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一种用于检测的电流采样电路

阅读:448发布:2021-06-12

专利汇可以提供一种用于检测的电流采样电路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种用于检测的 电流 采样 电路 ,包括MOS驱动电路、电流采样电路、 单片机 ,所述MOS驱动电路与单片机连接,所述电流采样电路与单片机连接,所述MOS驱动电路与电流采样电路连接;本实用新型提供一种用于检测的电流采样电路,能够保护 电阻 不被损坏,使整个电路更加稳定可靠,避免额外的发热引起不必要的损耗。,下面是一种用于检测的电流采样电路专利的具体信息内容。

1.一种用于检测的电流采样电路,包括电流采样电路、单片机及与电机连接的MOS驱动电路,其特征在于:所述MOS驱动电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一三极管、第二MOS管、第三三极管、第四三极管、第五MOS管、第一二极管、第二二极管、第一稳压管;其中,电机的正极与21V电压连接并与第二二极管的负极连接,电机的负极与第一二极管的正极连接并与第二二极管的正极连接,所述第一二极管的负极与第一稳压管的负极连接;所述第二MOS管的D极与电机的负极连接,第二MOS管的G极与第一稳压管的正极连接,所述第二MOS管的S极接地,所述第一稳压管的正极通过第七电阻接地,所述第一稳压管的正极还通过第三电阻接入第一三极管的发射极,所述第一稳压管的正极还通过第四电阻接入第三三极管的发射极,所述第三三极管的集电极接地,第三三极管的基极与第一三极管的基极连接,所述第三三极管的基极还通过第二电阻接入第一三极管的集电极,所述第三三极管的基极与第四三极管的集电极连接;所述第四三极管的基极通过第一电阻接入第一三极管的集电极,所述第四三极管的发射极接地,所述第四三极管的基极还接入第五MOS管的D极;所述第五MOS管的S极接地,第五MOS管的G极通过第六电阻接地,所述第五MOS管的G极通过第五电阻接入单片机的7脚连接,所述电流采样电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第一电容、第二电容、第二稳压管、第六MOS管;其中,第六MOS管的D极通过第十二电阻接入MOS驱动电路中电机的负极,第六MOS管的G极通过第九电阻接地,第六MOS管的G极通过第十一电阻接入单片机的6脚,所述第六MOS管的S极与第二稳压管的负极连接,第二稳压管的正极接地;所述第六MOS管的S极还通过第十电阻接地,所述第六MOS管的S极还通过第一电容接地,所述第六MOS管的S极还通过第二电容接地;所述第六MOS管的S极还通过第八电阻接入单片机的8脚。
2.根据权利要求1所述的一种用于检测的电流采样电路,其特征在于,还包括温度检测电路,所述温度检测电路包括第十三电阻、热敏电阻、第三电容,其中,所述热敏电阻的一端通过第十三电阻接入5V电压,所述热敏电阻的一端还通过第三电容接地,所述热敏电阻的一端还接入单片机的9脚,所述热敏电阻的另一端接地。

说明书全文

一种用于检测的电流采样电路

技术领域

[0001] 本实用新型属于电流采样电路领域,具体涉及一种用于检测的电流采样电路。

背景技术

[0002] 目前用于电机电流的检测普遍采用合金电阻运算放大器的方式,此种方式在功率回路中间串联一个电阻用于电流的采样,此种方式采用电阻、运算放大器成本较高,由于采样电阻串联在电路中间,会引起发热的情况,通过的电流越大,发热越严重,如果电流过大还需要保证散热条件防止烧坏采样电阻。实用新型内容
[0003] 本实用新型提供一种用于检测的电流采样电路,解决了电路发热严重的问题。
[0004] 为解决上述技术问题,本实用新型采用了如下的技术方案:一种用于检测的电流采样电路,包括电流采样电路、单片机及与电机连接的MOS驱动电路,所述MOS驱动电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一三极管、第二MOS管、第三三极管、第四三极管、第五MOS管、第一二极管、第二二极管、第一稳压管;其中,电机的正极与21V电压连接并与第二二极管的负极连接,电机的负极与第一二极管的正极连接并与第二二极管的正极连接,所述第一二极管的负极与第一稳压管的负极连接;所述第二MOS管的D极与电机的负极连接,第二MOS管的G极与第一稳压管的正极连接,所述第二MOS管的S极接地,所述第一稳压管的正极通过第七电阻接地,所述第一稳压管的正极还通过第三电阻接入第一三极管的发射极,所述第一稳压管的正极还通过第四电阻接入第三三极管的发射极,所述第三三极管的集电极接地,第三三极管的基极与第一三极管的基极连接,所述第三三极管的基极还通过第二电阻接入第一三极管的集电极,所述第三三极管的基极与第四三极管的集电极连接;所述第四三极管的基极通过第一电阻接入第一三极管的集电极,所述第四三极管的发射极接地,所述第四三极管的基极还接入第五MOS管的D极;所述第五MOS管的S极接地,第五MOS管的G极通过第六电阻接地,所述第五MOS管的G极通过第五电阻接入单片机的7脚连接,所述电流采样电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第一电容、第二电容、第二稳压管、第六MOS管;其中,第六MOS管的D极通过第十二电阻接入MOS驱动电路中电机的负极,第六MOS管的G极通过第九电阻接地,第六MOS管的G极通过第十一电阻接入单片机的6脚,所述第六MOS管的S极与第二稳压管的负极连接,第二稳压管的正极接地;所述第六MOS管的S极还通过第十电阻接地,所述第六MOS管的S极还通过第一电容接地,所述第六MOS管的S极还通过第二电容接地;所述第六MOS管的S极还通过第八电阻接入单片机的8脚。
[0005] 优选的,还包括温度检测电路,所述温度检测电路包括第十三电阻、热敏电阻、第三电容,其中,所述热敏电阻的一端通过第十三电阻接入5V电压,所述热敏电阻的一端还通过第三电容接地,所述热敏电阻的的一端还接入单片机的9脚,所述热敏电阻的另一端接地。
[0006] 本实用新型的有益效果是:本实用新型提供一种用于检测的电流采样电路,能够保护电阻不被损坏,使整个电路更加稳定可靠,避免额外的发热引起不必要的损耗。附图说明
[0007] 附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
[0008] 图1是本实用新型提供的MOS驱动电路电气原理图;
[0009] 图2是电流采样电路的电气原理图;
[0010] 图3是温度检测电路的电气原理图;
[0011] 图4是LGT8P22A单片机的引脚示意图。

