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显示装置

阅读：258发布：2020-05-08

专利汇可以提供显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供了一种显示装置。显示装置包括：电路板；第一发光器件阵列基板，其安装在电路板上；以及第二发光器件阵列基板，其安装在电路板上，并在第一方向上与第一发光器件阵列基板相邻。电路板限定与第一发光器件阵列基板和第二发光器件阵列基板之间的边界叠置的凹槽。，下面是显示装置专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种显示装置，包括：
电路板；
第一发光器件阵列基板，其安装在所述电路板上；以及
第二发光器件阵列基板，其安装在所述电路板上，并在第一方向上与所述第一发光器件阵列基板相邻，
其中，所述电路板限定与所述第一发光器件阵列基板和所述第二发光器件阵列基板之间的边界叠置的凹槽。
2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第三发光器件阵列基板，其安装在所述电路板上，并在第二方向上与所述第二发光器件阵列基板相邻，其中，所述第二方向与所述第一方向相交；以及
第四发光器件阵列基板，其安装在所述电路板上，并在所述第二方向上与所述第一发光器件阵列基板相邻，
其中，当在平面中观看时，所述凹槽具有十字形状。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述凹槽的宽度是变化的。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电路板包括多个第一电路对准键和多个第二电路对准键，并且
其中，所述多个第一电路对准键和所述多个第二电路对准键沿所述电路板的周边设置。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述多个第一电路对准键中的一个和所述多个第二电路对准键中的一个彼此相邻，并被设置为靠近所述电路板的侧边的中心。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光器件阵列基板包括：
多个发光堆叠件，其在所述第一方向上彼此间隔开；以及
隔离介电图案，其插设于所述多个发光堆叠件中的每一个之间，
其中，所述隔离介电图案包括凹部。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电路板包括基体层和覆盖所述基体层的层间介电层，并且
其中，所述凹槽限定在所述层间介电层中。
8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括非导电层，其插设于所述电路板与所述第一发光器件阵列基板和所述第二发光器件阵列基板中的每一个之间，并且其中，所述非导电层设置在所述凹槽内。
9.一种显示装置，包括：
基体基板；
第一基板，其安装在所述基体基板上；以及
第二基板，其安装在所述基体基板上，其中，所述第一基板和所述第二基板沿第一方向线性地设置，
其中，所述基体基板限定与所述第一基板和所述第二基板之间的边界叠置的凹槽。
10.根据权利要求9所述的显示装置，还包括：
第三基板，其安装在所述基体基板上；以及
第四基板，其安装在所述基体基板上，
其中，所述第一基板、所述第二基板、所述第三基板和所述第四基板沿顺时针方向顺序地布置在所述基体基板上，并且
其中，当在平面中观看时，所述凹槽具有十字形状。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述凹槽的宽度是变化的。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述基体基板包括多个第一对准键和多个第二对准键，
其中，所述多个第一对准键和所述多个第二对准键沿所述基体基板的周边设置。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述多个第一对准键的第一形状与所述多个第二对准键的第二形状不同。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述多个第一对准键中的一个和所述多个第二对准键中的一个彼此相邻，并且被设置为靠近所述基体基板的侧边的中心。
15.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述基体基板包括基体层和覆盖所述基体层的层间介电层，并且
其中，所述凹槽限定在所述层间介电层中。
16.根据权利要求9所述的显示装置，还包括非导电层，其插设于所述基体基板与所述第一基板和所述第二基板中的每一个之间，并且
其中，所述非导电层设置在所述凹槽内。
17.一种显示装置，包括：
电路板；
第一发光器件阵列基板，其倒装安装在所述电路板上；
第二发光器件阵列基板，其倒装安装在所述电路板上，其中，所述第一发光器件阵列基板和所述第二发光器件阵列基板沿第一方向线性地设置；以及
非导电层，其插设于所述电路板与所述第一发光器件阵列基板和所述第二发光器件阵列基板中的每一个之间，
其中，所述电路板限定与所述第一发光器件阵列基板和所述第二发光器件阵列基板之间的边界叠置的凹槽，并且
其中，所述非导电层设置在所述凹槽内。
18.根据权利要求17所述的显示装置，还包括：
第三发光器件阵列基板，其倒装安装在所述电路板上；以及
第四发光器件阵列基板，其倒装安装在所述电路板上，
其中，所述第三发光器件阵列基板和所述第四发光器件阵列基板沿所述第一方向线性地设置，
其中，所述第三发光器件阵列基板沿第二方向与所述第二发光器件阵列基板相邻，其中，所述第二方向与所述第一方向相交，
其中，所述第四发光器件阵列基板沿所述第二方向与所述第一发光器件阵列基板相邻，并且
其中，当在平面中观看时，所述凹槽具有十字形状。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述凹槽的宽度是变化的。
20.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述电路板包括多个第一电路对准键和多个第二电路对准键，
其中，所述多个第一电路对准键和所述多个第二电路对准键沿所述电路板的周边设置。

