专利汇可以提供一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管及其室温制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种无铟 氧 化物 半导体 薄膜 晶体管的室温制备方法,包括步骤:(1)将玻璃 基板 清洗、烘干;(2)在玻璃基板上采用直流 磁控溅射 沉积Al:Nd 合金 薄膜,通过湿法 刻蚀 图形化,形成栅极;(3)在Al:Nd栅极上通过 阳极 氧化 法生长一层Al2O3:Nd栅极绝缘层;(4)采用 脉冲激光沉积 系统,通过掩模在Al2O3:Nd栅极绝缘层上沉积一层GZO半导体层;(5)采用 真空 蒸 镀 设备,通过掩模在GZO半导体层上蒸镀一层Al源漏 电极 。本发明采用了GZO半导体材料制备 薄膜晶体管 的有源层,不含In元素且Ga、Zn、O三种元素均无毒,符合绿色环保的发展趋势。有源层采用了脉冲激光沉积法制备,操作简单,可重复性高,整个器件制备均在室温下完成,无需 退火 ,有效降低器件成本。,下面是一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管及其室温制备方法专利的具体信息内容。
1.一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法,其特征在于,包括步骤:
(1)将玻璃基板清洗、烘干;
(2)在玻璃基板上采用直流磁控溅射沉积Al:Nd合金薄膜,通过湿法刻蚀图形化,形成栅极;
(3)在Al:Nd栅极上通过阳极氧化法生长一层Al2O3:Nd栅极绝缘层;
(4)采用脉冲激光沉积系统,通过掩模在Al2O3:Nd栅极绝缘层上沉积一层GZO半导体层;
(5)采用真空蒸镀设备,通过掩模在GZO半导体层上蒸镀一层Al源漏电极。
2.根据权利要求1所述的一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法,其特征在于,步骤(1)中清洗为依次用离子水和异丙醇超声震荡清洗10~15min;步骤(1)中烘干是指在75~85℃下烘干。
3.根据权利要求1所述的一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法,其特征在于,步骤(4)中当沉积一层GZO半导体层时,脉冲激光沉积的工艺参数为:温度为室温25℃,脉冲能量为400mJ,频率为5Hz,氧气含量为1Pa,激光脉冲数为500。
4.根据权利要求1所述的一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法,其特征在于,所述Al:Nd的掺杂浓度为1~5at%;所述Al:Nd栅极的厚度为200~300nm。
5.根据权利要求1所述的一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法,其特征在于,所述Al2O3:Nd的掺杂浓度为1~5at%;所述Al2O3:Nd栅极绝缘层的厚度为200~
300nm。
6.根据权利要求1所述的一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法,其特征在于,所述GZO半导体层的掺杂浓度为2wt%;所述GZO半导体层的厚度为20nm。
7.根据权利要求1所述的一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法,其特征在于,步骤(5)中当沉积一层Al源漏电极时,真空蒸镀的工艺参数为:真空度为8.4×10-5Pa,温度为23~28℃;蒸镀时间为30~40min。
8.根据权利要求1所述的一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法,其特征在于,所述Al源漏电极的厚度为150~200nm。
9.一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管,其特征在于,通过由权利要求1-8任一项的方法制备而成;由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd栅极、Al2O3:Nd栅极绝缘层、GZO半导体层以及Al源漏电极构成。
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