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静电卡盘及 半导体加工设备

阅读：94发布：2020-05-08

专利汇可以提供静电卡盘及半导体加工设备专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种静电卡盘及半导体加工设备，静电卡盘包括卡盘本体、电极组件、电源和射频组件，卡盘本体包括用于承载晶片的承载面；射频组件包括用于提供射频功率的射频源；电极组件设置在卡盘本体中，并可选择的与电源或射频源电连接，在进行加工工艺时，电极组件与电源电连接，以将晶片吸附在承载面上；在对卡盘本体进行清洗时，电极组件与射频源电连接，以能够激发清洗气体形成等离子体。本发明提供的静电卡盘及半导体加工设备，静电卡盘能够进行自清洁，去除承载面上的杂质，从而避免静电卡盘丧失吸附能力无法对晶片进行吸附，延长静电卡盘的使用寿命，并且无需拆装即可实现自清洁，从而提高静电卡盘及半导体加工设备的使用效率和利用率。，下面是静电卡盘及半导体加工设备专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种静电卡盘，其特征在于，包括卡盘本体、电极组件、电源和射频组件，其中，所述卡盘本体包括用于承载晶片的承载面；所述射频组件包括用于提供射频功率的射频源；
所述电极组件设置在所述卡盘本体中，并可选择的与所述电源或所述射频源电连接，在进行加工工艺时，所述电极组件与所述电源电连接，以将所述晶片吸附在所述承载面上；
在对所述卡盘本体进行清洗时，所述电极组件与所述射频源电连接，以能够激发清洗气体形成等离子体。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述电极组件包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极与所述电源的正极电连接，所述第二电极与所述电源的负极电连接；
所述射频源与所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电连接，用于向所述第一电极和所述第二电极中的至少一个提供射频功率。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述射频源与所述第一电极和所述第二电极均电连接，所述射频组件还包括调相器，所述调相器用于将所述第一电极的阻抗和所述第二电极的阻抗调节至相同。
4.根据权利要求3所述的静电卡盘，其特征在于，所述调相器包括控制单元和第一调相组件和第二调相组件，其中，所述第一调相组件分别与所述射频源和所述第一电极电连接，用于获取所述第一电极的阻抗，并能够调节所述第一电极的阻抗，所述第二调相组件与所述射频源和所述第二电极电连接，用于获取所述第二电极的阻抗，并能够调节所述第二电极的阻抗；
所述控制单元与所述第一调相组件以及所述第二调相组件均电连接，用于接收所述第一电极的阻抗和所述第二电极的阻抗，并根据所述第一电极的阻抗和所述第二电极的阻抗，分别控制所述第一调相组件对所述第一电极的阻抗进行调节，以及所述第二调相组件对所述第二电极的阻抗进行调节。
5.根据权利要求4所述的静电卡盘，其特征在于，所述第一调相组件包括第一阻抗传感器和第一可变电感器，所述第一可变电感器与所述第一电极电连接，以调节所述第一电极的阻抗；所述第一阻抗传感器与所述射频源以及所述第一可变电感器电连接，用于获取所述第一电极的阻抗；
所述第二调相组件包括第二阻抗传感器和第二可变电感器，所述第二可变电感器与所述第二电极电连接，以调节所述第二电极的阻抗；所述第二阻抗传感器与所述射频源以及所述第二可变电感器电连接，用于获取所述第二电极的阻抗；
所述控制单元与所述第一阻抗传感器和所述第一可变电感器以及所述第二阻抗传感器和所述第二可变电感器均电连接，用于根据接收的所述第一电极的阻抗以及所述第二电极的阻抗，分别调节所述第一可变电感器的电感以及第二可变电感器的电感。
6.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述电极组件通过电极导线与所述电源电连接，所述射频组件还包括射频导线，所述射频导线分别与所述射频源和所述电极导线电连接，且所述电极导线和所述射频导线上分别设置有选择开关，且设置在所述电极导线上的所述选择开关位于所述射频导线与所述电极导线电连接处的上游，所述选择开关用于选择性的使所述电极导线电导通或所述射频导线电导通。
7.根据权利要求3-6任意一项所述的静电卡盘，其特征在于，所述射频组件还包括阻抗匹配器，所述阻抗匹配器与所述射频源和所述调相器电连接。
8.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述射频源提供的射频频率包括
13.56MHz、400KHz和2MHz。
9.一种半导体加工设备，其特征在于，包括工艺腔室和静电卡盘，其中，所述静电卡盘设置在所述工艺腔室中，并采用如权利要求1-8任意一项所述的静电卡盘，所述静电卡盘能够在进行加工工艺时吸附晶片，或在对静电卡盘进行清洗时激发所述工艺腔室内的清洗气体形成等离子体。
10.根据权利要求9所述的半导体加工设备，其特征在于，所述清洗气体包括氮气和/或惰性气体。