具体实施方式

[0012] 为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图和实施例,对本实用新型进行进一步的详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不限定本实用新型。
[0013] 如图1、图2、图3和图4所示,一种用于检测的电流采样电路,包括电流采样电路、单片机及与电机连接的MOS驱动电路,所述MOS驱动电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一三极管Q1、第二MOS管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五MOS管Q5、第一二极管D1、第二二极管D2、第一稳压管ZD1;其中,电机为现有技术中常见电机,电机M的正极与21V电压连接并与第二二极管D2的负极连接,电机M的负极与第一二极管D1的正极连接并与第二二极管D2的正极连接,所述第一二极管D1的负极与第一稳压管ZD1的负极连接;所述第二MOS管Q2的D极与电机M的负极连接,第二MOS管Q2的G极与第一稳压管ZD1的正极连接,所述第二MOS管Q2的S极接地;
[0014] 所述第一稳压管ZD1的正极通过第七电阻R7接地,所述第一稳压管ZD1的正极还通过第三电阻R3接入第一三极管Q1的发射极,所述第一稳压管ZD1的正极还通过第四电阻R4接入第三三极管Q3的发射极,所述第三三极管Q3的集电极接地,第三三极管Q3的基极与第一三极管Q1的基极连接,所述第三三极管Q3的基极还通过第二电阻R2接入第一三极管Q1的集电极,所述第三三极管Q3的基极与第四三极管Q4的集电极连接;所述第四三极管Q4的基极通过第一电阻R1接入第一三极管Q1的集电极,所述第四三极管Q4的发射极接地,所述第四三极管Q4的基极还接入第五MOS管Q5的D极;所述第五MOS管Q5的S极接地,第五MOS管Q5的G极通过第六电阻R6接地,所述第五MOS管Q5的G极通过第五电阻R6接入单片机LGT8P22A的7脚连接。
[0015] 本实施中,参照图2和图4,所述电流采样电路包括第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第一电容C1、第二电容C2、第二稳压管ZD2、第六MOS管Q6;其中,第六MOS管Q6的D极通过第十二电阻R12接入电机M的负极,第六MOS管Q6的G极通过第九电阻R9接地,第六MOS管Q6的G极通过第十一电阻R11接入单片机的6脚,所述第六MOS管Q6的S极与第二稳压管ZD2的负极连接,第二稳压管ZD2的正极接地;所述第六MOS管Q6的S极还通过第十电阻R10接地,所述第六MOS管Q6的S极还通过第一电容C1接地,所述第六MOS管Q6的S极还通过第二电容C2接地;所述第六MOS管Q6的S极还通过第八电阻R8接入单片机LGT8P22A的8脚。
[0016] 本实施例中,参照图3和图4,还包括温度检测电路,所述温度检测电路包括第十三电阻R13、热敏电阻NCT1、第三电容C3,其中,所述热敏电阻NTC1的一端通过第十三电阻R13接入5V电压,所述热敏电阻NTC1的一端还通过第三电容C3接地,所述热敏电阻NCT1的的一端还接入单片机LGT8P22A的9脚,所述热敏电阻NCT1的另一端接地。
[0017] 通过本实施例提供的电流采样电路,对第二MOS管Q2的导通电阻RDSon进行采集,根据测得的第二MOS管Q2的VDSon电压除以RDSon导通电阻求得通过第二MOS管Q2的电流。
[0018] 由于第二MOS管Q2的导通电阻RDSon会随着温度的变化而变化,引入热敏电阻NTC1进行第二MOS管Q2的温度监测,根据当前第二MOS管Q2产生的温度,引入一个补偿系数,由单片机LGT8P22A进行导通电阻RDSon的补偿。另外,当热敏电阻NTC1检测到第二MOS管Q2的温度超温之后,热敏电阻NTC1会及时切断整个电路,保护控制器不被损坏,使整个产品更加稳定可靠。
[0019] 以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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