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一种静电吸盘及 半导体结构的制作方法

阅读：224发布：2024-01-11

专利汇可以提供一种静电吸盘及半导体结构的制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种静电吸盘及半导体结构的制作方法，该静电吸盘包括盘体、顶针驱动装置、多个承载凸点、多个顶针通孔及多个顶针，其中，所述承载凸点设置于所述盘体上表面，所述顶针通孔上下贯穿所述盘体，多个所述顶针分别位于多个所述通孔中，所述顶针驱动装置位于所述盘体下方，并与多个所述顶针连接，用于驱动所述顶针上升或下降，至少一所述顶针与所述驱动装置之间设有阻尼器。本发明的静电吸盘中设有带阻尼器的顶针，可以减少静电吸盘吸附晶圆过程中所造成的晶圆损伤，其中，阻尼器的阻尼系数可根据静电力的数值进行调整。，下面是一种静电吸盘及半导体结构的制作方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种静电吸盘，其特征在于，包括：
盘体；
多个承载凸点，设置于所述盘体上表面；
多个顶针通孔，上下贯穿所述盘体；
多个顶针，分别位于多个所述通孔中；
顶针驱动装置，位于所述盘体下方，并与多个所述顶针连接，用于驱动所述顶针上升或下降；
其中，至少一所述顶针与所述驱动装置之间设有阻尼器。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于：多个所述顶针至少划分为第一顶针组与第二顶针组，所述第一顶针组包括多个第一顶针，所述第二顶针组包括多个第二顶针，所述第一顶针下方连接有第一阻尼器，所述第二顶针下方连接有第二阻尼器，所述第一顶针与所述盘体中心之间的距离大于所述第二顶针与所述盘体中心之间的距离。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于：所述第一顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布，所述第二顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布。
4.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于：所述第一阻尼器的阻尼系数大于所述第二阻尼器的阻尼系数。
5.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于：所述第一阻尼器的阻尼系数小于所述第二阻尼器的阻尼系数。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于：所述阻尼器包括弹簧阻尼器及液压阻尼器中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于：所述阻尼器采用阻尼系数可调式阻尼器。
8.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一静电吸盘，所述静电吸盘包括盘体、顶针驱动装置、多个承载凸点、多个顶针通孔及多个顶针，其中，所述承载凸点设置于所述盘体上表面，所述顶针通孔上下贯穿所述盘体，多个所述顶针分别位于多个所述通孔中，所述顶针驱动装置位于所述盘体下方，并与多个所述顶针连接，用于驱动所述顶针上升或下降，至少一所述顶针与所述驱动装置之间设有阻尼器；
提供一晶圆，采用所述静电吸盘吸附固定所述晶圆；
在所述晶圆上表面进行预设半导体制程。
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述预设半导体制程包括光刻、薄膜沉积、干法刻蚀及离子注入中的任意一种。
10.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：多个所述顶针至少划分为第一顶针组与第二顶针组，所述第一顶针组包括多个第一顶针，所述第二顶针组包括多个第二顶针，所述第一顶针下方连接有第一阻尼器，所述第二顶针下方连接有第二阻尼器，所述第一顶针与所述盘体中心之间的距离大于所述第二顶针与所述盘体中心之间的距离。
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述第一顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布，所述第二顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布。
12.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：当所述晶圆边缘相对于所述晶圆中心往上翘曲时，所述第一阻尼器的阻尼系数大于所述第二阻尼器的阻尼系数。
13.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：当所述晶圆边缘相对于所述晶圆中心往下翘曲时，所述第一阻尼器的阻尼系数小于所述第二阻尼器的阻尼系数。
14.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述阻尼器包括弹簧阻尼器及液压阻尼器中的任意一种。
15.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述阻尼器的阻尼系数可调。

说明书全文

一种静电吸盘及 半导体结构的制作方法

技术领域

[0001] 本发明属于半导体集成电路领域，涉及一种静电吸盘及半导体结构的制作方法。

背景技术

[0002] 平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。新的3D NAND技术，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。

