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一种化多电平换流器桥臂等效方法

阅读:858发布:2020-06-03

专利汇可以提供一种化多电平换流器桥臂等效方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 是一种 模 块 化多电平换流器 等效方法,其特点是,包括的步骤有:建立正常工况下的MMC桥臂等效模型,包括建立非闭 锁 工况下和预充电工况下的MMC桥臂等效模型,建立直流侧故障工况下的MMC桥臂等效模型,包括建立直流侧故障时换流器闭锁前和换流器闭锁后的MMC桥臂等效模型,将建立的正常工况下的MMC桥臂等效模型和建立的直流侧故障工况下的MMC桥臂等效模型相结合,建立适用于各种工况的MMC桥臂等效模型,具有科学合理,计算简单,简便易行,适用于各种工况,仿真 精度 高的优点。,下面是一种化多电平换流器桥臂等效方法专利的具体信息内容。

1.一种化多电平换流器等效方法,其特征是,它包括以下步骤:
1)建立正常工况下的MMC桥臂等效模型;
①建立非闭工况下的MMC桥臂等效模型
(a)定义HBSM中两个IGBT及其反并联二极管构成的开关管支路的等值电阻R1、R2;在非闭锁工况下HBSM中保护晶闸管VTs保持关断,HBSM存在投入和切出两种运行状态,根据IGBT器件导通状态将两个IGBT及其反并联二极管构成的开关管支路等值为可变电阻R1、R2,以消除IGBT的非线性性,当HBSM处于投入状态时,IGBT器件VT1触发信号TS1=1,为开通状态,IGBT器件VT2触发信号TS2=0,为关断状态,开关管支路等值电阻R1=RON,R2=ROFF;当HBSM处于切出状态时,IGBT器件VT1触发信TS1=0,为关断状态,IGBT器件VT2触发信号TS2=1,为开通状态,开关管支路等值电阻R1=ROFF,R2=RON;因此根据t时刻IGBT触发信号TS1、TS2确定t时刻开关管支路等值电阻R1、R2的电阻值,触发信号状态与开关管支路的等值电阻的电阻值的对应关系是,子模块为投入状态,触发信号状态为TS1=1,TS2=0,开关管支路电导值为R1=RON,R2=ROFF;子模块为切出状态,触发信号状态为TS1=0,TS2=1,开关管支路电导值为R1=ROFF,R2=RON:其中,RON/ROFF代表IGBT与二极管的开通/关断电阻,RON阻值一般为mΩ级,ROFF阻值一般为MΩ级;
(b)用Dommel等值模型等效电容元件;
电容C的Dommel等值模型由电容的暂态等值电阻 与t-ΔT时刻电容的历史电压源uceq(t-ΔT)串联组成,
电容暂态过程用电磁感应定律来描述,即:
其中,ic(t)为t时刻电容支路电流,C0为电容值,uc(t)为t时刻电容电压;
将式(1)等式两边取积分,则
其中,ΔT为仿真步长,uc(t-ΔT)为t-ΔT时刻的电容电压;
应用梯形积分法则,将式(2)表示成式(3)的形式;
其中,ic(t-ΔT)为t-ΔT时刻电容支路电流;
令电容C的暂态等值电阻 定义t-ΔT时刻电容的历史电压源uceq(t-ΔT)
如式(4)所示;
则式(3)表示为式(5)的形式;
(c)基于戴维南等值方法,建立MMC非闭锁工况下的HBSM等效拓扑,进而建立非闭锁工况下的MMC桥臂等效模型;
MMC非闭锁工况下,经过两个IGBT及其反并联二极管构成的开关管支路等值及用Dommel等值模型等效电容元件后,对其进行戴维南等值;
HBSM戴维南等值拓扑中等值电阻RSM及等值电压源USM分别为:
将桥臂中投入和切出的子模块串联,得非闭锁工况下的桥臂等效模型,MMC每相上、下桥臂各包含N个子模块,非闭锁情况下,按照调制方式投入n个子模块同时切出N-n个子模块,则桥臂中的等值电阻REQ及等值电压源UEQ为:
②建立预充电工况下的MMC桥臂等效模型
(a)建立预充电工况下的HBSM等效拓扑;
预充电工况下,当桥臂电流Iarm>0时,桥臂电流流经桥臂全部HBSM的二极管VD1及电容C串联支路,子模块中电容C处于充电状态;当桥臂电流Iarm<0时,桥臂电流流经桥臂全部HBSM的保护晶闸管VTS及二极管VD2,子模块中电容C处于旁路状态;预充电工况下的HBSM等效拓扑包括保护晶闸管VTS和二极管VD2并联支路及二极管VD1和电容C串联支路,此时需要提供电容C的充电通路及旁路通路;
(b)建立预充电工况下的MMC桥臂等效模型
预充电工况下,桥臂中全部N个HBSM中的电容C同时处于旁路和充电中一种状态,当N个HBSM中电容C处于充电状态时,桥臂等效模型相当于N个HBSM中二极管VD1与电容C串联支路的串联;当N个HBSM中电容C处于旁路状态时,桥臂等效模型相当于N个HBSM中保护晶闸管VTS与二极管VD2并联支路的串联;
预充电工况下的MMC桥臂等效拓扑,其中VT0和VT2为IGBT器件,确保电流的单向导通,R1为N个HBSM中二极管VD1的通态电阻之和,R2为N个HBSM中保护晶闸管VTS与二极管VD2通态电阻并联之和,CEQ为桥臂等效电路的桥臂等效电容值,IGBT器件VT0触发提供桥臂等效电容CEQ的充电状态电流通路,IGBT器件VT2同时触发提供旁路状态电流通路,设二极管VD1及VD2的通态电阻为Ron,保护晶闸管VTS的通态电阻为Rvts,HBSM中电容值C0,则桥臂等效电容值为CEQ=C0/N,VT0支路串联电阻R1=N·Ron,VT2支路串联电阻R2=N·(Ron//Rvts);
2)建立直流侧故障工况下的MMC桥臂等效模型
MMC直流侧故障包括单极接地故障和双极短路故障,由于控制器存在时延,即故障闭锁延时,因此将直流侧故障分为换流器闭锁前和换流器闭锁后两个阶段;
①建立直流侧故障时换流器闭锁前的MMC桥臂等效模型
换流器闭锁前,MMC桥臂电流包括子模块电容放电电流和交流馈入电流两部分;子模块电容放电时,投入状态HBSM的电容C通过该子模块中IGBT器件VT1及切出状态HBSM的保护晶闸管VTS与二极管VD2并联支路向短路点提供电容放电电流;交流馈入电流流过桥臂中全部HBSM的保护晶闸管VTS与二极管VD2并联支路;
直流侧故障时换流器闭锁前的MMC桥臂等效模型,IGBT器件VT1触发提供桥臂等效电容CEQ的放电通路,IGBT器件VT2触发提供交流馈入电流通路,设n个HBSM处于投入状态,N-n个HBSM处于切出状态,HBSM电容值为C0;则桥臂等效电容值CEQ=C0/n,VT1支路串联电阻R1=(N-n)·Ron,VT2支路串联电阻R2=N·(Ron//Rvts);
②建立直流侧故障时换流器闭锁后的MMC桥臂等效模型;
换流器闭锁后,HBSM中电容的放电电流路径消失,交流馈入电流流过桥臂中全部HBSM的保护晶闸管VTS与二极管VD2并联支路,IGBT器件VT2触发提供交流馈入电流通路,VT2支路串联电阻R2=N·(Ron//Rvts);
3)建立适用于各种工况的MMC桥臂等效模型;
将步骤1)建立的正常工况下的MMC桥臂等效模型和步骤2)建立的直流侧故障工况下的MMC桥臂等效模型相结合,建立适用于各种工况的MMC桥臂等效模型,该等效模型由开关、可变电阻、受控电压源和二极管构成;
在正常工况下:
非闭锁工况时,开关K1=1即开通,保证正常运行,开关K2=0即关断,可变电阻R1为式(10),受控电压源V1为式(11);
预充电工况时,开关K1=0即关断,提供电容充电状态下电流通路,开关K2=1即开通,提供电容旁路状态下电流通路,可变电阻R1为式(12),可变电阻R2为式(13),受控电压源V1为式(14);
R2=N·Ron   (13)
在直流侧故障工况下:
换流器闭锁前,开关K1=1即开通,提供电容放电状态下电流通路,开关K2=1即开通,提供交流馈入电流通路,可变电阻R1为式(15),可变电阻R2为式(16),受控电压源V1为式(17);
R2=N·Ron   (16)
换流器闭锁后,开关K1=0即关断,电容放电电流通路消失,开关K2=1即开通,提供电容旁路状态下电流通路,可变电阻R2为式(18);
R2=N·Ron   (18)。

说明书全文

一种化多电平换流器桥臂等效方法

技术领域

[0001] 本发明涉及模块化多电平换流器技术领域,是一种模块化多电平换流器桥臂等效方法。

背景技术

[0002] 随着模块化多电平换流器高压直流输电(Modular Multilevel Converter based High VoltageDirect Current,MMC-HVDC)工程向更高电压等级、更大传输功率发展,所需的半桥型子模块(Haif-bridge Sub-Module,HBSM)数目也不断增加,在大规模MMC-HVDC系统仿真时,需要对大量超高阶矩阵求逆,使得求解过程非常缓慢、耗费大量时间,不利于在实际工程中的应用,因此有必要对详细模型进行等效。
[0003] 现有的MMC桥臂等效方法大多基于戴维南等值方法,将换流器工况分为非闭和闭锁两种工况,但在换流器闭锁工况下只考虑了HBSM电容充电及电流旁路过程,未考虑交流馈入电流及HBSM电容放电过程,使得其MMC桥臂等效方法不适用于MMC各种工况。

发明内容

[0004] 本发明所要解决的技术问题是,克服现有等效方法的不足,提供一种科学合理,适用于各种工况,仿真精度高的模块化多电平换流器桥臂等效方法。
[0005] 解决其技术问题采用的方案是,一种模块化多电平换流器等效方法,其特征是,它包括以下步骤:
[0006] 1)建立正常工况下的MMC桥臂等效模型;
[0007] ①建立非闭锁工况下的MMC桥臂等效模型
[0008] (a)定义HBSM中两个IGBT及其反并联二极管构成的开关管支路的等值电阻R1、R2;在非闭锁工况下HBSM中保护晶闸管VTs保持关断,HBSM存在投入和切出两种运行状态,根据IGBT器件导通状态将两个IGBT及其反并联二极管构成的开关管支路等值为可变电阻R1、R2,以消除IGBT的非线性性,当HBSM处于投入状态时,IGBT器件VT1触发信号TS1=1,为开通状态,IGBT器件VT2触发信号TS2=0,为关断状态,开关管支路等值电阻R1=RON,R2=ROFF;当HBSM处于切出状态时,IGBT器件VT1触发信TS1=0,为关断状态,IGBT器件VT2触发信号TS2=
1,为开通状态,开关管支路等值电阻R1=ROFF,R2=RON;因此根据t时刻IGBT触发信号TS1、TS2确定t时刻开关管支路等值电阻R1、R2的电阻值,触发信号状态与开关管支路的等值电阻的电阻值的对应关系是,子模块为投入状态,触发信号状态为TS1=1,TS2=0,开关管支路电导值为R1=RON,R2=ROFF;子模块为切出状态,触发信号状态为TS1=0,TS2=1,开关管支路电导值为R1=ROFF,R2=RON:其中,RON/ROFF代表IGBT与二极管的开通/关断电阻,RON阻值一般为mΩ级,ROFF阻值一般为MΩ级;