说明书全文

显示装置

[0001] 相关申请的交叉引用

[0002] 本申请要求于2018年10月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0130073的优先权，该申请的公开内容以引用方式全部并入本文中。

技术领域

[0003] 与示例实施例一致的方法和设备涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。

背景技术

[0004] 显示装置可以用于诸如电视、移动电话、导航仪、计算机监视器和游戏控制台的各种多媒体设备中。显示装置产生图像。当从前面观看时，显示装置包括其上显示图像的显示区和其上不显示图像的非显示区。随着非显示区减小，可以在显示区上显示更宽的图像。发明内容

[0005] 一个或多个示例实施例提供了一种具有增强的可靠性的显示装置。

[0006] 一个或多个示例实施例提供了一种制造显示装置的方法，其中，减少了方法工艺缺陷并提高了工艺良率。

[0007] 根据示例实施例的一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：电路板；第一发光器件阵列基板，其安装在电路板上；以及第二发光器件阵列基板，其安装在电路板上，并在第一方向上与第一发光器件阵列基板相邻。电路板限定与第一发光器件阵列基板和第二发光器件阵列基板之间的边界叠置的凹槽。

[0008] 根据示例实施例的一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基体基板；第一基板，其安装在基体基板上；以及第二基板，其安装在基体基板上。第一基板和第二基板沿第一方向线性地设置，基体基板限定与第一基板和第二基板之间的边界叠置的凹槽。

[0009] 根据示例实施例的一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：电路板；第一发光器件阵列基板，其倒装安装在电路板上；第二发光器件阵列基板，其倒装安装在电路板上，其中，第一发光器件阵列基板和第二发光器件阵列基板沿第一方向线性地设置；以及非导电层，其插设于电路板与第一发光器件阵列基板和第二发光器件阵列基板中的每一个之间。电路板限定与第一发光器件阵列基板和第二发光器件阵列基板之间的边界叠置的凹槽，非导电层设置在凹槽内。附图说明

[0010] 图1示出了根据一个或多个示例实施例的电路板的平面图。

[0011] 图2示出了呈现图1的部分P1的放大图。

[0012] 图3示出了沿图2的线A-A'的截面图。

[0013] 图4示出了沿图2的线B-B'的截面图。

[0014] 图5示出了呈现根据一个或多个示例实施例的发光器件阵列基板的平面图。

[0015] 图6示出了呈现图5的发光器件阵列基板的单位像素区的平面图。

[0016] 图7示出了沿图5或图6的线C-C'的截面图。

[0017] 图8示出了制造根据一个或多个示例实施例的显示装置的方法的一个阶段中的显示装置的平面图。

[0018] 图9和图10示出了制造根据一个或多个示例实施例的显示装置的方法的一个阶段中的沿图8的线A-A'的截面图。

[0019] 图11示出了制造根据一个或多个示例实施例的显示装置的方法的一个阶段中的显示装置的平面图。

[0020] 图12和图13示出了制造根据一个或多个示例实施例的显示装置的方法的一个阶段中的显示装置的截面图。

[0021] 图14和图15示出了制造根据一个或多个示例实施例的显示装置的方法的一个阶段中的显示装置的平面图。

[0022] 图16示出了呈现图15的部分P2的放大图。

[0023] 图17示出了沿图15或图16的线A-A'的截面图。

[0024] 图18示出了沿图15的线D-D'的截面图。

[0025] 图19示出了沿图15或图16的线A-A'的截面图。

[0026] 图20示出了呈现图15的部分P2的放大图。

[0027] 图21示出了呈现图1的部分P1的放大图。

[0028] 图22示出了沿图15或图16的线A-A'的截面图。

具体实施方式

[0029] 现在将参照附图详细地描述示例实施例。

[0030] 图1示出了呈现根据一个或多个示例实施例的电路板的平面图。图2示出了呈现图1的部分P1的放大图。图3示出了沿图2的线A-A'的截面图。图4示出了沿图2的线B-B'的截面图。

