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用于向可变阻抗匹配电路提供控制 信号的装置及其方法

阅读：606发布：2020-05-08

专利汇可以提供用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置及其方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且描述了用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置及其方法，其中，该装置包括控制模块，控制模块被配置为生成用于调整耦接到天线模块的可变阻抗匹配电路的阻抗的控制信号。控制模块被配置为基于从传感器电路接收到的传感器信号生成控制信号，传感器电路位于邻近天线模块的位置。传感器信号包括与天线模块辐射的电磁信号的功率相关的信息。，下面是用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置及其方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号装置，包括：
控制模块，被配置为生成控制信号，该控制信号用于调整耦接到天线模块的可变阻抗匹配电路的阻抗，
其中，所述控制模块被配置为基于从传感器电路接收到的传感器信号生成所述控制信号，所述传感器电路位于邻近所述天线模块的位置，其中所述传感器信号包括与所述天线模块辐射的电磁信号的功率相关的信息；以及
其中，所述控制模块被配置为从存储在存储器中的多个控制码中选择控制码，其中所述多个控制码被布置在一个或多个码集合中，并且其中所述控制模块被配置为基于所选择的所述控制码生成所述控制信号；
其中，每个码集合包括多个控制码，所述每个码集合中所包括的多个控制码包括与相同的预定电压驻波比值和不同的预定相位偏移值相关联的阻抗调整信息。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述传感器信号包括与所述天线模块辐射的电磁信号的磁场组分的功率相关的信息。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述传感器电路包括耦接到检测器电路的场探测电路，其中所述检测器电路被配置为确定被所述天线模块辐射并被所述场探测电路感测到的电磁信号的均方根功率。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述传感器电路包括磁阻线圈、霍尔传感器电路、电容性电路、电感性电路、微带电感器电路中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述传感器电路位于与所述天线模块相距5mm到
5cm的位置。
6.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述传感器电路被配置为以10μs到
30μs的时间间隔测量所述天线模块辐射的电磁信号的功率。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述可变阻抗匹配电路包括至少一个可调阻抗组件，其中所述至少一个可调阻抗组件包括可调电容器电路和可调电感器电路中的至少一者。
8.根据权利要求1所述的装置，还包括耦接到所述可变阻抗匹配电路的发送器模块，其中所述发送器模块被配置为生成将被所述天线模块发送的高频发送信号。
9.根据权利要求8所述的装置，还包括位于所述发送器模块和所述天线模块之间的耦合器模块，其中所述耦合器模块被配置为基于所述发送器模块提供的所述高频发送信号提供前向反馈信号，并基于从所述天线模块接收到的所述高频发送信号的反射部分提供反向反馈信号，
其中所述控制模块被配置为基于根据所述前向反馈信号和所述反向反馈信号所选择的控制码生成所述控制信号。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述控制模块被配置为基于从所述前向反馈信号和所述反向反馈信号得到的电压驻波比值和相位偏移值选择所述控制码。
11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制模块被配置为以10μs到30μs的时间间隔选择不同的控制码来生成所述控制信号。
12.根据权利要求1所述的装置，其中，所选择的所述控制码包括阻抗调整信息，该阻抗调整信息用于调整所述可变阻抗匹配电路的至少一个可调阻抗组件的阻抗。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述阻抗调整信息包括用于调整所述可变阻抗匹配电路的阻抗的电容值和电感值中的至少一者。
14.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制模块被配置为：选择控制码作为默认调整码，并且还选择一系列其它的控制码来生成用于调整所述可变阻抗匹配电路的阻抗的一系列其它的控制信号。
15.根据权利要求14所述的装置，其中，所述控制模块还被配置为基于所述传感器信号选择所述一系列其它的控制码中的其它的控制码作为默认控制码，所述传感器信号指示所述天线模块基于所述其它的控制码辐射的电磁信号的功率。
16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述控制模块被配置为：如果所述传感器信号指示所述电磁信号的功率的增加是基于所述一系列其它的控制码中的其它的控制码产生的，则选择所述其它的控制码作为所述默认控制码。
17.根据权利要求14所述的装置，其中，所述控制模块被配置为：基于与所述默认调整码相关联的预定电压驻波比值和预定相位值，选择所述一系列其它的控制码。
18.根据权利要求14所述的装置，其中，所述一系列其它的控制码中每个其它的控制码包括与其它的预定电压驻波比值和其它的预定相位值相关联的阻抗调整信息，该其它的预定电压驻波比值和其它的预定相位值在与所述默认调整码的阻抗调整信息相关联的预定电压驻波比值和预定相位值的阈值范围内。
19.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制模块被配置为选择控制码作为默认控制码并基于所述默认控制码的阻抗调整信息的调整生成经调整的控制码，其中所述经调整的控制码被用于生成其它的控制信号，该其它的控制信号用于调整所述可变阻抗匹配电路的阻抗。
20.根据权利要求19所述的装置，其中，所述控制模块被配置为通过将电容值和电感值中的至少一者改变预定调整值来调整所述阻抗调整信息。
21.根据权利要求19所述的装置，其中，所述控制模块被配置为：如果所述传感器信号指示所述电磁信号的功率的增加是基于包括经调整的阻抗信息的经调整的控制码产生的，则用所述经调整的控制码来对码集合进行更新。
22.一种发送器，包括：
发送器模块，该发送器模块耦接到可变阻抗匹配电路，其中所述发送器模块被配置为生成将被天线模块发送的高频发送信号；
根据权利要求1-21中任一项所述的用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置；
天线模块，该天线模块被配置为基于所述高频发送信号辐射电磁信号。
23.一种用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的方法，该方法包括：
从位于邻近天线模块的位置的传感器电路接收传感器信号，其中所述传感器信号包括与所述天线模块辐射的电磁信号的功率相关的信息；以及
基于所述传感器信号生成控制信号，该控制信号用于调整耦接到所述天线模块的可变阻抗匹配电路的阻抗；
其中，生成所述控制信号：包括从存储在存储器中的多个控制码中选择控制码并且基于所选择的所述控制码生成所述控制信号，其中所述多个控制码被布置在一个或多个码集合中，其中每个码集合包括多个控制码，所述每个码集合中所包括的多个控制码包括与相同的预定电压驻波比值和不同的预定相位偏移值相关联的阻抗调整信息。
24.一种机器可读存储介质，其上存储有指令，所述指令当被机器执行时，使得所述机器执行如权利要求23所述的方法。

说明书全文

用于向可变阻抗匹配电路提供控制 信号的装置及其方法

技术领域

[0001] 本公开涉及可变阻抗匹配，并且具体地，涉及用于为可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置及其方法。

背景技术

[0002] 现有移动应用(例如，智能电话和/或平板)对内置天线效率有很强的依赖。天线失配可以由天线阻抗的电压驻波比(VSWR)和相位来刻画。天线阻抗在完全匹配期间可具有理想的VSWR＝1。然而，实际上，在天线失配期间，VSWR值可高达11至13。这可引起功率降低，导致移动设备性能下降。发明内容

[0003] 根据一个方面，公开了一种装置，用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号，包括：控制模块，被配置为生成控制信号，该控制信号用于调整耦接到天线模块的可变阻抗匹配电路的阻抗，其中，所述控制模块被配置为基于从传感器电路接收到的传感器信号生成所述控制信号，所述传感器电路位于邻近所述天线模块的位置，其中所述传感器信号包括与所述天线模块辐射的电磁信号的功率相关的信息。

[0004] 根据另一方面，公开了一种发送器，包括：发送器模块，该发送器模块耦接到可变阻抗匹配电路，其中所述发送器模块被配置为生成将被天线模块发送的高频发送信号；装置，该装置用于根据前述权利要求中任一项向可变阻抗匹配电路提供控制信号；天线模块，该天线模块被配置为基于所述高频发送信号辐射电磁信号。

[0005] 根据另一方面，公开了一种用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的方法，该方法包括：从位于邻近天线模块的位置的传感器电路接收传感器信号，其中所述传感器信号包括与所述天线模块辐射的电磁信号的功率相关的信息；以及基于所述传感器信号生成控制信号，该控制信号用于调整耦接到所述天线模块的可变阻抗匹配电路的阻抗。附图说明

[0006] 下面将仅通过举例的方式参考附图描述装置和/或方法的一些示例，所述附图中：

[0007] 图1示出用于为可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置的示意图；

[0008] 图2示出发送器装置的示意图，该发送器装置包括用于为可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置；

[0009] 图3A-3D示出用于为可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置中的码选择的示意图；

[0010] 图4A和图4B显示用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置中的码循环的示例；

[0011] 图5显示信号生成装置的示意图；

[0012] 图6显示收发器的发送器的示意图，所述发送器包括用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置或信号生成装置；

[0013] 图7显示包括用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置或信号生成装置的移动设备700和/或蜂窝电话的示意图；

[0014] 图8显示用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的方法的流程图。

具体实施方式

[0015] 现在将参考示出了一些示例的附图更全面地描述各种示例。在附图中，为清楚起见，线、层和/或区域的厚度可被扩大。

[0016] 因此，在示例能够具有各种修改和替代形式的同时，图中的说明性示例将在此被详细描述。然而，应当理解的是，不意图将示例限制为所公开的具体形式，相反，示例将覆盖落入本公开范围内的所有修改、等同和替代。在对附图的整个描述中，相同的数字指代相同或相似的元件。

[0017] 将会理解的是，当元件被描述为被“连接”或者“耦合”到另一元件时，该元件可以被直接连接或者耦合到另一元件，或者可以存在介于它们之间的元件。相反，当元件被称为被“直接连接”或者“直接耦合”到另一元件时，不存在介于它们之间的元件。用于描述元件之间的关系的其他词语应该被以相似的方式理解(例如，“之间”相对于“直接之间”、“相邻”相对于“直接相邻”等)。

