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一种半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法

阅读:145发布:2020-05-15

专利汇可以提供一种半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 半导体 8寸 晶圆 制程ETCH8500工艺 石英 屏蔽环的再生方法,包括如下步骤:1)将石英屏蔽环浸泡于清洗用 水 内40~60分钟;2)采用刮除件初步刮除石英屏蔽环表面污渍;3)进行 超 声波 清洗,然后对石英屏蔽环进行高压喷淋清洗;4)送入烘箱,将石英屏蔽环 烘烤 10~15分钟;5)由烘箱中取出后直接送入低温冷冻室,对石英屏蔽环进行急速冷冻;6)取出石英屏蔽环,敲打石英屏蔽环表面,使得表面附着物 破碎 、脱落,自然升温至室温,完成对所述石英屏蔽环的再生。所述再生方法不采用任何化学 试剂 ,通 过热 胀冷缩的物理学原理,即可实现对石英屏蔽环的清洗、再生,再生成本低、节能环保,对环境友好、无污染。,下面是一种半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法专利的具体信息内容。

1.一种半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
1)取石英屏蔽环,放置于清洗槽内,清洗槽内装有清洗用,将石英屏蔽环浸泡于清洗用水内40 60分钟;
~
2)取出石英屏蔽环,用清洗布擦干表面水渍,并采用刮除件初步刮除石英屏蔽环表面污渍;
3)将石英屏蔽环送入声波清洗机,进行超声波清洗,然后对石英屏蔽环进行高压喷淋清洗;
4)将高压喷淋清洗后的石英屏蔽环送入烘箱,设置烘箱温度800 1000℃,将石英屏蔽~
烘烤10 15分钟,使得石英屏蔽环表面附着物熔化液化
~
5)将高温烘烤后的石英屏蔽环由烘箱中取出后直接送入低温冷冻室,以40 50℃/分钟~
的降温速度降温至-30 -20℃,对石英屏蔽环进行急速冷冻,冷冻时长20 30分钟,使得石英~ ~
屏蔽环表面附着物结
6)取出石英屏蔽环,敲打石英屏蔽环表面,使得表面附着物破碎、脱落,自然升温至室温,完成对所述石英屏蔽环的再生。
2.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,步骤1)所述清洗用水为去离子水。
3.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,步骤2)所述刮除件为丝刷或刮刀,刮除件沿石英屏蔽环外周运行,完成对石英屏蔽环外表面污渍的刮除;刮除件沿石英屏蔽环内周运行,完成对石英屏蔽环内表面污渍的刮除。
4.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,步骤3)中超声波清洗用水为去离子水,水温为60 80℃,超声清洗时长为5 10分~ ~
钟,超声波功率为80 100KHz。
~
5.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,步骤3)采用高压喷头对石英屏蔽环进行高压喷淋清洗,高压喷头喷射压为1.5
3MPa。
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6.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,步骤5)采用将或液氮石英屏蔽环降温至-30 -20℃。
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7.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,其特征在于,步骤3)在高压喷淋清洗过程中,将石英屏蔽环套设于一轴杆上,轴杆表面设置有用于支撑石英屏蔽环的支撑杆,轴杆均速旋转,使得石英屏蔽环外周得到充分喷淋清洗。

说明书全文

一种半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生

方法

技术领域

[0001] 本发明属于石英屏蔽环再生技术领域,具体的,涉及半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法。

背景技术

[0002] 晶元(Wafer),是生产集成电路所用的载体,多指单晶圆片。单晶硅圆片由普通硅砂提炼,经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制得多晶硅,多晶硅再经熔融、单晶晶核提拉制成具有一定晶体学取向的单晶硅棒,单晶硅棒经过抛光、切片之后,就成为了晶元。晶元是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等。晶元越大,同一圆片上可生产的IC就越多,可降低成本,但对材料技术和生产技术的要求更高。
[0003] 对于计算机产品而言,芯片可以说是其精髓所在,毕竟芯片的等级也就决定了产品的性能表现以及功耗、发热量等额外因素,作为芯片的前身,晶圆的品质和制程就成为消费者以及厂商所共同关心的。
[0004] 晶圆制程过程中,包括蚀刻工艺,即利用光刻技术和离子刻蚀技术,保留下栅隔离层上面的氮化硅层。
[0005] 基于半导体8寸晶圆制程蚀刻工艺中的ETCH8500工艺生产的石英屏蔽环,即是其中有一项重要产品,近年来,由于产能跟不上需求量的增长速度,使得石英屏蔽环的再生和重复利用,逐渐引发人们的关注。
[0006] 石英屏蔽环的材质以石英为主,对于石英的清洗、再生,目前国内主要存在如下专利文献:中国专利公开号:102249522A,公开了一种用于光伏生产的石英件的清洗方法,其包括如下步骤:A)首先将炉内的温度调节到1150℃~1200℃;B)同时向扩散炉的炉腔内输入流量为25-50L/min的氮气、流量为0.5~2.5L/min的三氯磷及流量为0.8~3.4L/min的氧气,输入时间为120~300分钟,上述氮气、三氯氧磷、氧气从扩散炉的进口输入,途经石英件再从扩散炉的出口输出,该种清洗方法不但有利于安全生产,而且还可降低生产成本。然而,该专利所提供的清洗方法,会采用各种化学试剂对石英件进行清洗、再生,过多化学试剂的使用,会对环境造成难以逆转的污染。