说明书全文

静电卡盘及 半导体加工设备

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种静电卡盘及半导体加工设备。

背景技术

[0002] 物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)设备广泛应用于当今的半导体、太阳能电池和平板显示器等制作工艺中。在目前广泛应用的物理气相沉积设备中，通常使用静电卡盘(Electrostatic Chuck，ESC)来替代原有的机械卡盘实现工艺过程中对晶片(Wafer)的夹持，以提高晶片的面积利用率。

[0003] 现有的静电卡盘通常包括正极部件和负极部件，其中，正极部件积聚大量正电荷，负极部件积聚大量负电荷。当晶片放置在静电卡盘上时，由于电荷异性相吸，晶片下表面靠近正极部件的部分积聚大量负电荷，靠近负极部件的部分积聚大量正电荷。根据库仑定律，晶片下表面的负电荷与正极部件上的正电荷相互吸引产生库伦力，晶片下表面的正电荷与负极部件上的负电荷相互吸引产生库伦力，从而在静电卡盘与晶片之间形成静电力，实现静电卡盘对晶片的吸附。

[0004] 但是，现有的静电卡盘有时会用在高温环境的制作工艺中，在高温环境中(通常是300℃以上)，由于晶片下表面和静电卡盘内部物质挥发等因素，在静电卡盘吸附晶片的表面上，会缓慢地产生一层主要是由碳组成的杂质。由于碳具有导电性，静电卡盘吸附晶片的表面中的正负电荷会被中和，从而破坏静电卡盘产生的库伦静电力，导致静电卡盘丧失吸附能力，这就需要对静电卡盘定期更换，使得工艺成本及其高昂。

发明内容

[0005] 本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种静电卡盘及半导体加工设备，静电卡盘能够进行自清洁，以去除承载面上的杂质，从而避免其丧失吸附能力无法对晶片进行吸附，延长静电卡盘使用寿命，并且无需拆装即可实现自清洁，从而提高静电卡盘及半导体加工设备的使用效率和利用率。

[0006] 为实现本发明的目的而提供一种静电卡盘，包括卡盘本体、电极组件、电源和射频组件，其中，所述卡盘本体包括用于承载晶片的承载面；所述射频组件包括用于提供射频功率的射频源；

[0007] 所述电极组件设置在所述卡盘本体中，并可选择的与所述电源或所述射频源电连接，在进行加工工艺时，所述电极组件与所述电源电连接，以将所述晶片吸附在所述承载面上；在对所述卡盘本体进行清洗时，所述电极组件与所述射频源电连接，以能够激发清洗气体形成等离子体。

[0008] 优选的，所述电极组件包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极与所述电源的正极电连接，所述第二电极与所述电源的负极电连接；

[0009] 所述射频源与所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电连接，用于向所述第一电极和所述第二电极中的至少一个提供射频功率。

[0010] 优选的，所述射频源与所述第一电极和所述第二电极均电连接，所述射频组件还包括调相器，所述调相器用于将所述第一电极的阻抗和所述第二电极的阻抗调节至相同。