[0003] 3D NAND工艺中，晶圆翘曲控制非常关键。对设备供应商来说，静电吸盘(static chucks，简称ESC)是一种广为人知的途径和制造技术，但由此也容易带来晶圆背面或晶圆背面薄膜的损伤。其中，晶圆背面或晶圆背面薄膜的损伤通常由静电吸盘的静电力引起，这些损伤(例如裂缝)将进一步引起后蚀刻工艺(post etch process)中的薄膜/Si损伤，且通常晶圆边缘所受影响比晶圆中心所受影响更大。

[0004] 因此，如何设计一种新的静电吸盘及半导体结构的制作方法，以改善上述问题，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

发明内容

[0005] 鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种静电吸盘及半导体结构的制作方法，用于解决现有的静电吸盘容易带来晶圆背面或晶圆背面薄膜损伤的问题。

[0006] 为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种静电吸盘，包括：

[0007] 盘体；

[0008] 多个承载凸点，设置于所述盘体上表面；

[0009] 多个顶针通孔，上下贯穿所述盘体；

[0010] 多个顶针，分别位于多个所述通孔中；

[0011] 顶针驱动装置，位于所述盘体下方，并与多个所述顶针连接，用于驱动所述顶针上升或下降；

[0012] 其中，至少一所述顶针与所述驱动装置之间设有阻尼器。

[0013] 可选地，多个所述顶针至少划分为第一顶针组与第二顶针组，所述第一顶针组包括多个第一顶针，所述第二顶针组包括多个第二顶针，所述第一顶针下方连接有第一阻尼器，所述第二顶针下方连接有第二阻尼器，所述第一顶针与所述盘体中心之间的距离大于所述第二顶针与所述盘体中心之间的距离。

[0014] 可选地，所述第一顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布，所述第二顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布。

[0015] 可选地，所述第一阻尼器的阻尼系数大于所述第二阻尼器的阻尼系数。

[0016] 可选地，所述第一阻尼器的阻尼系数小于所述第二阻尼器的阻尼系数。

[0017] 可选地，所述阻尼器包括弹簧阻尼器及液压阻尼器中的任意一种。

[0018] 可选地，所述阻尼器的阻尼系数可调。

[0019] 本发明还提供一种半导体结构的制作方法，包括以下步骤：

[0020] 提供一静电吸盘，所述静电吸盘包括盘体、顶针驱动装置、多个承载凸点、多个顶针通孔及多个顶针，其中，所述承载凸点设置于所述盘体上表面，所述顶针通孔上下贯穿所述盘体，多个所述顶针分别位于多个所述通孔中，所述顶针驱动装置位于所述盘体下方，并与多个所述顶针连接，用于驱动所述顶针上升或下降，至少一所述顶针与所述驱动装置之间设有阻尼器；

[0021] 提供一晶圆，采用所述静电吸盘吸附固定所述晶圆；

[0022] 在所述晶圆上表面进行预设半导体制程。

[0023] 可选地，所述预设半导体制程包括光刻、薄膜沉积、干法刻蚀及离子注入中的任意一种。

[0024] 可选地，多个所述顶针至少划分为第一顶针组与第二顶针组，所述第一顶针组包括多个第一顶针，所述第二顶针组包括多个第二顶针，所述第一顶针下方连接有第一阻尼器，所述第二顶针下方连接有第二阻尼器，所述第一顶针与所述盘体中心之间的距离大于所述第二顶针与所述盘体中心之间的距离。

[0025] 可选地，所述第一顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布，所述第二顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布。

[0026] 可选地，当所述晶圆边缘相对于所述晶圆中心往上翘曲时，所述第一阻尼器的阻尼系数大于所述第二阻尼器的阻尼系数。

[0027] 可选地，当所述晶圆边缘相对于所述晶圆中心往下翘曲时，所述第一阻尼器的阻尼系数小于所述第二阻尼器的阻尼系数。

[0028] 可选地，所述阻尼器包括弹簧阻尼器及液压阻尼器中的任意一种。

[0029] 可选地，所述阻尼器采用阻尼系数可调式阻尼器。

[0030] 如上所述，本发明的静电吸盘中设有带阻尼器的顶针，可以减少静电吸盘吸附晶圆过程中所造成的晶圆损伤，其中，阻尼器的阻尼系数可根据静电力的数值进行调整。对于边缘向上翘曲的晶圆，靠近晶圆中心的阻尼器可以采用较低的刚度(阻尼系数较小)，而靠近晶圆边缘的阻尼器采用较高的刚度(阻尼系数较大)，以对抗静电吸盘较高的静电力，降低晶圆边缘区域着陆在盘体表面承载凸点时所受的机械力，使得晶圆可以软着陆在承载凸点上，从而减少晶圆背面或晶圆背面薄膜的损伤。对于中心向上翘曲的晶圆，可以采用相反的设置。附图说明