[0018] 这里使用的术语仅用于描述说明性示例的目的，而不旨在成为限制性的。如这里所使用的，单数形式“一”、“一个”、以及“该”还旨在包括复数形式，除非上下文中清楚地给出相反指示。还将理解的是，术语“包括”、“包含”、“具有”、和/或“含有”在被用在本文中时指定所给出的特征、整数、步骤、操作、元件、和/或组件的存在，而不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件、和/或它们的群组的存在或者添加。

[0019] 除非有相反的定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有示例所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。还应该理解的是，例如常用字典中所定义的术语之类的术语应该被解释为具有与它们在相关技术背景下的含义相一致的含义，而不应在理想化的或者过于正式的意义上被解释(除非清楚地这样表达)。

[0020] 在下文中，各种示例涉及无线或移动通信系统中所用的设备(例如，移动设备、蜂窝电话、基站)或设备的组件(例如，发送器、收发器)。

[0021] 移动通信系统例如可对应于被第三代合作伙伴计划(3GPP)标准化的移动通信系统之一，例如，全球移动通信系统(GSM)、增强型数据率GSM演进(EDGE)、GSM EDGE无线电接入网络(GERAN)、高速分组接入(HSPA)、通用陆地无线接入网络(UTRAN)或演进的UTRAN(E-UTRAN)、长期演进(LTE)或LTE高级(LTE-A)，或具有不同标准的移动通信系统，例如，全球互联微波接入(WiMAX)IEEE 802.16或无线局域网(WLAN)IEEE 802.11，通常基于时分多址(TDMA)、频分多址(FDMA)、正交频分多址(OFDMA)、码分多址(CDMA)的任何系统，等等。术语移动通信系统和移动通信网络可作为同义词使用。

[0022] 移动通信系统可包括可操作来与移动收发器传送无线电信号的多个发送点或基站收发器。在这些示例中，移动通信系统可包括移动收发器、中继站收发器和基站收发器。中继站收发器和基站收发器可由一个或多个中央单元以及一个或多个远程单元组成。

[0023] 移动收发器或移动设备可对应于智能电话、蜂窝电话、用户设备(UE)、膝上型计算机、笔记本计算机、个人计算机、个人数字助理(PDA)、通用串行总线(USB)棒、平板计算机、汽车等。移动收发器或终端也可根据3GPP术语被称为UE或用户。基站收发器可位于网络或系统的固定或静止的部分。基站收发器可对应于远程无线电头、发送点、接入点、宏小区、小小区、微小区、微微小区、毫微微小区、城市小区等。术语小小区可指小于宏小区的任何小区，即，微小区、微微小区、毫微微小区或城市小区。此外，毫微微小区被认为小于微微小区，微微小区被认为小于微小区。基站收发器可以是有线网络的无线接口，其使得无线电信号到UE、移动收发器或中继收发器的发送和接收成为可能。这种无线电信号可遵守例如被3GPP标准化的(或者，一般地，与上面列出的一个或多个系统相一致的)无线电信号。因此，基站收发器可对应于NodeB、eNodeB、BTS、接入点等。中继站收发器可对应于基站收发器和移动站收发器之间的通信路径中的中间网络节点。中继站收发器可分别将所接收的来自移动收发器的信号转发至基站收发器，将所接收的来自基站收发器的信号转发到移动站收发器。

[0024] 移动通信系统可以是蜂窝式的。术语蜂窝指的是分别由以下各项提供的无线电服务的覆盖范围：发送点、远程单元、远程头、远程无线电头、基站收发器、中继收发器或NodeB、eNodeB。术语蜂窝和基站收发器可作为同义词使用。在一些示例中，蜂窝可对应于扇区。例如，扇区可使用扇区天线来实现，扇区天线提供一种特性，用于覆盖基站收发器或远程单元附近的角区域。在一些示例中，基站收发器或远程单元例如可操作三个小区或六个小区，分别覆盖120°(在三个小区的情况下)、60°(在六个小区的情况下)的扇区。同样地，中继收发器可在它的覆盖范围内建立一个或多个小区。移动收发器可被登记到至少一个小区，或者与至少一个小区相关联，即，它可与小区相关联，从而可使用专用信道、链路或连接在相关联的小区的覆盖范围中的网络和移动设备之间交换数据。移动收发器因此可直接或间接地登记到中继站或基站收发器或与中继站或基站收发器相关联，其中，间接登记或关联可通过一个或多个中继收发器。

[0025] 图1显示用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置100的示意图。

[0026] 装置100包括控制模块101，控制模块101被配置为生成控制信号102，以调整耦接至天线模块的可变阻抗匹配电路的至少一部分的阻抗。

[0027] 控制模块101被配置为基于从靠近天线模块的传感器电路接收到的传感器信号103生成控制信号102。

[0028] 传感器信号103包括与天线模块所辐射的电磁信号的功率相关的信息。

[0029] 由于基于天线模块实际辐射的功率调整可变阻抗匹配电路，所辐射的功率可更精确地被调整和/或控制。这例如可导致实现有该装置的发送器模块的性能被提高。

[0030] 装置100例如可包括或可在半导体芯片或管芯上被实现，该半导体芯片或管芯包括向可变阻抗匹配电路提供控制信号的电路。装置100例如可被配置为向用于发送信号(例如，高频或射频信号)和/或接收信号(例如，基带信号)的发送器、接收器或收发器的可变阻抗匹配电路提供控制信号102。装置100例如可在蜂窝电话或移动设备中被实现。

[0031] 天线模块106例如可以是内部元件(例如，与装置100相集成)或被连接至装置的外部元件。天线模块106例如可被配置为基于发送器模块所生成的高频(无线电波)发送信号辐射能量或功率。偶尔，天线模块106可能例如易受外部干扰(例如，由于用户的头或手的位置)的影响。这些干扰例如可改变天线模块106的(负载)阻抗，导致递送将被发送至天线模块106并随后被天线模块106辐射的信息信号的传输线间的阻抗失配。虽然传输线可具有特征阻抗(例如，50Ω)，但是天线模块106例如可能不与传输线特征阻抗相匹配，导致天线模块失配引起的驻波反射。

[0032] 可变阻抗匹配电路104可被配置为对将发送模块105连接至天线模块106的传输线与天线模块负载阻抗之间的阻抗进行匹配。例如，可变阻抗匹配电路104可被配置为更改或改变传输线(例如，TRL)与天线模块106之间的阻抗，使得传输线和负载(例如，天线模块)可实现最大功率传输。可变阻抗匹配电路104例如可包括至少一个可调阻抗组件。例如，该至少一个可调阻抗组件可包括用于改变阻抗的可调电容器电路和可调电感器电路中的至少一者。例如，可变阻抗匹配电路104可包括可调电容器网络或可调电感器网络，或包括电容器和电感器的混合的网络(例如，T型网络、L型网络或π型网络)。通过将可变阻抗匹配电路的阻抗匹配至天线模块阻抗，例如反射(无线电)波或反射(无线电)信号可被减少。可变阻抗匹配电路104例如可包括天线调谐器电路。

[0033] 传感器电路113例如可位于与天线模块相距5mm至5cm(或例如5mm至20mm，或例如5mm至10mm)的位置。传感器电路113可包括耦接至检测器电路的场探测电路。检测器电路(例如，肖特基二极管检测器或肖特基二极管均方根检测器)例如可被配置为确定被天线模块106辐射并且被场探测(传感器)电路113感测的电磁EM信号(或EM信号的磁场组分)的均方根功率。传感器电路113例如可包括以下各项中的至少一项：磁阻线圈、霍尔传感器电路、电容性电路、电感性电路、微带电感器电路、或任何能够感测天线模块(通过空气或大气层)辐射的射频电磁(波)信号的传感器电路。传感器电路113例如还可经由一个或多个电路组件(例如，肖特基二极管均方根检测器、模拟到数字ADC转换器)和/或检测器接口耦接至控制模块。传感器电路113可被配置为用传感频率以例如10μs到30μs的(传感)时间间隔测量天线模块辐射的电磁信号的功率。例如，传感器电路113可被配置为以10μs到0.2s的时间间隔测量天线模块辐射的电磁信号的功率。例如，传感器电路可被配置为重复地每间隔10μs到30μs(例如，每20μs)或每10μs到0.2s测量天线模块辐射的电磁信号的功率。

[0034] 传感器电路113还可被配置为基于对电磁信号功率的测量生成传感器信号。传感器电路提供给控制模块并被控制模块接收的传感器信号103可包括与天线模块辐射的电磁信号的功率相关的信息。例如，传感器信号103可包括与天线模块辐射的电磁信号的磁场组分的功率相关的信息。可选地、附加地或替代地，传感器信号可包括与所辐射的电磁信号的电场组分的功率相关的信息。例如，传感器电路113可包括与所辐射的电磁信号的电场组分的功率成比例的电压或电流，或者可包括与所辐射的电磁信号的电场组分的功率成比例的值。

[0035] 装置100可耦接至发送器模块105或可包括发送器模块105，发送器模块105可包括被配置为执行基带信号到将被发送到天线模块的高频(射频)发送信号的上变频的一个或多个电路组件(例如，功率放大器和/或双工器和/或本地振荡器电路和/或混频器)。

[0036] 发送器模块105可以是收发器模块的一部分，收发器模块还可包括接收器模块，接收器模块也可包括被配置为对天线模块接收到的高频信号执行到基带信号的下变频的一个或多个电路组件。

[0037] 发送器模块105、控制模块101以及可变阻抗匹配电路104可在同一半导体管芯上被实现。传感器电路113可在不同于上述同一半导体管芯的另一(不同的)半导体管芯上被实现。

[0038] 装置100还可包括耦合器模块。发送器模块105可经由耦合器模块被耦接至可变阻抗匹配电路(例如，天线调谐器模块)。发送器模块例如可经由至少一根传输线(例如，具有特征阻抗(例如，50Ω)的微带传输线)被耦接至耦合器模块(例如，方向性耦合器模块)。