[0011] 优选的，所述调相器包括控制单元和第一调相组件和第二调相组件，其中，所述第一调相组件分别与所述射频源和所述第一电极电连接，用于获取所述第一电极的阻抗，并能够调节所述第一电极的阻抗，所述第二调相组件与所述射频源和所述第二电极电连接，用于获取所述第二电极的阻抗，并能够调节所述第二电极的阻抗；

[0012] 所述控制单元与所述第一调相组件以及所述第二调相组件均电连接，用于接收所述第一电极的阻抗和所述第二电极的阻抗，并根据所述第一电极的阻抗和所述第二电极的阻抗，分别控制所述第一调相组件对所述第一电极的阻抗进行调节，以及所述第二调相组件对所述第二电极的阻抗进行调节。

[0013] 优选的，所述第一调相组件包括第一阻抗传感器和第一可变电感器，所述第一可变电感器与所述第一电极电连接，以调节所述第一电极的阻抗；所述第一阻抗传感器与所述射频源以及所述第一可变电感器电连接，用于获取所述第一电极的阻抗；

[0014] 所述第二调相组件包括第二阻抗传感器和第二可变电感器，所述第二可变电感器与所述第二电极电连接，以调节所述第二电极的阻抗；所述第二阻抗传感器与所述射频源以及所述第二可变电感器电连接，用于获取所述第二电极的阻抗；

[0015] 所述控制单元与所述第一阻抗传感器和所述第一可变电感器以及所述第二阻抗传感器和所述第二可变电感器均电连接，用于根据接收的所述第一电极的阻抗以及所述第二电极的阻抗，分别调节所述第一可变电感器的电感以及第二可变电感器的电感。

[0016] 优选的，所述电极组件通过电极导线与所述电源电连接，所述射频组件还包括射频导线，所述射频导线分别与所述射频源和所述电极导线电连接，且所述电极导线和所述射频导线上分别设置有选择开关，且设置在所述电极导线上的所述选择开关位于所述射频导线与所述电极导线电连接处的上游，所述选择开关用于选择性的使所述电极导线电导通或所述射频导线电导通。

[0017] 优选的，所述射频组件还包括阻抗匹配器，所述阻抗匹配器与所述射频源和所述调相器电连接。

[0018] 优选的，所述射频源提供的射频频率包括13.56MHz、400KHz和2MHz。

[0019] 本发明还提供一种半导体加工设备，包括工艺腔室和静电卡盘，其中，所述静电卡盘设置在所述工艺腔室中，并采用如本发明所述的静电卡盘，所述静电卡盘能够在进行加工工艺时吸附晶片，或在对静电卡盘进行清洗时激发所述工艺腔室内的清洗气体形成等离子体。

[0020] 优选的，所述清洗气体包括氮气和/或惰性气体。

[0021] 本发明具有以下有益效果：

[0022] 本发明提供的静电卡盘，设置在卡盘本体中的电极组件可选择的与电源或射频源电连接，在对晶片进行加工工艺时，电极组件与电源电连接，将晶片吸附在卡盘本体的承载面上，实现静电卡盘对晶片的吸附，而在需要对卡盘本体进行清洗时，电极组件与射频(Radio Frequency，RF)源电连接，借助射频源向电极组件提供射频功率，以激发清洗气体形成等离子体，通过等离子体对卡盘本体的承载面进行轰击，使承载面上的杂质被等离子体刻蚀，以去除卡盘本体的承载面上的杂质，以实现静电卡盘的自清洁，从而避免静电卡盘丧失吸附能力无法对晶片进行吸附，延长静电卡盘的使用寿命，并且，静电卡盘无需拆装即可实现自清洁，从而提高静电卡盘及半导体加工设备的使用效率和利用率。