[0031] 图1显示为一种静电吸盘的俯视图。

[0032] 图2显示为一晶圆初步放置于图1所示静电吸盘上的示意图。

[0033] 图3显示为图2所示晶圆在静电吸盘的静电力作用下变平整的示意图。

[0034] 图4显示为图3中虚线框所示区域的晶圆背面的在TMAH工艺之后的SEM图。

[0035] 图5显示为本发明的静电吸盘于实施例一中的剖面结构示意图。

[0036] 图6显示为本发明的静电吸盘于实施例二中的剖面结构示意图。

[0037] 图7显示为本发明的静电吸盘于实施例三中的剖面结构示意图。

[0038] 图8显示为本发明的静电吸盘于实施例四中的剖面结构示意图。

[0039] 图9显示为本发明的静电吸盘于实施例五中的剖面结构示意图。

[0040] 图10显示为本发明的静电吸盘于实施例六中的剖面结构示意图。

[0041] 元件标号说明

[0042] 101 盘体

[0043] 102 承载凸点

[0044] 103 晶圆

[0045] 201 盘体

[0046] 202 承载凸点

[0047] 203 顶针通孔

[0048] 204 顶针

[0049] 204a 第一顶针

[0050] 204b 第二顶针

[0051] 205 阻尼器

[0052] 205a 第一阻尼器

[0053] 205b 第二阻尼器

[0054] 206 顶针驱动装置

[0055] 207 第三顶针

[0056] 208 晶圆

具体实施方式

[0057] 以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

[0058] 请参阅图1至图10。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局。

[0059] 如图1所示，显示为一种示例静电吸盘的俯视图，该静电吸盘包括盘体101及设置于所述盘体101上的多个承载凸点102。其中，晶圆可通过设置于所述静电吸盘内部的若干顶针(未图示)缓慢下降至所述承载凸点上，并在所述静电吸盘的静电力作用下紧密贴附于多个所述承载凸点102表面，实现晶圆的固定。

[0060] 如图2所示，显示为一晶圆103初步放置于图1所示静电吸盘上的示意图，可见，由于所述晶圆103的边缘相对于晶圆中心向上翘曲，因此，仅有晶圆中心区域下方的承载凸点与晶圆背面接触，而晶圆边缘区域相对于其下方的承载凸点悬空。

[0061] 如图3所示，显示为图2所示晶圆102在静电吸盘的静电力作用下变平整的示意图，其中，晶圆翘曲的边缘区域在静电吸盘的静电力作用下朝所述盘体101方向移动，并与晶圆相应区域下方的承载凸点接触，在这一过程中，晶圆边缘区域会受到来自承载凸点的刚性碰撞，且静电吸盘的静电力越大，晶圆所受到的碰撞力越大，从而导致晶圆背面碰撞点区域损伤，例如产生裂纹。

[0062] 如图4所示，显示为图3中虚线框所示区域的晶圆背面的在四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法腐蚀工艺之后的SEM图，可见，由于晶圆背面损伤的存在，蚀刻液会通过损伤部位进一步腐蚀Si晶圆或薄膜内部，造成更大面积的损伤。

