八英寸硅单晶硅片的方法，其特征在于：步骤(5)中的切速设置为0.3mm/min‐0.45mm/min；线网运转速度设置为600‐900m/min。
一种八英寸硅单晶硅片切割方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
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