一种开关控制电路
专利汇可以提供一种开关控制电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 开关 控制 电路 ，它包括2组 开关电源 的金属 氧 化物 半导体 场效应晶体管 （U3、U5），用于根据施加到所述开关晶体管的控制端的控制 信号 来控制开关控制电路的操作；包括电源输出调整电路U8，用于产生 控制信号 ；包括2组N 沟道 的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6），该N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6）根据开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5）所加持的 电压 大小，并根据检测到的电压大小产生驱动信号。本发明开关控制电路具有低待机功耗、无需辅助电源绕组、工作噪音小和 短路 保护的特点。本发明电压安全可靠性高，本发明成本低，能满足国内外市场对低成本高 质量 的断信号开关电路的需求。，下面是一种开关控制电路专利的具体信息内容。
1.一种开关控制电路，其特征在于，包括：
2组开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5），用于根据施加到所述开关晶体管的控制端的控制信号来控制开关控制电路的操作；
电源输出调整电路U8，用于产生控制信号；
2组N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6），该N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6）根据开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5）所加持的电压大小，并根据检测到的电压大小产生驱动信号。
2.根据权利要求1所述的一种开关控制电路，其特征在于：所述开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5）包括第一开关电源晶体管（U3）、第二开关电源晶体管（U5），所述N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6）包括第一N沟道晶体管（U4）、第二N沟道晶体管（U6）；
所述第一开关晶体管（U3）的1-3引脚同时电连接开关器JP1，并与4引脚之间电连接有电阻R28，所述4引脚与电阻R28之间的线路中节点上电连接有电阻R29，所述电阻R29的另一端电连接于NPN型晶体管Q2的集电极，所述NPN型晶体管Q2的发射极接地，其基极电连接电阻R31，所述电阻R31的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA0引脚，4引脚为零线引脚；
所述第一开关晶体管（U3）的1-3引脚还电连接有电阻R30，该电阻R30的另一端连接第一N沟道晶体管（U4）的4引脚、NPN型晶体管Q3的集电极、电阻R33，该4引脚为零线引脚，电阻R33另一端接地，所述NPN型晶体管Q3的发射极接地，其基极端连接电源输出调整电路U8的PA1引脚；
所述第一N沟道晶体管（U4）的输出端与第一开关晶体管（U3）的输出端相连接，连接后与一电感器L1连接，电感器L1的另一端连接开关器JP3；
所述第一N沟道晶体管（U4）的1-3引脚接地。
3.根据权利要求2所述的一种开关控制电路，其特征在于：所述开关器JP1还连接第二开关电源晶体管（U5），所述第二开关电源晶体管（U5）的1-3引脚连接在一起，连接后与4零线引脚之间电连接有电阻R37，所述电阻R37与4零线引脚之间的节点上电连接有电阻R36，所述电阻R36的另一端电连接NPN型晶体管Q5的集电极，所述NPN型晶体管Q5的发射极接地，其基极电连接电阻R43，电阻R43的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA2引脚；
所述第二开关电源晶体管（U5）的1-3引脚还连接电阻R38，所述电阻R38的另一端连接第二N沟道晶体管（U6）的4零线引脚、电阻R41、NPN型晶体管Q4的集电极，所述电阻R41的另一端接地，所述NPN型晶体管Q4的发射极接地，其基极电连接R42，电阻R42的另一端电连接电源输出调整电路U8的PA3引脚；
所述第二N沟道晶体管（U6）的1-3引脚互相连接，连接后接地，所述第二N沟道晶体管（U6）的输出端与第二开关电源晶体管（U5）输出端电连接，连接后与开关器JP3的负极连接。
4.根据权利要求3所述的一种开关控制电路，其特征在于：所述电感器L1与第一N沟道晶体管（U4）之间的线路节点上连接有电阻R34，所述电阻R34的另一端电连接电阻R35、电源输出调整电路U8的PB3/PWM2引脚上，所述电阻R35的另一端接地。
5.根据权利要求3所述的一种开关控制电路，其特征在于：所述JP3的负极端还电连接有电阻R39，电阻R39的另一端电连接电阻R40、电源输出调整电路U8的PA4/Vref引脚上。
6.根据权利要求3所述的一种开关控制电路，其特征在于：所述JP3的正极端还电连接有电容C15，所述电容C15的另一端电连接航空插座TN。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的一种开关控制电路，其特征在于：所述电源输出调整电路U8的VDD引脚连接一正电压稳压器U6、电容C13，所述电容C13为极性电容，其负极端接地。
一种开关控制电路
技术领域
背景技术
发明内容
电源输出调整电路U8，用于产生控制信号；
2组N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6），该N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6）根据开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5）所加持的电压大小，并根据检测到的电压大小产生驱动信号。
所述第一开关晶体管（U3）的1-3引脚还电连接有电阻R30，该电阻R30的另一端连接第一N沟道晶体管（U4）的4引脚、NPN型晶体管Q3的集电极、电阻R33，该4引脚为零线引脚，电阻R33另一端接地，所述NPN型晶体管Q3的发射极接地，其基极端连接电源输出调整电路U8的PA1引脚；
所述第一N沟道晶体管（U4）的输出端与第一开关晶体管（U3）的输出端相连接，连接后与一电感器L1连接，电感器L1的另一端连接开关器JP3；
所述第一N沟道晶体管（U4）的1-3引脚接地。
所述第二N沟道晶体管（U6）的1-3引脚互相连接，连接后接地，所述第二N沟道晶体管（U6）的输出端与第二开关电源晶体管（U5）输出端电连接，连接后与开关器JP3的负极连接。
图3为图1的B区域放大图；
图4为图1的C区域放大图；
图5为图1的D区域放大图；
图6为图1的E区域放大图。
具体实施方式
电源输出调整电路U8，用于产生控制信号；
2组N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6），该N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（U4、U6）根据开关电源的金属氧化物半导体场效应晶体管（U3、U5）所加持的电压大小，并根据检测到的电压大小产生驱动信号。
所述第一开关晶体管（U3）的1-3引脚还电连接有电阻R30，该电阻R30的另一端连接第一N沟道晶体管（U4）的4引脚、NPN型晶体管Q3的集电极、电阻R33，该4引脚为零线引脚，电阻R33另一端接地，所述NPN型晶体管Q3的发射极接地，其基极端连接电源输出调整电路U8的PA1引脚；
所述第一N沟道晶体管（U4）的输出端与第一开关晶体管（U3）的输出端相连接，连接后与一电感器L1连接，电感器L1的另一端连接开关器JP3；
所述第一N沟道晶体管（U4）的1-3引脚接地。
所述第二N沟道晶体管（U6）的1-3引脚互相连接，连接后接地，所述第二N沟道晶体管（U6）的输出端与第二开关电源晶体管（U5）输出端电连接，连接后与开关器JP3的负极连接。
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