专利汇可以提供一种半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 半导体 8寸 晶圆 制程ETCH8500工艺 石英 屏蔽环的再生方法,包括如下步骤:1)将石英屏蔽环浸泡于清洗用 水 内40~60分钟;2)采用刮除件初步刮除石英屏蔽环表面污渍;3)进行 超 声波 清洗,然后对石英屏蔽环进行高压喷淋清洗;4)送入烘箱,将石英屏蔽环 烘烤 10~15分钟;5)由烘箱中取出后直接送入低温冷冻室,对石英屏蔽环进行急速冷冻;6)取出石英屏蔽环,敲打石英屏蔽环表面,使得表面附着物 破碎 、脱落,自然升温至室温,完成对所述石英屏蔽环的再生。所述再生方法不采用任何化学 试剂 ,通 过热 胀冷缩的物理学原理,即可实现对石英屏蔽环的清洗、再生,再生成本低、节能环保,对环境友好、无污染。,下面是一种半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法专利的具体信息内容。
1.一种半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
1)取石英屏蔽环,放置于清洗槽内,清洗槽内装有清洗用水,将石英屏蔽环浸泡于清洗用水内40 60分钟;
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2)取出石英屏蔽环,用清洗布擦干表面水渍,并采用刮除件初步刮除石英屏蔽环表面污渍;
3)将石英屏蔽环送入超声波清洗机,进行超声波清洗,然后对石英屏蔽环进行高压喷淋清洗;
4)将高压喷淋清洗后的石英屏蔽环送入烘箱,设置烘箱温度800 1000℃,将石英屏蔽~
环烘烤10 15分钟,使得石英屏蔽环表面附着物熔化、液化;
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5)将高温烘烤后的石英屏蔽环由烘箱中取出后直接送入低温冷冻室,以40 50℃/分钟~
的降温速度降温至-30 -20℃,对石英屏蔽环进行急速冷冻,冷冻时长20 30分钟,使得石英~ ~
屏蔽环表面附着物结块;
6)取出石英屏蔽环,敲打石英屏蔽环表面,使得表面附着物破碎、脱落,自然升温至室温,完成对所述石英屏蔽环的再生。
2.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,步骤1)所述清洗用水为去离子水。
3.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,步骤2)所述刮除件为钢丝刷或刮刀,刮除件沿石英屏蔽环外周运行,完成对石英屏蔽环外表面污渍的刮除;刮除件沿石英屏蔽环内周运行,完成对石英屏蔽环内表面污渍的刮除。
4.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,步骤3)中超声波清洗用水为去离子水,水温为60 80℃,超声清洗时长为5 10分~ ~
钟,超声波功率为80 100KHz。
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5.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,步骤3)采用高压喷头对石英屏蔽环进行高压喷淋清洗,高压喷头喷射压力为1.5
3MPa。
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6.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,步骤5)采用干冰将或液氮石英屏蔽环降温至-30 -20℃。
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7.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,步骤3)在高压喷淋清洗过程中,将石英屏蔽环套设于一轴杆上,轴杆表面设置有用于支撑石英屏蔽环的支撑杆,轴杆均速旋转,使得石英屏蔽环外周得到充分喷淋清洗。
方法
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