[0009] (b)用Dommel等值模型等效电容元件;
[0010] 电容C的Dommel等值模型由电容的暂态等值电阻 与t-ΔT时刻电容的历史电压源uceq(t-ΔT)串联组成,
[0011] 电容暂态过程用电磁感应定律来描述,即:
[0012]
[0013] 其中,ic(t)为t时刻电容支路电流,C0为电容值,uc(t)为t时刻电容电压;
[0014] 将式(1)等式两边取积分,则
[0015]
[0016] 其中,ΔT为仿真步长,uc(t-ΔT)为t-ΔT时刻的电容电压;
[0017] 应用梯形积分法则,将式(2)表示成式(3)的形式;
[0018]
[0019] 其中,ic(t-ΔT)为t-ΔT时刻电容支路电流;
[0020] 令电容C的暂态等值电阻 定义t-ΔT时刻电容的历史电压源uceq(t-ΔT)如式(4)所示;
[0021]
[0022] 则式(3)表示为式(5)的形式;
[0023]
[0024] (c)基于戴维南等值方法,建立MMC非闭锁工况下的HBSM等效拓扑,进而建立非闭锁工况下的MMC桥臂等效模型;
[0025] MMC非闭锁工况下,经过两个IGBT及其反并联二极管构成的开关管支路等值及用Dommel等值模型等效电容元件后,对其进行戴维南等值;
[0026] HBSM戴维南等值拓扑中等值电阻RSM及等值电压源USM分别为:
[0027]
[0028]
[0029] 将桥臂中投入和切出的子模块串联,得非闭锁工况下的桥臂等效模型,MMC每相上、下桥臂各包含N个子模块,非闭锁情况下,按照调制方式投入n个子模块同时切出N-n个子模块,则桥臂中的等值电阻REQ及等值电压源UEQ为:
[0030]
[0031]
[0032] ②建立预充电工况下的MMC桥臂等效模型
[0033] (a)建立预充电工况下的HBSM等效拓扑;
[0034] 预充电工况下,当桥臂电流Iarm>0时,桥臂电流流经桥臂全部HBSM的二极管VD1及电容C串联支路,子模块中电容C处于充电状态;当桥臂电流Iarm<0时,桥臂电流流经桥臂全部HBSM的保护晶闸管VTS及二极管VD2,子模块中电容C处于旁路状态;预充电工况下的HBSM等效拓扑包括保护晶闸管VTS和二极管VD2并联支路及二极管VD1和电容C串联支路,此时需要提供电容C的充电通路及旁路通路;
[0035] (b)建立预充电工况下的MMC桥臂等效模型
[0036] 预充电工况下,桥臂中全部N个HBSM中的电容C同时处于旁路和充电中一种状态,当N个HBSM中电容C处于充电状态时,桥臂等效模型相当于N个HBSM中二极管VD1与电容C串联支路的串联;当N个HBSM中电容C处于旁路状态时,桥臂等效模型相当于N个HBSM中保护晶闸管VTS与二极管VD2并联支路的串联;
[0037] 预充电工况下的MMC桥臂等效拓扑,其中VT0和VT2为IGBT器件,确保电流的单向导通,R1为N个HBSM中二极管VD1的通态电阻之和,R2为N个HBSM中保护晶闸管VTS与二极管VD2通态电阻并联之和,CEQ为桥臂等效电路的桥臂等效电容值,IGBT器件VT0触发提供桥臂等效电容CEQ的充电状态电流通路,IGBT器件VT2同时触发提供旁路状态电流通路,设二极管VD1及VD2的通态电阻为Ron,保护晶闸管VTS的通态电阻为Rvts,HBSM中电容值C0,则桥臂等效电容值为CEQ=C0/N,VT0支路串联电阻R1=N·Ron,VT2支路串联电阻R2=N·(Ron//Rvts);