[0023] 本发明提供的半导体加工设备，借助本发明提供的静电卡盘，在对晶片进行加工工艺时吸附晶片，在需要对卡盘本体进行清洗时，激发工艺腔室内的清洗气体形成等离子体，实现静电卡盘的自清洁，去除卡盘本体的承载面上的杂质，从而避免静电卡盘丧失吸附能力无法对晶片进行吸附，延长静电卡盘的使用寿命，并且静电卡盘无需拆装即可实现自清洁，从而提高静电卡盘及半导体加工设备的使用效率和利用率。附图说明

[0024] 图1为本发明实施例提供的静电卡盘的结构示意图；

[0025] 图2为本发明实施例中第一电极和第二电极上方电场径向分布图；

[0026] 附图标记说明：

[0027] 11-卡盘本体；111-承载面；12-加热基座；13-第一电极；14-第二电极；15-电源；16-射频源；171-第一阻抗传感器；172-第二阻抗传感器；181-第一可变电感器；182-第二可变电感器；19-阻抗匹配器；211-第一电极导线；212-第二电极导线；221-第一射频导线；
222-第二射频导线；23-选择开关。

具体实施方式

[0028] 为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的静电卡盘及半导体加工设备进行详细描述。

[0029] 如图1和图2所示，本实施例提供一种静电卡盘，包括卡盘本体11、电极组件、电源15和射频组件，其中，卡盘本体11包括用于承载晶片的承载面111；射频组件包括用于提供射频功率的射频源16；电极组件设置在卡盘本体11中，并可选择的与电源15或射频源16电连接，在进行加工工艺时，电极组件与电源15电连接，以将晶片吸附在承载面111上；在对卡盘本体11进行清洗时，电极组件与射频组件电连接，以能够激发清洗气体形成等离子体。

[0030] 本实施例提供的静电卡盘，设置在卡盘本体11中的电极组件可选择的与电源15或射频源16电连接，在对晶片进行加工工艺时，电极组件与电源15电连接，将晶片吸附在卡盘本体11的承载面111上，实现静电卡盘对晶片的吸附，而在需要对卡盘本体11进行清洗时，电极组件与射频(Radio Frequency，RF)源16电连接，借助射频源16向电极组件提供射频功率，以激发清洗气体形成等离子体，通过等离子体对卡盘本体11的承载面111进行轰击，使承载面111上的杂质被等离子体刻蚀，以去除卡盘本体11的承载面111上的杂质，以实现静电卡盘的自清洁，从而避免静电卡盘丧失吸附能力无法对晶片进行吸附，延长静电卡盘的使用寿命，并且，静电卡盘无需拆装即可实现自清洁，从而提高静电卡盘及半导体加工设备的使用效率和利用率。

[0031] 具体的，卡盘本体11放置在加热基座12上，在对晶片进行加工工艺时，晶片放置在卡盘本体11的承载面111上，加热基座12用于对卡盘本体11进行加热，以对承载在卡盘本体11上的晶片进行加热，以满足加工工艺要求，电极组件与电源15电连接，且与射频源16断开电连接，以将晶片吸附在卡盘本体11的承载面111上。但在卡盘本体11的长期使用过程中，以及由于长期处于高温环境中，晶片和卡盘本体11内部的物质会产生挥发，这些挥发的物质会在卡盘本体11的承载面111上缓慢地产生一层主要由碳元素组成的杂质，由于碳元素具有导电性，这就会导致承载面111中的正负电荷被中和，导致晶片无法吸附在卡盘本体11的承载面111上。

[0032] 此时，就需要对卡盘本体11进行清洗，在对卡盘本体11进行清洗的过程中，电极组件与射频源16电连接，而与电源15断开电连接，卡盘本体11的承载面111上不放置晶片，使卡盘本体11的承载面111暴露在工艺腔中，并向工艺腔室内通入清洗气体，通过射频源向电极组件提供射频功率，以激发清洗气体形成等离子体，通过等离子体对卡盘本体11的承载面111的轰击，使承载面111上的杂质被等离子体刻蚀，以去除卡盘本体11的承载面111上的杂质，且通过卡盘本体11中的电极组件输出的射频功率，还可以吸引等离子体朝卡盘本体11轰击，以实现静电卡盘的自清洁，从而避免静电卡盘丧失吸附能力无法对晶片进行吸附，延长静电卡盘的使用寿命，并且，静电卡盘无需拆装即可实现自清洁，从而提高静电卡盘及半导体加工设备的使用效率和利用率。但是，在实际应用中，根据加工工艺的要求，加热基座12也可以不对卡盘本体11进行加热，或者不设置加热基座12。

