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一种基于商品防盗系统的声磁消磁器升压 电路

阅读：398发布：2020-05-08

专利汇可以提供一种基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路，包括控制电路、发射电路、升压和消磁电路、接收电路、同步电路和电源电路，控制电路、电源电路用于供电，控制电路用于控制信号；升压和消磁电路包括依次连接的升压模块、电压检测模块和消磁模块，升压模块用于使电压升压后的电压输出到电压检测模块；电压检测模块用于将升压的高电压转化低电压信号然后输出到控制电路，控制升压控制脉冲信号的频率，使升压的电压维持高电压；消磁模块用于将460VDC电压通过消磁线圈放掉。该声磁消磁器升压电路将能量高效的转化为需要的储能电压，不仅降低器件自身的功耗，使升压速度大幅提高，提高消磁器的使用速度。，下面是一种基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路，包括控制电路、发射电路、升压和消磁电路、接收电路、同步电路和电源电路，所述控制电路、发射电路、所述升压和消磁电路、所述接收电路和所述同步电路分别与所述电源电路连接，所述发射电路、所述升压和消磁电路、所述接收电路和所述同步电路分别与所述控制电路连接，所述升压和消磁电路、所述发射电路和所述接收电路连接依次连接；其特征在于，所述升压和消磁电路包括依次连接的升压模块、电压检测模块和消磁模块，所述升压模块用于使电压升压后的电压输出到电压检测模块；所述电压检测模块用于将升压的高电压转化低电压信号然后输出到控制电路，控制升压控制脉冲信号的频率，使升压的电压维持高电压；所述消磁模块用于将460VDC电压通过消磁线圈放掉。
2.根据权利要求1所述的基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路，其特征在于，所述升压模块31包括电阻R96、电阻R97、电阻R98、电阻R52、电阻R104、电阻R107、电阻R116、电阻R117、电阻R103、电阻R118、电阻R119、电阻R120、电容C2、电容C4、电容C3、电容C48、电容C54、电容CX1、LT3750EMS升压驱动模块U21、TPS2828DBV高速反向器U22、NC7WZ14P6X双反向器U23、MMBT4403三极管Q12，FQD4P40P沟道MOS管Q15，IRF3411N沟道MOS管Q3，ES2J快速二极管D9，ES2J快速二极管D13，ES2J快速二极管D14和变压器L4，
其中，NC7WZ14P6X双反向器U23的第一脚分别接升压控制脉冲信号PWM，以及接电阻R107到地，信号经U23双路反相后，由U23第四脚输入到升压驱动模块U21的第三脚，U21第一脚分别接电源+18V和接电容C2到地，U21第二脚接电阻R96到电压+3.3V，U21第四脚分别接电阻R120到电压+12V以及接电容C4到地，U21第五脚接地，U21第十脚接电阻R52到地和电容C54到地，U21第六脚接MOS管Q3的栅极、电容C3和电阻R103到地，U21第七脚接MOS管Q3的源极，U21第八脚接电阻R119到MOS管Q3的漏极，U21第九脚接电阻R118到MOS管Q3的漏极，MOS管Q3漏极分别接电阻R116和电容C3和接变压器L4初级第八脚、第十脚，电阻R117与电阻R116并联，变压器L4初级第七、第九脚接电压+18V，变压器L4次级第一脚接电容C48、电容CX1到地，变压器L4次级第二脚接二极管D9的N极，二极管D9的P极接D13的N极，二极管D13的P极接D14的N极，二极管D14的P极接MOS管Q15的漏极，MOS管Q15删极接地，MOS管Q15源极接高速反向器U22第四脚，来源于控制电路10的控制信号RELAY接R98到地，并接R97到三极管Q12的发射极，三极管Q12基极接地，三极管Q12集电极接高速反向器U22第三脚，并电阻R104到-12V，高速反向器U22第二脚接-12V，高速反向器U22第五脚接地。
3.根据权利要求1所述的基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路，还包括外部触发电路，所述外部触发电路分别与所述控制电路和所述电源电路连接。

说明书全文

一种基于商品防盗系统的声磁消磁器升压 电路

技术领域

[0001] 本实用新型涉及商品防盗技术领域，特别是涉及一种基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路。

背景技术

[0002] EAS(Electronic Article Surveillance，电子商品防盗)系统主要是安装在服装店、零售店等开放式商店出入口，在该出入口形成一定范围的检测区，当商品上未去活标签经过该检测区时，检测设备通过检测该标签信号并识别信号，如果为有效的标签信号，设备输出声光报警提示，以达到对商品的保护。随着商场店铺的环境越来越复杂，噪声源越来越多，在很大程度上影响了设备对标签信号的检测，从而造成设备检测距离近，易误报和漏报。

[0003] 目前的电子商品防盗系统的消磁电路结构比较复杂，消磁效果不好。实用新型内容

[0004] 基于此，有必要针对结构比较复杂，消磁效果不好的问题，提供一种一种基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路。

