专利汇可以提供一种ScAlN SAW谐振器的制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种ScAlN SAW 谐振器 的制备方法,该方法包括以下步骤:a、在金刚石衬底上生长ZnO 缓冲层 ;b、在ZnO/diamond上生长ScAlN压电层;c、采用 电子 束 蒸发 在ScAlN/ZnO/diamond上生长Al 电极 层;d、采用 电子束曝光 技术在Al电极层表面形成图形化 光刻 胶 掩膜;e、采用 刻蚀 技术在Al电极层表面形成 叉指换能器 (IDTs);f、将刻蚀后的样品进行剥离,构建SAW谐振器,用于测试与应用。通过控制ScAlN压电层和ZnO缓冲层的晶向,及Al电极层、ScAlN压电层和ZnO缓冲层的厚度,并通过刻蚀手段高效的制备叉指换能器(IDTs)结构,从而构建一种ScAlN SAW谐振器。,下面是一种ScAlN SAW谐振器的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种ScAlN SAW谐振器的制备方法,SAW谐振器从下至上依次包括金刚石衬底、ZnO缓冲层、ScAlN压电层和Al电极层,其制备方法包括如下步骤:
步骤1:提供金刚石衬底,并对其用标准的清洗工艺进行清洗;
步骤2:在所述金刚石衬底上采用磁控溅射、化学气相沉积(CVD)或脉冲激光沉积(PLD)方法生长ZnO缓冲层;
步骤3:在所述ZnO缓冲层上采用磁控溅射、化学气相沉积(CVD)或脉冲激光沉积(PLD)方法生长ScAlN压电层;
步骤4:在所述ScAlN压电层上采用电子束蒸发生长Al电极层;
步骤5:采用电子束曝光技术在所述Al电极层表面形成图形化光刻胶掩膜;
步骤6:采用刻蚀技术在所述Al电极层表面形成叉指换能器(IDTs);
步骤7:将刻蚀后的样品进行剥离,构建SAW谐振器,用于测试与应用。
2.根据权利要求1所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法,其特征在于,在步骤2中,ZnO缓冲层的晶向为(002)晶向,其厚度为10-200nm,其中ZnO缓冲层的厚度≤ScAlN压电层厚度的
1/5。
3.根据权利要求1或2所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法,其特征在于,在步骤2中,制备ZnO缓冲层的方法优先选用射频(RF)磁控溅射。
4.根据权利要求1所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法,其特征在于,在步骤3中,ScAlN压电层的晶向为(002)晶向,其厚度为0.4-1μm。
5.根据权利要求1或4所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法,其特征在于,在步骤3中,制备ScAlN压电层的方法优先选用直流(DC)磁控溅射。
6.根据权利要求1所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法,其特征在于,在步骤4中,Al电极层的厚度为50-200nm。
7.根据权利要求1所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法,其特征在于,在步骤6中,叉指换能器(IDTs)结构的制备使用干法刻蚀工艺。
8.根据权利要求1或7所述的ScAlN SAW谐振器的制备方法,其特征在于,在步骤6中如采用反应离子刻蚀技术,其刻蚀参数范围如下,CF4与Ar的气流量比为1:1,射频功率范围为
100-200W,工作压强范围为10-40mTorr。
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