[0039] 耦合器模块例如可被配置为提供发送信号的采样和发送信号的反射部分(例如，反射信号)的采样，使得发送信号和反射信号可被单独测量。例如，耦合器模块例如可被配置为基于发送器模块提供(或生成)(给天线模块)的高频发送信号提供前向反馈信号。前向发送波信号例如可被发送器模块生成并经由传输线被发送至天线模块。耦合器模块例如还可被配置为基于(发送器模块)从天线模块接收的高频发送信号的反射部分提供反向反馈信号。反向反馈信号例如可基于反射波信号，所述反射波信号基于传输线和天线模块之间的阻抗失配。耦合器模块例如可由定向(方向性)耦合器来实现(或被实现为定向(方向性)耦合器)。这样，耦合器模块可被用于提供发送信号和反射信号的采样，以测量前向发送功率和反射功率。

[0040] 装置100可包括反馈接收器模块。耦合器模块例如可被配置为经由至少一个(另外的)传输线和衰减器模块(用于减小前向反馈信号或反向反馈信号的幅度)向反馈接收器模块提供前向反馈信号和反向反馈信号。

[0041] 反馈接收器模块可包括至少一个检测器(例如，RF检测器和/或相位检测器)，该至少一个检测器被配置为接收(或检测)经衰减的前向反馈信号和经衰减的反向反馈信号。反馈接收器模块可包括控制电路，或可被耦接至控制模块(例如，控制模块101)，所述控制模块可被配置为基于前向反馈信号(例如，前向反馈信号的功率)和反向反馈信号(例如，反向反馈信号的功率)测量反射系数或电压驻波比(VSWR)值(幅值)。反馈接收器模块或控制模块(例如，控制模块101)例如还可被配置为基于前向反馈信号和反向反馈信号确定相位偏移值(例如，前向反馈信号和反向反馈信号之间的相位偏移)。

[0042] 所确定的相位偏移值和VSWR值可被用于确定控制码(例如，第一或起始默认控制码)，控制码可被控制模块用来生成用于调整可变阻抗匹配电路的阻抗的控制信号。默认控制码例如可以是有望实现合理的阻抗匹配的控制码(例如，通过该控制码，性能指标满足阈值性能值，例如功率输送改进(PDI)值)。其它的控制码可被测试，以例如改善或优化性能值，例如，以改善功率输送改进值。将被测试的其它的控制码例如可基于默认控制码被选择。

[0043] 使用反馈接收器模块和/或控制模块来确定(第一或起始)默认控制码可使得默认控制码(例如，通过减少的迭代次数)容易地被确定。在一些示例中，反馈接收器模块可以可选地从装置中省去。默认控制码可被迭代地确定，而不是基于反馈接收器模块或控制模块所确定的VSWR幅值和/或相位值来确定(第一或起始)默认控制码。然而，这可能需要较大数量的迭代。

[0044] 控制模块101例如可被配置为基于被选择的控制码生成控制信号。由于装置100的控制模块101被配置为基于传感器信号103生成控制信号102，控制信号102可基于天线模块辐射的功率被生成。

[0045] 控制模块101例如可被配置为从存储在存储器模块(例如，非易失性存储器电路)中的多个控制码中选择控制码。控制模块101例如可被配置为生成用于调整可变阻抗匹配电路的至少一部分的阻抗的控制信号102。在一些示例中，上述多个控制码可以是与预定的VSWR(幅度)和相位值相关联的预定的控制码。该多个控制码例如可根据预定的VSWR幅值被布置在一个或多个码集合中。

[0046] (至少一个)控制码可包括阻抗调整信息，阻抗调整信息用于调整可变阻抗匹配电路的至少一个可调阻抗组件的阻抗。例如，可变阻抗匹配电路可包括两个到四个可变阻抗组件(例如，电容器或电感器)。阻抗调整信息例如可包括电容值和电感值中的至少一者，以用于调整可变阻抗匹配电路的至少一部分的阻抗。

[0047] 控制模块101例如可被配置为选择控制码作为默认调整码(例如，在上电期间，默认控制码可基于所测量的VSWR幅度和相位值)。控制模块101例如可被配置为还选择一系列其它的控制码，该一系列其它的控制码生成一系列其它的控制信号来调整可变阻抗匹配电路的至少一部分(例如，可调阻抗组件)的阻抗。例如，控制模块101可被配置为围绕默认调整码来标识向天线模块提供更大或最大功率的码。控制模块例如可被配置为(用选择频率)选择不同的控制码。码选择的频率例如可以与传感器电路所实现的传感测量的传感频率相同或不同。在一些实施例中，控制模块可被配置为以10μs到30μs的时间间隔来选择不同的控制码以生成控制信号。

[0048] 由于用于对可变阻抗匹配电路进行调谐的码基于天线模块辐射的电磁信号的功率被选择，这例如可减小码选择对由于可变阻抗匹配电路本身(例如，天线调谐器)造成的阻抗变化的依赖。控制信号的生成还可对由于天线模块和其它电路组件(例如，耦合器电路或印刷电路板的电路组件)的负载变化导致的波动或干扰较不敏感。

[0049] 由于人体部位对天线的影响(或干扰)(例如，来自手和/或头的影响)，现有移动应用(智能电话、平板)高度依赖内部天线效率。在技术领域，这些干扰例如可对应于内部天线的强失配。失配例如可由天线阻抗的新的VSWR(例如，幅度)和/或相位来刻画。默认情况下，可认为天线阻抗为50Ω(VSWR＝1和任意角度)。然而，在失配的情况下，VSWR值例如可高达11至13甚至更多。在一些情况下失配损耗和转换器增益损耗值可达到12到14dB。因此，对于
2G(第二代无线技术)，功率例如可从1瓦特降到63mW。例如，12dB可导致功率减小15.8倍。

[0050] 将场传感器放置在天线附近(或邻近天线)以及跟踪算法例如可显著增加所有可能的Z ANT(天线阻抗)处由于头和/或手的影响(或其它干扰)导致的辐射功率。此外，天线调谐器的管理导致对天线调谐器(AT)、耦合器和PCB(例如，印刷电路板)的组件的容差的低灵敏度，从而确保任何情况下针对所应用的任何频率的最大可用辐射功率。所应用的用于AT码的自学算法可提高功能性。例如，稳态解决方案可更快地被实现。暂时优选集合(例如，默认码集合)附近的码集合轮换可被用于收发器的TX(例如，发送器)和RX(接收器)链，从而避免仅支配TX而使其失衡。

[0051] 场传感器(例如，传感器电路)113例如可被加入以控制所辐射的功率。该增加的传感器例如使得Z ANT(天线模块的阻抗)被容易地跟踪。在Z ANT测试(例如，使用耦合器模块和反馈接收器的VSWR幅度和相位测试)和选择新的AT(天线调谐器)码(例如，默认控制码)之后，固件开始循环通过所选择的码集合附近的码，并且传感器例如对产生较大功率的码进行测试。具有较大功率的码例如可被命名为“新更新的”。立即继续围绕“新更新的”码，以例如发现新的优选码。系统因此使用在天线中产生最大功率的最佳的AT码集合。

[0052] 场传感器(例如，传感器电路)113例如可被放置在天线附近，该场传感器足够敏感来对天线模块所辐射的功率进行条件场测量。传感器例如不降低天线性能。物理上来说，传感器可以被植入或可以是芯片电感器或微带电感器，该电感器连接到当前反馈接收器(FBR)或肖特基二极管(例如，肖特基二极管检测器)或甚至用作RF功率测试器(均方根)的接收器链。传感器电路可从实际(例如，事实上)辐射的(均方根)功率的角度来估计AT(天线调谐器)码的所有的操控。

[0053] 图2显示发送器装置200的示意图，发送器装置200包括用于向可变阻抗匹配电路204提供控制信号的装置。

[0054] 发送器装置200可至少包括功率放大器207(PA)、耦合器模块209(例如，射频RF耦合器)、反馈接收器模块FBR 211(用于RF测量)、传输线(例如，TRL 1至TRL 4)和可变阻抗匹配电路204(例如，可切换的天线调谐器AT)，其中传输线可以是若干条50Ω的微带线。发送器装置200可包括发送器模块205(其可包括功率放大器(PA)207和其它电路组件)和天线模块206，天线模块206可具有可变复天线阻抗ANT ZX。

[0055] 发送器模块205例如可被配置为生成高频发送信号，该高频发送信号将从发送器模块205发送到天线模块206，以被天线模块辐射。例如，发送器模块205可被配置为至少执行装置的基带信号(例如，其频率带宽位于小于100MHz或小于500MHz的基带域中)到射频域的上变频(例如，以及可选地放大和滤波)。这可通过将基带信号与振荡器信号进行混频以生成将被发送到外部接收器或被递送到天线模块的高频发送信号(例如，射频信号)来实现。

[0056] (高频)发送信号例如可包括具有一个或多个频带(例如，位于500MHz和10GHz之间)的信号部分。发送器模块205例如还可包括或被耦接至功率放大器207，以对高频发送信号进行放大。在一些示例中，发送器模块205可以是收发器模块的一部分或包括收发器模块，该收发器模块被配置为执行基带信号到高频发送信号的上变频并执行所接收的高频信号到低频基带信号的下变频。发送信号例如可以被天线模块发送和接收。

[0057] 发送器装置200可包括双工器模块(DUP)208。双工器模块208可被配置为允许具有发送频率的发送信号和具有不同的接收器频率的接收器信号使用相同的天线模块被发送或被接收。发送器(或收发器)模块205可被耦接至双工器模块208。双工器模块可经由至少一根传输线TRL 4耦接至耦合器模块209。