[0031] 参照图1至图4，根据一个或多个示例实施例的电路板100可以包括沿顺时针方向设置的第一面板区PNR1、第二面板区PNR2、第三面板区PNR3和第四面板区PNR4。第一面板区PNR1和第二面板区PNR2可以沿第一方向X线性地放置。第三面板区PNR3可以在第二方向Y上与第二面板区PNR2相邻，其中，第二方向Y与第一方向X相交。第四面板区PNR4可以在第二方向Y上与第一面板区PNR1相邻。

[0032] 电路板100可以具有沿顺时针方向设置的第一侧壁SW1、第二侧壁SW2、第三侧壁SW3和第四侧壁SW4。电路板100可以包括第一电路对准键AM1和第二电路对准键AM2。第一电路对准键AM1可以具有与第二电路对准键AM2的形状不同的形状。例如，当在平面中观看时，第一电路对准键AM1可以具有直立或旋转的“L”形状，第二电路对准键AM2可以具有三角形形状。第一电路对准键AM1和第二电路对准键AM2可以沿电路板100的周边放置。例如，第一电路对准键AM1和第二电路对准键AM2可以不放置在电路板100的中心区域上。

[0033] 在第一面板区PNR1至第四面板区PNR4中的一个上，单个第一电路对准键AM1和单个第二电路对准键AM2可以对角线地设置在面板区上。例如，第一电路对准键AM1可以定位在第一面板区PNR1的左前角上。第二电路对准键AM2可以定位在第一面板区PNR1的右后角上。在第二面板区PNR2上，第一电路对准键AM1可以定位在左后角上，第二电路对准键AM2可以定位在右前角上。在第三面板区PNR3上，第一电路对准键AM1可以定位在右后角上，第二电路对准键AM2可以定位在左前角上。在第四面板区PNR4上，第一电路对准键AM1可以定位在右前角上，第二电路对准键AM2可以定位在左后角上。第一面板区PNR1至第四面板区PNR4中的一个上的第一电路对准键AM1可以与第一面板区PNR1至第四面板区PNR4中的相邻的一个上的第二电路对准键AM2成对。该对第一电路对准键AM1和第二电路对准键AM2可以被设置为靠近第一侧壁SW1至第四侧壁SW4中的一个的中间(或中心)。

[0034] 参照图1和图2，电路板100可以包括凹槽GR。凹槽GR可以设置在第一面板区PNR1至第四面板区PNR4之中。当在平面中观看时，凹槽GR可以具有十字形状。凹槽GR可以根据位置而具有不同的宽度W1和W2。

[0035] 参照图1至图4，电路板100可以包括基体层1。基体层1可以为半导体衬底，例如，硅衬底。多个晶体管TR可以设置在基体层1上。晶体管TR可以用层间介电层10覆盖。层间介电层10可以由氮化硅层、氧化硅层和氮氧化硅层中的一种或多种形成。接触插塞20可以设置在层间介电层10内，接触插塞20可以耦接到晶体管TR。层间介电层10可以在其上设置有电连接到晶体管TR的第一导电焊盘30。层间介电层10也可以在其上设置有第二导电焊盘40。第一导电焊盘30和第二导电焊盘40可以沿第一方向X交替设置。第二导电焊盘40可以电连接到接地线。层间介电层10可以用第一钝化层50覆盖。第一钝化层50可以由聚酰亚胺或氮化硅形成。基体层1、晶体管TR、层间介电层10、第一导电焊盘30、第二导电焊盘40和第一钝化层50可以设置在第一面板区PNR1至第四面板区PNR4中所有的面板区上。

