专利汇可以提供防线圈烧毁的漏电保护电路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型涉及漏电保护 电路 技术领域,特别是公开了一种防线圈烧毁的漏电保护电路,包括互感器、整流滤波电路模 块 、电源电路模块、漏电 信号 检测电路模块、脱扣电路模块和可控 硅 控制信号 关断电路模块,所述脱扣电路模块包括可控硅D3,可控硅控制信号关断电路模块包括 电阻 R2、电阻R4、电阻R5、电容C10、 二极管 D4和MOS管VT1,其中二极管D4的 阳极 接到可控硅D3触发极和电阻R5的公共端,电阻R5另一端接MOS管VT1的漏极,二极管D4的 阴极 接到电阻R2的一端,电阻R2、电阻R4和电容C10的公共端接到MOS管的栅极,电阻R4和电容C10的另一端接地,MOS管VT1的源极接地。采用上述方案,提供了一种能有效避免可控硅长时间导通而烧毁线圈的现象出现。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利,下面是防线圈烧毁的漏电保护电路专利的具体信息内容。
1.一种防线圈烧毁的漏电保护电路,包括互感器、整流滤波电路模块、电源电路模块、漏电信号检测电路模块和脱扣电路模块,所述脱扣电路模块包括可控硅D3,其特征在于:还包括可控硅控制信号关断电路模块,可控硅控制信号关断电路模块包括电阻R2、电阻R4、电阻R5、电容C10、二极管D4和MOS管VT1,其中二极管D4的阳极接到可控硅D3触发极和电阻R5的公共端,电阻R5另一端接MOS管VT1的漏极,二极管D4的阴极接到电阻R2的一端, 电阻R2、电阻R4和电容C10的公共端接到MOS管的栅极,电阻R4和电容C10的另一端接地,MOS管VT1的源极接地。
2.根据权利要求1所述的防线圈烧毁的漏电保护电路,其特征在于:所述漏电信号检测电路包括漏电芯片U1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C6、电容C7、电容C8、电阻R6、调节电阻R7和双向二极管D2,其中调节电阻R7两端并接到互感器的两个输出端。
3.根据权利要求2所述的防线圈烧毁的漏电保护电路,其特征在于:所述双向二极管D2和电容C6并联在电阻R7上,电容C2连接在漏电芯片U1的1脚和2脚上,电阻R6连接在电容C2和电容C6的一端上,电容C8的一端与电容C2和电容C6的公共端连接,另一端接地,电容C4的一端与漏电芯片U1的4脚和5脚连接,另一端接地。
4.根据权利要求2或3所述的防线圈烧毁的漏电保护电路,其特征在于:所述脱扣电路模块还包括脱扣线圈L1,其中可控硅D3控制极接到漏电芯片U1的7脚,可控硅D3的阳极接到双向二极管D1的阴极,可控硅D3的阴极接地。
5.根据权利要求4所述的防线圈烧毁的漏电保护电路,其特征在于:所述整流滤波电路模块包括压敏电阻MYR1、整流二极管D1和电容C5,其中整流二极管D1的阳极接到脱扣线圈L1和压敏电阻MYR1的公共端,整流二极管D1另一端接到电容C5的一端,C5另一端接地。
6.根据权利要求2或3或5所述的防线圈烧毁的漏电保护电路,其特征在于:所述电源电路模块包括电阻R1和电容C1,其中电阻R1一端连接到整流二极管D1阴极,另一端连接到漏电芯片U1的电源和电容C1的公共端,电容C1另一端接地。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
显示模组及显示模组的制作方法 | 2020-07-29 | 1 |
一种电机转子用旋转整流二极管及其制作工艺 | 2020-12-23 | 3 |
一种沟槽型功率开关器件及其制作方法 | 2020-12-01 | 0 |
一种智能采样的少分子数遗传序列检测装置 | 2022-03-20 | 0 |
一种基于LoRa的农作物仓库监护设备 | 2020-08-07 | 1 |
一种基于雷达感应的路灯节能系统及其路灯 | 2021-06-05 | 1 |
一种发光二极管中引线脚的加固结构 | 2021-03-07 | 3 |
一种用于0-10V输入LED电源的线性化均匀调光信号转换电路 | 2021-03-20 | 1 |
转换器控制电路及芯片 | 2022-11-16 | 1 |
一种开关电源可控延时打嗝式输出短路保护电路 | 2020-10-06 | 1 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。