[0033] 在本实施例中，工艺腔室内清洗气体的进入形式，可以采用现有技术中，清洗气体进入工艺腔室内的形式，例如采用清洗气体管路与工艺腔室连接的方式，通过清洗气体管路向工艺腔室内输送清洗气体。但是，在实际应用中，清洗气体进入工艺腔室内的形式并不限于此。

[0034] 在本实施例中，清洗气体包括氮气和/或惰性气体。惰性气体可以采用例如氩气，但是，在实际应用中，惰性气体的类型并不限于此。

[0035] 在本实施例中，电极组件通过电极导线与电源15电连接，射频组件还包括射频导线，射频导线分别与射频源16和电极导线电连接，且电极导线和射频导线上分别设置有选择开关23，且设置在电极导线上的选择开关23位于射频导线与电极导线电连接处的上游，选择开关23用于选择性的使电极导线电导通或射频导线电导通。

[0036] 具体的，在对晶片进行加工工艺时，电极导线上的选择开关23闭合，射频导线上的选择开关23打开，以将电源15与电极组件通过电极导线电导通，并断开射频源16与电极组件的电导通，从而使电源15提供的电流能够通过电极导线流至电极组件，以使卡盘本体11能够对晶片进行吸附。在需要对卡盘本体11进行清洗时，射频导线上的选择开关23闭合，电极导线上的选择开关23打开，而射频导线是与电极导线电连接，且射频导线与电极导线电连接处位于电极导线上的选择开关23的下游，以使射频源16通过射频导线和电极导线与电极组件电导通，并断开电源15与电极组件的电导通，从而使射频源16提供的射频功率能够通过射频导线和电极导线施加至电极组件，以使卡盘本体11能够激发清洗气体形成等离子体。但是，在实际应用中，射频导线也可以不通过电极导线与电极组件电连接，也可以直接与电极组件电连接，但是，这样还需要在卡盘本体11中开设供射频导线穿过的通道，从而增大了卡盘本体11的加工难度。

[0037] 在本实施例中，电极组件包括第一电极13和第二电极14，其中，第一电极13与电源15的正极电连接，第二电极14与电源15的负极电连接；射频源16与第一电极13和第二电极
14中至少一个电连接，用于向第一电极13和第二电极14中至少一个提供射频功率。

[0038] 具体的，第一电极13和第二电极14设置在卡盘本体11中，且第一电极13和第二电极14在水平方向上间隔设置，电源15通过第一电极导线211和第二电极导线212分别与第一电极13和第二电极14电连接，并在第一电极导线211和第二电极导线212中分别设置有选择开关23，以实现电源15与第一电极13和第二电极14的电连接，或断开电源15与第一电极13和第二电极14的电连接，电源15设置在卡盘本体11和加热基座12的外部，其正极通过第一电极导线211与卡盘本体11中的第一电极13实现电连接，负极通过第二电极导线212与卡盘本体11中的第二电极14实现电连接，第一电极导线211和第二电极导线212穿过加热基座12并伸入卡盘本体11中分别与第一电极13和第二电极14连接。射频源16设置在卡盘本体11和加热基座12的外部，并通过第一射频导线221和第二射频导线222分别与第一电极导线211和第二电极导线212电连接，以分别与第一电极13和第二电极14实现电连接，并在第一电极导线211和第二电极导线212中分别设置有选择开关23，以实现射频源16与第一电极13和第二电极14的电连接，或断开射频源16与第一电极13和第二电极14的电连接。但是，电源15与第一电极13和第二电极14电连接的方式，以及射频源16与第一电极13和第二电极14电连接的方式并不限于此。