[0005] 一种基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路，包括控制电路、发射电路、升压和消磁电路、接收电路、同步电路和电源电路，所述控制电路、发射电路、所述升压和消磁电路、所述接收电路和所述同步电路分别与所述电源电路连接，所述发射电路、所述升压和消磁电路、所述接收电路和所述同步电路分别与所述控制电路连接，所述升压和消磁电路、所述发射电路和所述接收电路连接依次连接；所述升压和消磁电路包括依次连接的升压模块、电压检测模块和消磁模块，所述升压模块用于使电压升压后的电压输出到电压检测模块；所述电压检测模块用于将升压的高电压转化低电压信号然后输出到控制电路，控制升压控制脉冲信号的频率，使升压的电压维持高电压；所述消磁模块用于将460VDC电压通过消磁线圈放掉。

[0006] 在其中一个实施例中，所述升压模块31包括电阻R96、电阻R97、电阻R98、电阻R52、电阻R104、电阻R107、电阻R116、电阻R117、电阻R103、电阻R118、电阻R119、电阻R120、电容C2、电容C4、电容C3、电容C48、电容C54、电容CX1、LT3750EMS升压驱动模块U21、TPS2828DBV高速反向器U22、NC7WZ14P6X双反向器U23、MMBT4403三极管Q12，FQD4P40P沟道MOS管Q15，IRF3411N沟道MOS管Q3，ES2J快速二极管D9，ES2J快速二极管D13，ES2J快速二极管D14和变压器L4，

[0007] 其中，NC7WZ14P6X双反向器U23的第一脚分别接升压控制脉冲信号PWM，以及接电阻R107到地，信号经U23双路反相后，由U23第四脚输入到升压驱动模块U21的第三脚，[0008] U21第一脚分别接电源+18V和接电容C2到地，U21第二脚接电阻R96到电压+3.3V，U21第四脚分别接电阻R120到电压+12V以及接电容C4到地，U21第五脚接地，U21第十脚接电阻R52到地和电容C54到地，U21第六脚接MOS管Q3的栅极、电容C3和电阻R103到地，U21第七脚接MOS管Q3的源极，U21第八脚接电阻R119到MOS管Q3的漏极，U21第九脚接电阻R118到MOS管Q3的漏极，MOS管Q3漏极分别接电阻R116和电容C3和接变压器L4初级第八脚、第十脚，电阻R117与电阻R116并联，变压器L4初级第七、第九脚接电压+18V，变压器L4次级第一脚接电容C48、电容CX1到地，变压器L4次级第二脚接二极管D9的N极，二极管D9的P极接D13的N极，二极管D13的P极接D14的N极，二极管D14的P极接MOS管Q15漏极，MOS管Q15删极接地，MOS管Q15源极接高速反向器U22第四脚，来源于控制电路10的控制信号RELAY接R98到地，并接R97到三极管Q12的发射极，三极管Q12基极接地，三极管Q12集电极接高速反向器U22第三脚，并电阻R104到-12V，高速反向器U22第二脚接-12V，高速反向器U22第五脚接地。

[0009] 在其中一个实施例中，基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路还包括外部触发电路，所述外部触发电路分别与所述控制电路和所述电源电路连接。

[0010] 上述基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路，可以迅速将储能电容的电压升到460VDC的电路，采用了专用升压驱动模块LT3750EMS，LT3750 EMS作为电流模式反激控制器，轻松且有效地提供一个受控电流，能量转化率高，并且可以通过设置外部器件的参数使升压轻松达到需要的电压，不需要频繁的实时监控；以往的升压线路是非隔离式升压线路，需要实时监测升压电压并控制升压脉冲频率以达到需要的电压，从而使商品防盗系统声磁消磁器的反应速度极低，不便于正常的使用，同时以往的升压线路能量转化率较低，大部分的能量耗在了器件上，从而当商品防盗系统声磁消磁器使用较频繁时，器件的温度较高，使用寿命降低，提高了消磁器的故障率，而此商品防盗系统声磁消磁器升压线路正是解决了以往的问题，将能量高效的转化为需要的储能电压，不仅降低了器件自身的功耗，而且由于转化率的提高，使升压的速度也大幅提高了，从而提高了消磁器的使用速度。
附图说明

[0011] 图1为其中一个实施例的声磁消磁板电路的框图；

[0012] 图2为其中一个实施例的升压和消磁电路的框图；

[0013] 图3为其中一个实施例的升压电路的电路图。

具体实施方式

[0014] 为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

[0015] 如图1和图2所示，一种基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路，包括控制电路10、发射电路20、升压和消磁电路30、接收电路40、同步电路50和电源电路60，控制电路10、发射电路20、升压和消磁电路30、接收电路40和同步电路50分别与电源电路60连接，发射电路20、升压和消磁电路30、接收电路40和同步电路50分别与控制电路10连接，升压和消磁电路30、发射电路20和接收电路40连接依次连接；电源电路60用于为各电路供电，控制电路10作为核心控制中枢用于输出发射电路20所需的频率信号，输出升压脉冲信号，输出消磁触发信号，输入并处理接收到的模拟信号，接收的控制电路10为发射电路20所提供发射所需的频率信号，然后将发射信号功率放大后，输出到发射线圈上，升压和消磁电路30用于接收控制电路10的升压脉冲和消磁触发信号，输出为高压瞬间放电到消磁线圈上，接收电路40用于接收为接收天线输入的接收信号，接收电路40用于输出模拟信号到控制电路10，控制电路10用于处理接收的模拟信号，如果为标签信号，控制电路10则输出一个触发信号给升压消磁电路，打开消磁，同步电路50用于通过将交流信号的正弦波信号转换为方波信号，然后输出到控制电路10。