[0036] 凹槽GR可以沿第一面板区PNR1至第四面板区PNR4之中的边界IR形成在层间介电层10中。凹槽GR可以使基体层1暴露。第一钝化层50可以覆盖凹槽GR的内壁和底表面。凹槽GR的与第一方向X平行的宽度W1和W2可以变化，并且可以在各种位置处不同。例如，凹槽GR可以在第一导电焊盘30中的最邻近于边界IR的一个与第二导电焊盘40中的最邻近于边界IR的一个之间的第一位置处具有第一宽度W1。凹槽GR可以在与第一位置间隔开的第二位置处具有第二宽度W2。第二宽度W2可以大于第一宽度W1。

[0037] 第一电路对准键AM1和第二电路对准键AM2可以在与第一导电焊盘30的高度相同的高度处由与第一导电焊盘30的材料相同的材料来形成。可替换地，第一电路对准键AM1和第二电路对准键AM2可以在与构成晶体管TR的栅电极的高度相同的高度处由与构成晶体管TR的栅电极的材料相同的材料来形成。

[0038] 图5示出了呈现根据一个或多个示例实施例的发光器件阵列基板的平面图。图6示出了呈现图5的发光器件阵列基板的单位像素区的平面图。图7示出了沿图5或图6的线C-C'的截面图。

[0039] 参照图5至图7，发光器件阵列基板200a可以包括布置的多个单位像素区UP。每个单位像素区UP可以包括第一子像素区SP1、第二子像素区SP2和第三子像素区SP3。第一子像素区SP1、第二子像素区SP2和第三子像素区SP3可以产生彼此不同的颜色。

[0040] 发光堆叠件210可以设置在第一子像素区SP1、第二子像素区SP2和第三子像素区SP3中的每一个上。发光堆叠件210可以包括第一导电半导体层203、与第一导电半导体层203间隔开的第二导电半导体层207以及插设于第一导电半导体层203与第二导电半导体层
207之间的有源层205。例如，第一导电半导体层203可以为N型，第二导电半导体层207可以为P型。

[0041] 第一导电半导体层203可以为氮化物半导体层，其由n型InxAlyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1)组成，其中，掺杂了诸如硅(Si)的n型杂质。例如，第一导电半导体层203可以包括包含n型杂质的GaN。

[0042] 在一个或多个示例实施例中，第一导电半导体层203可以包括第一导电半导体接触层和电流扩散层。第一导电半导体接触层可以具有范围在大约2×1018原子/cm3至大约9×1019原子/cm3内的杂质浓度。第一导电半导体接触层可以具有大约1μm至大约5μm的厚度。电流扩散层可以具有其中其组分或杂质含量彼此不同的多个InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)层交替地堆叠的结构。例如，电流扩散层可以具有其中交替地堆叠n型GaN层和/或AlxInyGazN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z≠0)层(其每个层具有大约1nm至大约500nm的厚度)的n型超晶格结构。电流扩散层可以具有范围在大约2×1018原子/cm3至大
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约9×10 原子/cm内的杂质浓度。

[0043] 有源层205可以插设于第一导电半导体层203与第二导电半导体层207之间，并且可以发射具有由电子和空穴的复合引起的能量的光。有源层205可以具有多量子阱(MQW)结构，其中，交替地堆叠至少一个量子阱层和至少一个量子阻挡层。例如，量子阱层和量子阻挡层可以包括不同组分的InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。对于另一示例，量子阱层可以包括InxGa1-xN(0≤x≤1)，量子阻挡层可以包括GaN或AlGaN。量子阱层和量子阻挡层中的每一个可以具有范围在大约1nm至大约50nm内的厚度。有源层205可以具有单量子阱结构代替多量子阱结构。

[0044] 第二导电半导体层207可以是由其中掺杂诸如镁(Mg)的p型杂质的p型InxAlyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1)组成的氮化物半导体层。

[0045] 在一个或多个示例实施例中，第二导电半导体层207可以包括电子阻挡层、轻掺杂p型GaN层和用作接触层的重掺杂p型GaN层。例如，电子阻挡层可以具有由AlyGa1-yN(0＜y≤1)组成的单一结构或者其中交替地堆叠多个InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)层的结构，多个InxAlyGa1-x-yN层的每一个具有大约5nm至大约100nm的厚度并且其组分或杂质含量彼此不同。电子阻挡层可以具有随着距有源层205的距离增大而减小的能带隙。电子阻挡层可以具有随着距有源层205的距离增大而减少的铝(Al)组分。