[0058] 发送器装置200可包括耦合器模块209。耦合器模块209可位于(或耦接在)发送器模块205和天线模块206之间。例如，耦合器模块209可位于(或耦接在)发送器模块205和可变阻抗匹配电路204之间。例如，耦合器模块209可位于(或耦接在)双工器模块208和可变阻抗匹配电路204之间。发送器模块205例如可经由双工器模块208、耦合器模块209和至少一根传输线TRL 4耦接至可变阻抗匹配电路204。例如，传输线TRL4例如可将双工器模块208耦接到耦合器模块209。

[0059] 耦合器模块209例如可被配置为基于发送器模块提供的高频发送信号提供前向反馈信号并基于从天线模块206接收到的高频发送信号的反射部分提供反向反馈信号。耦合器模块209例如可经由至少一根传输线TRL 2耦接至可变阻抗匹配电路204。

[0060] 耦合器模块209(例如，被实现为4端口定向耦合器或两个3端口定向耦合器)可包括输入端口、输出端口、前向耦合端口(F)和反向耦合(R)端口。所有端口可被匹配到特征阻抗(例如，到宽带频率处的50Ω负载)。控制信号(例如，FW/RV以及例如，E/D)可被控制模块201生成，以控制耦合器模块209的端口的耦合。例如，控制信号例如可控制前向耦合端口和反向耦合端口到特征阻抗(例如，电阻)和/或到衰减器模块212的耦合。输入端口例如可经由电连接或通过一个或多个其它的电元件(例如，功率放大器和/或滤波器)耦接到发送器模块205。输出端口例如可被配置为经由电连接或通过一个或多个其它电元件(例如，天线开关和/或滤波器)耦接至可变阻抗匹配电路204的天线模块206。在前向耦合端口处获得的信号例如可能主要由提供给输入端口的信号引起。反向耦合端口获得的信号例如可能主要由在反向耦合端口处接收到的信号引起。也就是说，前向耦合端口处提供的前向反馈信号可能主要由输入端口接收到的发送信号引起，反向反馈信号可能主要由输出端口处接收到的(例如，由天线失配引起或由邻近该装置的物体处的反射引起的)反向波信号引起。

[0061] (高频)发送信号例如可被提供给耦合器模块的输入端口。发送信号的主要部分可从耦合器模块209的输出端口提供给天线模块206。由于前向耦合端口和耦合器模块的输入端口的耦合(导致前向反馈信号)，发送信号的一小部分可被提供给耦合器模块的前向耦合端口。随后，发送信号可被天线模块206发送，尽管发送信号的一部分例如可能由于天线失配(例如，由于天线的变化的阻抗负载)和/或邻近该装置的物体处的信号部分的一个或多个反射(回波)而被反射。

[0062] 前向反馈信号可从发送信号获得。例如，前向反馈信号可以是发送信号本身的一部分，或者发送信号可通过发送路径与耦合器模块209的耦合元件(例如，被布置为靠近发送路径的定向耦合器或变压器)的电容性或电感性耦合引起前向反馈信号。例如，装置200可包括定向耦合器，定向耦合器代表布置在发送路径中的耦合器模块209(例如，在发送信号的放大之后)。定向耦合器209可从(被应用到输入端口的)发送信号(在前向耦合端口处)获得前向反馈信号。

[0063] 类似地，反向反馈信号可从发送信号获得。反向反馈信号可基于天线模块206从发送器模块205接收的发送信号的反射部分被生成。也就是说，反向反馈信号可能主要由连接到天线模块206或可变阻抗匹配电路204的端口处接收的(例如，由天线失配引起或由邻近该装置的物体的反射引起的)反向波信号引起。例如，反向反馈信号可以是在耦合器模块209本身的输出端口处接收到的反向波的一部分。输出端口处接收到的反向波信号可通过反向发送路径与耦合器模块209的耦合元件(例如，被布置为靠近发送路径的定向耦合器或变压器)的电容性和/或电感性耦合来引起反向反馈信号。

[0064] 例如，耦合器模块209可耦接至反馈接收器模块211，并且反馈接收器模块211和/或控制模块201可被配置为基于前向反馈信号和反向反馈信号确定VSWR值(例如，mag输出)或相位偏移值(pha)。耦合器模块209可经由衰减器模块212和耦接在反馈接收器模块211和衰减器模块212之间的至少一根传输线TRL 3耦接至反馈接收器模块211。反馈接收器模块211可经由检测器接口216连接至衰减器模块212。

[0065] 由于全[S]矩阵(例如，包括与AT、传输线TRL 1和TRL 2的阻抗相关的值的散射矩阵)和AT[S]矩阵(包括与AT的阻抗相关的值的散射矩阵)并不总是已知的，基于这两个矩阵确定的默认控制码可能并不总是在传输线和天线模块之间提供最优阻抗匹配。

[0066] 因此，发送器装置200可包括被配置为测量天线模块辐射的射频(RF)信号的功率的传感器电路213，使得用于控制或改变可变阻抗匹配网络204的控制码可以基于从天线模块辐射的实际功率。

[0067] 传感器电路213(例如，电感性场探测)可位于与天线模块206相距5mm至5cm的位置。传感器电路213例如可被配置为测量天线模块206辐射的射频(RF)能量的一部分。传感器电路213可耦接至被配置为产生均方根信号的检测器电路214(例如，均方根检测器，例如，肖特基二极管均方根检测器)。检测器电路214可耦接至被配置为产生数字均方根传感器信号的模拟到数字转换器电路ADC 215，数字均方根传感器信号包括与天线模块辐射的电磁信号的功率相关的均方根功率信息。ADC电路215可分别经由检测器接口(例如，216)连接至检测器电路214。

[0068] ADC电路215例如可被配置为向可变阻抗匹配电路204提供(数字)传感器信号。控制模块209可被配置为循环通过所选择的默认控制码附近的多个其它的控制码(例如，一系列其它的控制码)，同时传感器电路213测量天线模块基于该一系列其它的控制码辐射的电磁信号的功率。

[0069] 可变阻抗匹配电路204例如可经由至少一根传输线TRL 1耦接至天线模块。天线调谐器AT(例如，可变阻抗匹配电路)204可被用于增加递送到天线的功率。AT可被调谐到默认天线阻抗，通常情况下，默认天线阻抗可能不一定等于50Ω。AT可具有可被码改变的两个到四个可切换电容器。在实际情况下，测量系统定义连续变化的当前天线阻抗。所测量的阻抗可被新的AT码动态匹配至50Ω或其它所需阻抗。

[0070] 控制模块201可耦接至可变阻抗匹配电路204，并且可被配置为基于选择的控制码生成控制信号。控制模块201可被配置为基于选择的控制码生成控制信号(例如，第一默认控制信号)，其中控制码的选择基于前向反馈信号和反向反馈信号。例如，控制模块可被配置为基于从前向反馈信号和反向反馈信号得到的电压驻波比(VSWR)幅度值和相位偏移值选择控制码(作为默认控制码)。随后，控制模块201可被配置为基于围绕默认控制码的码生成一个或多个其它的控制信号以确定改进的默认控制码。

[0071] 天线调谐器AT适应过程可包括计算Z1N和由反馈接收器测量耦合器端口(前向和反向)。ZIN例如可以是在AT-TRL 2对处测量的(复)输入阻抗。天线调谐器AT可负载有(或可具有)未知复阻抗ZX-TRL 1。然后，板软件可计算或确定复阻抗ZX(的实际值)。ZX可以是复阻抗，该复阻抗包括一根TRL 1和天线模块阻抗(Z ANT)。呈现为VSWR/PHASE(例如，VSWR幅度和相位)的ZX(实际)例如直接显示哪个码集合(例如，哪个默认码集合)应该被选择。对于VSWR＝3，5，7，9…13和步长为22.5度的相位，若干个码集合可被保存在板上。板软件可建立适当的码集合以用于调谐天线调谐器AT。ZX适应被完成。

[0072] [S]矩阵定义中的错误可导致强PDI退化，从可能的7到9dB退化至适中的2到3dB，有时退化至0到-2dB。工厂校正无法完全解决这个问题，因为唯一未知的阻抗Z ANT可被适当地校正和测量，然而，AT和TRL 1/TRL 2矩阵未知。

[0073] 联系上述或下述示例提到更多细节和方面(例如，用于提供控制信号的装置、控制模块、控制信号、可变阻抗匹配电路、可调组件、天线模块、传感器信号、传感器电路、发送器模块、耦合器模块、反馈接收器模块和传输线)。图2显示的示例可包括一个或多个可选的附加特征，该一个或多个可选的附加特征与联系所提出的概念或上述(例如，图1)或下述(例如，图3A到图8)一个或多个示例提出的一个或多个方面相对应。

[0074] 图3A-3C显示了根据示例的码选择的示意图。

[0075] 图3A显示了码集合310的示例。每个控制码可包括阻抗调整信息。例如，每个码集合可包括或包含用于调谐多个可调组件的十进制码(C1、C2、C3)。

[0076] 控制模块(例如，101、201)例如可被配置为基于从码集合中选择的的控制码生成控制信号。每个码集合包括多个控制码。一个码集合中的控制码可与同一预测的预定电压驻波比值和不同的预定相位偏移值相关联。例如，图3A显示了VSWR＝7以及VSWR相位值相差22.5度步长增量的码集合。

[0077] 对于平均的天线调谐器AT和传输线TRL 1/TRL 2特性，码集合可被提前在实验室中生成。例如，预定或预生成的控制码可包括以不同的VSWR或相位值为特征的不同的阻抗调整值，以将天线模块阻抗匹配到传输线阻抗(例如，50Ω阻抗)。例如图3A中显示的码集合可与图3B中显示的阻抗相对应。多个码(和码集合)可被存储在可被实现为装置的一部分的存储器模块(例如，非易失性存储器电路)中(例如，在作为控制模块的同一半导体芯片上)，或被存储在不同的半导体芯片中。

