专利汇可以提供一种微纳尺度的图形绘制方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种微纳尺度的图形绘制方法,包括:通过 磁控溅射 仪在纳米尺度的针尖上溅射贵金属包覆层;通过磁控溅射仪在 硅 片 上溅射贵金属 薄膜 作为基底,或者以 单层 石墨 烯作为基底;在所述基底上 吸附 光敏分子,然后置于载物台上;固定所述针尖,调节 激光器 的入射激光,使所述入射激光照射在所述针尖尖端,利用针尖产生的局域表面等离激元,作用于光敏分子生成反应物,通过载物台调节光敏分子的 位置 ,从而较好地控制光敏分子的反应物形成微纳尺度的图形的形状和过程。,下面是一种微纳尺度的图形绘制方法专利的具体信息内容。
1.一种微纳尺度的图形绘制方法,其特征在于,包括:
通过磁控溅射仪在纳米尺度的针尖上溅射贵金属包覆层;
通过磁控溅射仪在硅片上溅射贵金属薄膜作为基底,或者以单层石墨烯作为基底;
在所述基底上吸附光敏分子,然后将所述基底置于载物台上;
固定所述针尖,调节激光器发射的激光,使所述激光照射在所述针尖尖端,产生局域表面等离激元;
调节所述载物台,使所述基底位于所述针尖前端,使所述光敏分子在所述局域表面等离激元的作用下生成反应物;
调节所述载物台,使所述基底上被所述激光照射的位置按照预设图形移动。
2.如权利要求1所述的微纳尺度的图形绘制方法,其特征在于,所述纳米尺度的针尖为扫描探针显微镜的探针的针尖,直径为20~50nm。
3.如权利要求1所述的微纳尺度的图形绘制方法,其特征在于,所述贵金属为金、银或铂;
通过磁控溅射仪在纳米尺度的针尖上溅射贵金属包覆层包括:在溅射时所述磁控溅射仪的真空计为1.0Pa,流量计为24sccm,溅射电流为0.15mA,溅射时间为100s。
4.如权利要求1所述的微纳尺度的图形绘制方法,其特征在于,通过磁控溅射仪在硅片上溅射金膜或银膜作为基底包括:
溅射时真空计为1.0Pa,流量计为24sccm,溅射电流为0.1mA,溅射时间为20s-90s。
5.如权利要求1所述的微纳尺度的图形绘制方法,其特征在于,以单层石墨烯作为基底包括:
使用化学气相沉积CVD方法制备所述单层石墨烯,其中混合气体比例为CH4:H2=1:
1sccm,生长温度为1030℃。
6.如权利要求1所述的微纳尺度的图形绘制方法,其特征在于,在所述基底上吸附光敏分子包括:
通过旋涂、浸泡的方法将所述光敏分子均匀吸附在所述基底上,其中使用溅射贵金属薄膜得到的基底时所述光敏分子的分子浓度为10-3mol/L,使用单层石墨烯作为基底时所述光敏分子的分子浓度为10-2mol/L。
7.如权利要求1或6所述的微纳尺度的图形绘制方法,其特征在于,在所述基底上吸附光敏分子包括:在黑暗环境或者只有红光的条件下进行。
8.如权利要求1所述的微纳尺度的图形绘制方法,其特征在于,所述光敏分子包括对巯基苯胺PATP或硝基苯硫酚4NBT分子,所述生成物为二甲基氨基苯甲醛DMAB。
9.如权利要求1所述的微纳尺度的图形绘制方法,其特征在于,应用于针尖增强拉曼光谱TERS系统中,以所述溅射贵金属包覆层后的针尖作为所述TERS系统的针尖,以所述TERS系统的样本台作为所述载物台,还包括:
当激光照射某一位置时,利用TERS光谱检测所述某一位置的所述光敏分子是否生成反应物;
如果TERS光谱指示生成所述反应物,调节所述样本台使所述激光照射下一位置。
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