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声表面波谐振器和声表面波滤波器

阅读:441发布:2020-05-12

专利汇可以提供声表面波谐振器和声表面波滤波器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型提供一种声表面波 谐振器 和声 表面波 滤波器 ,包括 基板 、设置在基板上的 叉指换能器 以及位于叉指换能器长度方向两侧的反射栅阵,叉指换能器包括叉指汇流 电极 部以及与叉指汇流电极部电连接并呈周期分布的叉指电极部,反射栅阵包括栅阵汇流电极部以及与栅阵汇流电极部电连接并呈周期分布的栅阵指电极部,栅阵汇流电极部与叉指汇流电极部相对应,所述栅阵指电极部与所述叉指电极部相对应,所述栅阵汇流电极部和所述叉指汇流电极部之间设置有至少一个防 能量 泄露部,以阻止声表面波能量泄露。这样,可以通过所设置的防能量泄露部,阻止声表面波谐振器的声表面波能量泄露,从而可以提高声表面波谐振器的Q值,改善声表面波谐振器的性能。,下面是声表面波谐振器和声表面波滤波器专利的具体信息内容。

1.一种声表面波谐振器,包括基板、设置在所述基板上的叉指换能器以及位于所述叉指换能器长度方向两侧的反射栅阵,所述叉指换能器包括叉指汇流电极部以及与所述叉指汇流电极部电连接并呈周期分布的叉指电极部,所述反射栅阵包括栅阵汇流电极部以及与所述栅阵汇流电极部电连接并呈周期分布的栅阵指电极部,所述栅阵汇流电极部与所述叉指汇流电极部相对应,所述栅阵指电极部与所述叉指电极部相对应,其特征在于,所述栅阵汇流电极部和所述叉指汇流电极部之间设置有至少一个防能量泄露部,以阻止声表面波能量泄露。
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器,其特征在于,所述防能量泄露部包括自所述叉指汇流电极部向靠近所述栅阵汇流电极部的方向延伸的凸出部以及自所述栅阵汇流电极部向远离所述叉指汇流电极部凹陷的凹陷部,所述凸出部伸入所述凹陷部内。
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器,其特征在于,所述凸出部与所述叉指汇流电极部一体形成。
4.根据权利要求2所述的声表面波谐振器,其特征在于,所述凹陷部包括底壁以及自所述底壁向靠近所述叉指汇流电极部的方向延伸的两个侧壁,所述凸出部插置在两个所述侧壁之间,并且,所述凸出部与两个所述侧壁存在相互重叠的区域。
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器,其特征在于,所述凸出部与两个所述侧壁存在相互重叠的区域长度范围为1个~5个换能器叉指电极周期。
6.根据权利要求5所述的声表面波谐振器,其特征在于,所述凸出部与两个所述侧壁、所述底壁之间均绝缘间隔设置,并且,相邻的两个所述凸出部与所述底壁之间的间隔为1/4个所述换能器叉指电极周期。
7.根据权利要求6所述的声表面波谐振器,其特征在于,所述换能器叉指电极周期为相邻两个叉指电极部的中心之间的距离。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的声表面波谐振器,其特征在于,所述防能量泄露部包括自所述栅阵汇流电极部向靠近所述叉指汇流电极部延伸的凸出部以及自所述叉指汇流电极部向远离所述栅阵汇流电极部的方向凹陷的凹陷部,所述凸出部伸入所述凹陷部内。
9.根据权利要求1至7中任意一项所述的声表面波谐振器,其特征在于,所述栅阵汇流电极部和所述叉指汇流电极部之间设置有多个所述防能量泄露部,所述多个防能量泄露部等间距设置。
10.一种声表面波滤波器,其特征在于,包括权利要求1至9中任意一项所述的声表面波谐振器。

