技术领域
[0001] 本
发明涉及衍射微透镜列阵和紫外焦平面列阵的制造工艺，以及衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成方法，具体涉及III族氮化物、ZnO、SiC等背照式紫外焦平面列阵和探测器列阵的制造。该方法主要用于紫外微光学元件、紫外探测器列阵、紫外焦平面列阵等光
电子技术领域。
背景技术
[0002] 近几年来衍射光学和微光学的应用日趋广泛。表面浮雕结构的衍射光学元件不断出现新的用途(D.Daly，Microlens Arrays，Taylor & Francis，New York，2001)，如
光学透镜设计、显示、光互连、
传感器等，在紫外传感器领域最具应用前景的方面就是利用衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵(UV Focal Plane Array，UVFPA)相集成，以改善紫外焦平面的性能。紫外焦平面列阵与微透镜列阵集成可使小面积的探测器具有大光敏面探测器的灵敏度。由于探测器的噪声与光敏面的平方根成正比，在
信号不变的情况下，光敏面积的减小可改善探测器的
信噪比。此外，光伏型探测器的阻抗与探测器的光敏面成反比，光敏面的减小可增大光伏型探测器的阻抗，这有利于探测器列阵与读出
电路的混成，提高探测器到读出电路的注入效率。因此，通过对衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成技术的研究，以提高紫外焦平面列阵的填充因子、灵敏度等性能参数，最终研制出凝视型高性能紫外焦平面列阵器件，满足军事、空间天文、环境监测、工业生产等许多领域对大规模高性能的紫外焦平面列阵的需求(Ryan McClintock，et.，Proc.2005，SPIE 5732，175，J.I.Pankove，et.，1999，Mater.Sci.Eng.，B61-62，305，R.McClintock，et.，2005，Appl.Phys.Lett.，86，011117)，探索紫外微光
机电系统在国防和工农业等方面的应用潜
力。
[0003] 衍射微透镜列阵和紫外焦平面列阵的单片集成制造工艺，目前国内外未见相关报道，现有的衍射微透镜列阵制作方法，如
激光束辅助加工方法，灰度等级掩模与
刻蚀，光致高分子材料折变方法等，普遍存在着
精度低，聚光效率低，工艺兼容性差，设备昂贵成本高等问题，尤其是高温工艺易导致焦平面列阵性能下降。
发明内容
[0004] 本发明的目的是公开一种衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成方法，其目的在于克服
现有技术精度低，聚光效率低，工艺兼容性差，设备昂贵；由于制造工艺过程中的不均匀，所导致的产品成品率下降及高温工艺可能导致焦平面列阵性能下降等缺点。 [0005] 本发明所要解决的问题是：提供一种提高背照式紫外焦平面列阵性能和探测器列阵性能的技术方法，基于衍射微透镜列阵光聚能原理，针对背照式大面阵紫外焦平面列阵探测器固有光敏面有限、填充因子小的特点，通过采用有效的双面对准方法，组合多层
镀膜与剥离的
微细加工工艺，将衍射微透镜列阵制作在大面阵紫外探测器芯片的背面，以提高小填充因子的紫外焦平面列阵的性能。由于单片集成是在紫外焦平面列阵制造工艺完成之后，在同一芯片上进行衍射微透镜列阵的制作，为确保在单片集成衍射微透镜的制作过程中不致引起紫外焦平面列阵性能下降，要求各项工艺的
温度最好低于100℃。 [0006] 衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成方法，其特点是：在紫外焦平面列阵制造工艺完成之后，在同一芯片上进行衍射微透镜列阵的制作，将衍射微透镜列阵制备在紫外焦平面列阵的背面，采用双面对准方法；组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备衍射微透镜列阵，各项工艺的温度低于100℃。
[0007] 衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵的双面对准方法：包括双面同时曝光的
光刻方法；或单面曝光、
反面用红外对准的光刻方法；单面曝光、反面用分离视场对准的光刻方法。
[0008] 组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备衍射微透镜列阵：其步骤如下： [0009] a)利用光刻方法直接在背照式紫外焦平面芯片的光入射面制备光刻掩模图形； [0010] b)采用镀膜方法在具有光刻掩模图形的表面淀积膜层；
[0011] c)将具有膜层的芯片浸入去胶剂中，浸泡3～5分钟；
[0012] d)通过摇晃或超声震动，将
光刻胶上的膜层和光刻胶去除干净；
[0013] e)不断重复a)～d)的工艺步骤，以获得所需的多台阶的表面浮雕结构； [0014] f)最终将具有衍射微透镜的紫外焦平面列阵芯片用去离子
水清洗1～2分钟； [0015] g)最后用高纯氮气吹干。
[0016] 所述的组合多层镀膜，其膜层材料为蓝
宝石、GaN、AlGaN、ZnO、SiC其中之一。 [0017] 本发明衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成方法，适用于III族氮化物、ZnO、SiC背照式紫外焦平面列阵和探测器列阵的制造。
[0018] 本发明采用组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制作衍射微透镜的表面浮雕结构，可提高紫外焦平面列阵的填充因子、灵敏度等性能参数，对提高背照式紫外焦平面列阵和探测器列阵的光电性能、成品率、可靠性非常有利，整个工艺过程简单，操作方便，具有精度高、 实用性强，可重复性好等特点，同时制造工艺简单易行，又与