[0038] 2)建立直流侧故障工况下的MMC桥臂等效模型
[0039] MMC直流侧故障包括单极接地故障和双极短路故障,由于控制器存在时延,即故障闭锁延时,因此将直流侧故障分为换流器闭锁前和换流器闭锁后两个阶段;
[0040] ①建立直流侧故障时换流器闭锁前的MMC桥臂等效模型
[0041] 换流器闭锁前,MMC桥臂电流包括子模块电容放电电流和交流馈入电流两部分;子模块电容放电时,投入状态HBSM的电容C通过该子模块中IGBT器件VT1及切出状态HBSM的保护晶闸管VTS与二极管VD2并联支路向短路点提供电容放电电流;交流馈入电流流过桥臂中全部HBSM的保护晶闸管VTS与二极管VD2并联支路;
[0042] 直流侧故障时换流器闭锁前的MMC桥臂等效模型,IGBT器件VT1触发提供桥臂等效电容CEQ的放电通路,IGBT器件VT2触发提供交流馈入电流通路,设n个HBSM处于投入状态,N-n个HBSM处于切出状态,HBSM电容值为C0;则桥臂等效电容值CEQ=C0/n,VT1支路串联电阻R1=(N-n)·Ron,VT2支路串联电阻R2=N·(Ron//Rvts);
[0043] ②建立直流侧故障时换流器闭锁后的MMC桥臂等效模型;
[0044] 换流器闭锁后,HBSM中电容的放电电流路径消失,交流馈入电流流过桥臂中全部HBSM的保护晶闸管VTS与二极管VD2并联支路,IGBT器件VT2触发提供交流馈入电流通路,VT2支路串联电阻R2=N·(Ron//Rvts);
[0045] 3)建立适用于各种工况的MMC桥臂等效模型;
[0046] 将步骤1)建立的正常工况下的MMC桥臂等效模型和步骤2)建立的直流侧故障工况下的MMC桥臂等效模型相结合,建立适用于各种工况的MMC桥臂等效模型,该等效模型由开关、可变电阻、受控电压源和二极管构成;
[0047] 在正常工况下:
[0048] 非闭锁工况时,开关K1=1即开通,保证正常运行,开关K2=0即关断,可变电阻R1为式(10),受控电压源V1为式(11);
[0049]
[0050]
[0051] 预充电工况时,开关K1=0即关断,提供电容充电状态下电流通路,开关K2=1即开通,提供电容旁路状态下电流通路,可变电阻R1为式(12),可变电阻R2为式(13),受控电压源V1为式(14);
[0052]
[0053] R2=N·Ron   (13)
[0054]
[0055] 在直流侧故障工况下:
[0056] 换流器闭锁前,开关K1=1即开通,提供电容放电状态下电流通路,开关K2=1即开通,提供交流馈入电流通路,可变电阻R1为式(15),可变电阻R2为式(16),受控电压源V1为式(17);
[0057]
[0058] R2=N·Ron   (16)
[0059]
[0060] 换流器闭锁后,开关K1=0即关断,电容放电电流通路消失,开关K2=1即开通,提供电容旁路状态下电流通路,可变电阻R2为式(18);
[0061] R2=N·Ron   (18)。
[0062] 本发明是一种模块化多电平换流器的桥臂等效方法,综合考虑正常工况和直流侧故障工况,分别建立正常工况下和直流侧故障工况下的MMC桥臂等效模型,并结合上述两种工况的MMC桥臂等效模型建立适用于各种工况的模块化多电平换流器的桥臂等效模型,该模型由开关、可变电阻、受控电压源和二极管构成,易于控制,且充分考虑交流馈入电流及HBSM电容放电过程,有别于在换流器闭锁工况下只考虑了HBSM电容充电及电流旁路过程的现有等效方法。本发明具有科学合理,计算简单,简便易行,适用于各种工况,仿真精度高的优点。附图说明
