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接触器控制器 电路结构

阅读：906发布：2021-06-09

专利汇可以提供接触器控制器电路结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种接触器控制器电路结构，包括相连接的整流电路、电压采样电路、DC-DC降压电路、MOS管驱动电路、电流采样电路和控制单元电路，所述电流采样电路包括接触器线圈、MOS管和第一电阻，所述电流采样电路通过接触器线圈与整流电路连接，所述MOS管G端与MOS管驱动电路连接，所述MOS管D端与接触器线圈电连接形成与整流电路的连接，所述MOS管S端接地设置，所述第一电阻连接在MOS管S端与地线之间，所述第一电阻阻值设置为4~6Ω，所述第一电阻上并联有二极管，所述控制单元电路与第一电阻电连接形成对电流信号的接收与检测。其结构更为简单，减少了运放及外围线路，使得线路更简洁、性能更高，制造成本也更低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利，下面是接触器控制器电路结构专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种接触器控制器电路结构，包括相连接的整流电路、电压采样电路、DC-DC降压电路、MOS管驱动电路、电流采样电路和控制单元电路，其特征在于：所述电流采样电路包括接触器线圈、MOS管和第一电阻，所述电流采样电路通过接触器线圈与整流电路连接，所述MOS管G端与MOS管驱动电路连接，所述MOS管D端与接触器线圈电连接形成与整流电路的连接，所述MOS管S端接地设置，所述第一电阻连接在MOS管S端与地线之间，所述第一电阻阻值设置为4 6Ω，所述第一电阻上并联有二极管，所述控制单元电路与第一电阻电连接形成对电~
流信号的接收与检测。
2.根据权利要求1所述的接触器控制器电路结构，其特征在于：所述第一电阻上还并联有电容。
3.根据权利要求1或2所述的接触器控制器电路结构，其特征在于：所述第一电阻阻值设置为5Ω。
4.根据权利要求1所述的接触器控制器电路结构，其特征在于：所述控制单元电路与第一电阻之间还连接有第二电阻。

说明书全文

接触器控制器 电路结构

技术领域

[0001] 本实用新型涉及接触器控制电路技术领域，尤其是一种电子式接触器控制器电路结构。

背景技术

[0002] 电子式接触器控制器电路结构通常由以下六部分组成，包括整流电路、电压采样电路、DC-DC降压电路、MOS管驱动电路、电流采样电路和控制单元电路，现有的电子式接触器，其中的电流采样电路都会在MOS管S极串联阻值较小的采样电阻，一般阻值在0.1Ω到1Ω，从而对线圈电流进行采样，如图一所示，其中的R12、R13’即为采样电阻，然后再通过运放U2把信号放大后，给CUP进行采样处理后输出PWM维持吸合动作；但是在低电压壳架下很多接触器线圈的内阻只有1Ω左右，在全功率吸合时，为了取得更大的磁动势就必须把采样信号电阻R14、R13’的阻值减小，电阻减小了，使得全功率吸合时电流增大，磁动势也随之增大，但是维持时通过线圈的电流只有几到十几mA，使得采样电阻上的电压就处于很低的水平，CPU无法采样到信号，这时只能通过运放，来放大信号使得CPU可以进行信号采集，这样设计使得，电路不够简洁，在低电压下吸合也存在不稳定性，整体电路的性能降低，成本也更高。实用新型内容

[0003] 针对现有技术的不足，本实用新型提供一种接触器控制器电路结构，其结构更为简单，减少了运放及外围线路，使得线路更简洁、性能更高，制造成本也更低。

[0004] 本实用新型提供一种接触器控制器电路结构，包括相连接的整流电路、电压采样电路、DC-DC降压电路、MOS管驱动电路、电流采样电路和控制单元电路，所述电流采样电路包括接触器线圈、MOS管和第一电阻，所述电流采样电路通过接触器线圈与整流电路连接，所述MOS管G端与MOS管驱动电路连接，所述MOS管D端与接触器线圈电连接形成与整流电路的连接，所述MOS管S端接地设置，所述第一电阻连接在MOS管S端与地线之间，所述第一电阻阻值设置为4 6Ω，所述第一电阻上并联有二极管，所述控制单元电路与第一电阻电连接形~成对电流信号的接收与检测。

