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一种分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法

阅读:1035发布:2020-12-15

专利汇可以提供一种分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种分析 等离子体 电磁散射特性的时域积分方程方法。该方法运用时域体积分方程分析色散等离子 体模 型的电磁散射特性。本发明只需离散物体模型,使用自由空间格林函数及递归卷积方法,可以分析非均匀色散等离子体目标的电磁散射特性,相较于需要全空间离散的时域有限差分方法和时域有限元方法,具有很高的计算 精度 且未知量相对较小;同时由于采用时域方法求解,可以一次计算宽频带各频点的电磁散射特性,相较于需要扫频操作的频域方法,求解消耗时间大幅减小。,下面是一种分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法专利的具体信息内容。

1.一种分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法,其特征在于,步骤如下:
步骤1,建立时域体积分方程:根据结构散射特性,被激励目标上的总电场等于入射电场与散射电场之和,入射电场为已知激励;
步骤2,离散时域积分方程,并对离散后的积分方程进行空间和时间上的测试,建立时域矩阵方程;
步骤3,建立色散等离子体中电通量密度与电场强度之间的关系;
步骤4,求解时域矩阵方程,分析宽频带内等离子体材料电磁散射特性。
2.根据权利要求1所述的分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法,其特征在于,步骤1中所述建立时域体积分方程,具体如下:
设待求解目标为等离子体材料,用调制高斯脉冲激励待求解目标,等离子体内产生极化体电流Jv(r,t),由于总电场等于入射电场与散射电场之和,得到分析等离子体材料的时域时间步进电场积分方程形式如下:
i s
E(r,t)=E(r,t)+E(r,t) (1)
i s
其中,E(r,t)表示入射电场,E(r,t)表示散射电场,E(r,t)表示总电场,具体表达式为:
其中,
式中,ε0表示自由空间的介电常数,μ0表示自由空间的磁导率, 为单位并矢,r为场点,r′为源点,R=r-r′为场源点之间位置矢量,D(r,t)表示电通量密度, R=|R|=|r-r′|, 表示光速,t表示时间,v为介质体积分区域。
3.根据权利要求1所述的分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法,其特征在于,步骤2所述离散时域积分方程,并对离散后的积分方程进行空间和时间上的测试,建立时域矩阵方程,具体如下:
对式(2)中的电通量密度D(r,t)和电场强度E(r,t)在空间上用SWG基函数进行展开:
其中,n表示空间未知量,j表示时间步数,Ns表示空间上总的未知量,Nt表示时间上总的步数,Dj,n表示第n个电通量密度在第j时刻的系数,fn(r)表示SWG基函数, 表示上半SWG基函数, 表示下半SWG基函数,Tj(t)表示时间基函数, 表示在固定时间步上的第n个电通量密度未知量系数, 表示第n个上半SWG基函数表示的电场未知量在第j时刻的系数, 表示第n个下半SWG基函数表示的电场未知量在第j时刻的系数,表示在固定时间步上的第n个上半SWG基函数表示的电场未知量, 表示在固定时间步上的第n个下半SWG基函数表示的电场未知量;
时间上用四阶拉格朗日时间基函数进行展开:
对式(2)电场积分方程离散后在空间域上进行伽辽金测试,在时间域上进行点匹配得到时域矩阵方程即时间步进矩阵方程:
其中,Fj表示第j个时间步的激励,Nt表示时间步的个数, 是第j个时间步的电通量密度系数和上下半个SWG基函数表示的电场强度的系数, 表示建立电通量密度场源之间关系的阻抗矩阵, 表示建立电场强度场源之间关系的阻抗矩阵。
4.根据权利要求1所述的分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法,其特征在于,步骤3所述建立色散等离子体中电通量密度与电场强度之间的关系,具体如下:
由于等离子体属于色散媒质,满足D(r,t)=ε(r,t)*E(r,t),则式(2)改写为:
i
γ(r,t)*D(r,t)=E(r,t)-L{D}(r,t)+ε0L{γ*D}(r,t) (8)
其中,
-1
其中,γr,∞=1/εr,∞、γ0=1/ε0,F 表示逆傅里叶变换,ε(r,ω)为在r处ω频率下的介电常数,εr,∞为在r处无限大频率下的介电常数,γ(r,t)为在r处t时刻的下的磁化率,δ(t)为冲激函数;
利用空间和时间基函数展开后,由式(9)得到:
设定时间t=tj,由上式得到
进一步得到色散等离子体中电通量密度与电场强度之间的关系表示为:
其中,K为拉格朗日时间基函数的阶数,αk,i为建立时间基函数与色散介电参数之间关系的矩阵,Δt为时间步长。