[0063] 因此，本发明设计了一种新的静电吸盘，该静电吸盘中设有带阻尼器的顶针，可以减少静电吸盘吸附晶圆过程中所造成的晶圆损伤。

[0064] 实施例一

[0065] 本实施例中提供一种静电吸盘，请参阅图5，显示为该静电吸盘的剖面结构示意图，包括盘体201、顶针驱动装置206、多个承载凸点202、多个顶针通孔203及多个顶针204，其中，所述承载凸点201设置于所述盘体201上表面，所述顶针通孔203上下贯穿所述盘体201，多个所述顶针204分别位于多个所述通孔203中，所述顶针驱动装置206位于所述盘体
201下方，并与多个所述顶针204连接，用于驱动所述顶针204上升或下降，至少一所述顶针
204与所述顶针驱动装置206之间设有阻尼器205。

[0066] 本实施例中，优选为所有所述顶针204下方均设有所述阻尼器。

[0067] 作为示例，所述阻尼器205包括但不限于弹簧阻尼器及液压阻尼器中的任意一种。本实施例中，所述阻尼器205优选采用弹簧阻尼器。

[0068] 作为示例，所述阻尼器205的阻尼系数可调，以适应不同的静电力数值。

[0069] 本实施例的静电吸盘中设有带阻尼器的顶针，所述阻尼器可以在所述顶针下降的过程中，缓冲所述顶针上方的晶圆或其他基板受到的来自所述盘体201的静电力，使晶圆或其他基板能够软着陆在所述承载凸点202上，从而减少晶圆或其他基板背面的损伤。

[0070] 实施例二

[0071] 本实施例与实施例一采用基本相同的技术方案，不同之处在于，实施例一中，所有顶针下方均设有阻尼器，而本实施例中，一部分顶针下方设有阻尼器，另一部分顶针下方未设阻尼器。

[0072] 请参阅图6，显示为本实施例中静电吸盘的剖面结构示意图，包括盘体201、顶针驱动装置206、多个承载凸点202、多个顶针通孔203及多个顶针，其中，所述承载凸点201设置于所述盘体201上表面，所述顶针通孔203上下贯穿所述盘体201，多个所述顶针分别位于多个所述通孔203中，所述顶针驱动装置206位于所述盘体201下方，并与多个所述顶针204连接，用于驱动所述顶针204上升或下降，至少一所述顶针204与所述顶针驱动装置206之间设有阻尼器205，至少一所述顶针207下方未设阻尼器，而是直接与所述顶针驱动装置206相连。

[0073] 作为示例，所述阻尼器205包括但不限于弹簧阻尼器及液压阻尼器中的任意一种。本实施例中，所述阻尼器205优选采用弹簧阻尼器。

[0074] 作为示例，所述阻尼器205的阻尼系数可调，以适应不同的静电力数值。

[0075] 本实施例的静电吸盘中设有带阻尼器的顶针，所述阻尼器可以在所述顶针下降的过程中，缓冲所述顶针上方的晶圆或其他基板受到的来自所述盘体201的静电力，使晶圆或其他基板能够软着陆在所述承载凸点202上，从而减少晶圆或其他基板背面的损伤。

[0076] 实施例三

[0077] 本实施例与实施例一采用基本相同的技术方案，不同之处在于，本实施例中，多个所述顶针划分为至少两组，且至少有两组顶针下方的阻尼器的阻尼系数不同。

[0078] 请参阅图7，显示为本实施例中静电吸盘的剖面结构示意图，包括盘体201、顶针驱动装置206、多个承载凸点202、多个顶针通孔203及多个顶针，其中，所述承载凸点201设置于所述盘体201上表面，所述顶针通孔203上下贯穿所述盘体201，多个所述顶针分别位于多个所述通孔203中，所述顶针驱动装置206位于所述盘体201下方，并与多个所述顶针连接，用于驱动所述顶针上升或下降。

[0079] 具体的，多个所述顶针至少划分为第一顶针组与第二顶针组，所述第一顶针组包括多个第一顶针204a，所述第二顶针组包括多个第二顶针204b，所述第一顶针204a下方连接有第一阻尼器205a，所述第二顶针204b下方连接有第二阻尼器204b，所述第一顶针204a与所述盘体201中心之间的距离大于所述第二顶针204a与所述盘体201中心之间的距离。

[0080] 作为示例，所述第一顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布，所述第二顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布。

