专利汇可以提供非对称微纳光纤耦合器及扭转传感器和扭转传感测试装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种非对称微纳光纤 耦合器 及扭转 传感器 和扭转传感测试装置,非对称微纳光纤耦合器包括第一单模光纤臂、第二单模光纤臂、第一少模光纤臂、第二少模光纤臂及融锥区和耦合区。向第一单模光纤臂施加扭转 信号 ,输入 光源 为宽带光源时,对第二单模光纤臂输出端干涉谱采用快速傅里叶变换分析,可获得线性度较好的扭转 角 度测试性能;输入光源为窄带光源时,观察少模光纤输出端的模光斑随扭转角度的变化,可以实现扭转角度变化的实时监测。本实用新型以全光纤的方式实现扭转传感,避免了传统扭转传感器易受 电磁干扰 、解调方式单一和 机械加工 要求高等缺点,具有结构紧凑、线性度高、解调方式多样、 稳定性 高等优点。,下面是非对称微纳光纤耦合器及扭转传感器和扭转传感测试装置专利的具体信息内容。
1.一种非对称微纳光纤耦合器,其特征在于,包括第一单模光纤臂(4-1)、第二单模光纤臂(4-5)、第一少模光纤臂(4-7)、第二少模光纤臂(4-6);第一单模光纤臂(4-1)和第一少模光纤臂(4-7)一端熔融拉锥形成第一融锥区(4-2),第二单模光纤臂(4-5)和第二少模光纤臂(4-6)一端熔融拉锥形成第二融锥区(4-4),第一融锥区(4-2)和第二融锥区(4-4)通过耦合区(4-3)连接;
融锥区同时含有单模光纤与少模光纤,为锥形结构;
单模光纤的纤芯直径/包层直径为8/125μm、纤芯折射率/包层折射率为1.4548/
1.4458,少模光纤的纤芯直径/包层直径为19/125μm、纤芯折射率/包层折射率为1.453/
1.445,少模光纤中高阶模式LP(11)与单模光纤中基模LP(01)的相位匹配。
2.一种基于非对称微纳光纤耦合器的扭转传感器,其特征在于,包括非对称微纳光纤耦合器(4)和扭转装置(3);
所述非对称微纳光纤耦合器包括第一单模光纤臂(4-1)、第二单模光纤臂(4-5)、第一少模光纤臂(4-7)、第二少模光纤臂(4-6);第一单模光纤臂(4-1)和第一少模光纤臂(4-7)一端熔融拉锥形成第一融锥区(4-2),第二单模光纤臂(4-5)和第二少模光纤臂(4-6)一端熔融拉锥形成第二融锥区(4-4),第一融锥区(4-2)和第二融锥区(4-4)通过耦合区(4-3)连接;
融锥区同时含有单模光纤与少模光纤,为锥形结构;
单模光纤的纤芯直径/包层直径为8/125μm、纤芯折射率/包层折射率为1.4548/
1.4458,少模光纤的纤芯直径/包层直径为19/125μm、纤芯折射率/包层折射率为1.453/
1.445,少模光纤中高阶模式LP(11)与单模光纤中基模LP(01)的相位匹配;
所述第一单模光纤臂固定在扭转装置(3)上,扭转装置(3)扭转第一单模光纤臂实现扭转信号的加载。
3.一种基于非对称微纳光纤耦合器的扭转传感测试装置,其特征在于,包括扭转装置(3)、非对称微纳光纤耦合器(4)、光谱仪(5)、图像传感器(6);
所述非对称微纳光纤耦合器包括第一单模光纤臂(4-1)、第二单模光纤臂(4-5)、第一少模光纤臂(4-7)、第二少模光纤臂(4-6);第一单模光纤臂(4-1)和第一少模光纤臂(4-7)一端熔融拉锥形成第一融锥区(4-2),第二单模光纤臂(4-5)和第二少模光纤臂(4-6)一端熔融拉锥形成第二融锥区(4-4),第一融锥区(4-2)和第二融锥区(4-4)通过耦合区(4-3)连接;
融锥区同时含有单模光纤与少模光纤,为锥形结构;
单模光纤的纤芯直径/包层直径为8/125μm、纤芯折射率/包层折射率为1.4548/
1.4458,少模光纤的纤芯直径/包层直径为19/125μm、纤芯折射率/包层折射率为1.453/
1.445,少模光纤中高阶模式LP(11)与单模光纤中基模LP(01)的相位匹配;
所述第一单模光纤臂固定在扭转装置(3)上,扭转装置(3)对第一单模光纤臂施加扭转;
宽带光源(1)与第一单模光纤臂相连,第二单模光纤臂端连接光谱仪(5),分析单模光纤输出端的干涉谱包络变化;
窄带光源(2)与第一单模光纤臂相连,第二少模光纤臂连接图像传感器(6),检测少模光纤输出端的光斑变化。
4.根据权利要求3所述的基于非对称微纳光纤耦合器的扭转传感测试装置,其特征在于,连接方式均为光纤熔接。
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