专利汇可以提供可提高分油活门自润滑性的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 属于材料 表面处理 领域,涉及一种可提高分油活 门 自润滑性的方法。包括以下步骤:1)采用丙 酮 对零件进行 超 声波 清洗;2)将零件装炉后,进行离子束溅射清洗;3)进行N 离子注入 ;4)进行N离子注入与Ta离子溅射沉积。本发明提供了一种可提高零件表面硬度及抗 腐蚀 性能以及可降低零件表面 摩擦系数 的可提高分油活门自润滑性的方法。,下面是可提高分油活门自润滑性的方法专利的具体信息内容。
1.一种可提高分油活门自润滑性的方法,其特征在于:所述可提高分油活门自润滑性的方法包括以下步骤:
1)采用丙酮对零件进行超声波清洗;
2)将零件装炉后,进行离子束溅射清洗;
3)进行N离子注入;
4)进行N离子注入与Ta离子溅射沉积。
2.根据权利要求1所述的可提高分油活门自润滑性的方法,其特征在于:所述步骤2)的-3
具体实现方式是:将零件装炉后,在真空室真空度≤2.0×10 Pa、供氮气至气压为1.0~1.2×10-2Pa的条件下进行离子束溅射清洗,清洗10分钟。
3.根据权利要求2所述的可提高分油活门自润滑性的方法,其特征在于:所述离子束溅射清洗的工艺参数是:灯丝电流6~15A,弧压71.0V,弧流0.2A,引出电压100V,引出电流
1.4mA,抑制电压1.4Kv,抑制电流0.7mA,加速电压10.0Kv,加速电流0.2mA。
4.根据权利要求3所述的可提高分油活门自润滑性的方法,其特征在于:所述步骤3)的具体实现方式是:在真空室真空度≤2.0×10-3Pa,供氮气至气压为1.0~1.2×10-2Pa的条件下进行N离子注入。
5.根据权利要求4所述的可提高分油活门自润滑性的方法,其特征在于:所述N离子注入包括第一次N离子注入、第二次N离子注入以及第三次N离子注入;所述第一次N离子注入的工艺参数是灯丝电流6~15A,弧压71.0V,弧流0.05A,引出电压100V,引出电流0.7mA,抑制电压1.4Kv,抑制电流0.3mA,加速电压50.2Kv,加速电流1.5mA,第一次N离子注入时间
60min,在第一次N离子注入完成后休息20min进行第二次N离子注入;所述第二次N离子注入的工艺参数与第一次N离子注入的工艺参数完全相同,在第二次N离子注入完成后休息
20min进行第三次N离子注入;所述第三次N离子注入的工艺参数与第一次N离子注入的工艺参数完全相同。
6.根据权利要求5所述的可提高分油活门自润滑性的方法,其特征在于:所述步骤4)的具体实现方式是:调节氮气气压至9.0~9.2×10-3Pa,供氩气至气压为1.3~1.5×10-2Pa时,进行N离子注入与Ta离子溅射沉积。
7.根据权利要求6所述的可提高分油活门自润滑性的方法,其特征在于:所述N离子注入与Ta离子溅射沉积包括第一次沉积过程、第二次沉积过程以及第三次沉积过程;所述第一次沉积过程包括N离子注入以及Ta离子沉积;所述第一次沉积过程中的N离子注入的工艺参数是:灯丝电流6~15A,弧压68.0V,弧流0.05A,引出电压110V,引出电流1.0mA,抑制电压
1.4Kv,抑制电流0.3mA,加速电压50.4Kv,加速电流1.5mA;所述第一次沉积过程中的Ta离子沉积的工艺参数是:灯丝电流6~15A,弧压72.0V,弧流0.6A,抑制电压195Kv,抑制电流
4.8mA,加速电压2.8Kv,加速电流52.0mA;所述第一次沉积过程中的N离子注入以及Ta离子沉积的时间之和是120min;在第一次沉积过程完成后休息20min进行第二次沉积过程;所述第二次沉积过程与第一次沉积过程完全相同,在第二次沉积过程完成后休息20min进行第三次沉积过程;所述第三次沉积过程与第一次沉积过程完全相同。
8.根据权利要求1-7任一权利要求所述的可提高分油活门自润滑性的方法,其特征在于:所述步骤1)中采用丙酮对零件进行超声波清洗8~10分钟。
9.根据权利要求8所述的可提高分油活门自润滑性的方法,其特征在于:所述零件的材质是9Cr18。
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