专利汇可以提供阵列基板及其制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种阵列 基板 及其制造方法,由IGZO图案(25)及其对应区域的第一 电极 条(221)、第一 沟道 (263)和第二金属层(26)形成CMOS 反相器 (30)的第一晶体管(M1)、由OSC图案(27)及其对应区域的第二电极条(222)、第二沟道(264)和第二金属层(26)形成CMOS反相器(30)的第二晶体管(M2),从而实现基于IGZO和OSC制造阵列基板的CMOS反相器(30)或CMOS环形 振荡器 (40)。,下面是阵列基板及其制造方法专利的具体信息内容。
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