专利汇可以提供掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种掺杂HfO2 铁 电栅的InAlNGaN HEMT器件,它涉及 半导体 功率器件制造技术领域。一种掺杂HfO2铁电栅介质的InAlNGaN HEMT器件它包含SiC衬底、GaN成核层、GaN 缓冲层 、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层、栅介质层、SiN 钝化 层、栅极、源极、漏极,SiC衬底上方形成GaN成核层,GaN成核层上方为GaN缓冲层,AlN插入层上表面形成InAlN势垒层,栅介质层设在GaN帽层上表面,栅介质层上表面形成栅极,源极设置在漏极左侧。采用上述技术方案后,本实用新型的有益效果为:它的设计合理,避免了逆 压电效应 的前提下,进一步降低栅漏 电流 ,同时提高 阈值 电压 。,下面是掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件专利的具体信息内容。
1.掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件,其特征在于:它包含SiC衬底(1)、GaN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlN插入层(4)、InAlN势垒层(5)、GaN帽层(6)、栅介质层(7)、SiN钝化层(8)、栅极(9)、源极(10)、漏极(11),SiC衬底(1)上方形成GaN成核层(2),GaN成核层(2)上方为GaN缓冲层(3),AlN插入层(4)设在GaN缓冲层(3)上表面,AlN插入层(4)上表面形成InAlN势垒层(5),InAlN势垒层(5)上表面形成GaN帽层(6),栅介质层(7)设在GaN帽层(6)上表面,SiN钝化层(8)形成在栅介质层(7)外侧,栅介质层(7)上表面形成栅极(9),源极(10)设置在漏极(11)左侧。
2.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件,其特征在于:所述的GaN成核层(2)的厚度为30nm。
3.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件,其特征在于:所述的GaN缓冲层(3)的厚度为3μm。
4.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件,其特征在于:所述的AlN插入层(4)的厚度为5nm。
5.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件,其特征在于:所述的InAlN势垒层(5)的厚度为10nm。
6.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件,其特征在于:所述的GaN帽层(6)的厚度为2nm。
7.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件,其特征在于:所述的栅介质层(7)为材料,且栅介质层(7)的厚度为50nm。
8.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件,其特征在于:所述的SiN钝化层(8)的厚度为150nm。
9.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件,其特征在于:所述的栅极(9)为Ni/Au材料,Ni和Au的厚度分别为50nm、300nm。
10.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件,其特征在于:所述的源极(10)和漏极(11)始于GaN缓冲层(3)上部,源极(10)和漏极(11)贯穿InAlN势垒层(5),且源极(10)和漏极(11)止于InAlN势垒层(5)上部,源极(10)和漏极(11)为欧姆接触,且源极(10)和漏极(11)为Ti/Al/Ti/Au材料,Ti、Al、Ti和Au的厚度分别为30nm、120nm、50nm、
100nm。
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