说明书全文

声表面波谐振器和声表面波滤波器

技术领域

[0001] 本实用新型涉及谐振器技术领域,具体涉及一种声表面波谐振器和一种包括该声表面波谐振器的声表面波滤波器

背景技术

[0002] 在通信射频前端模中,声表面波滤波器是其核心器件。声表面波滤波器由一系列声表面波谐振器构建而成,谐振器的Q值决定了滤波器性能的优劣,所以提高声表面波谐振器的Q值一直是本领域的研究热点之一。
[0003] 声能量泄露是导致声表面波谐振器Q值降低的一个重要因素。在谐振器声孔径的两端,金属汇流条连接电极指条,通常汇流条区域的声表面波速度要低于叉指换能器和反射栅阵中的声表面波速度,所以能限制声能量向外侧传播。然而在声表面波谐振器换能器和栅阵的连接处,汇流条是断开的,即该处为自由表面的缝隙,其声表面波速度高于叉指换能器和反射栅阵中的声表面波速度,构成一个声能量泄露通道。现有设计技术中该缝隙是一个矩形的直通道或者开口变大的通道,任由该处的声能量泄露而不加阻拦。实用新型内容
[0004] 本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种声表面波谐振器和一种包括该声表面波谐振器的声表面波滤波器。
[0005] 本实用新型的第一方面,提供一种声表面波谐振器,包括基板、设置在所述基板上的叉指换能器以及位于所述叉指换能器长度方向两侧的反射栅阵,所述叉指换能器包括叉指汇流电极部以及与所述叉指汇流电极部电连接并呈周期分布的叉指电极部,所述反射栅阵包括栅阵汇流电极部以及与所述栅阵汇流电极部电连接并呈周期分布的栅阵指电极部,所述栅阵汇流电极部与所述叉指汇流电极部相对应,所述栅阵指电极部与所述叉指电极部相对应,所述栅阵汇流电极部和所述叉指汇流电极部之间设置有至少一个防能量泄露部,以阻止声表面波能量泄露。
[0006] 可选地,所述防能量泄露部包括自所述叉指汇流电极部向靠近所述栅阵汇流电极部的方向延伸的凸出部以及自所述栅阵汇流电极部向远离所述叉指汇流电极部凹陷的凹陷部,所述凸出部伸入所述凹陷部内。
[0007] 可选地,所述凸出部与所述叉指汇流电极部一体形成。
[0008] 可选地,所述凹陷部包括底壁以及自所述底壁向靠近所述叉指汇流电极部的方向延伸的两个侧壁,所述凸出部插置在两个所述侧壁之间,并且,所述凸出部与两个所述侧壁存在相互重叠的区域。
[0009] 可选地,所述凸出部与两个所述侧壁存在相互重叠的区域长度范围为1个~5个换能器叉指电极周期。
[0010] 可选地,所述凸出部与两个所述侧壁、所述底壁之间均绝缘间隔设置,并且,相邻的两个所述凸出部与所述底壁之间的间隔为1/4个所述换能器叉指电极周期。
[0011] 可选地,所述换能器叉指电极周期为相邻两个叉指电极部的中心之间的距离。
[0012] 可选地,所述防能量泄露部包括自所述栅阵汇流电极部向靠近所述叉指汇流电极部延伸的凸出部以及自所述叉指汇流电极部向远离所述栅阵汇流电极部的方向凹陷的凹陷部,所述凸出部伸入所述凹陷部内。
[0013] 可选地,所述栅阵汇流电极部和所述叉指汇流电极部之间设置有多个所述防能量泄露部,所述多个防能量泄露部等间距设置。
[0014] 本实用新型的第二方面,提供一种声表面波滤波器,包括前文记载的所述的声表面波谐振器。
[0015] 本实用新型的声表面波谐振器及声表面波滤波器,其在栅阵汇流电极部和叉指汇流电极部之间设置有至少一个防能量泄露部,这样,可以通过所设置的防能量泄露部,阻止声表面波谐振器的声表面波能量泄露,从而可以提高声表面波谐振器的Q值,改善声表面波谐振器的性能。附图说明
[0016] 图1为本实用新型声表面波谐振器的结构示意图。