[0046] 第一导电半导体层203可以在第一方向X上比第二导电半导体层207和有源层205更横向突出。隔离介电图案212可以将设置在第一子像素区SP1、第二子像素区SP2和第三子像素区SP3上的发光堆叠件210彼此分离。例如，隔离介电图案212可以被形成为具有单层或者包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的一个或多个的多层。隔离介电图案212的底表面可以用第二钝化层218覆盖。例如，第二钝化层218可以由聚酰亚胺或氮化硅形成。

[0047] 第一导电半导体层203可以与穿透第二钝化层218和隔离介电图案212的第一电极216接触。第二导电半导体层207可以与穿透第二钝化层218和隔离介电图案212的第二电极
214接触。第一电极216和第二电极214可以包括诸如铝、钨或铜的金属。在一个或多个示例实施例中，可以沿第一方向X交替地布置第一电极216和第二电极214。

[0048] 第一电极216和第二电极214可以接触对应的第一连接件262。例如，第一连接件262可以是导电凸块。第一连接件262可以包括例如铜。第一连接件262可以接触对应的第二连接件264。第二连接件264可以为例如包括锡的焊球。

[0049] 分隔壁结构201可以设置在第一子像素区SP1、第二子像素区SP2和第三子像素区SP3之间的隔离介电图案212上。分隔壁结构201可以包括半导体材料或介电材料。分隔壁结构201可以包括例如硅或蓝宝石。当在平面中观看时，分隔壁结构201可以具有网格形状或栅格形状。反射层220可以设置在分隔壁结构201的侧壁上。反射层220可以包括例如金属。横向入射光可以被反射层220反射，并且随后可以入射到第一子像素区SP1、第二子像素区SP2和第三子像素区SP3中的对应的一个上。反射层220可以防止第一子像素区SP1、第二子像素区SP2和第三子像素区SP3中的相邻的子像素区之间的串扰。

[0050] 在第一子像素区SP1、第二子像素区SP2和第三子像素区SP3中的每一个上，发光堆叠件210可以在其上设置有透光部件230、240和250中的对应的一个。透光部件230、240和250可以包括第一透光部件230、第二透光部件240和第三透光部件250。第一透光部件230可以设置在第一子像素区SP1上。第二透光部件240可以设置在第二子像素区SP2上。第三透光部件250可以设置在第三子像素区SP3上。

[0051] 第一透光部件230、第二透光部件240和第三透光部件250中的至少两个可以将从发光堆叠件210产生的第一波长的光转换为与第一波长不同的第二波长的光。第一透光部件230、第二透光部件240和第三透光部件250中的一个可以是透明的，从发光堆叠件210产生的光可以允许穿过第一透光部件230、第二透光部件240和第三透光部件250中的所述透明的一个。第一透光部件230、第二透光部件240和第三透光部件250中的至少两个可以包括能够将从发光堆叠件210产生的光转换为具有可期望的颜色的光的材料。例如，发光堆叠件210可以产生蓝颜色的光，第一透光部件230、第二透光部件240和第三透光部件250中的一个可以将蓝颜色的光转换为红颜色的光，第一透光部件230、第二透光部件240和第三透光部件250中的另一个可以将蓝颜色的光转换为绿颜色的光。第一透光部件230、第二透光部件240和第三透光部件250中的至少两个可以包括荧光材料和/或量子点材料。

[0052] 在一个或多个示例实施例中，荧光材料可以包括氧化物、硅酸盐、氮化物或氟化物，并且可以具有各种组分和颜色。例如，荧光材料可以包括β-SiAlON:Eu2+(绿颜色)、(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+(红颜色)、La3Si6N11:Ce3+(黄颜色)、K2SiF6:Mn4+(红颜色)、SrLiAl3N4:Eu(红颜色)、Ln4-x(EuzM1-z)xSi12-yAlyO3+x+yN18-x-y(0.5≤x≤3，0＜z＜0.3，0＜y≤4)(红颜色)、K2TiF6:Mn4+(红颜色)、NaYF4:Mn4+(红颜色)或NaGdF4:Mn4+(红颜色)。然而，荧光材料不限于以上讨论的那些种类。