发明内容

[0007] 为解决上述存在的问题,本发明的目的在于提供一种半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,所述再生方法不采用任何化学试剂,通过热胀冷缩的物理学原理,即可实现对石英屏蔽环的清洗、再生,再生成本低、节能环保,对环境友好、无污染。
为达到上述目的,本发明的技术方案是:
一种半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,所述方法包括如下步
骤:
1)取石英屏蔽环,放置于清洗槽内,清洗槽内装有清洗用,将石英屏蔽环浸泡于清洗用水内40 60分钟;
~
2)取出石英屏蔽环,用清洗布擦干表面水渍,并采用刮除件初步刮除石英屏蔽环表面
污渍;
3)将石英屏蔽环送入声波清洗机,进行超声波清洗,然后对石英屏蔽环进行高压喷
淋清洗;
4)将高压喷淋清洗后的石英屏蔽环送入烘箱,设置烘箱温度800 1000℃,将石英屏蔽
~
烘烤10 15分钟,使得石英屏蔽环表面附着物熔化液化
~
5)将高温烘烤后的石英屏蔽环由烘箱中取出后直接送入低温冷冻室,以40 50℃/分钟
~
的降温速度降温至-30 -20℃,对石英屏蔽环进行急速冷冻,冷冻时长20 30分钟,使得石英~ ~
屏蔽环表面附着物结
6)取出石英屏蔽环,敲打石英屏蔽环表面,使得表面附着物破碎、脱落,自然升温至室温,完成对所述石英屏蔽环的再生。
[0008] 进一步地,步骤1)所述清洗用水为去离子水。
[0009] 进一步地,步骤2)所述刮除件为丝刷或刮刀,刮除件沿石英屏蔽环外周运行,完成对石英屏蔽环外表面污渍的刮除;刮除件沿石英屏蔽环内周运行,完成对石英屏蔽环内表面污渍的刮除。
[0010] 进一步地,步骤3)中超声波清洗用水为去离子水,水温为60 80℃,超声清洗时长~为5 10分钟,超声波功率为80 100KHz。
~ ~
[0011] 进一步地,步骤3)采用高压喷头对石英屏蔽环进行高压喷淋清洗,高压喷头喷射压为1.5 3MPa。~
[0012] 进一步地,步骤5)采用将或液氮石英屏蔽环降温至-30 -20℃。~
[0013] 进一步地,步骤3)在高压喷淋清洗过程中,将石英屏蔽环套设于一轴杆上,轴杆表面设置有用于支撑石英屏蔽环的支撑杆,轴杆均速旋转,使得石英屏蔽环外周得到充分喷淋清洗。
[0014] 本发明具有如下优点:所述再生方法在对石英屏蔽环完成浸泡后,会采用刮除件对附着于石英屏蔽环表面的
附着物进行初步刮除,然后对石英屏蔽环表面附着物进行超声波处理,然后在700 800℃的~
高温下烘烤,再采用干冰或液氮将石英屏蔽环急速冷却至-30 -20℃,即可有效剥离附着于~
石英屏蔽环表面的附着物,整个过程不采用任何化学试剂,通过热胀冷缩的物理学原理,即可实现对石英屏蔽环的清洗、再生,再生成本低、节能环保,对环境友好、无污染。

具体实施方式

[0015] 下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
[0016] 本发明所提供的一种半导体8寸晶圆制程ETCH8500工艺石英屏蔽环的再生方法,所述方法包括如下步骤:1)取石英屏蔽环,放置于清洗槽内,清洗槽内装有清洗用水,将石英屏蔽环浸泡于清洗用水内40 60分钟;
~
2)取出石英屏蔽环,用清洗布擦干表面水渍,并采用刮除件初步刮除石英屏蔽环表面
污渍;
3)将石英屏蔽环送入超声波清洗机,进行超声波清洗,然后对石英屏蔽环进行高压喷
淋清洗;
4)将高压喷淋清洗后的石英屏蔽环送入烘箱,设置烘箱温度800 1000℃,将石英屏蔽
~
环烘烤10 15分钟,使得石英屏蔽环表面附着物熔化、液化;
~
5)将高温烘烤后的石英屏蔽环由烘箱中取出后直接送入低温冷冻室,以40 50℃/分钟
~
的降温速度降温至-30 -20℃,对石英屏蔽环进行急速冷冻,冷冻时长20 30分钟,使得石英~ ~
屏蔽环表面附着物结块;
6)取出石英屏蔽环,敲打石英屏蔽环表面,使得表面附着物破碎、脱落,自然升温至室温,完成对所述石英屏蔽环的再生。
[0017] 进一步地,步骤1)所述清洗用水为去离子水。
[0018] 进一步地,步骤2)所述刮除件为钢丝刷或刮刀,刮除件沿石英屏蔽环外周运行,完成对石英屏蔽环外表面污渍的刮除;刮除件沿石英屏蔽环内周运行,完成对石英屏蔽环内表面污渍的刮除。
[0019] 进一步地,步骤3)中超声波清洗用水为去离子水,水温为60 80℃,超声清洗时长~为5 10分钟,超声波功率为80 100KHz。
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[0020] 进一步地,步骤3)采用高压喷头对石英屏蔽环进行高压喷淋清洗,高压喷头喷射压力为1.5 3MPa。~
[0021] 进一步地,步骤5)采用干冰将或液氮石英屏蔽环降温至-30 -20℃。~
[0022] 进一步地,步骤3)在高压喷淋清洗过程中,将石英屏蔽环套设于一轴杆上,轴杆表面设置有用于支撑石英屏蔽环的支撑杆,轴杆均速旋转,使得石英屏蔽环外周得到充分喷淋清洗。
[0023] 需要说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。
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