[0081] 作为示例，所述第一、第二阻尼器包括但不限于弹簧阻尼器及液压阻尼器中的任意一种。本实施例中，所述第一、第二阻尼器优选采用弹簧阻尼器。

[0082] 作为示例，所述第一、第二阻尼器的阻尼系数可调，以适应不同的静电力数值。

[0083] 本实施例中，所述第一阻尼器205a的阻尼系数大于所述第二阻尼器205b的阻尼系数。

[0084] 本实施例的静电吸盘更适用于边缘上翘的晶圆或其他基板，其中，图7中显示了晶圆208放置于所述静电吸盘上的情形，由于晶圆边缘上翘，当晶圆随顶针下降到刚刚接触承载凸点时，仅有晶圆中心区域下方的承载凸点与晶圆背面接触，而晶圆边缘区域相对于其下方的承载凸点悬空，当晶圆继续在盘体的静电力作用下变平整的过程中，晶圆翘曲的边缘区域在静电吸盘的静电力作用下朝盘体方向移动，由于具有较大阻尼系数的所述第一阻尼器的存在，可以更好地抵抗晶圆边缘所受的静电力，降低晶圆边缘接触到承载凸点时所受到的碰撞力，从而降低晶圆背面的损伤。

[0085] 实施例四

[0086] 本实施例与实施例三采用基本相同的技术方案，不同之处在于，实施例三中，所有顶针下方均设有阻尼器，而本实施例中，一部分顶针下方设有阻尼器，另一部分顶针下方未设阻尼器。

[0087] 请参阅图8，显示为本实施例中静电吸盘的剖面结构示意图，包括盘体201、顶针驱动装置206、多个承载凸点202、多个顶针通孔203及多个顶针，其中，所述承载凸点201设置于所述盘体201上表面，所述顶针通孔203上下贯穿所述盘体201，多个所述顶针分别位于多个所述通孔203中，所述顶针驱动装置206位于所述盘体201下方，并与多个所述顶针连接，用于驱动所述顶针上升或下降。

[0088] 具体的，多个所述顶针至少划分为第一顶针组、第二顶针组与第三顶针组，所述第一顶针组包括多个第一顶针204a，所述第二顶针组包括多个第二顶针204b，所述第三顶针组包括至少一个第三顶针207，所述第一顶针204a下方连接有第一阻尼器205a，所述第二顶针204b下方连接有第二阻尼器204b，所述顶针207下方未设阻尼器，而是直接与所述顶针驱动装置206相连，所述第一顶针204a与所述盘体201中心之间的距离大于所述第二顶针204a与所述盘体201中心之间的距离，所述第三顶针207的位置可以根据需要进行调整，本实施例中，所述第三顶针207优选为靠近所述盘体201中心。

[0089] 作为示例，所述第一顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布，所述第二顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布。

[0090] 作为示例，所述第一、第二阻尼器包括但不限于弹簧阻尼器及液压阻尼器中的任意一种。本实施例中，所述第一、第二阻尼器优选采用弹簧阻尼器。

[0091] 作为示例，所述第一、第二阻尼器的阻尼系数可调，以适应不同的静电力数值。

[0092] 本实施例中，所述第一阻尼器205a的阻尼系数大于所述第二阻尼器205b的阻尼系数。

[0093] 本实施例的静电吸盘更适用于边缘上翘的晶圆或其他基板，其中，图8中显示了晶圆208放置于所述静电吸盘上的情形，由于晶圆边缘上翘，当晶圆随顶针下降到刚刚接触承载凸点时，仅有晶圆中心区域下方的承载凸点与晶圆背面接触，而晶圆边缘区域相对于其下方的承载凸点悬空，当晶圆继续在盘体的静电力作用下变平整的过程中，晶圆翘曲的边缘区域在静电吸盘的静电力作用下朝盘体方向移动，由于具有较大阻尼系数的所述第一阻尼器的存在，可以更好地抵抗晶圆边缘所受的静电力，降低晶圆边缘接触到承载凸点时所受到的碰撞力，从而降低晶圆背面的损伤。

[0094] 实施例五

[0095] 本实施例与实施例三采用基本相同的技术方案，不同之处在于，实施例三中，所述第一阻尼器的阻尼系数大于所述第二阻尼器的阻尼系数，而本实施例中，所述第一阻尼器的阻尼系数小于所述第二阻尼器的阻尼系数。