硅IC集成电路兼容，故在成本上将会有很大的竞争优势。
附图说明
[0019] 图1是采用组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备二台阶衍射微透镜列阵； [0020] 图2是采用组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备四台阶衍射微透镜列阵； [0021] 图3是采用组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备八台阶衍射微透镜列阵。 [0022] 1.紫外焦平面列阵芯片，2.掩模板，3.光刻掩模图形，4.表面浮雕结构。 具体实施方式
[0023] 以下结合附图和
实施例对本发明作进一步详细说明。
[0024] 实施例1
[0025] 以下实施例所选用的紫外焦平面列阵是GaN/AlGaN p-i-n型背照式32×32紫外焦平面列阵。
[0026] A、先对紫外焦平面列阵芯片1进行清洗处理：
[0029] c、在室温下的去离子水中清洗1～2分钟；
[0030] d、用高纯氮气(99％)吹干。
[0031] B、衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵的双面对准：
[0032] a、在紫外焦平面列阵芯片1的光入射面涂敷一层正性光刻胶；
[0033] b、采用单面曝光、反面用红外对准的方法实现衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵的双面对准，并利用掩模板2和光刻工艺制作光刻掩模图形3，再采用离子束刻蚀，首先在紫外焦平面列阵芯片背面(光入射面)制作工作对准标记。然后以工作对准标记为基准，在紫外焦平面列阵芯片的背面(紫外光入射面)进一步制作多位相台阶的衍射微透镜列阵； [0034] c、在室温下用去离子水冲洗具有对准标记的紫外焦平面列阵芯片，时间1～2分钟；
[0035] d、用高纯氮气(99％)吹干。
[0036] C、组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备衍射微透镜列阵，各项工艺的温度低于100℃：
[0037] a、利用光刻方法直接在背照式紫外焦平面芯片1的光入射面制备衍射微透镜列阵光刻掩模图形3；
[0038] b、采用
磁控溅射镀膜方法在具有光刻掩模图形3的表面淀积GaN膜层； [0039] c、将具有GaN膜层的芯片浸入去胶剂(如无水乙醇)中，浸泡3～5分钟； [0040] d、通过摇晃或超声震动，将光刻胶上的膜层和光刻胶去除干净，上述工艺完成，可获得二台阶的表面浮雕结构4，如图1所示；
[0041] e、通过一次重复a)～d)的工艺步骤，可获得四台阶的表面浮雕结构，如图2所示；通过两次重复a)～d)的工艺步骤，可获得八台阶的表面浮雕结构，如图3所示； [0042] f、将具有衍射微透镜的紫外焦平面列阵芯片用去离子水清洗1～2分钟； [0043] g、最后用高纯氮气吹干。
[0044] h、a)～d)的工艺步骤重复次数越多，提高小填充因子的紫外焦平面列阵的性能越好。并且每次可选用不同的膜层材料加以组合，以适应各种不同应用的需要。 [0045] 实施例2
[0046] 以下实施例所选用的紫外焦平面列阵是GaN/AlGaN p-i-n型背照式64×1紫外焦平面列阵。
[0047] A、先对紫外焦平面列阵芯片1进行清洗处理：
[0048] a、在丙酮溶液中浸泡2分钟；
[0049] b、随后在无水乙醇中浸泡2分钟；
[0050] c、在室温下的去离子水中清洗1～2分钟；
[0051] d、用高纯氮气(99％)吹干。
[0052] B、衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵的双面对准：
[0053] a、在紫外焦平面列阵芯片1的光入射面涂敷一层正性光刻胶；
[0054] b、采用单面曝光、反面用分离视场对准的方法实现衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵的双面对准，并利用掩模板2和光刻工艺制作光刻掩模图形3，再采用离子束刻蚀，首先在紫外焦平面列阵芯片1的背面(光入射面)制作工作对准标记。然后以工作 对准标记为基准，在紫外焦平面列阵芯片1的背面(紫外光入射面)进一步制作多位相台阶的衍射微透镜列阵；
[0055] c、在室温下用去离子水冲洗具有对准标记的紫外焦平面列阵芯片，时间1～2分钟；
[0056] d、用高纯氮气(99％)吹干。
[0057] C、组合多层镀膜与剥离的微细加工工艺制备衍射微透镜列阵，各项工艺的温度低于100℃：
[0058] a、利用光刻方法直接在背照式紫外焦平面芯片1的光入射面制备衍射微透镜列阵光刻掩模图形3；
[0059] b、采用磁控溅射镀膜方法在具有光刻掩模图形3的表面淀积GaAlN膜层； [0060] c、将具有GaAlN膜层的芯片浸入去胶剂(无水乙醇)中，浸泡3～5分钟； [0061] d、通过摇晃或超声震动，将光刻胶上的膜层和光刻胶去除干净；
[0062] e、通过三次重复a)～d)的工艺步骤，最终获得十六台阶的表面浮雕结构4； [0063] f、将具有衍射微透镜的紫外焦平面列阵芯片用去离子水清洗1～2分钟； [0064] g、最后用高纯氮气吹干。
[0065] 利用相关仪器对上述32×32和64×1衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成芯片进行了测量、分析，与没有集成衍射微透镜列阵的紫外焦平面列阵进行了对比测试。结果表明衍射微透镜列阵显著地改善了紫外焦平面列阵的性能。
[0066] 衍射微透镜列阵与紫外焦平面列阵单片集成方法整个工艺过程简单，操作方便，重复性好，实用性强，对人体基本无伤害，可广泛用于紫外微光学元件、紫外探测器列阵、紫外焦平面列阵、
光电子集成等光电子技术领域。
