技术领域
[0001] 本实用新型属于
半导体技术领域,涉及一种电感器结构,特别是涉及一种与CMOS工艺兼容的电感器结构。
背景技术
[0002] 随着无线移动通信技术的迅猛发展,射频集成
电路变得越来越重要,射频集成电路是一种工作在300MHz~300GHz
频率范围内的集成电路。在射频集成电路中,电感器起着非常重要的作用,成为一种关键的
电子元器件而广泛地应用在各种射频集成电路中,例如
电压控
振荡器、低噪声
放大器以及
混频器等都需要使用电感器,以满足低损耗、高集成的要求。
[0003] 现有的RF COMS工艺中,一般由一层厚的金属层或两层金属层形成平面电感器,所述电感器具有多组线圈结构。为了获得更大的电感值,需要制作更多的环形线圈结构,这将占用非常多的芯片面积,不利于芯片的集成。
[0004] 因此,提供一种新型的电感器结构实属必要。实用新型内容
[0005] 鉴于以上所述
现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种电感器结构,用于解决现有技术中电感器占用过多芯片面积的问题。
[0006] 为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种电感器结构,所述电感器结构至少包括:多个第一金属层和多个第二金属层;每一个第一金属层的两端形成有第一通孔;所述第二金属层通过第一通孔将相邻第一金属层的不同端进行顺次连接,形成电感器结构。
[0007] 作为本实新型电感器结构的一种优化的方案,所述电感器结构还包括形成在所述第一金属层和第二金属层之间的第三金属层,所述第三金属层包括金属线和形成在所述第一通孔上的金属条。
[0008] 作为本实新型电感器结构的一种优化的方案,在所述金属条上形成有第二通孔,所述第二金属层通过第一通孔、金属条以及第二通孔将相邻第一金属层的不同端进行顺次连接,形成电感器结构。
[0009] 作为本实新型电感器结构的一种优化的方案,所述电感器结构的呈圆形、线形、椭圆形、半圆形或者方形。
[0010] 作为本实新型电感器结构的一种优化的方案,所述第一通孔和第二通孔中填充有导电金属。
[0011] 作为本实新型电感器结构的一种优化的方案,所述第一金属层、第二金属层和第三金属层之间为介质层,所述第一通孔和第二通孔位于介质层中。
[0012] 如上所述,本实用新型的电感器结构,包括:所述电感器结构至少包括:多个第一金属层和多个第二金属层;每一个第一金属层的两端形成有第一通孔;所述第二金属层通过第一通孔将相邻第一金属层的不同端进行顺次连接,形成电感器结构。所述电感器结构还可以包括形成在所述第一金属层和第二金属层之间的第三金属层。本实用新型通过形成金属三维结构,节省了芯片面积,获得了更高的电感值。另外,制作电感器结构的工艺与CMOS工艺兼容,适用于工业化生产。
附图说明
[0013] 图1显示为本实用新型电感器结构的第一金属层示意图。
[0014] 图2显示为本实用新型
实施例一中在第一金属层两端形成第一通孔的示意图。
[0015] 图3显示为本实用新型实施例一中电感器结构示意图。
[0016] 图4显示为本实用新型实施例二中形成第三金属层的示意图。
[0017] 图5显示为本实用新型实施例二中在第三金属层的金属条上形成第二通孔的示意图。
[0018] 图6显示为本实用新型实施例二中电感器结构示意图。
[0019] 图7显示为本实用新型电感器结构呈线形的示意图。
[0020] 元件标号说明
[0021] 1 第一金属层
[0022] 2 第二金属层
[0023] 3 第三金属层
[0024] 31 金属线
[0025] 32 金属条
[0026] 4 第一通孔
[0027] 5 第二通孔
具体实施方式
[0028] 以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式,熟悉此技术的人士可由本
说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
[0029] 请参阅图1至图7。须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本实用新型可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语,亦仅为便于叙述的明了,而非用以限定本实用新型可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更技术内容下,当亦视为本实用新型可实施的范畴。
[0030] 实施例一
[0031] 如图1~3所示,本实用新型提供一种电感器结构,所述电感器结构至少包括多个第一金属层1和多个第二金属层2。