[0096] 请参阅图9，显示为本实施例中静电吸盘的剖面结构示意图，包括盘体201、顶针驱动装置206、多个承载凸点202、多个顶针通孔203及多个顶针，其中，所述承载凸点201设置于所述盘体201上表面，所述顶针通孔203上下贯穿所述盘体201，多个所述顶针分别位于多个所述通孔203中，所述顶针驱动装置206位于所述盘体201下方，并与多个所述顶针连接，用于驱动所述顶针上升或下降。

[0097] 具体的，多个所述顶针至少划分为第一顶针组与第二顶针组，所述第一顶针组包括多个第一顶针204a，所述第二顶针组包括多个第二顶针204b，所述第一顶针204a下方连接有第一阻尼器205a，所述第二顶针204b下方连接有第二阻尼器204b，所述第一顶针204a与所述盘体201中心之间的距离大于所述第二顶针204a与所述盘体201中心之间的距离。

[0098] 作为示例，所述第一顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布，所述第二顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布。

[0099] 作为示例，所述第一、第二阻尼器包括但不限于弹簧阻尼器及液压阻尼器中的任意一种。本实施例中，所述第一、第二阻尼器优选采用弹簧阻尼器。

[0100] 作为示例，所述第一、第二阻尼器的阻尼系数可调，以适应不同的静电力数值。

[0101] 本实施例中，所述第一阻尼器205a的阻尼系数小于所述第二阻尼器205b的阻尼系数。

[0102] 本实施例的静电吸盘更适用于边缘向下翘曲的晶圆或其他基板，其中，图9中显示了晶圆208放置于所述静电吸盘上的情形，由于晶圆中心上拱，当晶圆随顶针下降到刚刚接触承载凸点时，仅有晶圆边缘区域下方的承载凸点与晶圆背面接触，而晶圆中心区域相对于其下方的承载凸点悬空，当晶圆继续在盘体的静电力作用下变平整的过程中，晶圆上拱的中心区域在静电吸盘的静电力作用下朝盘体方向移动，由于具有较大阻尼系数的所述第二阻尼器的存在，可以更好地抵抗晶圆中心区域所受的静电力，降低晶圆中心区域接触到承载凸点时所受到的碰撞力，从而降低晶圆背面的损伤。

[0103] 实施例六

[0104] 本实施例与实施例五采用基本相同的技术方案，不同之处在于，实施例五中，所有顶针下方均设有阻尼器，而本实施例中，一部分顶针下方设有阻尼器，另一部分顶针下方未设阻尼器。

[0105] 请参阅图10，显示为本实施例中静电吸盘的剖面结构示意图，包括盘体201、顶针驱动装置206、多个承载凸点202、多个顶针通孔203及多个顶针，其中，所述承载凸点201设置于所述盘体201上表面，所述顶针通孔203上下贯穿所述盘体201，多个所述顶针分别位于多个所述通孔203中，所述顶针驱动装置206位于所述盘体201下方，并与多个所述顶针连接，用于驱动所述顶针上升或下降。

[0106] 具体的，多个所述顶针至少划分为第一顶针组、第二顶针组与第三顶针组，所述第一顶针组包括多个第一顶针204a，所述第二顶针组包括多个第二顶针204b，所述第三顶针组包括至少一个第三顶针207，所述第一顶针204a下方连接有第一阻尼器205a，所述第二顶针204b下方连接有第二阻尼器204b，所述顶针207下方未设阻尼器，而是直接与所述顶针驱动装置206相连，所述第一顶针204a与所述盘体201中心之间的距离大于所述第二顶针204a与所述盘体201中心之间的距离，所述第三顶针207的位置可以根据需要进行调整，本实施例中，所述第三顶针207优选为靠近所述盘体201中心。

[0107] 作为示例，所述第一顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布，所述第二顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布。