[0039] 在进行晶片的加工工艺时，通过选择开关23接通电源15与第一电极13和第二电极14连接的电连接，使电源15能够向第一电极13和第二电极14进行供电，以使第一电极13上积聚正电荷，第二电极14上积聚负电荷，并断开射频源16与第一电极13和第二电极14的电连接。由于电荷异性相吸，这样就可以在晶片朝向承载面111的一面中靠近第一电极13的部分上积聚负电荷，靠近第二电极14的部分上积聚正电荷，从而依靠第一电极13中的正电荷与晶片中靠近第一电极13的部分中的负电荷相互吸引产生库仑力，依靠第二电极14中的负电荷与晶片中靠近第二电极14的部分中的正电荷相互吸引产生库仑力，以实现将晶片吸附在卡盘本体11上。

[0040] 在对卡盘本体11进行清洗的过程中，通过选择开关23接通射频源16与第一电极13和第二电极14的电连接，使射频源16输出的射频功率能够通过第一射频导线221和第一电极导线211传递至第一电极13，通过第二射频导线222和第二电极导线212传递至第二电极14中，从而通过第一电极13和第二电极14激发工艺腔室内的工艺气体形成等离子体，并断开电源15与第一电极13和第二电极14的电连接。在本实施例中，通过将射频源16与第一电极13和第二电极14均电连接，可以使工艺腔室内靠近第一电极13部分产生的等离子体与靠近第二电极14部分产生的等离子体的数量相同，并且可以均匀吸引等离子体朝卡盘本体11上处于第一电极13的部分和处于第二电极14的部分轰击，使承载面111上的杂质能够被等离子体均匀刻蚀，从而提高通过等离子体对卡盘本体11的承载面111清洗的均匀性，提高清洗效果及清洗效率，进而进一步延长静电卡盘的使用寿命，提高静电卡盘及半导体加工设备的使用效率和利用率。

[0041] 在实际应用中，射频源16也可以与第一电极13和第二电极14中的至少一个电连接，也能够激发工艺腔室内的工艺气体形成等离子体，并使等离子体对卡盘本体11的承载面111进行轰击。

[0042] 在本实施例中，射频源16与第一电极13和第二电极14均电连接，射频组件还包括调相器，调相器用于将第一电极13的阻抗和第二电极14的阻抗调节至相同。这样的设计是为了避免由于第一电极13和第二电极14的阻抗不同，导致等离子体对卡盘本体11中靠近第一电极13的部分和靠近第二电极14的部分轰击不均匀的情况，当第一电极13和第二电极14的阻抗不同时，二者向工艺腔室内等离子体中输出的射频功率会形成相位差，而相位差的存在，会使工艺腔室中卡盘本体11上方的电场不均匀。

[0043] 如图2所示，该图为第一电极13和第二电极14上方电场径向分布图，其纵坐标代表电场强度，横坐标代表第一电极13和第二电极14上方在径向上的位置，当电场不均匀时，电场强的位置等离子体对卡盘本体11的承载面111的刻蚀速度会高于电场低的位置等离子体对卡盘本体11的承载面111的刻蚀速度，这就会导致等离子体对卡盘本体11的承载面111刻蚀不均匀，从而导致清洗效果差，并且，当刻蚀速度慢的位置还没有将承载面111上的杂质完全刻蚀时，刻蚀速度快的位置已经对卡盘本体11进行刻蚀，导致卡盘本体11的损伤。

[0044] 而在本实施例中，通过调相器将第一电极13和第二电极14的阻抗调节至相同，使第一电极13和第二电极14向工艺腔室内等离子体中输出的射频功率不会形成相位差，以使工艺腔室中卡盘本体11上方的电场分布均匀，从而使等离子体对卡盘本体11的承载面111刻蚀均匀，进而提高清洗均匀性和清洗效果。