具体实施方式

[0017] 为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
[0018] 如图1所示,本实用新型的第一方面,提供一种声表面波谐振器100,该声表面波谐振器100包括基板110、设置在基板110上的叉指换能器120以及位于叉指换能器120长度方向两侧的反射栅阵130,也就是说,如图1所示,在叉指换能器120的左右两侧设置有反射栅阵130。叉指换能器120包括叉指汇流电极部121以及与叉指汇流电极部121电连接并呈周期分布的叉指电极部122。反射栅阵130包括栅阵汇流电极部131以及与栅阵汇流电极部131电连接并呈周期分布的栅阵指电极部132。栅阵汇流电极部131与叉指汇流电极部121相对应,栅阵指电极部132与叉指电极部122相对应,也就是说,如图1所示,栅阵汇流电极部131和叉指汇流电极部121均位于图1中的上部和下部,栅阵指电极部132和叉指电极部122均位于图1中的中部。其中,栅阵汇流电极部131和叉指汇流电极部121之间设置有至少一个防能量泄露部140,以阻止声表面波能量泄露。
[0019] 本实施例结构的声表面波谐振器100,其在栅阵汇流电极部131和叉指汇流电极部121之间设置有至少一个防能量泄露部140,这样,可以通过所设置的防能量泄露部140,阻止声表面波谐振器100的声表面波能量泄露,从而可以提高声表面波谐振器100的Q值,改善声表面波谐振器100的性能。
[0020] 需要说明的是,对于防能量泄露部140的具体结构并没有作出具体限定,其只要能够满足防止能量从栅阵汇流电极部131和叉指汇流电极部121之间泄露出去即可。
[0021] 具体地,如图1所示,防能量泄露部140包括自叉指汇流电极部121向靠近栅阵汇流电极部131的方向延伸的凸出部141以及自栅阵汇流电极部131向远离叉指汇流电极部121凹陷的凹陷部142,凸出部141伸入凹陷部142内。这样,当声表面波沿叉指换能器120的叉指电极部121之间的缝隙向上部或者下部泄露时,所设置的凸出部141和凹陷部142构成的防能量泄露部140可以阻止该部分声表面波能量的泄露,从而可以提高声表面波谐振器100的Q值,改善声表面波谐振器100的性能。
[0022] 需要说明的是,防能量泄露部140除了可以采用上述结构以外,还可以采取其他的结构,例如,防能量泄露部可以包括自栅阵汇流电极部131向靠近叉指汇流电极部121延伸的凸出部以及自叉指汇流电极部121向远离栅阵汇流电极部131的方向凹陷的凹陷部,凸出部伸入凹陷部内,同样也能够实现防止声表面波能量泄露的目的。
[0023] 为了简化声表面波谐振器100的结构,凸出部141与叉指汇流电极部121一体形成。
[0024] 为了进一步提高防能量泄露的效果,如图1所示,凹陷部142包括底壁142a以及自底壁142a向靠近叉指汇流电极部121的方向延伸的两个侧壁142b,凸出部141插置在两个侧壁142b之间,并且,凸出部141与两个侧壁142b存在相互重叠的区域,也就是说,如图1所示,两个侧壁142b在凸出部141上的正投影有部分落在凸出部141范围内,这样,能够提高声表面波能量的防泄露效果。
[0025] 为了进一步提高防能量泄露的效果,凸出部141与两个侧壁142b存在相互重叠的区域长度范围为1~5个换能器叉指电极周期T。
[0026] 如图1所示,凸出部141与两个侧壁142b、底壁142a之间均绝缘间隔设置,这样,可以避免凸出部141与两个侧壁142b和底壁142a短接,从而可以进一步提高声表面波谐振器100的性能。
[0027] 具体地,凸出部141与底壁142a之间的间隔可以为1/4个换能器叉指电极周期T,凸出部141与两个侧壁142b之间的间隔可以为1/4个换能器叉指电极周期T。当然,除此以外,凸出部141与底壁142a之间的间隔范围也可以选取其他一些取值,凸出部141与两个侧壁142b之间的间隔范围也可以选取其他一些取值,具体可以根据实际需要确定。
[0028] 需要说明的是,上述换能器叉指电极周期T为相邻两个叉指电极部121的中心之间的距离。
[0029] 为了进一步提高声表面波谐振器100的防能量泄露效果,栅阵汇流电极部131和叉指汇流电极部121之间可以设置有多个防能量泄露部140,多个防能量泄露部140等间距设置。
[0030] 本实用新型的第二方面,提供一种声表面波滤波器(图中并未示出),包括前文记载的声表面波谐振器100,该声表面波谐振器100的结构具体可以参考前文相关记载,在此不作赘述。
[0031] 本实施例结构的声表面波滤波器,具体前文记载的声表面波谐振器100,其在栅阵汇流电极部131和叉指汇流电极部121之间设置有至少一个防能量泄露部140,这样,可以通过所设置的防能量泄露部140,阻止声表面波谐振器100的声表面波能量泄露,从而可以提高声表面波谐振器100的Q值,改善声表面波谐振器100的性能。
[0032] 可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式,然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
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