[0063] 图1为基于半桥型子模块的模块化多电平换流器的拓扑结构图;
[0064] 图2为半桥型子模块的拓扑结构图;
[0065] 图3为经过两个IGBT及其反并联二极管构成的开关管支路的等值及用Dommel等值模型等效电容元件后HBSM的等效拓扑结构图;
[0066] 图4为非闭锁工况下的半桥型子模块的戴维南等值过程图;
[0067] 图5为预充电工况下桥臂电流Iarm>0时电流路径图;
[0068] 图6为预充电工况下桥臂电流Iarm<0时桥臂电流路径图;
[0069] 图7为预充电工况下的HBSM的等效拓扑图;
[0070] 图8为预充电工况下的MMC桥臂等效模型图;
[0071] 图9为直流侧故障时换流器闭锁前子模块电容放电电流路径图;
[0072] 图10为直流侧故障时换流器闭锁前交流馈入电流路径;
[0073] 图11为直流侧故障时换流器闭锁前的MMC桥臂等效模型图;
[0074] 图12为直流侧故障时换流器闭锁后的MMC桥臂等效模型图;
[0075] 图13为适用于各种工况的MMC桥臂等效模型图。

具体实施方式

[0076] 下面将结合附图和实例对本发明的模块化多电平换流器桥臂等效方法进行清楚、完整地描述。
[0077] 本发明基于半桥型子模块的模块化多电平换流器(ModularMultilevel Converter,MMC),其拓扑结构如图1所示,MMC为三相六桥臂的拓扑结构,每相分上、下两个桥臂,桥臂由桥臂电抗器L0与N个半桥型子模块(Haif-bridge Sub-Module,HBSM)串联而成,HBSM拓扑结构如图2所示,HBSM由直流电容器C、保护晶闸管VTs和两个绝缘栅双极晶闸管(Insulated-gate Bipolar Transistor,IGBT或IGT)VT1、VT2及其反并联二极管VD1、VD2构成。
[0078] S1:建立正常工况下的MMC桥臂等效模型;
[0079] 步骤S1包括建立非闭锁工况下的MMC桥臂等效模型和预充电工况下的MMC桥臂等效模型,具体包括:
[0080] S11:定义HBSM中两个IGBT及其反并联二极管构成的开关管支路的等值电阻R1、R2,用Dommel等值模型等效电容元件,基于戴维南等值模型,建立MMC非闭锁工况下的HBSM的戴维南等值拓扑,建立非闭锁工况下的MMC桥臂等效模型;
[0081] 定义HBSM中两个IGBT及其反并联二极管构成的开关管支路的等值电阻R1、R2;在非闭锁工况下,HBSM中保护晶闸管VTs保持关断,HBSM存在投入和切出两种运行状态,根据IGBT器件导通状态将两个IGBT及其反并联二极管构成的开关管支路等值为可变电阻R1、R2,以消除IGBT的非线性性,当HBSM处于投入状态时,IGBT器件VT1触发信号TS1=1,为开通状态,IGBT器件VT2触发信号TS2=0,为关断状态,开关管支路等值电阻R1=RON,R2=ROFF;当HBSM处于切出状态时,IGBT器件VT1触发信号TS1=0,为关断状态,IGBT器件VT2触发信号TS2=1,为开通状态,开关管支路等值电阻R1=ROFF,R2=RON;因此根据t时刻IGBT触发信号TS1、TS2确定t时刻开关管支路等值电阻R1、R2的电阻值,触发信号状态与开关管支路的等值电阻的电阻值的对应关系如表1所示,表中RON/ROFF代表IGBT与二极管的开通/关断电阻,RON阻值一般为mΩ级,ROFF阻值一般为MΩ级;
[0082] 表1开关支路电阻值的选择
[0083]