[0005] 本实用新型进一步设置为所述第一电阻上还并联有电容。

[0006] 本实用新型进一步设置为所述第一电阻阻值设置为5Ω。

[0007] 本实用新型进一步设置为所述控制单元电路与第一电阻之间还连接有第二电阻。

[0008] 这样设置的有益效果是：采用上述方案，其结构更为简单，减少了运放及外围线路，使得线路更简洁、性能更高，制造成本也更低，其中的整流电路、电压采样电路、DC-DC降压电路、MOS管驱动电路和控制单元电路，均为现有的线路布局，本实用新型改进点为电流采样线路，并替换原有电流采样电路，同时现有整流电路、电压采样电路、DC-DC降压电路、MOS管驱动电路和控制单元电路中与电流采样电路的接线点不变，替换简单，降低替换成本，利于实现，提高该电路的使用效果。

[0009] 下面结合说明书附图和实施例做进一步的说明。

附图说明

[0010] 图1为本实用新型现有技术中的接触器控制器电路结构图；

[0011] 图2为本实用新型实施例的电路图。

具体实施方式

[0012] 由图2可以看出公开了一种接触器控制器电路结构，包括相连接的整流电路、电压采样电路、DC-DC降压电路、MOS管驱动电路、电流采样电路和控制单元电路，所述电流采样电路包括接触器线圈L2、MOS管和第一电阻R13，所述电流采样电路通过接触器线圈L2与整流电路连接，所述MOS管G端与MOS管驱动电路连接，所述MOS管D端与接触器线圈L2电连接形成与整流电路的连接，所述MOS管S端接地设置，所述第一电阻R13连接在MOS管S端与地线之间，所述第一电阻R13阻值设置为5Ω，所述第一电阻R13上并联有二极管D6，所述控制单元电路与第一电阻R13电连接形成对电流信号的接收与检测。所述第一电阻R13上还并联有电容C6。所述控制单元电路与第一电阻R13之间还连接有第二电阻R15。

[0013] 在大功率吸合静态状态下，假设DC-DC降压电路上接触器线圈L2内阻为1Ω，当电源即vcc为16V时，在全功率吸合时如图2中A点位置的电压约为0.3V左右，接触器线圈L2和MOS管两端的电压约为15.7V，通过接触器线圈L2的电流约为15A，形成的电磁铁磁动势为E=NI。而在现有电路中，如图1所示电路中，在全功率吸合时A’点的电压约为VCC的1/3，接触器线圈L2’和MOS管两端的电压为11V，通过接触器线圈L2的电流约为11A，电磁铁的磁动势为E’=NI’。E明显大于E’，显而易见的磁动势大了吸合力也大了。显然经过改进后的线路在大功率吸合时和采样电阻的大小几乎没有关系。

[0014] 在小功率状态下维持时，电子式接触器在维持吸合时通过接触器线圈L2的电流都比较小，一般在几到十几个mA。现有技术中，即图1的两个采样电阻R13’、R14只有1Ω，假设通过R13’、R14的电流为10mA。根据欧姆定律R14、R13’上的电压0.5*0.01=0.005V约为5mV，这里的电压为RMS值，其峰值会在10mV左右，所以需要经过运放放大，控制芯片才能采样处理。改进后，第一电阻R13为5Ω，假设通过R13的电流为10mA。根据欧姆定律R13上的电压5*0.01=0.05V约为50mV，这里的电压为RMS值，峰值约在100mV，这样就不需要经过运放放大，控制芯片可以直接采样处理。比原先的设计省去了一个运放和一些外围电路。

[0015] 电容C6，这个电容在本线路中的作用也很大，在PWM维持时MOS导通瞬间电流很大，在没有该电容C6时，A点位置的电压会上升很快，瞬间就会升到0.3V以上，使得图2中二极管D6导通，该二极管导通后电流比较大，使得功率维持不稳定。设置该电容C6后，在PWM维持时MOS导通瞬间A点位置的电压会有一个缓慢上升的过程，PWM调整时只需把A点的峰值电压维持在100mV左右。这样二极管D6就不会导通，通过第一电阻R13的电流就是线圈的维持电流。这里通过二极管的特性巧妙的实现了大电流吸合和小电流维持两个不同的回路。

[0016] 上述的实施例仅为本实用新型的优选实施例，不能以此来限定本实用新型的权利范围，因此，依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，比如采用类似工艺、类似结构的等效产品仍属本实用新型所涵盖的范围。

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