[0053] 在一个或多个示例实施例中，量子点材料可以包括具有核壳结构的III-V族或II-VI族化合物，例如，诸如CdSe或InP的核和诸如ZnS或ZnSe的壳。另外，量子点材料可以包括配体以提高核和壳的稳定性。

[0054] 参照图5，发光器件阵列基板200a可以包括邻近发光器件阵列基板200a的相对角部的第一阵列对准键AL1和第二阵列对准键AL2。第一阵列对准键AL1可以设置在位于例如发光器件阵列基板200a的左前角上的单位像素区UP上。第二阵列对准键AL2可以设置在位于例如发光器件阵列基板200a的右后角上的单位像素区UP上。当在平面中观看时，第一阵列对准键AL1可以具有例如“L”形状。当在平面中观看时，第二阵列对准键AL2可以具有例如三角形状。第一阵列对准键AL1和第二阵列对准键AL2可以在与第一电极216的端部或第二电极214的端部的高度相同的高度处由与第一电极216的端部或第二电极214的端部的材料相同的材料来形成。

[0055] 根据一个或多个示例实施例，制造显示装置的方法可以使用其中电路板100在其上安装有多个发光器件阵列基板200a的切片方案(tiling scheme)，多个发光器件阵列基板200a中的每一个具有比电路板100的尺寸小的尺寸。这将在下面进一步详细地讨论。与其中单个大尺寸的发光器件阵列基板安装在电路板上的情况相比，切片方案可以在热压结合工艺期间不需要增大压力，因此，可以在工艺设备的能力范围内进行。另外，当任何一个发光器件阵列基板有缺陷时，可以仅改变有缺陷的基板就足够了，因此可以提高工艺良率。可能难以使用现有的制造工艺(诸如光刻)来产生大尺寸的发光器件阵列基板。因此，可以使用现有的制造工艺来更有效地生产小尺寸的发光器件阵列基板。

[0056] 图8示出了制造根据一个或多个示例实施例的显示装置的方法的一个阶段中的显示装置的平面图。图9和图10是沿图8的线A-A'的截面图，图8示出制造根据一个或多个示例实施例的显示装置的方法的一个阶段中的显示装置。

[0057] 参照图8至图10，与以上参照图5至图7讨论的第一发光器件阵列基板200a相似，可以在电路板100的第一面板区PNR1上安装第一发光器件阵列基板200a。电路板100可以与以上参照图1至图4讨论的电路板100相似。如图9中示出的，可以在第一发光器件阵列基板200a的底表面上形成第一非导电层300a。第一非导电层300a可以为非导电膜。第一非导电层300a可以包括热固树脂和焊剂。第一发光器件阵列基板200a可以被设置为允许其第二连接件264与电路板100的第一导电焊盘30和第二导电焊盘40中的对应的一个竖直地叠置。第一发光器件阵列基板200a可以被安装为允许其第一阵列对准键AL1和第二阵列对准键AL2分别与第一面板区PNR1的第一电路对准键AM1和第二电路对准键AM2竖直地叠置(见图18)。

[0058] 当执行热压工艺以提供热和压力时，可以将第二连接件264结合到第一导电焊盘30和第二导电焊盘40，可以使第一非导电层300a 熔化，以填充第一连接件262之间以及第二连接件264之间的空间。包含在第一非导电层300a中的焊剂可以去除可形成在第二连接件
264的表面上的金属氧化物层。可以固化第一非导电层300a。当进行热压工艺时，第一非导电层300a可以被熔化以突出到第一面板区PNR1外部。第一非导电层300a的一部分可以进入凹槽GR。如果没有凹槽GR，则第一非导电层300a会侵入与第一面板区PNR1相邻的第二面板区PNR2和第四面板区PNR4。在此情况下，当其它发光器件阵列基板随后安装在第二面板区PNR2和第四面板区PNR4上时，可能会发生工艺故障。然而，根据示例实施例，凹槽GR可以防止以上提及的工艺故障。