[0016] 升压和消磁电路30包括依次连接的升压模块、电压检测模块和消磁模块，接收控制电路10的升压脉冲信号和消磁触发信号。升压模块用于使电压升压后的电压输出到电压检测模块；电压检测模块用于将升压的高电压转化低电压信号然后输出到控制电路10，控制升压控制脉冲信号的频率，使升压的电压维持高电压。消磁模块用于将460VDC电压通过消磁线圈放掉。升压模块接收控制电路10的升压控制脉冲信号，使电压迅速从18VDC升到460VDC，升压后的电压输出到电压检测模块，经电压检测模块将升压的高电压转化为0-
3.3V的低电压信号然后输出到控制电路10，控制电路10通过采样分析所检测的电压值后，控制升压控制脉冲信号的频率，使升压的电压始终维持在460VDC，消磁模块33接收控制电路10的触发信号通过光耦迅速导通可控硅，将存储在120uF电容上的460VDC电压通过消磁线圈放掉，以达到消磁目的。

[0017] 基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路还包括报警电路70，报警电路70分别与控制电路10和电源电路60连接。基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路还包括外部触发电路80，外部触发电路80分别与控制电路10和电源电路60连接。

[0018] 上述基于商品防盗系统的声磁消磁器升压电路，可以迅速将储能电容的电压升到460VDC的电路，采用了专用升压驱动模块LT3750EMS，LT3750 EMS作为电流模式反激控制器，轻松且有效地提供一个受控电流，能量转化率高，并且可以通过设置外部器件的参数使升压轻松达到需要的电压，不需要频繁的实时监控；以往的升压线路是非隔离式升压线路，需要实时监测升压电压并控制升压脉冲频率以达到需要的电压，从而使商品防盗系统声磁消磁器的反应速度极低，不便于正常的使用，同时以往的升压线路能量转化率较低，大部分的能量耗在了器件上，从而当商品防盗系统声磁消磁器使用较频繁时，器件的温度较高，使用寿命降低，提高了消磁器的故障率，而此商品防盗系统声磁消磁器升压线路正是解决了以往的问题，将能量高效的转化为需要的储能电压，不仅降低了器件自身的功耗，而且由于转化率的提高，使升压的速度也大幅提高了，从而提高了消磁器的使用速度。

[0019] 如图3所示，在其中一个实施例中，升压模块包括电阻R96、电阻R97、电阻R98、电阻R52、电阻R104、电阻R107、电阻R116、电阻R117、电阻R103、电阻R118、电阻R119、电阻R120、电容C2、电容C4、电容C3、电容C48、电容C54、电容CX1、LT3750EMS升压驱动模块U21、TPS2828DBV高速反向器U22、NC7WZ14P6X双反向器U23、MMBT4403三极管Q12，FQD4P40P沟道MOS管Q15，IRF3411N沟道MOS管Q3，ES2J快速二极管D9，ES2J快速二极管D13，ES2J快速二极管D14和变压器L4。其中，NC7WZ14P6X双反向器U23的第一脚分别接升压控制脉冲信号PWM，以及接电阻R107到地，信号经U23双路反相后，由U23第四脚输入到升压驱动模块U21的第三脚，U21第一脚分别接电源+18V和接电容C2到地，U21第二脚接电阻R96到电压+3.3V，U21第四脚分别接电阻R120到电压+12V以及接电容C4到地，U21第五脚接地，U21第十脚接电阻R52到地和电容C54到地，U21第六脚接MOS管Q3的栅极、电容C3和电阻R103到地，U21第七脚接MOS管Q3的源极，U21第八脚接电阻R119到MOS管Q3的漏极，U21第九脚接电阻R118到MOS管Q3的漏极，MOS管Q3漏极分别接电阻R116和电容C3和接变压器L4初级第八脚、第十脚，电阻R117与电阻R116并联，变压器L4初级第七、第九脚接电压+18V，变压器L4次级第一脚接电容C48、电容CX1到地，变压器L4次级第二脚接二极管D9的N极，二极管D9P极接D13的N极，二极管D13P极接D14的N极，二极管D14的P极接MOS管Q15漏极，MOS管Q15删极接地，MOS管Q15源极接高速反向器U22第四脚，来源于控制电路10的控制信号RELAY接R98到地，并接R97到三极管Q12的发射极，三极管Q12基极接地，三极管Q12集电极接高速反向器U22第三脚，并电阻R104到-12V，高速反向器U22第二脚接-12V，高速反向器U22第五脚接地。

[0020] 以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

[0021] 以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

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