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一种快速暂态过电压的生成装置

阅读:947发布:2020-10-09

专利汇可以提供一种快速暂态过电压的生成装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种快速暂态过 电压 (VFTO)的生成装置,其特征在于,包括: 冲击电压发生器 、架空线、高压 套管 、 外壳 、第一 母线 段、第一调波 电阻 以及陡化间隙;其中,冲击电压发生器依次通过架空线以及高压套管与所述第一母线段的一端连接;第一母线段的另一端通过第一调波电阻与陡化间隙的第一端连接;陡化间隙的第二端为输出端,用于输出VFTO。该快速暂态过电压的生成装置能够达到更好的陡化效果。,下面是一种快速暂态过电压的生成装置专利的具体信息内容。

1.一种快速暂态过电压的生成装置,其特征在于,包括:冲击电压发生器、架空线、高压套管外壳、第一母线段、第一调波电阻以及陡化间隙;其中,
冲击电压发生器依次通过架空线以及高压套管与所述第一母线段的一端连接;第一母线段的另一端通过第一调波电阻与陡化间隙的第一端连接;陡化间隙的第二端为输出端,用于输出快速暂态过电压VFTO。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:
连接单元,用于分别连接陡化间隙的输出端以及被测设备,将陡化间隙输出的VFTO传输给被测设备。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述连接单元包括:第二调波电阻、第二母线段以及试验终端;其中,
所述第二调波电阻的一端连接所述陡化间隙的输出端;第二调波电阻的另一端通过第二母线段连接试验终端。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,还包括:
所述第一母线段、陡化间隙的第一端和第二端以及第二母线段上分别连接有盆式绝缘子;相邻的盆式绝缘子相互配合,将所述外壳形成的密闭空间划分为相互独立的五个密闭空间。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述陡化间隙对应的密闭空间中添加有SF6气体;所述陡化间隙对应的密闭空间为:陡化间隙的第一端和第二端上连接的两个盆式绝缘子对应形成的密闭空间。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,还包括:第一电压测量单元、第二电压测量单元以及控制调整单元,其中,
所述第一电压测量单元和第二电压测量单元分别设置于与所述陡化间隙对应的密闭空间相邻的密闭空间中;所述电压测量单元分别用于:检测对应的密闭空间中的电压波形
控制调整单元,用于比较第一电压测量单元测量到的电压波形与第二电压测量单元测量到的电压波形,根据比较结果调整陡化间隙对应的密闭空间中SF6气体的压强,以便调节陡化间隙的击穿电压和击穿时刻。
7.根据权利要求1至6任一项所述的装置,其特征在于,所述陡化间隙的电极中的第一子电极中设置电极棒以及电极棒调节单元;
所述电极棒部分位于第一子电极的外部,部分位于第一子电极的内部;
所述电极棒调节单元用于:调节所述电极棒位于第一子电极外部的长度。

说明书全文

一种快速暂态过电压的生成装置

技术领域

[0001] 本发明涉及快速暂态过电压(VFTO)生成技术,尤其涉及一种VFTO的生成装置。

背景技术

[0002] 现有技术中,在进行设备等的测量研究时,时常需要VFTO作为辅助电压,例如,对GIS(气体绝缘组合电器设备)绝缘子进行GIS绝缘特性研究时,即需要使用VFTO。
[0003] 现有技术中,一般通过模拟方式产生VFTO,具体的,通过普通冲击电压发生器输出冲击电压,然后由陡化间隙对所述冲击电压进行陡化,得到所需的VFTO。
[0004] 但是,这种方法产生的VFTO陡化效果差。

