Avalanche photodiode
专利汇可以提供Avalanche photodiode专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To provide a low noise avalanche photodiode, InGaAsP four-element semiconductor is used and the region between light incident surface of the semiconductor and pn juction surface is made p-type layer having a specific thickness.
CONSTITUTION: Low impurity InGaAsP four-element semiconductor layer 2 having Pn junction 4 is epitaxially grown on conductive type, high impurity InP 2-element semiconductor substrate 1. Another conductive-type high impuriry semiconductor layer 3 is formed on the layer 2. The surface on which light 5 falls and the pn junction 4 define a space 2a, which is made p-type layer. For effective low noise in this structure, the light must be absorbed in amount of more than half in the p-type region 2a of the 4-element semiconductor 2. In other word, the distance d
3 indicating the position of pn junction must be selected so that more than 50% of photoexcited electrons from photoexcited carriers should be injected into multiplying area near the pn junction 4, or the distance d
3 is selected to be greater than 1μm.
COPYRIGHT: (C)1980,JPO&Japio，下面是Avalanche photodiode专利的具体信息内容。
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