[0078] 图3B显示了计算或测量的与天线调谐器码集合相对应的天线阻抗和相位的图320。

[0079] 例如，图3B显示了计算或测量的由VSWR＝3，5，7和所有相位刻画的天线阻抗Z Ant。相应的(保证匹配)天线调谐器AT码集合可被保存在存储器中。每个天线阻抗Z Ant角度(例如，360/16＝22.5度)可由相应的码C1、C2、C3表示。对于每个VSWR＝3，5-13，可存在码集合。每个码集合可具有16个子组，步长为22.5度。星326显示所测量的Z Ant，其例如与5和7之间的VSWR以及45和67.5度之间的角度相对应。在开始于第一默认控制码的码集合循环中，附近的码327可被测试，以确定导致天线辐射的功率最大的控制码。

[0080] 图3C显示根据示例的码集合循环330的示例。控制模块例如可被配置为基于反馈接收器模块提供的VSWR和相位偏移值测量来选择(第一)默认控制码(例如，码1)。控制模块然后可开始循环通过(第一)默认控制码附近的值。

[0081] 如图3C中所显示的，每隔一个子帧(例如，对于LTE来说，每1ms)，控制模块例如可跳到新的码集合(例如，从码1开始，然后码2，然后码3，然后码4)。也就是说，控制模块可选择一个或多个其它的控制码。控制模块可接收与每个所选择的其它的控制码相对应的传感器信号。基于场探测均方根输出测量，控制模块可确定哪个码产生更多或更大的辐射输出功率。

[0082] 作为示例，码1和码2例如可具有相同的VSWR值，但具有不同的相位值，码3和码4可具有相同的VSWR值(不同于码1和码2)，以及不同的相位值。码1和码4例如可具有相同的相位但是具有不同的VSWR值，码2和码3可具有相同的相位(不同于码1和码4)但具有不同的VSWR值。其结果是，可分辨出更好的相位和更好的VSWR码集合。

[0083] 基于默认控制码(例如，码1)，控制模块可被配置为选择多个或一系列其它的控制码。例如，控制模块可被配置为基于与默认控制码相关联的预定电压驻波比值和预定相位值来选择一系列其它的控制码。在一些示例中，一系列其它的控制码中至少一个其它的控制码可包括阻抗调整信息，该阻抗调整信息与和默认控制码相同的预定电压驻波比值或和默认控制码相同的预定相位值相关联。例如，如果码1是所选择的默认控制码，码2例如可具有与码1相同的预定VSWR值，但具有不同的相位值。

[0084] 在一些示例中，与一系列其它的控制码中的其它的控制码相关联的其它的预定电压驻波比值和其它的预定相位值中的一个与一系列其它的控制码中先前的其它的控制码相同。例如，如果码1是所选择的默认控制码，码2可具有与码1相同的预定VSWR值和不同的相位值。码3可具有与码2相同的相位值和不同的预定VSWR值。码4可具有与码3相同的VSWR值和不同的相位值。

[0085] 在一些示例中，一系列其它的控制码中每个其它的控制码可包括与其它的预定电压驻波比值和其它的预定相位值相关联的阻抗调整信息。其它的预定电压驻波比值和其它的预定相位值可在与默认控制码的阻抗调整信息相关联的预定电压驻波比值和预定相位值的阈值范围之内。例如，如果其它的控制码2-4在码1(默认控制码)的阈值范围之类，则它们可被选择为是一系列其它的控制码的一部分。

[0086] 控制模块可被配置为基于天线模块根据其它的控制码辐射的电磁信号的功率来选择其它的控制码作为(新的暂时的)默认控制码。例如，对新的暂时的默认控制码的选择可基于传感器信号，所述传感器信号由传感器电路根据天线模块处测量到的辐射功率而提供。例如，如果传感器信号指示电磁信号功率的增加是基于其它的控制码产生的，控制模块可被配置为选择其它的控制码作为默认控制码。例如，如果传感器信号指示电磁信号功率的最大的增加是基于多个其它的控制码中所选择的其它的控制码产生的，控制模块可被配置为选择该其它的控制码作为默认控制码。

[0087] 可选地、另外地或替代地，控制模块可被配置为选择控制码作为默认控制码，并基于对默认控制码的阻抗调整信息的调整生成经调整的控制码。经调整的控制码可被用于生成其它的控制信号，以调整可变阻抗匹配电路的至少一部分的阻抗。

[0088] 例如，控制模块可被配置为通过使电容值和电感值中的至少一个改变预定的调整值来调整阻抗调整信息。

[0089] 例如，如果传感器信号指示电磁信号功率的增加是基于包括经调整的阻抗信息的经调整的控制码产生的，控制模块可被配置为用该经调整的控制码来更新码集合。

[0090] 例如，如果传感器信号指示电磁信号功率的增加是基于包括经调整的阻抗信息的经调整的控制码产生的，控制模块可被配置选择该经调整的控制码作为默认控制码。

[0091] 对于AT+TRL1/TRL 2的某些平均组合，工厂下载的码集合可能是最优的。然而，AT/TRL的实际对(或实际值)可不同于所预期的，并且可能难以通过校正和/或测量来被估计。场的传感器(例如，场传感器)的存在可允许对所选择的码集合(来自预定义的LUT)进行调整。例如，利用所用的码集合的自学过程，可在范围值+/-1内对C1(例如，第一子码，其例如可被用于调整第一可调组件)进行扫描。(例如，与每个可调组件相关的阻抗信息可按步进式递增被调整，例如，使用阻抗值的步进式增加或减小。)

[0092] 如果传感器信号增加(例如，如果天线模块辐射更大的功率)，控制码可通过经调整的增量信息被更新。例如，如果传感器电路确认用新的子码的测量功率变得更大，C1值可被改写为新测试的值。如果所辐射的功率不增加，控制码例如还可保持不变。可对每个可调组件执行相同的调整处理。例如，可对C2和/或C3子码做相同的事。渐渐地，用于任何可能的VSWR(幅度)和相位值的所有的C1/C2/C3(例如，所有的子码)可被改写(更新)。这可提高(平均的)辐射功率，因为虽然AT最初使用最佳码，具体的[S]矩阵(例如，散列矩阵)的AT码可具有无法以适当的精确度定义的参数。对于0.2秒或更短，所选择的码集合(对于具体的VSWR/相位)例如可在固件FW中被更新并改写。

[0093] 图3D显示根据示例的所测量的均方根功率317(例如，场探测输出处的均方根功率)与码选择318的图340。例如，图3D显示码集合围绕期间传感器电路的输出(功率)。

[0094] 点A例如显示使用默认选择的码集合的起始功率。默认码集合例如可在Z ANT测试之后被选择。随着固件开始循环通过所选择的码集合附近的码，传感器对产生更大功率的码进行测试。不同的码集合(或者码)可被选择(例如，码集合2，或码集合5)，直到新的优选码集合被选择。具有更大功率的码可被命名为“新更新的”。可继续立即围绕“新更新的”码来寻找新的优选码。因此系统总是使用在天线产生最大功率的最佳AT码集合。

[0095] 可以理解的是，搜寻最佳码集合可以是针对AT输入(PA输出)处具有适当的回波损耗系数的最小转换器损耗的优化或改善过程。(例如，针对上电时的第一默认码集合)所选择的码集合对于某些平均的条件可能是最优的：例如，具有标称TRL 1/TRL 2，标称AT特征。上述组件的容差可导致效率和辐射功率比最大可用功率低。

[0096] 为补偿容差所解释的损耗，例如可使用校正过程。可通过将已知的校正阻抗(例如，Z CALIB阻抗)和修正测量ZIN阻抗连接到预期值来执行工厂校正。这种方法允许以较好的准确性测量未知的ZANT(天线阻抗)，尽管TRL 1/TRL 2和AT容差本身可能不一定被准确地估计。其原因可能是由于对耦合器的F/R(前向和反向)输入的PA/TX(例如，功率放大器/发送)泄露(-40…-60dBc)以及F/R输出(端口)之间的失配(+/-1dB)。

[0097] 因此，不一定可以分辨TRL 1/TRL 2和AT测量误差的原因。这可能仅由容差引起，或者可能由耦合器缺陷或所有的原因引起。ADS仿真可展示所有的因素(即，组件容差和耦合器缺陷)解释的不确定区域的大小。其结果是，即使经过校正，所选择的码集合相比于实数全[S]矩阵(例如，包括或考虑到与天线调谐器和传输线TRL 1和TRL 2相关的阻抗值的散射矩阵)可移动某个角度和VSWR值。针对具体的AT特征所分析的功率输送改进(PDI)显示，如果所选择的码集合和[S]矩阵不相互匹配(由于校正缺陷)，PDI(功率输送改进)可与失配成比例地显著地退化。PDI退化也可由因为码集合和[S]矩阵失配而插入到AT和天线模块之间的1、2、4mm的另外的传输线引起。大的PDI退化可由错误地被校正的[S]矩阵引起。例如增加1、2、4mm的带线可等同于[S]矩阵旋转7.5度，15度和30度。例如，如果码集合被人为地旋转+30度以补偿4mm带线影响，PDI可恢复到更好的值。

[0098] 用保存在存储器中的预定码集合对天线进行调谐可补偿天线失配。然而，这可能不足以实现天线模块辐射的最大功率。

[0099] 天线调谐器AT适应过程可包括由反馈接收器测量耦合器端口(前向和反向)以及计算ZIN。ZIN例如可以是在AT-TRL 2对处测量的(复)输入阻抗。天线调谐器AT例如可负载有(或可以具有)未知的复阻抗ZX-TRL 1。然后，板软件可以计算或确定复阻抗ZX(的实际值)。ZX可以是复阻抗，该复阻抗包括一根TRL 1和天线模块阻抗(Z ANT)。呈现为VSWR/PHASE(例如，VSWR幅度和相位)的ZX(实际的)例如直接显示哪个码集合(例如，哪个默认码集合)应当被选择。针对VSWR＝3，5，7，9…13和步长为22.5度的相位，若干码集合可被保存在板上。板软件可建立适当的码集合来调谐天线调谐器AT。ZX适应完成。