[0059] 图11示出了制造根据一个或多个示例实施例的显示装置的方法的一个阶段中的显示装置的平面图。图12和图13示出了制造根据一个或多个示例实施例的显示装置的方法的一个阶段中的显示装置的截面图。

[0060] 参照图11至图13，在安装第一发光器件阵列基板200a之后，可以在电路板100的第二面板区PNR2上安装第二发光器件阵列基板200b。第二发光器件阵列基板200b可以与第一发光器件阵列基板200a相同(或相似)。可以在第二发光器件阵列基板200b的底表面上形成第二非导电层300b。可以再次执行如以上讨论的热压工艺。当执行热压工艺时，可以熔化第二非导电层300b，并且可以填充凹槽GR的上部。

[0061] 图14和图15示出了制造根据一个或多个示例实施例的显示装置的方法的一个阶段中的显示装置的平面图。图16示出了呈现图15的部分P2的放大图。图17示出了沿图15或图16的线A-A'的截面图。图18示出了沿图15的线D-D'的截面图。

[0062] 参照图14至图18，与以上讨论的相同(或相似)，可以在电路板100的第三面板区PNR3上安装第三发光器件阵列基板200c。第三发光器件阵列基板200c可以与第一发光器件阵列基板200a相同(或相似)。可以在电路板100的第四面板区PNR4上安装第四发光器件阵列基板200d。第四发光器件阵列基板200d可以与第一发光器件阵列基板200a相同(或相似)。非导电层可以插设于电路板100与第三发光器件阵列基板200c之间以及电路板100与第四发光器件阵列基板200d之间。因此，凹槽GR可以用非导电层填充。

[0063] 接着，在边界IR上，可以在第一发光器件阵列基板200a至第四发光器件阵列基板200d之间的空间中形成保护层350。保护层350可以具有与第一发光器件阵列基板200a至第四发光器件阵列基板200d的顶表面共面的顶表面。保护层350可以用来将第一发光器件阵列基板200a至第四发光器件阵列基板200d彼此结合，并且也可以用来防止外部湿气进入。
保护层350可以由例如聚酰亚胺来形成。保护层350可以包括例如黑色颜料或染料。保护层
350可以接触第一非导电层300a和第二非导电层300b中的一个或多个。

[0064] 通过以上提及的工艺，可以制造显示装置1000。第一阵列对准键AL1可以与第一电路对准键AM1竖直地叠置，第二阵列对准键AL2可以与第二电路对准键AM2竖直地叠置。

[0065] 显示装置1000可以具有这样的结构：其中，四个发光器件阵列基板200a至200d安装在电路板100上并且非导电层300a和300b插设于电路板100与发光器件阵列基板200a至200d之间。电路板100可以具有被形成为与发光器件阵列基板200a至200d之间的边界叠置的凹槽GR，当发光器件阵列基板200a至200d结合到电路板100时，非导电层300a和300b可以填充凹槽GR。当在平面中观看时，凹槽GR可以具有十字形状。凹槽GR可以具有变化的宽度。
在显示装置1000中，第一导电半导体层203可以电连接到对应的晶体管TR。第二导电半导体层207可以供有接地电压。

[0066] 第一阵列对准键AL1和第二阵列对准键AL2可以沿显示装置的周边设置。例如，第一阵列对准键AL1和第二阵列对准键AL2不设置在显示装置1000的中心区上。如此，可以减少中心区的像素损失，并且可以通过显示装置1000来产生清晰图像。

[0067] 根据一个或多个示例实施例，因为电路板100具有形成在其上的凹槽GR，所以不会在热压工艺期间发生工艺故障，并且可以精确地安装第一发光器件阵列基板200a至第四发光器件阵列基板200d。总之，可以生产具有减少的故障和提高的可靠性的显示装置1000。

[0068] 显示装置1000可以被称作微型LED显示装置。在一个或多个示例实施例中，发光器件阵列基板200a至200d可以沿顺时针方向顺序地安装在电路板100上，但是可以改变安装顺序。例如，可以沿逆时针方向或沿随机方向安装发光器件阵列基板200a至200d。可替换地，第一发光器件阵列基板200a和第三发光器件阵列基板200c可以同时安装在对角设置的第一面板区PNR1和第三面板区PNR3上。