[0032] 如图1所示为所述第一金属层1,本实施例中,所述第一金属层1形成圆形结构。所述第一金属层1可以优选为
铝材料,也可以是其他合适的金属材料,在此不限。
[0033] 如图2所示,在每一个第一金属层1的两端形成有第一通孔4。所述第一通孔4中填充有导电金属。优选地,在所述第一通孔4中填充金属钨。
[0034] 如图3所示,所述第二金属层2通过第一通孔4将相邻第一金属层1的不同端进行顺次连接,从而形成电感器结构。形成的电感器整体呈圆形。
[0035] 需要说明的是,所述第一金属层1和第二金属层2形成两层的三维堆叠结构,第一金属层1、第一通孔4以及第二金属层2构成电感器器件中的同轴线圈,可以感应变化的
电流。可以在第一金属层1或者第二金属层2设置引出端。本实施例中,引出端设置在第二金属层2,如图3所示。
[0036] 所述第二金属层2可以优选为铝材料,也可以是其他合适的金属材料,在此不限。所述第二金属层2和第一金属层1的材料可以相同也可以不同。
[0037] 所述第一金属层1、第二金属层2之间为介质层(未予以图示),所述第一通孔4位于介质层中。
[0038] 通过两层金属层1、2和一层通孔4,形成的电感器结构,可以节省芯片面积,并且获得更高的电感值。另外,制作本实施例的电感器的工艺完全与CMOS工艺兼容,适用于工业化生产。
[0039] 实施例二
[0040] 如图4~6所示,本实用新型提供一种电感器结构,所述电感器结构至少包括多个第一金属层1、多个第二金属层2和第三金属层3。
[0041] 所述第一金属层1的形状与实施例一相同,为圆形。所述第一金属层1可以优选为铝材料,也可以是其他合适的金属材料,在此不限。
[0042] 所述第三金属层3形成在所述第一金属层1和第二金属层2之间。如图4所示,所述第三金属层3包括金属线31和形成在所述第一通孔4上的金属条32。所述金属线31相当于电感器中的磁芯,所述金属线31的形状与第一金属层1的形状一致。本实施例中,所述第一金属层1为圆形,则所述金属线31也为圆形,并且所述金属线31可以为封闭线,也可以为非封闭线。本实施例中,所述金属线31为非封闭线。
[0043] 所述第三金属层3可以优选为铝材料,也可以是其他合适的金属材料,在此不限。所述第三金属层3可以与所述第二金属层2、第一金属层1的材料可以相同也可以不同。
[0044] 如图5所示,在所述金属条32的上形成有第二通孔5。所述第二通孔5中填充有导电金属。优选地,在所述第二通孔5中填充金属钨。
[0045] 如图6所示,所述第二金属层2通过第一通孔4、金属条32以及第二通孔5将相邻第一金属层1的不同端进行顺次连接,形成电感器结构。形成的电感器整体呈圆形。
[0046] 需要说明的是,所述第一金属层1、第二金属层2和第三金属层3形成三层的三维堆叠结构,金属线31相当于电感器件的磁芯,第一金属层1、第一通孔4、金属条32第二通孔5以及第二金属层2构成电感器器件中的同轴线圈。
[0047] 所述第二金属层2与实施例一相同,可以优选为铝材料,也可以是其他合适的金属材料,在此不限。
[0048] 所述第一金属层1、第二金属层2和第三金属层3之间为介质层,所述第一通孔4、第二通孔5位于介质层中。
[0049] 通过三层金属层1、2、3和两层通孔4、5,形成的电感器结构,可以节省芯片面积,并且获得更高的电感值。另外,制作本实施例的电感器的工艺完全与CMOS工艺兼容,适用于工业化生产。
[0050] 在需要说明的是,本实用新型的电感器结构不限于实施例一和实施例二的圆形结构,还可以是线形、椭圆形、半圆形或者方形等等,在此不作限制。
[0051] 如图7所示为电感器呈线形的结构示意图。可以看出,第一金属层1间互相平行,第三金属层3的金属线31为一直线,所述第二金属层2通过通孔4、5将相邻第一金属层1的不同端进行顺次连接,形成电感器结构。
[0052] 综上所述,本实用新型提供一种电感器结构,所述电感器结构至少包括:多个第一金属层和多个第二金属层;每一个第一金属层的两端形成有第一通孔;所述第二金属层通过第一通孔将相邻第一金属层的不同端进行顺次连接,形成电感器结构。所述电感器结构还可以包括形成在所述第一金属层和第二金属层之间的第三金属层。本实用新型通过形成金属三维结构,节省了芯片面积,获得了更高的电感值。另外,制作电感器结构的工艺与CMOS工艺兼容,适用于工业化生产。
[0053] 所以,本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0054] 上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效,而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本实用新型的
权利要求所涵盖。