[0108] 作为示例，所述第一、第二阻尼器包括但不限于弹簧阻尼器及液压阻尼器中的任意一种。本实施例中，所述第一、第二阻尼器优选采用弹簧阻尼器。

[0109] 作为示例，所述第一、第二阻尼器的阻尼系数可调，以适应不同的静电力数值。

[0110] 本实施例中，所述第一阻尼器205a的阻尼系数小于所述第二阻尼器205b的阻尼系数。

[0111] 本实施例的静电吸盘更适用于边缘向下翘曲的晶圆或其他基板，其中，图10中显示了晶圆208放置于所述静电吸盘上的情形，由于晶圆中心上拱，当晶圆随顶针下降到刚刚接触承载凸点时，仅有晶圆边缘区域下方的承载凸点与晶圆背面接触，而晶圆中心区域相对于其下方的承载凸点悬空，当晶圆继续在盘体的静电力作用下变平整的过程中，晶圆上拱的中心区域在静电吸盘的静电力作用下朝盘体方向移动，由于具有较大阻尼系数的所述第二阻尼器的存在，可以更好地抵抗晶圆中心区域所受的静电力，降低晶圆中心区域接触到承载凸点时所受到的碰撞力，从而降低晶圆背面的损伤。

[0112] 实施例七

[0113] 本实施例中提供一种半导体结构的制作方法，包括以下步骤：

[0114] S1：提供一静电吸盘，所述静电吸盘包括盘体、顶针驱动装置、多个承载凸点、多个顶针通孔及多个顶针，其中，所述承载凸点设置于所述盘体上表面，所述顶针通孔上下贯穿所述盘体，多个所述顶针分别位于多个所述通孔中，所述顶针驱动装置位于所述盘体下方，并与多个所述顶针连接，用于驱动所述顶针上升或下降，至少一所述顶针与所述驱动装置之间设有阻尼器；

[0115] S2：提供一晶圆，采用所述静电吸盘吸附固定所述晶圆；

[0116] S3：在所述晶圆上表面进行预设半导体制程。

[0117] 作为示例，所述预设半导体制程包括光刻、薄膜沉积、干法刻蚀及离子注入中的任意一种。

[0118] 作为示例，多个所述顶针至少划分为第一顶针组与第二顶针组，所述第一顶针组包括多个第一顶针，所述第二顶针组包括多个第二顶针，所述第一顶针下方连接有第一阻尼器，所述第二顶针下方连接有第二阻尼器，所述第一顶针与所述盘体中心之间的距离大于所述第二顶针与所述盘体中心之间的距离。

[0119] 作为示例，所述第一顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布，所述第二顶针组中的多个所述顶针在所述盘体中均匀分布。

[0120] 作为示例，当所述晶圆边缘相对于所述晶圆中心往上翘曲时，所述第一阻尼器的阻尼系数大于所述第二阻尼器的阻尼系数。

[0121] 作为示例，当所述晶圆边缘相对于所述晶圆中心往下翘曲时，所述第一阻尼器的阻尼系数小于所述第二阻尼器的阻尼系数。

[0122] 作为示例，所述阻尼器包括弹簧阻尼器及液压阻尼器中的任意一种。

[0123] 作为示例，所述阻尼器采用阻尼系数可调式阻尼器。

[0124] 本实施例的半导体结构的制作方法由于采用了新型的静电吸盘，该静电吸盘中设有带阻尼器的顶针，可以减少静电吸盘吸附晶圆过程中所造成的晶圆损伤，有利于提高制作的半导体结构的良率。

[0125] 综上所述，本发明的静电吸盘中设有带阻尼器的顶针，可以减少静电吸盘吸附晶圆过程中所造成的晶圆损伤，其中，阻尼器的阻尼系数可根据静电力的数值进行调整。对于边缘向上翘曲的晶圆，靠近晶圆中心的阻尼器可以采用较低的刚度(阻尼系数较小)，而靠近晶圆边缘的阻尼器采用较高的刚度(阻尼系数较大)，以对抗静电吸盘较高的静电力，降低晶圆边缘区域着陆在盘体表面承载凸点时所受的机械力，使得晶圆可以软着陆在承载凸点上，从而减少晶圆背面或晶圆背面薄膜的损伤。对于中心向上翘曲的晶圆，可以采用相反的设置。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

[0126] 上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

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一种静电吸盘及半导体结构的制作方法

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