[0100] 当使用耦合器模块(前向和反向端口)进行Z ANT(或ZX)测量(VSWR和角度)时，码集合应当(或可以)被选择。校正可允许阻抗Z ANT被测量，但不允许估计AT和TRL 1/TRL 2容差。

[0101] 使用查找表LUT(用于预定码集合)的方法可导致由于准确预测AT+TRL 1/TRL 2(天线调谐器阻抗)和由此准确预测[S]矩阵的校正能力有限而引起的本质PDI退化。尝试使用(耦合器的反向端口处的)反射功率可改善回波损耗，但可由于回波损耗的(经常)相反的方向以及转换器增益方向与Z ANT的相位而使PDI退化。

[0102] 例如，通过围绕所选择的默认控制码的码，所选择的控制码可基于实际辐射的功率，并且对未知的天线调谐器阻抗的依赖可被减小。此外，通过码围绕而不是迫使AT返回到初始状态或参考码以在天线经历阻抗变化时进行新阻抗测试，所选择的默认码附近的新码可被选择。因此，通常可能与转变回参考码位置相关联的天线的功率降低例如被避免。例如，不存在天线阻抗变化的明显标准，并且关于它的清楚信息(例如，天线阻抗变化的程度)在返回到参考码并再次测量ZANT之前不一定已知。因此这种动作应当需要被强制执行。其结果是，可能无法避免功率降低。由于该端口处的非常小的信号、回波损耗的相反的方向和转换器增益的变化，回波损耗(来自耦合器的反向端口)不能被用于精确地测试阻抗变化。

[0103] [S]矩阵定义中的误差可导致大的PDI退化，从可能的7到9dB退化至适中的2到3dB，有时退化至0到-2dB。工厂校正无法完全解决该问题，因为唯一未知的阻抗Z ANT可被适当地校正和测量，然而，AT和TRL 1/TRL 2矩阵是未知的。由装置的控制模块执行并参考图3A-3D所描述的码围绕例如可规避这些挑战。

[0104] 联系上述或下述示例提到更多细节和方面(例如，用于提供控制信号的装置、控制模块、控制信号、可变阻抗匹配电路、可调组件、天线模块、传感器信号、传感器电路、码围绕、码调整、发送器模块、耦合器模块、反馈接收器模块和传输线)。图3A-3D中显示的示例可包括与联系所提出的概念或上述(例如，图1和图2)或下述(例如，图4A-图8)一个或多个示例提出的一个或多个方面相对应的一个或多个可选的另外的特征。

[0105] 图4A和4B根据示例示出装置中用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的码围绕或循环的示例。

[0106] 图4A显示PDI(dB)419与相位(度)421的图410。图4A还显示PDI的理想情况422和错误的[S]矩阵的情况423，错误的[S]矩阵423包括或基于耦合器缺陷和AT容差。在该示例中，频率＝1950MHz，VSWR情况＝11，VSWR相位＝135度，理想的和“被移动了”4mm的未被补偿的TRL的[S]矩阵。

[0107] 图4A显示理想的[S]矩阵422和被4mm未补偿的TRL损坏的矩阵423的PDI。这4mm模拟由于耦合器缺陷、AT容差和TRL 1/2容差造成的总的[S]矩阵损坏。PDI退化可为7.8dB。码集合围绕可使用如图4B中所示出的VSWR和相移在所选的点附近开始。

[0108] 图4B显示PDI 424与码集合425的图420。图4B显示，所选(初始)码集合(VSWR＝11，相位137.5度)的PDI可具有非常小的值，PDI＝0.155dB。当监控传感器输出时，码集合#9(VSWR＝13，相位＝137.5+22.5＝160度)可被标识为最佳码集合。例如，与初始情况(码集合#5)相比，它给出PDI＝6.7dB或6.5dB的提高。所提出的示例显示在码扫描期间定义最佳码集合的方法的能力。同时，±22.5度的相位步长可导致过大的功率下降(对于具体考虑的天线调谐器)。如果需要的话可使用大约±8到16度的较小的相位步长。对于这种较小的相位步长，完整的码集合的大小可能变得更大，并且在跟踪期间得到最优码可需要更长时间。然而，大的功率下降可被避免，通信可变得更稳定。

[0109] 联系上述或下述示例提到更多细节和方面(例如，用于提供控制信号的装置、控制模块、控制信号、可变阻抗匹配电路、可调组件、天线模块、传感器信号、传感器电路、码围绕、码调整、发送器模块、耦合器模块、反馈接收器模块和传输线)。图4A和4B中显示的示例可包括与联系所提出的概念或上述(例如，图1到图3)或下述(例如，图5到图8)一个或多个示例提出的一个或多个方面相对应的一个或多个可选的另外的特征。

[0110] 图5显示根据示例的信号生成装置500的示意图。

[0111] 信号生成装置500包括用于生成控制信号的装置501，装置501被配置为生成用于调整耦接到天线模块的可变阻抗匹配电路的至少一部分的阻抗的控制信号502。

[0112] 用于生成控制信号的装置501被配置为基于从位置邻近天线模块的传感器电路接收到的传感器信号503生成控制信号502。

[0113] 传感器信号503包括与天线模块辐射的电磁信号的功率相关的信息。

[0114] 由于基于天线模块实际辐射的功率对可变阻抗匹配电路的调整，所辐射的功率可被更准确地调整和/或控制。这例如可导致其中实现了装置的发送器模块的性能提高。

[0115] 例如，传感器信号503可包括与天线模块辐射的电磁信号的磁场组分的功率相关的信息。例如，传感器电路可包括与检测器电路耦接的场探测电路。检测器电路可被配置为确定被天线模块辐射并被场探测电路感测的电磁信号的均方根功率。传感器电路可包括以下各项中的至少一项：磁阻线圈、霍尔传感器电路、电容性电路、电感性电路、和微带电感器电路。传感器电路可位于与天线模块相距5mm到5cm的位置。

[0116] 联系上述或下述示例提到更多细节和方面(例如，用于提供控制信号的装置、控制模块、控制信号、可变阻抗匹配电路、可调组件、天线模块、传感器信号、传感器电路、码围绕、码调整、发送器模块、耦合器模块、反馈接收器模块和传输线)。图5中显示的示例可包括与联系所提出的概念或上述(例如，图1到图4B)或下述(例如，图6到图8)一个或多个示例提出的一个或多个方面相对应的一个或多个可选的另外的特征。

[0117] 图6显示根据示例的发送器600或收发器的示意图。

[0118] 发送器600包括耦接至可变阻抗匹配电路604的发送器模块605。发送器模块605被配置为生成将被天线模块606发送的高频发送信号。

[0119] 发送器600还包括用于向可变阻抗匹配电路604提供控制信号的装置628，如关于图1到图5所描述的。

[0120] 发送器600还包括被配置为基于高频发送信号辐射电磁信号的天线模块606。

[0121] 联系上述或下述示例提到更多细节和方面(例如，用于提供控制信号的装置、控制模块、控制信号、可变阻抗匹配电路、可调组件、天线模块、传感器信号、传感器电路、码围绕、码调整、发送器模块、耦合器模块、反馈接收器模块和传输线)。图6中显示的示例可包括与联系所提出的概念或上述(例如，图1到图5)或下述(例如，图7到图8)一个或多个示例提出的一个或多个方面相对应的一个或多个可选的另外的特征。

[0122] 图7显示移动设备700和/或蜂窝电话的示意图。移动设备700和/或蜂窝电话可包括用于提供控制信号(例如，100)的部件或用于提供在发送器或收发器(例如，600)之中或之内实现的控制信号(例如，500)的装置。此外，移动设备700包括基带处理器模块720，用于至少生成将被发送的数字(例如，基带)信号和/或用于处理基带接收信号。另外，移动设备700包括电源单元730，用于至少向发送器或收发器模块710和基带处理器模块720供电。

[0123] 与移动设备(例如，蜂窝电话、平板或膝上型计算机)相关的其它的示例包括上述发送器或收发器。移动设备或移动终端可被用于在移动通信系统中通信。

[0124] 联系上述或下述示例提到更多细节和方面(例如，用于提供控制信号的装置、控制模块、控制信号、可变阻抗匹配电路、可调组件、天线模块、传感器信号、传感器电路、码围绕、码调整、发送器模块、耦合器模块、反馈接收器模块和传输线)。图7中显示的示例可包括与联系所提出的概念或上述(例如，图1到图6)或下述(例如，图8)一个或多个示例提出的一个或多个方面相对应的一个或多个可选的另外的特征。

[0125] 图8显示根据示例的用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的方法800的示意图。

[0126] 方法800包括从位于邻近天线模块的位置的传感器电路接收传感器信号(810)，其中传感器信号包括与天线模块辐射的电磁信号的功率相关的信息。

[0127] 方法800还包括生成用于基于传感器信号调整耦接至天线模块的可变阻抗匹配电路的至少一部分的阻抗的控制信号(820)。

[0128] 由于基于天线模块实际辐射的功率对可变阻抗匹配电路的调整，所辐射的功率可被更准确地调整和/或控制。这例如可导致其中实现了装置的发送器模块的性能提高。

[0129] 可选地、附加地或替代地，方法800还可包括从存储在存储器模块的多个控制码中选择控制码，其中该多个控制码被布置在一个或多个码集合中。

[0130] 可选地、附加地或替代地，方法800还可包括基于所选择的控制码生成控制信号。

[0131] 可选地、附加地或替代地，方法800还可包括以10μs到30μs的时间间隔选择不同的控制码来生成控制信号。

[0132] 可选地、附加地或替代地，方法800还可包括选择控制码作为默认调整码，并且还选择一系列其它的控制码来生成用于调整可变阻抗匹配电路的至少一部分的阻抗的一系列其它的控制信号。

