반도체 노광장치의 초점 확인용 레티클
专利汇可以提供반도체 노광장치의 초점 확인용 레티클专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: A reticle for checking a focus of a semiconductor exposure apparatus is provided to easily determine a distorted focus and to correct a defective exposure pattern caused by the distorted focus, by easily measuring a critical dimension according to the state of a focus in an exposure process. CONSTITUTION: A focus determining pattern(10) of a diamond shape is additionally formed in which the critical dimension varies remarkably according to the focus state of the semiconductor exposure apparatus. The width of the focus determining reticle varies according to the size of a semiconductor product, and the length of the focus determining reticle is about 10 micrometer.，下面是반도체 노광장치의 초점 확인용 레티클专利的具体信息内容。
반도체 노광장치의 초점 확인용 레티클 {Reticle for Focus check}
본 발명은 반도체 노광장치에 관한 것으로서 특히 웨이퍼 노광시 정확한 임계지수를 측정하여 왜곡된 초점을 보정할 수 있는 반도체 노광장치의 초점 확인용 레티클에 관한 것이다.
도 1a는 종래의 반도체 노광시 최적의 초점상이고, 도 1b 및 도 1c는 종래의 반도체 노광시 왜곡된 초점상이다.
종래의 반도체 노광시 발생하는 왜곡된 초점을 바로잡기 위해서는 웨이퍼 위에 노광된 상의 선목(임계지수)을 측정하여 왜곡된 초점 유무를 판단하였다. 좀더 정확한 선목(임계지수)을 측정하기 위하여 사다리꼴로 패터닝된 회로의 노광된 초점상의 좌우 측면의 기울기 선목을 측정하였다. 측정된 기울기 선목에 대해 상한치와 하한치의 관리기준을 두어 왜곡된 초점을 바로잡는 기준으로 삼았다. 즉 동일한 패턴을 가진 레티클을 사용하여 웨이퍼 위에 노광 작업을 실시하여도 초점의 상태에 따라 그 노광된 상의 선목(임계지수)이 변화는 것을 알 수 있다.
한 예로 도 1a, b, c에 도시된 각각의 노광된 초점상(1)(3)(5)에서 각각의 기울기 선목(1-1)(3-1)(5-1)을 측정하면 도 1a에 도시된 노광된 초점상(1)의 기울기 선목(1-1)은 최적의 초점상을 나타내며 도 1b, c에 도시된 각각의 노광된 초점상(3)(5)의 기울기 선목(3-1)(5-1)을 측정하면 왜곡된 초점상임을 알 수 있다. 이때 반도체 노광장치의 초점을 보정하여 도 1a와 같은 노광이 이루어지도록 한다.
그러나 반도체 회로의 집적도가 향상되어 상의 크기가 작아지면서 200nm 이하의 패턴에서는 KrF, ArF등의 레이저 사용으로 인한 포토 레지스트의 두께가 감소하여 초점에 따른 기울기 선목을 측정하는 것이 어려워 노광시 최적의 초점상태이 힘든 문제점을 가지고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 집적도가 높은 반도체 회로에서도 반도체 노광장치의 초점에 따른 기울기 선목을 측정하는 것을 용이하게 하여 노광시 최적의 초점상태를 판단할 수 있는 반도체 노광장치의 초점 확인용 레티클을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 고안된 반도체 노광장치의 초점 확인용 레티클은 반도체 노광장치의 초점의 상태에 따라 임계지수의 변화가 크게 나타나는 마름모꼴의 초점 확인용 패턴을 추가로 형성하며, 초점 확인용 패턴은 반도체 양산용 레티클의 스크립 라인에 형성할 수도 있고, 가로는 가변 할 수 있으며 세로는 약 10㎛정도로 형성하여 집적도가 높은 반도체 회로의 노광시의 초점장태를 쉽게 확인 할 수 있도록 한 반도체 노광장치를 제공하는데 있다.
도 1a는 종래의 반도체 노광시 최적의 초점상.
도 1b 및 도 1c는 종래의 반도체 노광시 왜곡된 초점상.
도 2a는 본 발명에 따른 반도체 노광장치의 레티클에 추가로 형성된 초점 확인용 패턴.
도 2b는 본 발명에 따른 웨이퍼 위에 형성된 초점상.
도 2c는 본 발명에 따른 반도체 노광시의 초점확인 방법.
도 3은 본 발명에 따른 초점상태 예측용 선목 그래프
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1, 3, 5 : 노광된 초점상1-1, 3-1, 5-1 : 기울기 선목
10 : 초점 확인용 패턴11 : 노광된 초점상
11-1 : 임계지수
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명에 따른 반도체 노광장치의 초점 확인용 레티클을 상세히 설명한다.
도 2a는 본 발명에 따른 반도체 노광장치의 레티클에 추가로 형성된 초점 확인용 패턴이다.
본 발명에 따른 반도체 노광장치의 초점 확인용 레티클은 반도체 노광장치의 초점의 상태에 따라 임계지수의 변화가 크게 나타나는 마름모꼴의 초점 확인용 패턴(10)을 추가로 형성한다.
도 2b는 본 발명에 따른 웨이퍼 위에 형성된 초점상이고, 도 2c는 본 발명에 따른 반도체 노광시의 초점확인 방법이다.
상기 초점 확인용 패턴(10)을 추가로 형성한 레티클을 사용하여 노광작업을 한 후웨이퍼 위에 형성된 포토 레지스트의 초점상(11)의 임계지수(11-1)를 측정하여 최적의 초점상태인지를 확인한다.
또한 초점 확인용 패턴(10)은 반도체 양산용 레티클의 스크립 라인에 형성하여 생산 공정중 수시로 초점상태를 확인 할 수도 있다.
레티클에 형성되는 마름모꼴의 초점 확인용 패턴(10)의 크기는 생산하고자 하는 반도체 제품의 크기에 따라 가로는 가변 할 수 있으며 세로는 초점의 상태를 확인하기 위하여 실제 측정되는 부분이므로 약 10㎛정도로 형성한다.
도 3은 본 발명에 따른 초점상태 예측용 선목 그래프의 한 예이다.
도 3의 그래프에서는 래티클의 초점 확인용 패턴(10)의 크기를 가로와 세로를 각각 0.4㎛, 10㎛정도로 형성하였을 때 초점의 변화에 따른 임계지수의 변화를 나타낸 것으로 웨이퍼 위에 노광된 실제의 임계지수(11-1)를 측정하면 노광시의 초점상태를 확인하여 최적의 초점을 예측하여 조정 할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 노광장치의 초점 확인용 레티클은 노광시 초점의 상태에 따른 선목을 측정하는 것이 용의하여 왜곡된 초점을 판단하는 것이 용이하고 왜곡된 초점으로 인한 노광패턴의 불량을 바로잡아 수율을 향상 시킬 수 있는 잇점을 가진다.
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