说明书全文

一种分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法

一技术领域

[0001] 本发明属于快速计算等离子体媒质在宽频带内电磁散射特性的仿真计算技术领域,特别是一种分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法。二背景技术
[0002] 在现代化战争中,武器系统的雷达散射截面积(RCS)是雷达系统对目标“可观测性”的一个重要指标。超高声速飞行目标由于具有很快的飞行速度(5赫以上)以及较高的飞行高度(20Km以上),其飞行时与空气摩擦会产生几千摄氏度的气动热,使其周围空气电离而呈离子状态存在。当电离度达到一定程度时,电离气体具有等离子体性质。此时在飞行目标表面附近的包覆流场通常被称为等离子体包覆流场、再入等离子体或等离子体壳套。(常雨.超声速/高超声速等离子体流场数值模拟及其电磁特性研究,国防科技大学博士论文,2009)。针对这种色散等离子体结构,在时域体积分方法(Noel T.Gres,Arif A.Ergin,and Eric Michielssen,“Volume-integral-equation-based analysis of transient electromagnetic scattering from three-dimensional inhomogeneous dielectric objects,”Radio Science,2001,36(3):379-386)内部引入递归卷积的方法进行处理。相较于其他时域方法,时域体积分方程方法可以精确有效的分析其瞬态电磁散射问题,而传统的时域方法,如时域有限差分方法(FDTD)(J.A.Pereda,L.A.Vielva,A.Vegas,and A.Prieto,“State-space approach for the fdtd formulation for dispersive media,”IEEE Trans.Magn.,1995,31(3):1602–1605)和时域有限元方法(D.Jiao and J.-M.Jin,“A general approach for the stability analysis of the time-domain finite-element method for electromagnetic simulations,”IEEE Trans.Antennas Propag.,vol.50,no.11,pp.1624–1632,Nov.2002.),精度受到很大的限制,且需要辐射边界条件,离散的未知量也相对较多,不能满足日益增加的对高精度的需要。而频域的方法每个频点的阻抗矩阵不同,计算一点频带的电磁特性必须扫频,而频域进行扫频非常费时,脱离实际的需求。三发明内容
[0003] 本发明的目的在于提供一种分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法,从而快速得到宽频带内电磁散射特性参数。
[0004] 实现本发明目的的技术解决方案为:一种分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法,步骤如下:
[0005] 步骤1,建立时域体积分方程:根据结构散射特性,被激励目标上的总电场等于入射电场与散射电场之和,入射电场为已知激励;
[0006] 步骤2,离散时域积分方程,并对离散后的积分方程进行空间和时间上的测试,建立时域矩阵方程;
[0007] 步骤3,建立色散等离子体中电通量密度与电场强度之间的关系;
[0008] 步骤4,求解时域矩阵方程,分析宽频带内等离子体材料电磁散射特性。
[0009] 本发明与现有技术相比,其显著优点为:(1)只需离散物体模型,使用自由空间格林函数及递归卷积方法,可以分析非均匀色散等离子体目标的瞬态电磁散射特性,具有很高的计算精度且未知量相对较小;(2)计算精度高且未知量少,由于只需要对等离子体本身进行网格离散,不需要额外的空间未知量,则相对于时域有限差分方法(FDTD)方法可以有较少的未知量并有较高的计算精度;(3)由于采用时域方法求解,可以一次计算宽频带各频点的电磁散射特性,求解消耗时间大幅减小。四附图说明
[0010] 图1本发明分析等离子体电磁散射特性的时域积分方程方法的算例模型示意图。
[0011] 图2本发明算例目标在不同频率点处的双站雷达散射截面(RCS)结果图,其中(a)为40MHz频点处的双站RCS,(b)为150MHz频点处的双站RCS,(c)为290MHz频点处的双站RCS。五具体实施方式
[0012] 下面结合附图对本发明作进一步详细描述。
[0013] 步骤1,建立时域体积分方程:根据结构散射特性,被激励目标上的总电场等于入射电场与散射电场之和,入射电场为已知激励。
[0014] 设待求解目标为等离子体材料,用调制高斯脉冲激励待求解目标,等离子体内产生极化体电流Jv(r,t),由于总电场等于入射电场与散射电场之和,得到分析等离子体材料的时域时间步进电场积分方程形式如下:
[0015] E(r,t)=Ei(r,t)+Es(r,t) (1)
[0016] 其中Ei(r,t)表示入射电场,Es(r,t)表示散射电场,E(r,t)表示总电场,具体表达式为:
[0017]
[0018] 其中,
[0019]
[0020] 式中,ε0表示自由空间的介电常数,μ0表示自由空间的磁导率, 为单位并矢,r为场点,r′为源点,R=r-r′为场源点之间位置矢量,D(r,t)表示电通量密度,R=|R|=|r-r′|, 表示光速,t表示时间,v为介质体积分区域。
[0021] 步骤2,离散时域积分方程,并对离散后的积分方程进行空间和时间上的测试,建立时域矩阵方程。
