发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法
专利汇可以提供发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种发射结选择性 接触 的隧穿 氧 化 钝化 PERC 电池 制备方法，包括： 硅 片 单面制绒，制绒面制备隧穿氧化层SiO2及掺P 多晶硅 层形成N+发射结，选择性 刻蚀 去掉背面绕度掺P多晶硅层，对 正面 磷掺杂多晶硅层进行激活，在发射结表面进行选择性掺杂， 硅片 背面经过沉积AL2O3层，硅片正面及背面沉积氢化非晶氮化硅钝化减反射层，对背面 钝化层 进行选择性图形化开膜，通过丝网印刷背面 铝 电场 、背 电极 及正面金属电极 栅线 ，形成正背面电极 金属化 欧姆接触 。与 现有技术 相比，本发明改善了现有单晶PERC电池的发射结表面复合，大幅提升电池Voc，兼容现有PERC量产路径，是下一代高效单晶PERC电池的重点开发方向。，下面是发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法专利的具体信息内容。
1.一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将硅片在碱制绒槽中去除损伤层并进行表面抛光、正面制绒，形成1μm-6μm高的金字塔绒面，即硅片制绒面；
(2)在硅片制绒面依次制备隧穿氧化层SiO2及掺P多晶硅层形成N+发射结；
(3)采用湿法化学处理进行选择性刻蚀，去掉硅片背面绕镀的掺P多晶硅层；
(4)高温退火处理，对硅片正面的掺P多晶硅层中的磷元素进行激活；
(5)采用激光掺杂的方式，在硅片正面掺P多晶硅层及隧穿氧化层SiO2上进行选择性掺杂，形成选择性掺杂区域；
(6)在硅片背面经过ALD或PECVD的方式沉积5-20nm厚的AL2O3层；
(7)硅片正面及背面沉积氢化非晶氮化硅钝化减反射层；
(8)采用ns激光对硅片背面氢化非晶氮化硅钝化减反射层进行选择性图形化开膜；
(9)通过丝网印刷背面铝背场、背电极及正面金属电极栅线，形成正背面电极金属化欧姆接触即可。
2.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(2)中隧穿氧化层SiO2为超薄隧穿氧化层SiO2，厚度为0.5nm-2nm。
3.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(2)中采用湿法氧化或高温热氧化的方法制备隧穿氧化层SiO2层。
4.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(2)中的掺P多晶硅层采用PECVD的方法以高纯SiH4为气源在500℃-600℃下制备形成，厚度为10nm-500nm。
5.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(2)中掺P多晶硅层中P原子含量为1×1019cm-3-1×1021cm-3。
6.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(3)中，先采用PECVD或APCVD的方法在硅片正面的掺P多晶硅层上沉积氧化物层，保护硅片正面的掺P多晶硅层，然后在弱碱溶液中对硅片背面绕镀的掺P多晶硅层进行选择性蚀刻，再用HF溶液将沉积的氧化物层去掉即可。
7.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(4)中，高温退火处理的温度控制在750-980℃以内，处理时间控制在30-
60分钟。
8.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(5)中，所述的选择性掺杂区域的表面掺杂浓度在1e20-1e21/cm3，激光掺杂深度在0.4-1.5μm，且激光掺杂宽度在60-200μm范围内。
9.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，步骤(9)中背面铝背场、背电极及正面金属电极栅线通过将金属化浆料在峰值烧结温度为500-950℃范围内进行精细共烧结形成。
10.根据权利要求1所述的一种发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法，其特征在于，所述的硅片为P型硅片。
发射结选择性接触的隧穿氧化钝化PERC电池制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
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