一种提高电光调Q激光器平均输出功率的方法
专利汇可以提供一种提高电光调Q激光器平均输出功率的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种提高电光调Q 激光器 平均输出功率的方法，属于激光器制造领域。该方法采用z切割、加纵向 电场 的方形KD*P晶体作为电光 开关 。该结构的KD*P晶体与传统圆柱状结构的KD*P晶体相比，由于晶体内部 温度 场梯度发生变化，降低了由剪切应 力 引起的双折射，并使其折射率椭球 变形 程度小于传统圆柱状结构的KD*P晶体，从而使该特殊结构的KD*P晶体热退偏小于圆柱形KD*P晶体，改善了电光晶体的开关特性，提高了电光调Q激光器的平均输出功率。，下面是一种提高电光调Q激光器平均输出功率的方法专利的具体信息内容。
1.一种提高电光调Q激光器平均输出功率的方法，其特征在于，该方法采用z切割、加纵向电场的方形KD*P晶体作为电光开关；实施该方法的装置包括全反镜(1)、半导体激光脉冲泵浦模块(2)、Nd:YAG晶体(3)、起偏器(4)、电光开关(5)、输出耦合镜(6)；全反镜(1)、半导体激光脉冲泵浦模块(2)、Nd:YAG晶体(3)、起偏器(4)、电光开关(5)、输出耦合镜(6)依次相连，最终经输出耦合镜(6)进行输出激光(7)；其中，作为电光开关的KD*P晶体置于起偏器(4)和输出耦合镜(6)之间，并且紧靠输出耦合镜(6)；
该结构的KD*P晶体与传统圆柱状结构的KD*P晶体相比，由于晶体内部温度场梯度发生变化，降低了由剪切应力引起的双折射，并使其折射率椭球变形程度小于传统圆柱状结构的KD*P晶体，从而使该特殊结构的KD*P晶体热退偏小于圆柱形KD*P晶体，改善了电光晶体的开关特性，提高了电光调Q激光器的平均输出功率。
2.根据权利要求1所述的一种提高电光调Q激光器平均输出功率的方法，其特征在于，传统电光调Q晶体通常是采用圆柱状结构，常见的电光调Q激光器采用的是圆柱状电光晶体，由于圆柱状电光晶体自身的双折射效应，使其热退偏非常明显，严重影响了电光晶体的开关特性，制约了电光调Q激光器平均输出功率的提高；
对于传统的圆柱状KD*P电光晶体，采用z切割、加纵向电场；电光晶体未加电场时，电光晶体内部由于有温度场梯度，会出现由剪切应力引起的双折射；对-42m结构的KD*P晶体，其折射率椭球发生变形，在垂直于通光z轴的面上将形成新的主轴折射率nx’和ny’，且随半径r和方位角θ变化；对于方形结构电光晶体，由于其特殊结构，晶体内部温度分布和热应力发生变化，剪切应力远小于圆柱形晶体，其折射率椭球变形程度小于前者，从而使该特殊结构的KD*P晶体热退偏小于圆柱形KD*P晶体，改善了电光晶体的开关特性，提高了电光调Q激光器的平均输出功率。
3.根据权利要求1所述的一种提高电光调Q激光器平均输出功率的方法，其特征在于，将该方形KD*P晶体应用于激光器中；该激光器采用常规的直腔降压式电光调Q的结构；调节激光器的腔镜，使其在自由运转时达到最佳状态，插入起偏器，微调，使其与光轴夹角为布诺斯特角度53°；在靠近输出耦合镜一端加入特殊结构的方形KD*P晶体，细调电光晶体，使其在加纵向半波电压时能完全关断激光输出；半导体激光脉冲泵浦模块的触发和电光Q开关的触发采用同一个脉冲发生器,使它们相互之间延时同步匹配；在相同条件下，搭建采用传统的圆柱状KD*P晶体作为电光开关的调Q激光器。
一种提高电光调Q激光器平均输出功率的方法
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