[0133] 可选地、附加地或替代地，方法800还可包括基于与天线模块由于控制模块根据其它的控制码生成的其它的控制信号而辐射的电磁信号的功率相关的信息选择该其它的控制码作为默认控制码。

[0134] 可选地、附加地或替代地，方法800还可包括：如果传感器信号指示电磁信号功率的增加是基于其它的控制码产生的，则选择其它的控制码作为默认控制码。

[0135] 可选地、附加地或替代地，方法800还可包括：如果传感器信号指示电磁信号功率的最大的增加是基于多个其它的控制码中的所选择的其它的控制码产生的，则选择该其它的控制码作为默认控制码。

[0136] 可选地、附加地或替代地，方法800还可包括选择一个控制码作为默认控制码并基于默认控制码的阻抗调整信息的调整，生成经调整的控制码，并且基于经调整的控制码生成用于调整阻抗匹配电路的至少一部分的阻抗的其它的控制信号。

[0137] 可选地、附加地或替代地，方法800还可包括通过将电容值和电感值中的至少一者改变预定调整值来调整阻抗调整信息。

[0138] 可选地、附加地或替代地，方法800还可包括：如果传感器信号指示电磁信号功率的增加是基于包括经调整的阻抗信息的经调整的控制信号产生的，则用该经调整的控制码来更新码集合。

[0139] 可选地、附加地或替代地，方法800还可包括：如果传感器信号指示电磁信号功率的增加是基于包括经调整的阻抗信息的经调整的控制码产生的，则选择该经调整的控制码作为默认控制码。

[0140] 联系上述或下述示例提到更多细节和方面(例如，用于提供控制信号的装置、控制模块、控制信号、可变阻抗匹配电路、可调组件、天线模块、传感器信号、传感器电路、发送器模块、耦合器模块、反馈接收器模块和传输线)。图8中显示的示例可包括与联系所提出的概念或上述(例如，图1到图7)或下述一个或多个示例提出的一个或多个方面相对应的一个或多个可选的另外的特征。

[0141] 各种示例涉及包括程序代码的机器可读存储介质，当程序代码被运行时，使得机器执行方法800。

[0142] 各种示例涉及具有程序代码的计算机程序，当程序代码在计算机或处理器上被运行时用于执行方法800。

[0143] 各种示例涉及包括机器可读指令的机器可读存储装置，当指令被运行时，实现方法800或实现部件100或装置500来提供控制信号。

[0144] 各种示例涉及在移动应用的操作中跟踪TX/RX(发送器和/或接收器)天线调谐器的具有自学的算法。各种示例涉及使用场传感器和跟踪算法的天线调谐的自适应方法。没有例如使用非定向方法(例如，回波损耗分析)来提高天线效率的技术能力。各种示例和方法可使用辐射功率的直接功率传感器。传感器可显示条件(不是校正的功率标度)功率。使用更大-更小原则，最佳(或改善的)天线调谐器码例如可被找出。天线效率例如可被增加2到6dB，取决于天线相位。此外，所使用的方法显示对天线调谐器和所用的耦合器的容差敏感度较低。

[0145] 存在提供改进的概念来向可变阻抗匹配电路提供控制信号的需求，这可使得发送器和/或收发器的性能的改善成为可能。

[0146] 这种需求可被权利要求的主题满足。

[0147] 下文中，示例涉及其他的示例。示例1是用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置，包括被配置为生成控制信号的控制模块，该控制信号用于调整耦接到天线模块的可变阻抗匹配电路的阻抗，其中，所述控制模块被配置为基于从传感器电路接收到的传感器信号生成所述控制信号，所述传感器电路位于邻近所述天线模块的位置，其中所述传感器信号包括与所述天线模块辐射的电磁信号的功率相关的信息。

[0148] 在示例2中，示例1的主题可以可选地包括：所述传感器信号包括与所述天线模块辐射的电磁信号的磁场组分的功率相关的信息。

[0149] 在示例3中，示例1或2的主题可以可选地包括：所述传感器电路包括耦接到检测器电路的场探测电路，其中所述检测器电路被配置为确定被所述天线模块辐射并被所述场探测电路感测到的电磁信号的均方根功率。

[0150] 在示例4中，前述示例中任一者的主题可以可选地包括：所述传感器电路包括磁阻线圈、霍尔传感器电路、电容性电路、电感性电路、微带电感器电路中的至少一者。

[0151] 在示例5中，前述示例中任一者的主题可以可选地包括：所述传感器电路位于与所述天线模块相距5mm到5cm的位置。

[0152] 在示例6中，前述示例中任一者的主题可以可选地包括：所述传感器电路被配置为以10μs到30μs的时间间隔测量所述天线模块辐射的电磁信号的功率。

[0153] 在示例7中，前述示例中任一者的主题可以可选地包括：所述可变阻抗匹配电路包括至少一个可调阻抗组件，其中所述至少一个可调阻抗组件包括可调电容器电路和可调电感器电路中的至少一者。

[0154] 在示例8中，前述示例中任一者的主题可以可选地包括耦接到所述可变阻抗匹配电路的发送器模块，其中所述发送器模块被配置为生成将被所述天线模块发送的高频发送信号。

[0155] 在示例9中，前述示例中任一者的主题可以可选地包括位于所述发送器模块和所述天线模块之间的耦合器模块，其中所述耦合器模块被配置为基于所述发送器模块提供的所述高频发送信号提供前向反馈信号，并基于从所述天线模块接收到的所述高频发送信号的反射部分提供反向反馈信号，其中所述控制模块被配置为基于根据所述前向反馈信号和所述反向反馈信号所选择的控制码生成所述控制信号。

[0156] 在示例10中，前述示例中任一者的主题可以可选地包括：所述控制模块被配置为基于从所述前向反馈信号和所述反向反馈信号得到的电压驻波比值和相位偏移值选择所述控制码。

[0157] 在示例11中，前述示例中任一者的主题可以可选地包括：所述控制模块被配置为从存储在存储器中的多个控制码中选择控制码，其中所述多个控制码被布置在一个或多个码集合中，并且其中所述控制模块被配置为基于所选择的所述控制码生成所述控制信号。

[0158] 在示例12中，前述示例中任一者的主题可以可选地包括：每个码集合包括多个控制码，该多个控制码包括与相同的预定电压驻波比值和不同的预定相位偏移值相关联的阻抗调整信息。

[0159] 在示例13中，示例11或12的主题可以可选地包括：所述控制模块被配置为以10μs到30μs的时间间隔选择不同的控制码来生成所述控制信号。

[0160] 在示例14中，示例11-13中任一者的主题可以可选地包括：所述至少一个控制码包括阻抗调整信息，该阻抗调整信息用于调整所述可变阻抗匹配电路的至少一个可调阻抗组件的阻抗。

[0161] 在示例15中，示例14的主题可以可选地包括：所述阻抗调整信息包括用于调整所述可变阻抗匹配电路的阻抗的电容值和电感值中的至少一者。

[0162] 在示例16中，示例11-15中任一者的主题可以可选地包括：所述控制模块被配置为选择控制码作为默认调整码，并且还选择一系列其它的控制码来生成用于调整所述可变阻抗匹配电路的阻抗的一系列其它的控制信号。

[0163] 在示例17中，示例11-16中任一者的主题可以可选地包括：所述控制模块还被配置为基于所述传感器信号选择所述一系列其它的控制码中的其它的控制码作为所述默认控制码，所述传感器信号指示所述天线模块基于所述其它的控制码辐射的电磁信号的功率。

[0164] 在示例18中，示例16或17的主题可以可选地包括：所述控制模块被配置为：如果所述传感器信号指示所述电磁信号功率的增加是基于所述一系列其它的控制码中的其它的控制码产生的，则选择所述其它的控制码作为所述默认控制码。

[0165] 在示例19中，示例16-18中任一者的主题可以可选地包括：所述控制模块被配置为：如果所述传感器信号指示所述电磁信号功率的最大增加是基于所述一系列其它的控制码中的其它的控制码产生的，则选择所述其它的控制码作为所述默认控制码。

[0166] 在示例20中，示例16-19中任一者的主题可以可选地包括：所述控制模块被配置为：基于与所述默认控制码相关联的预定电压驻波比值和预定相位值，选择所述一系列其它的控制码。

[0167] 在示例21中，示例16-20中任一者的主题可以可选地包括：所述一系列其它的控制码中每个其它的控制码包括与其它的预定电压驻波比值和其它的预定相位值相关联的阻抗调整信息，该其它的预定电压驻波比值和其它的预定相位值在与所述默认控制码的阻抗调整信息相关联的预定电压驻波比值和预定相位值的阈值范围内。

[0168] 在示例22中，示例16-21中任一者的主题可以可选地包括：所述一系列其它的控制码中的至少一个其它的控制码包括阻抗调整信息，该阻抗调整信息与和所述默认控制码相同的预定电压驻波比值或相同的预定相位值相关联。

[0169] 在示例23中，示例16-22中任一者的主题可以可选地包括：与所述一系列其它的控制码中的其它的控制码相关联的所述其它的预定电压驻波比值和所述其它的预定相位值中的一者与所述一系列其它的控制码中之前的其它的控制码相同。

[0170] 在示例24中，示例11-22中任一者的主题可以可选地包括：所述控制模块被配置为选择控制码作为默认控制码并基于所述默认控制码的所述阻抗调整信息的调整生成经调整的控制码，其中所述经调整的控制码被用于生成其它的控制信号，该其它的控制信号用于调整所述可变阻抗匹配电路的阻抗。