发明内容

[0005] 有鉴于此,本发明要解决的技术问题是,提供一种快速暂态过电压的生成装置,能够达到更好的陡化效果。
[0006] 为此,本发明实施例采用如下技术方案:
[0007] 本发明实施例提供一种快速暂态过电压的生成装置,包括:冲击电压发生器、架空线、高压套管外壳、第一母线段、第一调波电阻以及陡化间隙;其中,[0008] 冲击电压发生器依次通过架空线以及高压套管与所述第一母线段的一端连接;第一母线段的另一端通过第一调波电阻与陡化间隙的第一端连接;陡化间隙的第二端为输出端,用于输出VFTO。
[0009] 其中,还包括:
[0010] 连接单元,用于分别连接陡化间隙的输出端以及被测设备,将陡化间隙输出的VFTO传输给被测设备。
[0011] 所述连接单元包括:第二调波电阻、第二母线段以及试验终端;其中,[0012] 所述第二调波电阻的一端连接所述陡化间隙的输出端;第二调波电阻的另一端通过第二母线段连接试验终端。
[0013] 还包括:所述第一母线段、陡化间隙的第一端和第二端以及第二母线段上分别连接有盆式绝缘子;相邻的盆式绝缘子相互配合,将所述外壳形成的密闭空间划分为相互独立的五个密闭空间。
[0014] 所述陡化间隙对应的密闭空间中添加有SF6气体;所述陡化间隙对应的密闭空间为:陡化间隙的第一端和第二端上连接的两个盆式绝缘子对应形成的密闭空间。
[0015] 还包括:第一电压测量单元、第二电压测量单元以及控制调整单元,其中,[0016] 所述第一电压测量单元和第二电压测量单元分别设置于与所述陡化间隙对应的密闭空间相邻的密闭空间中;所述电压测量单元分别用于:检测对应的密闭空间中的电压波形
[0017] 控制调整单元,用于比较第一电压测量单元测量到的电压波形与第二电压测量单元测量到的电压波形,根据比较结果调整陡化间隙对应的密闭空间中SF6气体的压强,以便调节陡化间隙的击穿电压和击穿时刻。
[0018] 所述陡化间隙的电极中的第一子电极中设置电极棒以及电极棒调节单元;
[0019] 所述电极棒部分位于第一子电极的外部,部分位于第一子电极的内部;
[0020] 所述电极棒调节单元用于:调节所述电极棒位于第一子电极外部的长度。
[0021] 对于上述技术方案的技术效果分析如下:
[0022] 在高压套管与陡化间隙之间增加第一母线段以及第一调波电阻,第一母线段在陡化时将VFTO波头部分的能量进行暂时存储,陡化间隙击穿时,将存储的能量释放,第一调波电阻调节VFTO的波头和波尾时间,从而使得陡化间隙输出端输出的VFTO相对于现有技术产生的VFTO具有更好的陡化效果。附图说明
[0023] 图1为本发明实施例VFTO生成装置结构示意图;
[0024] 图2为本发明实施例陡化间隙中的电极结构示意图。