[0069] 在一个或多个示例实施例中，四个发光器件阵列基板200a至200d安装在单个电路板100上，但是将显而易见的是，示例实施例可以应用于其中多于或少于四个发光器件阵列基板安装在单个电路板100上的情况。

[0070] 图19示出了沿图15或图16的线A-A'的截面图。

[0071] 参照图19，在电路板100上，凹槽GR的一部分可以形成在基体层1中。第一钝化层50可以覆盖形成在基体层1中的凹槽GR的侧壁和底表面。在此情况下，凹槽GR可以增大体积，因此其可以更有效地减少在执行热压工艺时由非导电层造成的缺陷。其它构造和工艺可以与以上讨论的那些相同(或相似)。

[0072] 图20示出了呈现图15的部分P2的放大图。图21示出了呈现图1的部分P1的放大图。

[0073] 参照图20和图21，根据一个或多个示例实施例的显示装置可以包括发光器件阵列基板200a至200d，发光器件阵列基板200a至200d的第一电极216和第二电极214被布置为与图16中示出的第一电极216和第二电极214不同。显示装置可以包括电路板100a，其第一导电焊盘30和第二导电焊盘40被布置为与图2中示出的第一导电焊盘30和第二导电焊盘40不同。第一电极216可以沿第一方向X线性地布置。第二电极214可以沿第一方向X线性地布置。第一电极216可以在第二方向Y上与第二电极214间隔开。第一导电焊盘30可以被设置为与第一电极216竖直地叠置。第二导电焊盘40可以被设置为与第二电极214竖直地叠置。第一电极216和第一导电焊盘30可以在其间设置有也被设置为与第一电极216竖直地叠置的第一连接件和第二连接件(见图17的262和264)，第二电极214和第二导电焊盘40可以在其间设置有也与第二电极214竖直地叠置的第一连接件和第二连接件(见图17的262和264)。

[0074] 凹槽GR可以具有与图2中示出的平面形状不同的平面形状。凹槽GR可以包括第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3。第一凹槽GR1可以设置在相邻的第一导电焊盘30之间以及相邻的第二导电焊盘40之间。第一凹槽GR1可以具有与第一方向X平行的第一宽度W1和与第二方向Y平行的第一长度L1。第二凹槽GR2和第三凹槽GR3可以跨过第一凹槽GR1沿第二方向Y交替地设置。第二凹槽GR2和第三凹槽GR3中的每一个可以具有大于第一宽度W1的第二宽度W2。第二凹槽GR2可以具有大于第一长度L1的第二长度L2。第三凹槽GR3可以具有大于第一长度L1且小于第二长度L2的第三长度L3。

[0075] 凹槽GR可以具有变化的深度，并且在各位置处不同。凹槽GR可以具有在不同位置处变化的平面形状。尽管图2和图21各自示出了第一面板区PNR1与第二面板区PNR2之间的凹槽GR的详细的平面形状，但是该构造不限于在第一面板区PNR1与第二面板区PNR2之间。即，该构造也可以应用于第一面板区PNR1至第四面板区PNR4中的其它面板区之间的凹槽。

[0076] 图22示出了沿图15或图16的线A-A'的截面图。

[0077] 参照图22，显示装置可以包括发光器件阵列基板200a和200b，其中，凹部270形成在对应的隔离介电图案212上。第一非导电层300a和第二非导电层300b可以部分地插入凹部270中。凹部270可以提供具有额外的空间的发光器件阵列基板200a和200b，所述额外的空间防止第一非导电层300a和第二非导电层300b侵入相邻的面板区。

[0078] 根据一个或多个示例实施例，显示装置可以包括凹槽形成在其上的电路板，这可以导致可靠性提高。

[0079] 根据示例实施例，凹槽形成在其上的电路板可以用来制造显示装置，这可以导致降低的故障率和提高的良率。

[0080] 虽然已经描述并在附图中示出了示例实施例的各方面，但是本领域技术人员将理解，在不脱离本公开的技术精神和基本特征的情况下，可以做出各种改变和修改。对本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离本公开的范围和精神的情况下，可以对其进行各种替换、修改和改变。

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