[0171] 在示例25中，示例24的主题可以可选地包括：所述控制模块被配置为通过将电容值和电感器中的至少一者改变预定调整值来调整所述阻抗调整信息。

[0172] 在示例26中，示例24或25的主题可以可选地包括：所述控制模块被配置为：如果所述传感器信号指示所述电磁信号功率的增加是基于包括经调整的阻抗信息的经调整的控制码产生的，则用所述经调整的控制码来对码集合进行更新。

[0173] 在示例27中，示例24-26中任一者的主题可以可选地包括：所述控制模块被配置为：如果所述传感器信号指示所述电磁信号功率的增加是基于包括经调整的阻抗信息的经调整的控制信号产生的，则选择所述经调整的控制信号作为所述默认控制信号。

[0174] 在示例28是一种信号生成装置，包括用于生成控制信号的装置，该控制信号用于调整耦接到天线模块的可变阻抗匹配电路的阻抗，其中所述生成控制信号的装置被配置为基于从传感器电路接收到的传感器信号生成所述控制信号，所述传感器电路位于邻近所述天线模块的位置，其中所述传感器信号包括与所述天线模块辐射的电磁信号的功率相关的信息。

[0175] 在示例29中，示例28的主题可以可选地包括：所述传感器信号包括与所述天线模块辐射的电磁信号的磁场组分的功率相关的信息。

[0176] 在示例30中，示例28或29的主题可以可选地包括：所述传感器电路包括耦接到检测器电路的场探测电路，其中所述检测器电路被配置为确定被所述天线模块辐射并被所述场探测电路感测到的电磁信号的均方根功率。

[0177] 在示例31中，示例28-30中任一者的主题可以可选地包括：所述传感器电路包括磁阻线圈、霍尔传感器电路、电容性电路、电感性电路、微带电感器电路中的至少一者。

[0178] 在示例32中，示例28-31中任一者的主题可以可选地包括：所述传感器电路位于与所述天线模块相距5mm到5cm的位置。

[0179] 示例33是一种发射器，包括：发送器模块，该发送器模块耦接到可变阻抗匹配电路，其中所述发送器模块被配置为生成将被天线模块发送的高频发送信号；一种装置，该装置用于根据前述权利要求中任一项向可变阻抗匹配电路提供控制信号；以及一种天线模块，该天线模块被配置为基于所述高频发送信号辐射电磁信号。

[0180] 示例34是一种发送器或收发器，包括用于向根据示例1-32中任一者的可变阻抗匹配电路提供控制信号的装置。

[0181] 示例35是一种移动设备，包括根据示例33或34的发送器或收发器。

[0182] 示例36是一种蜂窝电话，包括根据示例33或34的发送器或收发器。

[0183] 示例37是用于向可变阻抗匹配电路提供控制信号的方法，该方法包括：从位于邻近天线模块的位置的传感器电路接收传感器信号，其中，所述传感器信号包括与所述天线模块辐射的电磁信号的功率相关的信息；并基于所述传感器信号生成用于调整耦接至所述天线模块的可变阻抗匹配电路的阻抗的控制信号。

[0184] 在示例38中，示例37的主题可以可选地包括：从存储在存储器中的多个控制码中选择控制码，其中所述多个控制码被布置在一个或多个码集合中，并且基于所选择的所述控制码生成所述控制信号。

[0185] 在示例39中，示例37或38的主题可以可选地包括：以10μs到30μs的时间间隔选择不同的控制码来生成所述控制信号。

[0186] 在示例40中，示例37-39中任一者的主题可以可选地包括：选择控制码作为默认调整码，并且还选择一系列其它的控制码来生成用于调整所述可变阻抗匹配电路的阻抗的一系列其它的控制信号。

[0187] 在示例41中，示例38-40中任一者的主题可以可选地包括：基于与天线模块由于所述控制模块根据其它的控制码生成的其它的控制信号而辐射的电磁信号的功率相关的信息选择所述其它的控制码作为所述默认的控制码。

[0188] 在示例42中，示例38-41中任一者的主题可以可选地包括：如果所述传感器信号指示所述电磁信号功率的增加是基于所述一系列其它的控制码中的其它的控制码产生的，则选择所述其它的控制码作为所述默认控制码。

[0189] 在示例43中，示例38-42中任一者的主题可以可选地包括：如果所述传感器信号指示所述电磁信号功率的最大的增加是基于所述多个其它的控制码中的其它的控制码产生的，则选择所述其它的控制码作为所述默认控制码。

[0190] 在示例44中，示例38-43中任一者的主题可以可选地包括：选择一个控制码作为默认控制码并基于所述默认控制码的阻抗调整信息的调整生成经调整的控制码，并且基于所述经调整的默认控制码生成用于调整所述可变阻抗匹配电路的阻抗的其它的控制码。

[0191] 在示例45中，示例38-44中任一者的主题可以可选地包括：通过将电容值和电感值中的至少一者调整预定调整值来调整所述阻抗调整信息。

[0192] 在示例46中，示例38-45中任一者的主题可以可选地包括：如果所述传感器信号指示所述电磁信号功率的增加是基于包括经调整的阻抗信息的经调整的控制码产生的，则用所述经调整的控制码来更新码集合。

[0193] 在示例47中，示例38-46中任一者的主题可以可选地包括：如果所述传感器信号指示所述电磁信号功率的增加是基于包括经调整的阻抗信息的经调整的控制码产生的，则选择所述经调整的控制码作为所述默认控制码。

[0194] 示例48是包括程序代码的机器可读存储介质，当所述程序代码被执行时，使得机器执行示例37-47中的一者所述的方法。

[0195] 示例49是包括机器可读指令的机器可读存储介质，当所述机器可读指令被执行时，实施任何未决示例所要求保护的方法或实现任何未决示例所要求保护的装置。

[0196] 示例50是具有程序代码的计算机程序，当所述程序代码在计算机或处理器上被执行时，用于执行示例37-47中的一者所述的方法。

[0197] 示例还可提供具有用于执行上述方法之一的程序代码的计算机程序，其中计算机程序在计算机或处理器上被执行。本领域技术人员将认识到，各种上述方法的步骤可由经编程的计算机来执行。因此，一些示例也旨在覆盖程序存储设备，例如，数字数据存储介质，所述程序存储设备是机器可读或计算机可读的，并且编码指令的机器可执行或计算机可执行的程序，其中指令执行上述方法的一些或所有动作。程序存储设备例如可以是数字存储器，诸如磁盘和磁带之类的磁存储介质、硬盘驱动器，或可选地可读数字数据存储介质。这些示例旨在覆盖被编程为执行上述方法的动作的计算机或被编程为执行上述方法的动作的(现场)可编程逻辑阵列((F)PLA)或(现场)可编程门阵列((F)PGA)。

[0198] 描述和附图仅示出本公开的原理。因此应当领会的是，本领域技术人员能够构想出体现本公开的原理并被包括在本公开精神和范围内的各种布置，尽管该布置未在本文中被明确描述或显示。此外，本文所记载的所有示例明确地主要旨在仅用于教导目的，以帮助读者理解本公开的原理和(一个或多个)发明人所贡献的用于促进本领域的概念，并且应当被解释为不限于这些具体记载的示例和条件。此外，本文记载了本公开的原理、方面和示例的所有叙述以及其具体示例意在涵盖其等同物。

[0199] 被表示为“用于……的装置”的功能块(执行某些功能)应当分别被理解为包括被配置为用于执行某些功能的电路的功能块。因此，“用于……的装置”可同样被理解为“被配置为或适于……的装置”。因此，被配置为执行某一功能的装置不暗示此类装置必然正在执行该功能(在给定时刻)。

[0200] 包括被标记为“装置”、“用于提供传感器信号的装置”、“用于生成发送信号的装置”等的任何功能块的附图中示出的各种元件的功能可以通过使用诸如“信号提供器”、“信号处理单元”、“处理器”、“控制器”等之类的专用硬件、以及能够结合适当软件执行软件的硬件来提供。另外，这里被描述为“装置”的任何实体可以对应于或者被实现为“一个或多个模块”、“一个或多个设备”、“一个或多个单元”等。当由处理器提供时，功能可以由单个专用处理器、由单个共享处理器、或者由多个单独处理器(其中一些处理器可以被共享)提供。另外，术语“处理器”或者“控制器”的明确使用不应该被认为排他地指代能够执行软件的硬件，而可以暗示地包括但不限于数字信号处理器(DSP)硬件、网络处理器、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、用于存储软件的只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、以及非易失性存储设备。其他传统的和/或定制的硬件也可以被包括。

[0201] 本领域技术人员应该明白，这里的任何框图表示体现本公开的原理的说明性电路的概念视图。类似地，应该明白的是，任何流程图、流程示意图、状态变换图、伪码等表示实质上可以被表示在计算机可读介质中并且因此可由计算机或者处理器执行的各种处理(无论这样的计算机或者处理器是否被明确示出)。

[0202] 另外，下面的权利要求被结合在详细说明中，其中每个权利要求可以单独作为独立的示例。当每个权利要求可以单独作为独立的示例时，应该注意-尽管从属权利要求可以在权利要求中引用与一个或多个其他权利要求的特定组合-其他示例也可以包括从属权利要求与每个其他从属或者独立权利要求的主题的组合。除非声明具体组合不是希望的组合，否则这些组合在这里被提出。另外，意图还将权利要求的特征包括到任何其他独立权利要求中，即使该权利要求不直接从属于该独立权利要求。

[0203] 还应该注意，说明书或权利要求中公开的方法可以由具有用于执行这些方法的各个动作中的每个动作的装置的设备来实现。

[0204] 另外，将理解的是，说明书或权利要求书中公开的多个动作或功能的公开可以不以特定次序被构造。因此，多个动作或功能的公开不限于特定次序，除非这些动作或功能由于技术原因是不可互换的。另外，在一些示例中，单个动作可以包括或者可以被分解为多个子动作。这些子动作可以被包括并且是该单个动作的公开的一部分(除非明确排除)。

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