[0084] 用Dommel等值模型等效电容元件,基于戴维南等值方法,建立MMC非闭锁工况下的HBSM的等效拓扑;电容C的Dommel等值模型由电容的暂态等值电阻 与t-ΔT时刻电容的历史电压源uceq(t-ΔT)串联组成,其等值计算过程如下:
[0085] 电容暂态过程用电磁感应定律来描述,即:
[0086]
[0087] 其中,ic(t)为t时刻电容支路电流,C0为电容值,uc(t)为t时刻电容电压;
[0088] 将式(1)等式两边取积分,则
[0089]
[0090] 其中,ΔT为仿真步长,uc(t-ΔT)为t-ΔT时刻的电容电压;
[0091] 应用梯形积分法则,将式(2)表示成式(3)的形式;
[0092]
[0093] 其中,ic(t-ΔT)为t-ΔT时刻电容支路电流;
[0094] 令电容C的暂态等值电阻 定义t-ΔT时刻电容的历史电压源uceq(t-ΔT)如式(4)所示;
[0095]
[0096] 则式(3)可表示为式(5)的形式;
[0097]
[0098] MMC非闭锁工况下,经过两个IGBT及其反并联二极管构成的开关管支路等值及用Dommel等值模型等效电容元件后,HBSM的等效拓扑结构如图3所示,对其进行戴维南等值,其等值过程如图4所示;
[0099] HBSM戴维南等值拓扑中等值电阻RSM及等值电压源USM分别为:
[0100]
[0101]
[0102] 将桥臂中投入和切出的子模块串联,可得非闭锁工况下的MMC桥臂等效模型,MMC每相上、下桥臂各包含N个子模块,非闭锁工况下,按照调制方式投入n个子模块同时切出N-n个子模块,则桥臂中的等值电阻REQ及等值电压源UEQ为:
[0103]
[0104]
[0105] S12:建立预充电工况下MMC桥臂等效模型;
[0106] S12分析预充电工况下桥臂电流路径,建立预充电工况下的HBSM等效拓扑,进而建立预充电工况下的MMC桥臂等效模型;
[0107] 预充电工况下,当桥臂电流Iarm>0时,桥臂电流路径如图5所示,桥臂电流流经桥臂全部HBSM的二极管VD1及电容C串联支路,子模块中电容C处于充电状态;当桥臂电流Iarm<0时,桥臂电流路径如图6所示,桥臂电流流经桥臂全部HBSM的保护晶闸管VTS及二极管VD2,子模块中电容C处于旁路状态;预充电状态下的HBSM等效拓扑如图7所示,此时需要提供电容C的充电通路及旁路通路;
[0108] 预充电工况下,桥臂中全部N个HBSM中的电容C同时处于充电和旁路中的一种状态,当N个HBSM中电容C处于充电状态时,桥臂等效模型相当于N个HBSM中二极管VD1与电容C串联支路的串联;当N个HBSM中的电容C处于旁路状态时,桥臂等效模型相当于N个HBSM中保护晶闸管VTS与二极管VD2并联支路的串联;
[0109] 预充电工况下的MMC桥臂等效模型如图8所示,其中VT0和VT2为IGBT器件,确保电流的单向导通,R1为N个HBSM中二极管VD1的通态电阻之和,R2为N个HBSM中保护晶闸管VTS与二极管VD2通态电阻并联之和,CEQ为桥臂等效模型的桥臂等效电容值,IGBT器件VT0触发,提供桥臂等效电容CEQ充电状态下的电流通路,IGBT器件VT2同时触发,提供旁路状态下的电流通路,设二极管VD1及VD2的通态电阻为Ron,保护晶闸管VTS的通态电阻为Rvts,HBSM电容值为C0,HBSM数目为N,则桥臂等效电容值为CEQ=C0/N,VT0支路串联电阻R1=N·Ron,VT2支路串联电阻R2=N·(Ron//Rvts);
[0110] S2:建立直流侧故障工况下的MMC桥臂等效模型;
[0111] 步骤S2包括建立直流侧故障时换流器闭锁前的MMC桥臂等效模型,建立换流器闭锁后的MMC桥臂等效模型,具体包括:
[0112] MMC直流侧故障包括单极接地故障和双极短路故障,由于控制器存在时延,即故障闭锁延时,因此将直流侧故障分为换流器闭锁前和换流器闭锁后两个阶段;
[0113] S21:建立直流侧故障时换流器闭锁前的MMC桥臂等效模型;
[0114] 换流器闭锁前,MMC桥臂电流包括子模块电容放电电流和交流馈入电流两部分;子模块电容放电电流路径如图9所示,投入状态HBSM的电容C通过该子模块IGBT器件VT1及切出状态HBSM的保护晶闸管VTS与二极管VD2并联支路向短路点提供电容放电电流;交流馈入电流路径如图10所示,交流馈入电流流过桥臂中全部HBSM的保护晶闸管VTS与二极管VD2并联支路;
[0115] 因此,直流侧故障时换流器闭锁前的MMC桥臂等效模型如图11所示,IGBT器件VT1触发提供桥臂等效电容CEQ的放电通路,IGBT器件VT2触发提供交流馈入电流通路,设n个HBSM处于投入状态,N-n个HBSM处于切出状态,HBSM电容值为C0;则桥臂等效电容值CEQ=C0/n,VT1支路串联电阻R1=(N-n)·Ron,VT2支路串联电阻R2=N·(Ron//Rvts);
[0116] S22:建立直流侧故障时换流器闭锁后的MMC桥臂等效模型;
[0117] 换流器闭锁后,HBSM中电容的放电电流路径消失,交流馈入电流流过桥臂中全部HBSM的保护晶闸管VTS与二极管VD2并联支路,因此直流侧故障时换流器闭锁后的MMC桥臂等效模型如图12,IGBT器件VT2触发提供交流馈入电流通路,VT2支路串联电阻R2=N·(Ron//Rvts);
[0118] S3:建立适用于各种工况的MMC桥臂等效模型;
[0119] 步骤S3包括建立适用于各种工况的MMC桥臂等效模型,设计适用于各种工况的MMC桥臂等效模型参数控制方法;
[0120] 将S1建立的正常工况下的MMC桥臂等效模型和S2建立的直流侧故障时换流器闭锁工况下的MMC桥臂等效模型相结合,从而建立适用于各种工况的MMC桥臂等效模型,如图13所示,该等效模型由开关、可变电阻、受控电压源和二极管构成;
[0121] 在正常工况下:
[0122] 非闭锁工况时,开关K1=1即开通,保证正常运行,开关K2=0即关断,可变电阻R1为式(10),受控电压源V1为式(11);
[0123]
[0124]
[0125] 预充电工况时,开关K1=0即关断,提供电容充电状态下电流通路,开关K2=1即开通,提供电容旁路状态下电流通路,可变电阻R1为式(12)、可变电阻为R2式(13),受控电压源V1为式(14);
[0126]
[0127] R2=N·Ron   (13)
[0128]
[0129] 在直流侧故障工况下:
[0130] 换流器闭锁前,开关K1=1即开通,提供电容放电状态下电流通路,开关K2=1即开通,提供交流馈入电流通路,可变电阻R1为式(15),可变电阻R2为式(16),受控电压源V1为式(17);
[0131]
[0132] R2=N·Ron   (16)
[0133]
[0134] 换流器闭锁后,开关K1=0即关断,电容放电电流通路消失,开关K2=1即开通,提供电容旁路状态下电流通路,可变电阻R2为式(18);
[0135] R2=N·Ron   (18)。
[0136] 显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
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