具体实施方式

[0025] 以下,结合附图详细说明本发明实施例VFTO生成装置的实现。
[0026] 图1为本发明实施例VFTO生成装置结构示意图,如图1所示,该装置包括:冲击电压发生器11、架空线12、高压套管13、第一母线段14、第一调波电阻15、陡化间隙16;其中,[0027] 冲击电压发生器11依次通过架空线12和高压套管13连接第一母线段14的一端;第一母线段14的另一端连接第一调波电阻15的一端;第一调波电阻15的另一端连接陡化间隙16的第一端;陡化间隙16的第二端为输出端,输出VFTO。
[0028] 另外,所述第一母线段14、调波电阻15以及陡化间隙16都位于VFTO装置的外壳10内部,所述外壳10为密闭空间。
[0029] 在实际应用中,陡化间隙16的输出端一般可以通过连接单元连接被测设备,从而实现对被测设备的检测,例如对GIS绝缘子进行GIS绝缘特性检测等。所述连接单元同样位于所述外壳10的内部。
[0030] 具体的,在实际应用中,所述连接单元可以使用如图1所示的结构实现,如图1所示,该连接单元包括:第二调波电阻171、第二母线段172以及试验终端173;其中,所述第二调波电阻171的一端连接所述陡化间隙16的第二端(即输出端),另一端连接第二母线段172的一端,第二母线段172的另一端连接试验终端173。所述试验终端173可以连接相应的被测设备,以便对被测设备进行对应的检测。
[0031] 图1所示的VFTO生成装置的实现原理如下:
[0032] 冲击电压发生器11产生冲击电压,该冲击电压经架空线12和高压套管13传输至第一母线段14,该第一母线段14用于进行中间储能,在陡化时将冲击电压波头部分的能量进行暂时储存;陡化间隙16击穿时,第一母线段14将储存的能量释放,从而在陡化间隙16的输出端产生VFTO。
[0033] 进而,如果所述VFTO生成装置连接了被测设备,则产生的VFTO依次通过第二调波电阻171、第二母线段172传播至与试验终端连接的被测设备,进行被测设备的相应检测。
[0034] 以上的VFTO生成装置,在高压套管与陡化间隙之间增加第一母线段以及第一调波电阻,通过第一母线段在陡化时将VFTO波头部分的能量进行暂时存储,陡化间隙击穿时,将存储的能量释放,第一调波电阻调节VFTO的波头和波尾时间,从而使得陡化间隙输出端输出的VFTO获得相对于现有技术更好的陡化效果。
[0035] 优选地,所述第一母线段14、陡化间隙16的第一端和第二端以及第二母线段172上分别连接有盆式绝缘子18;相邻的盆式绝缘子相互配合,将所述外壳10形成的密闭空间划分为相互独立的五个密闭空间。
[0036] 所述陡化间隙对应的密闭空间中可以添加SF6气体;所述陡化间隙对应的密闭空间为:陡化间隙上设置的两个盆式绝缘子对应形成的密闭空间。
[0037] 与所述陡化间隙对应的密闭空间相邻的密闭空间中分别设置有第一电压测量单元201和第二电压测量单元202;所述电压测量单元分别用于:检测对应的密闭空间中的电压波形;
[0038] 所述VFTO生成装置进一步包括:控制调整单元(图中未示出),用于比较第一电压测量单元201测量到的电压波形与第二电压测量单元202测量到的电压波形,根据比较结果调整陡化间隙对应的密闭空间中SF6气体的压强,以便调节陡化间隙的击穿电压和击穿时刻,从而保证VFTO的产生效率和合适的波形,同时也满足了研究不同试品时所需要的不同试验电压。
[0039] 其中,所述盆式绝缘子与母线段或者陡化间隙等连接时,外部可以采用法兰连接,内部可以通过插子进行电连接,具体的连接方式这里不再赘述。
[0040] 优选地,如图2所示,本装置陡化间隙可以采用半球头间隙进行陡化,并且,如图2所示,在陡化间隙中电极的第一子电极21中增加电极棒211,所述电极棒的结构与所述第一子电极相同,区别仅在于,所述电极棒211部分位于第一子电极21的外部,部分位于第一子电极21的内部。并且,在陡化间隙中设置电极棒调节单元(图中未示出),用于调节电极棒211位于第一电极外部的长度,进而限制开关动作时VFTO出现抖动,降低了陡化间隙击穿的分散性,使得陡化间隙输出的VFTO波形更为稳定。
[0041] 另外,本发明实施例所述VFTO生成装置还可以用于产生雷电波,此时,利用开关电极一侧增加的调节电极棒,通过气动或遥控实现陡化间隙中电极的短接,而且陡化间隙前后电阻基本可以保持不变,仅改变冲击电压发生器中的波头电阻即可。
[0042] 而且,本发明实施例的所述VFTO生成装置可以进行不同的试验,例如1000kVGIS绝缘子、500kVGIS绝缘子、SF6间隙等的试验,只要相应改变该装置的波阻抗即可。
[0043] 对于本发明实施例的VFTO生成装置举实例说明:
[0044] 在实际应用中,图1所示的VFTO生成装置可以使用:6MV开放式冲击电压发生器+架空线+6m长2.5MV高压套管+阻抗91ΩGIS母线段+第一调波电阻+陡化间隙的结构实现,此时,所产生的VFTO的电压幅值可以达到2.5MV。
[0045] 以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
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