[0045] 在实际应用中，第一电极13和第二电极14的阻抗产生差异，主要是由于第一电极13与第二电极14的电感产生差异，而二者电感的差异主要是由于第一电极13和第二电极14采用印刷的方式设置在卡盘本体11内，二者表面形貌难以保证对称，从而导致二者产生电感的差异。

[0046] 在本实施例中，调相器包括控制单元和第一调相组件和第二调相组件，其中，第一调相组件分别与射频源16和第一电极13电连接，用于获取第一电极13的阻抗，并能够调节第一电极13的阻抗，第二调相组件与射频源16和第二电极14电连接，用于获取第二电极14的阻抗，并能够调节第二电极14的阻抗；控制单元与第一调相组件以及第二调相组件均电连接，用于接收第一电极13的阻抗和第二电极14的阻抗，并根据第一电极13的阻抗和第二电极14的阻抗，分别控制第一调相组件对第一电极13的阻抗进行调节，以及第二调相组件对对第二电极14的阻抗进行调节。

[0047] 具体的，第一调相组件包括第一阻抗传感器171和第一可变电感器181，第一可变电感器181与第一电极13电连接，以调节第一电极13的阻抗；第一阻抗传感器171与射频源16以及第一可变电感器181电连接，用于获取第一电极13的阻抗；第二调相组件包括第二阻抗传感器172和第二可变电感器182，第二可变电感器182与第二电极14电连接，以调节第二电极14的阻抗；第二阻抗传感器172与射频源16以及第二可变电感器182电连接，用于获取第二电极14的阻抗；控制单元与第一阻抗传感器171和第一可变电感器181以及第二阻抗传感器172和第二可变电感器182均电连接，用于根据接收的第一电极13的阻抗以及第二电极
14的阻抗，分别调节第一可变电感器181的电感以及第二可变电感器182的电感，从而能够将第一电极13的阻抗与第二电极14的阻抗调节至一致。

[0048] 在本实施例中，射频组件还包括阻抗匹配器19，阻抗匹配器19与射频源16和调相器电连接。具体的，阻抗匹配器19与射频源16、第一阻抗传感器171和第二阻抗传感器172电连接，阻抗匹配器19用于使射频源16输出的射频功率能够全部传输至第一电极13和第二电极14上，不会有射频功率反射回射频源16，从而提升射频源16的利用率，提高清洗效果及清洗效率。

[0049] 在本实施例中，射频源16提供的射频频率包括13.56MHz、400KHz和2MHz。但是，在实际应用中，射频源16提供的射频频率并不限于此。

[0050] 本实施例还提供一种半导体加工设备，包括工艺腔室和静电卡盘，其中，静电卡盘设置在所述工艺腔室中，并采用本实施例提供的静电卡盘，热静电卡盘能够在进行加工工艺时吸附晶片，或在对静电卡盘进行清洗时激发工艺腔室内的清洗气体形成等离子体。

[0051] 本实施例提供的半导体加工设备，借助本发明提供的静电卡盘，在对晶片进行加工工艺时吸附晶片，在需要对卡盘本体11进行清洗时，激发工艺腔室内的清洗气体形成等离子体，实现静电卡盘的自清洁，去除卡盘本体11的承载面111上的杂质，从而避免静电卡盘丧失吸附能力无法对晶片进行吸附，延长静电卡盘的使用寿命，并且静电卡盘无需拆装即可实现自清洁，从而提高静电卡盘及半导体加工设备的使用效率和利用率。

[0052] 综上所述，本实施例提供的静电卡盘及半导体加工设备，静电卡盘能够进行自清洁，以去除承载面111上的杂质，从而避免静电卡盘丧失吸附能力无法对晶片进行吸附，延长静电卡盘使用寿命，并且无需拆装即可实现自清洁，从而提高静电卡盘及半导体加工设备的使用效率和利用率。

[0053] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

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静电卡盘及半导体加工设备

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