专利汇可以提供用于核辐射探测的半导体中子探测器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型涉及 半导体 技术领域,具体涉及一种用于核 辐射 探测的半导体 中子 探测器。所述用于核辐射探测的半导体 中子探测器 包括:衬底,所述衬底包括连为一体的上部和下部;A中子转换层,所述A中子转换层形成于所述衬底的上部,且所述A中子转换层上表面设有A金属层;B中子转换层,所述B中子转换层形成于所述衬底的下部,且所述B中子转换层下表面设有B金属层; 电子 收集层,所述电子收集层形成于所述A中子转换层外周的衬底的上部。所述用于核辐射探测的半导体中子探测器具有能够提高探测效率以及辐射 能量 分辨率 ,并且具有低功耗以及时间响应快的特点。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利,下面是用于核辐射探测的半导体中子探测器专利的具体信息内容。
1.一种用于核辐射探测的半导体中子探测器,其特征是,所述用于核辐射探测的半导体中子探测器包括:
衬底(100),所述衬底(100)包括连为一体的上部和下部;
A中子转换层(200),所述A中子转换层(200)形成于所述衬底(100)的上部,且所述A中子转换层(200)上表面设有A金属层(210);
B中子转换层(300),所述B中子转换层(300)形成于所述衬底(100)的下部,且所述B中子转换层(300)下表面设有B金属层(310);
电子收集层(400),所述电子收集层(400)形成于所述 A中子转换层(200)外周的衬底(100)的上部。
2.如权利要求1所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器,其特征是,所述A中子转换层(200)包括多道间隔设置的沟槽结构(220),所述沟槽结构(220)从衬底(100)的上表面向衬底(100)内延伸,且所述沟槽结构(220)中填充有中子转化材料;
所述沟槽结构(220)的表面以及相邻两道沟槽结构(220)之间的A中子转换层(200)上表面形成P型浅扩散层(230)。
3.如权利要求1或2所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器,其特征是,所述B中子转换层(300)包括多道间隔设置的沟槽结构(220),所述沟槽结构(220)从衬底(100)的下表面向衬底(100)内延伸,且所述沟槽结构(220)中填充有中子转化材料;
所述沟槽结构(220)的表面以及相邻两道沟槽结构(220)之间的B中子转换层(300)上表面形成P型浅扩散层(230)。
4.如权利要求1所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器,其特征是,所述电子收集层(400)呈封闭环形。
5.如权利要求1所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器,其特征是,所述电子收集层(400)包括C金属层(410)和N型注入层(420),所述N型注入层(420)从所述衬底(100)的上表面向所述衬底(100)内延伸,所述C金属层(410)设于所述N型注入层(420)上。
6.如权利要求1所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器,其特征是,位于电子收集层(400)与A中子转换层(200)之间的衬底(100)上表面上形成有绝缘层(500)。
7.如权利要求1或6所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器,其特征是,位于所述电子收集层(400)外周的衬底(100)上表面上形成有绝缘层(500)。
8.如权利要求1所述的用于核辐射探测的半导体中子探测器,其特征是,所述衬底(100)采用Si、GaAs、GaN、AlN、SiC、Ge、SiGe或单晶金刚石中的一种。
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