专利汇可以提供产生均匀磁场的增强补偿方法和装置及其使用方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种产生均匀 磁场 的增强补偿方法和装置及其使用方法,采用螺线管加高导磁材料 外壳 本体结构,通过调节螺线管的 电流 强度来调节工作区域磁场大小,用高导磁材料外壳本体聚集磁通,不但可以减少漏磁产生,增强工作区域的磁场,还有效地屏蔽了工作区域以外的磁场,抑制了外界干扰;为避免高导磁材料外壳本体的加工 精度 对磁场均匀性的影响,在工作区域附近放置分级绕组单元,用于改善工作区域磁场的均匀性。,下面是产生均匀磁场的增强补偿方法和装置及其使用方法专利的具体信息内容。
1.一种产生均匀磁场的增强补偿方法,设定磁场发生的空间V,空间V内所需磁场的目标工作磁通密度分别是B1、B2、……Bm,磁场的均匀度A0,m为自然数;其特征在于:增强补偿方法如下:
1)根据磁场发生的空间V确定螺线管长度L、螺线管半径R,根据螺线管长度L、螺线管半径R和螺线管中通入的电流I,计算螺线管工作区磁通密度B;
其中:
μ0为空气磁导率
n螺线管匝数
设空间V内的目标工作磁通密度为Bm,若B不等于Bm,调整螺线管匝数n和电流I,直至B等于Bm,且螺线管匝数n为自然数,记录电流Im的大小、螺线管匝数n和电流Im对应的目标工作磁通密度Bm;x是螺线管中心线上任意点到螺线管中心的距离;
保证螺线管匝数n不变,根据公式(1)计算目标工作磁通密度B1对应的电流I1、目标工作磁通密度B2对应的电流I2……目标工作磁通密度Bm-1对应的电流Im-1;
2)根据步骤1)中螺线管长度L、螺线管半径R、螺线管匝数n及补偿绕组(6)制备用于产生均匀磁场增强补偿的装置;
3)用高斯计探头测量试品区不同位置测量点的磁通密度,根据试品区不同位置测量点的最大磁通密度Bmax和最小磁通密度Bmin计算试品区磁通密度的均匀度A,计算公式(2)如下:
A=(Bmax-Bmin)/Bmax×100% (2)
若A大于A0,利用公式(3)计算最大磁通密度Bmax与目标工作磁通密度Bm的偏差⊿B1,利用公式(4)计算最大磁通密度Bmin与目标工作磁通密度Bm的偏差⊿B2,
⊿B1=Bmax-Bm (3)
⊿B2=Bmin-Bm (4)
若⊿B1>⊿B2,则给位于Bmax附近的绕组单元通入与螺线管电流Im方向相反的补偿电流Im1,补偿电流分辨率为1mA,从1mA开始由小到大设置,直到⊿B1<⊿B2;若⊿B1<⊿B2,则给位于Bmax附近的绕组单元通入与螺线管电流Im方向相同的补偿电流Im2,同理,补偿电流分辨率为1mA,从1mA开始由小到大设置,直到⊿B1>⊿B2;每调整一次补偿电流,重新测量一次试品区不同位置测量点的磁通密度,直到A
2.根据权利要求1所述产生均匀磁场的增强补偿方法,其特征在于:步骤1)中,调整电流I时保证电流I不能大于2安培。
3.根据权利要求1所述产生均匀磁场的增强补偿方法,其特征在于:步骤2)中,补偿绕组(6)包括若干个绕组单元(6.1),若干个绕组单元(6.1)沿竖直方向分层布置,且最上一层绕组单元(6.1)位于试品区上表面的上方,最下一层绕组单元(6.1)位于试品区下表面的下方;每一层绕组单元(6.1)的匝数不大于3匝。
4.一种如权利要求1所述产生均匀磁场的增强补偿方法的装置,其特征在于:包括封闭外壳(14)、设置在所述封闭外壳(14)内腔中的绝缘筒(8)、绕制在所述绝缘筒(8)外周缘的螺线管(5)、绕制在所述螺线管(5)外周缘的补偿绕组(6)及内置在所述绝缘筒(8)中的试品放置架(7),所述补偿绕组(6)的出线和所述螺线管(5)的出线均从所述封闭外壳(14)的出线孔(12)引出。
5.根据权利要求4所述产生均匀磁场的增强补偿方法的装置,其特征在于:所述补偿绕组(6)包括若干个绕组单元(6.1),若干个所述绕组单元(6.1)沿竖直方向分层布置,且最上一层绕组单元(6.1)位于试品区上表面的上方,最下一层绕组单元(6.1)位于试品区下表面的下方,每一层所述绕组单元(6.1)的匝数不大于3匝。