[0022] 对式(2)中的电通量密度D(r,t)和电场强度E(r,t)在空间上用SWG基函数进行展
[0023] 开:
[0024]
[0025]
[0026] 其中,n表示空间未知量,j表示时间步数,Ns表示空间上总的未知量,Nt表示时间上总的步数,Dj,n表示第n个电通量密度在第j时刻的系数,fn(r)表示SWG基函数,表示上半SWG基函数, 表示下半SWG基函数,Tj(t)表示时间基函数, 表示在固定时间步上的第n个电通量密度未知量系数, 表示第n个上半SWG基函数表示的电场未知量在第j时刻的系数, 表示第n个下半SWG基函数表示的电场未知量在第j时刻的系数, 表示在固定时间步上的第n个上半SWG基函数表示的电场未知量, 表示在固定时间步上的第n个下半SWG基函数表示的电场未知量。
[0027] 时间上用四阶拉格朗日时间基函数进行展开:
[0028]
[0029] 对式(2)电场积分方程离散后在空间域上进行伽辽金测试,在时间域上进行点匹配得到时域矩阵方程即时间步进矩阵方程:
[0030]
[0031] 其中,i
[0032] Fj,m= (8)
[0033]
[0034] Zi,mn=|t=0 (10)
[0035]
[0036]
[0037]
[0038] 其中,Fj表示第j个时间步的激励,Nt表示时间步的个数, 是第j个时间步的电通量密度系数和上下半个SWG基函数表示的电场强度的系数, 表示建立电通量密度场源之间关系的阻抗矩阵, 表示建立电场强度场源之间关系的阻抗矩阵。
[0039] 此处,选用调制高斯平面波作为时域电磁散射计算时的激励:
[0040]i
[0041] 其中,k 表示入射波的传播方向, 为电场入射矢量,tp表示脉冲的时延,σ表示时间标准差,f0为计算中心频率,c为真空中的光速。
[0042] 步骤3,建立色散等离子体中电通量密度与电场强度之间的关系。
[0043] 由于等离子体属于色散媒质,满足D(r,t)=ε(r,t)*E(r,t),则式(2)改写为:
[0044] γ(r,t)*D(r,t)=Ei(r,t)-L{D}(r,t)+ε0L{γ*D}(r,t) (15)[0045] 其中,
[0046]
[0047]
[0048] γr,∞=1/εr,∞ (18)
[0049] γ0=1/ε0 (19)-1
[0050] 其中,F 表示逆傅里叶变换,ε(r,ω)为在r处ω频率下的介电常数,εr,∞为在r处无限大频率下的介电常数,γ(r,t)为在r处t时刻的下的磁化率,δ(t)为冲激函数。
[0051] 对于用来分析等离子体的Drude媒质:
[0052]
[0053] 可得:
[0054]
[0055] 现令γr,∞(r)=1/εr,∞(r)=limω→∞γr(r,ω)=1
[0056]
[0057] 其中,υe(r)为等离子体碰撞频率,ωp(r)为等离子体频率。
[0058] (单位阶跃函数)
[0059] 通过对(16)式离散后,可得:
[0060]
[0061] 通过设定时间t=tj,由上式得到
[0062]
[0063] 基于对在时间间隔[(j-1)Δt,jΔt]上的时间基函数的定义, 可以表示为:
[0064]
[0065] 其中 代入上式得,
[0066]
[0067] 对于K=4时,
[0068]
[0069] 对应的α5×5如下:
[0070]
[0071] 将式(26)带入到式(24)可得:
[0072]
[0073] 对于上式中
[0074]
[0075] 由于
[0076]
[0077] 可令,
[0078] 则
[0079]
[0080] (30)式可化为
[0081]
[0082] 其中, 定义:
[0083] 将式(33)代入式(29)中,得
[0084]
[0085] 其中,
[0086]
[0087]
[0088]
[0089] 则递推关系为:
[0090]
[0091] 为了方便表示电场强度与电通量密度的关系,可写成如下形式:
[0092]
[0093] 此时的 与 为复数,将其与式(38)(εr,∞=1)进行对比,可得 与推导过程如下:
[0094]
[0095] 展开后
[0096]
[0097] 那么,Drude媒质时间步进时域体积分方程中电场强度系数E±与电通量密度D关系如下:
[0098]
[0099]
[0100] 此时,即建立了电场强度与点通量密度之间的关系。
[0101] 步骤4,求解时域矩阵方程,分析宽频带内等离子体材料电磁散射特性。
[0102] 带入到步骤2的(7)式中即可求解出电场强度与电通量密度的系数,进而求得电场强度与电通量密度,得到等离子内的体电流,最终可分析宽频带内等离子体材料电磁散射特性。
[0103] 为了验证本发明方法的准确性与有效性,下面给出了圆柱形介质目标的瞬态电磁特性的分析,如图1,圆柱半径为0.1m,高为0.1m。等离子体频率4.5e8Hz,碰撞频率1e8Hz。瞬态电磁散射的双站RCS的计算结果与频域体积分方法进行了比较,吻合得较好,在40MHz,150MHz、290MHz频点处的双站RCS对比分别在图2(a)、(b)、(c)中表示。
[0104] 本算例中,入射电场采用调制高斯平面波,其表达式如下:
[0105]
[0106] 其中,极化方向 入射方向Theta=45deg,Phi=0deg,σ=6/(2πfbw),inctc=3.5σ, E (r,t)的频谱的中心频率为f0=135MHz,最高频率为
300MHz,fbw为频带宽度。时间步长Δt=0.1lm,总时间步Nt=300,lm是光米(light meter),即光在自由空间中传播1m距离所花的时间。
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