专利汇可以提供存储单元结构及半导体器件专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种存储单元结构及 半导体 器件,包括衬底及位于所述衬底上的若干存储单元,所述存储单元包括两个栅极结构,每个所述栅极结构包括一层叠体及围绕所述层叠体的栅介质层,所述层叠体包括顺次重叠的栅 氧 化层、 浮栅 层及控制栅层,所述栅氧化层较所述控制栅层更靠近所述衬底,其中,所述浮栅层的上下表面均呈波浪形,从而在器件尺寸缩小的同时能够保证浮栅层的面积足够,增加了浮栅层存储 电子 的能 力 ,且可以利用浮栅层表面的形状使两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端向上翘起以形成浮栅尖端,结构更加简单。,下面是存储单元结构及半导体器件专利的具体信息内容。
1.一种存储单元结构,其特征在于,包括衬底及位于所述衬底上的若干存储单元,所述存储单元包括两个栅极结构,每个所述栅极结构包括一层叠体及围绕所述层叠体的栅介质层,所述层叠体包括顺次重叠的栅氧化层、浮栅层及控制栅层,所述栅氧化层较所述控制栅层更靠近所述衬底,其中,所述浮栅层的上下表面均呈波浪形,且两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端向上翘起以形成浮栅尖端。
2.如权利要求1所述的存储单元结构,其特征在于,两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端的表面具有向上的弧形轮廓,以使所述两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端向上翘起。
3.如权利要求1所述的存储单元结构,其特征在于,所述衬底中形成有交替排布的若干源区和若干漏区,所述栅极结构位于所述源区和所述漏区之间。
4.如权利要求3所述的存储单元结构,其特征在于,两个所述栅极结构共用所述漏区,两个所述栅极结构之间的衬底上形成有字线结构,所述字线结构与所述源区的位置相对应。
5.如权利要求3所述的存储单元结构,其特征在于,两个所述栅极结构的浮栅层的浮栅尖端均对准所述字线结构。
6.如权利要求5所述的存储单元结构,其特征在于,所述存储单元结构还包括一介质层,所述介质层位于所述衬底上,两个所述栅极结构均位于所述介质层中。
7.如权利要求6所述的存储单元结构,其特征在于,所述介质层中还形成有若干导电插塞,所述导电插塞与所述源区、漏区及字线结构连接,以将所述源区、漏区及所述字线结构引出。
8.如权利要求7所述的存储单元结构,其特征在于,所述导电插塞与所述源区、漏区或字线结构之间还设置有一欧姆接触层,所述欧姆接触层的材料为金属硅化物。
9.如权利要求1所述的存储单元结构,其特征在于,所述栅氧化层的材料为氧化硅,所述浮栅层及所述控制栅层的材料均为多晶硅。
10.一种半导体器件,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的存储单元结构。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
OLED像素结构及其修复方法 | 2020-08-31 | 2 |
一种智能型单晶硅打磨用刀具 | 2020-10-08 | 1 |
一种光催化降解油烟的燃料电池装置及其工作方法 | 2022-11-19 | 1 |
一种防油雾泄露的方法 | 2023-06-22 | 1 |
一种图形化集成式高效光催化分解水系统的构筑方法 | 2020-05-15 | 2 |
基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法及半导体结构 | 2020-07-19 | 1 |
一种具有指纹传感器封装结构的移动终端 | 2020-11-07 | 0 |
一种晶圆清洗设备 | 2023-04-30 | 0 |
一种半导体功率器件 | 2020-10-13 | 2 |
一种纺织用纺织布传送装置 | 2020-10-15 | 0 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。