专利汇可以提供一种点阵构型电子漂移管专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种点阵构型 电子 漂移管。该电子漂移管的点阵 阴极 将目标 辐射 的X光转换为具有空间阵列分布的电子脉冲串,电子脉冲串在空间阵列互不干扰的渐变 电场 作用下高速漂移,漂移中电子脉冲串的空间尺度被充分保障。然后穿过等比空间阵列分布的后端栅网,经 微通道板 获得倍增后轰击 荧光 屏发光,将电 信号 重新转换为 光信号 ,整个过程电子脉冲串均处在由带屏蔽壳磁线圈产生的均匀 磁场 中。该电子漂移管可显著改善电子匀速漂移区内的空间分辨特性,利用磁场约束最大限度降低电子脉冲串的空间横向串扰,实现空间保真和大动态范围,有助于推动超高时间分辨二维成像诊断技术的发展,对提升激光 惯性约束聚变 诊断精密化 水 平具有重要意义。,下面是一种点阵构型电子漂移管专利的具体信息内容。
1.一种点阵构型电子漂移管,其特征在于,所述的电子漂移管包括由内至外同心分布的飞行管道(7)和均匀缠绕在飞行管道(7)外壁的带屏蔽壳磁线圈(8);所述的飞行管道(7)内包括沿光路方向顺序排列的点阵阴极(1)、前端栅网(2)、后端栅网(4)、微通道板(5)和荧光屏(6),前端栅网(2)和后端栅网(4)之间包裹有环形的等位筒(3),所述的前端栅网(2)、后端栅网(4)和等位筒(3)包围的空腔为电子匀速漂移区;
所述的点阵阴极(1)包括无磁性金属网和粘贴在无磁性金属网表面的透射式光电阴极,无磁性金属网的孔洞形状为正方形或圆形。
2.根据权利要求1所述的点阵构型电子漂移管,其特征在于,所述的飞行管道(7)的内径为30mm。
3.根据权利要求1所述的点阵构型电子漂移管,其特征在于,所述的前端栅网(2)和后端栅网(4)之间的距离为400mm。
4.根据权利要求1所述的点阵构型电子漂移管,其特征在于,所述的带屏蔽壳磁线圈(8)包括磁线圈和包裹在磁线圈的外表面和两端端面的屏蔽壳,磁线圈的安匝数即电流值×匝数为400000A×N,屏蔽壳的材料为电磁纯铁。
5.根据权利要求1所述的点阵构型电子漂移管,其特征在于,所述的点阵阴极(1)的口径为10mm,透射式光电阴极的材料为碘化铯或金,透射式光电阴极的衬底为聚酰亚胺。
6.根据权利要求1所述的点阵构型电子漂移管,其特征在于,所述的点阵阴极(1)的无磁性金属网的金属无光电效应且不透光,无磁性金属网的周期小于等于100μm。
7.根据权利要求1所述的点阵构型电子漂移管,其特征在于,所述的飞行管道(7)内的各部件加有不同的直流偏压,点阵阴极(1)相比前端栅网(2)为负偏压,前端栅网(2)、等位筒(3)和后端栅网(4)等电位,电子在电子匀速漂移区中匀速漂移,荧光屏(6)相比微通道板(5)的输出面为正偏压;点阵阴极(1)和前端栅网(2)之间叠加有正高压脉冲;微通道板(5)的输入面和微通道板(5)的输出面之间叠加有负高压脉冲。
8.根据权利要求7所述的磁场约束脉冲展宽成像系统,其特征在于,所述的点阵阴极(1)、前端栅网(2)、等位筒(3)、后端栅网(4)、微通道板(5)的输入面、微通道板(5)的输出面和荧光屏(6)的电位分别为-5000V、-3000V、-3000V、-3000V、0V、0V、4000V;所述的正高压脉冲幅值为2000V,上升沿线性区斜率在1 V/ps~5V/ps范围内,所述的负高压脉冲幅值为-
2500V,脉宽200ps。
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