6.根据权利要求4所述产生均匀磁场的增强补偿方法的装置,其特征在于:所述封闭外壳(14)包括高导磁材料底座(10)和底部开口的外壳(13),所述外壳(13)包括底部开口的高导磁材料外壳本体(3)和两端开口的高导磁材料加强筒(4),所述高导磁材料加强筒(4)通过焊接的方式固定在所述高导磁材料外壳本体(3)内壁;所述绝缘筒(8)的顶部插入上压板(1)的上凹槽(1.1)内,且所述上压板(1)固定在所述高导磁材料外壳本体(3)的顶部;所述绝缘筒(8)的底部插入下垫板(9)的下凹槽(9.1)内,且所述下垫板(9)固定在所述高导磁材料底座(10)上;高导磁材料外壳本体(3)、高导磁材料加强筒(4)、及高导磁材料底座(10)的相对磁导率均大于5000。
7.根据权利要求6所述产生均匀磁场的增强补偿方法的装置,其特征在于:所述下垫板(9)与所述高导磁材料底座(10)之间设置有高导磁材料升高垫(11),所述高导磁材料升高垫(11)的长度等于所述外壳(13)的内径,所述高导磁材料外壳本体(3)的底部开口固定在高导磁材料底座(10)上、所述高导磁材料升高垫(11)插入所述外壳(13)的底部开口处构成闭磁路结构;高导磁材料升高垫(11)的相对磁导率均大于5000。
8.根据权利要求7所述产生均匀磁场的增强补偿方法的装置,其特征在于:所述上压板(1)采用绝缘材料制成,用螺栓(2)固定在所述高导磁材料外壳本体(3)的顶部;所述下垫板(9)采用绝缘材料制成,所述下垫板(9)用胶粘接在所述高导磁材料升高垫(11)上,所述高导磁材料升高垫(11)用胶粘接在所述高导磁材料底座(10)上。
9.一种产生均匀磁场增强补偿装置的使用方法,其特征在于:所述产生均匀磁场增强补偿装置,包括封闭外壳(14)、设置在所述封闭外壳(14)内腔中的绝缘筒(8)、绕制在所述绝缘筒(8)外周缘的螺线管(5)、绕制在所述螺线管(5)外周缘的补偿绕组(6)及内置在所述绝缘筒(8)中的试品放置架(7),所述补偿绕组(6)的出线和所述螺线管(5)的出线均从所述封闭外壳(14)的出线孔(12)引出;
所述补偿绕组(6)包括若干个绕组单元(6.1),若干个所述绕组单元(6.1)沿竖直方向分层布置,且最上一层绕组单元(6.1)位于试品区上表面的上方,最下一层绕组单元(6.1)位于试品区下表面的下方,每一层所述绕组单元(6.1)的匝数不大于3匝;
所述封闭外壳(14)包括高导磁材料底座(10)和底部开口的外壳(13),所述外壳(13)包括底部开口的高导磁材料外壳本体(3)和两端开口的高导磁材料加强筒(4),所述高导磁材料加强筒(4)通过焊接的方式固定在所述高导磁材料外壳本体(3)内壁;所述绝缘筒(8)的顶部插入上压板(1)的上凹槽(1.1)内,且所述上压板(1)固定在所述高导磁材料外壳本体(3)的顶部;所述绝缘筒(8)的底部插入下垫板(9)的下凹槽(9.1)内,且所述下垫板(9)固定在所述高导磁材料底座(10)上;高导磁材料外壳本体(3)、高导磁材料加强筒(4)、及高导磁材料底座(10)的相对磁导率均大于5000;
所述使用方法如下:
1)取下外壳(13),将高斯计探头放置在试品放置架(7)上,然后罩上外壳(13);
2)给螺线管(5)通电,增加电流大小,观测高斯计探头读数,达到所需磁场后,移动高斯计探头位置,如果不能满足工作区磁场均匀度要求,给补偿绕组(6)中的绕组单元(6.1)加电流,电流大小根据工作区域磁场变化情况确定,直到场强和均匀度达到要求,记录螺线管(5)和补偿绕组(6)中绕组单元(6.1)的电流大小;
3)取出高斯计探头,取下外壳(13),将被测样品放置在试品放置架(7)上,然后罩上外壳(13);
4)按步骤3)记录的电流大小给螺线管(5)和补偿绕组(6)通电,开始测量样品。
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