专利汇可以提供一种激光优化绕镀的P型太阳能电池制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开一种激光优化绕 镀 的P型 太阳能 电池 制造方法,包括制绒、扩散、 抛光 、 退火 、背面 钝化 膜、 正面 钝化膜、背面激光开槽、丝网印刷、 烧结 、光致再生步骤,其特征在于:在背面钝化膜步骤之后、正面钝化膜步骤之前增加激光处理步骤,对 硅 片 正面进行激光处理工序,激光处理区域为 硅片 正面丝网印刷边框线与硅片边框之间的区域。本发明通过增加一道激光对正面边框处理的工序,消除在背面 镀膜 时绕到正面的多余的氮化硅膜层,并且激光处理区域位于丝网印刷边框以外,对电池片电性能无影响,经过激光处理后电池片正面片内膜色差异减小,使制得电池片正面片内膜色均匀,符合黑 背板 组件对电池片膜色的要求,提高了用于黑背板组件电池片的外观良率。,下面是一种激光优化绕镀的P型太阳能电池制造方法专利的具体信息内容。
1.一种激光优化绕镀的P型太阳能电池制造方法,包括制绒、扩散、抛光、退火、背面钝化膜、正面钝化膜、背面激光开槽、丝网印刷、烧结、光致再生步骤,其特征在于:在背面钝化膜步骤之后、正面钝化膜步骤之前增加激光处理步骤,对硅片正面进行激光处理工序,激光处理区域为硅片正面丝网印刷边框线与硅片边框之间的区域,所述激光处理区域的宽度为
0.4~1.2毫米,所述激光处理区域使用多条激光线进行激光处理,所述激光线之间的间隔是40~90微米。
2.如权利要求1所述的激光优化绕镀的P型太阳能电池制造方法,其特征在于:所述激光处理工序的激光光斑直径为20~80微米。
3.如权利要求1所述的激光优化绕镀的P型太阳能电池制造方法,其特征在于:所述激光处理工序的激光能量大小为3~20瓦特。
4.如权利要求1所述的激光优化绕镀的P型太阳能电池制造方法,其特征在于:所述激光处理工序的激光频率为300~800千赫兹。
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