晶片的加工方法
阅读：580发布：2020-05-08
专利汇可以提供晶片的加工方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供晶片的加工方法，能够抑制加工时间变长并且能够扩大器件区域。晶片的加工方法具备第1磨削步骤以及第2磨削步骤。在第1磨削步骤中，在作为与磨削装置的卡盘 工作台 的保持面垂直的方向的加工进给方向上移动第1磨具来对晶片(W)进行磨削，在晶片(W)的背面(WR)形成第1圆形凹部(R1)。在第2磨削步骤中，使由比第1磨具细的磨粒形成的第2磨具(34)从晶片(W)的中心侧朝向晶片(W)的外周沿倾斜方向下降，对第1圆形凹部(R1)进行磨削。，下面是晶片的加工方法专利的具体信息内容。
1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面上具备在通过形成为格子状的多条间隔道划分的区域内形成有器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，将所述晶片保持在卡盘工作台的保持面上并通过磨具对与该器件区域对应的背面的区域进行磨削，使该器件区域的厚度形成为规定的最终厚度，其特征在于，该晶片的加工方法具备如下步骤：
第1磨削步骤，在加工进给方向上移动第1磨具来对晶片进行磨削，在晶片的背面形成第1圆形凹部，所述加工进给方向是与该保持面垂直的方向；以及
第2磨削步骤，在实施该第1磨削步骤之后，使由比该第1磨具细的磨粒形成的第2磨具从晶片的中心侧朝向晶片的外周沿倾斜方向下降，对该第1圆形凹部进行磨削，在该第2磨削步骤中，使该第2磨具的末端外周倾斜地下降至与该第1圆形凹部的内周壁相比以规定的距离位于内侧、并且与该第1圆形凹部的底面相比以规定的距离位于上方的位置，对该第1圆形凹部的连接内周壁与底面的曲面部的一部分进行磨削，该晶片的加工方法进一步具备如下的第3磨削步骤：在实施该第2磨削步骤之后，在该加工进给方向上移动该第2磨具来对该第1圆形凹部的底面进行磨削，使该器件区域的厚度形成为规定的最终厚度。
晶片的加工方法
技术领域
[0001] 本发明涉及晶片的加工方法，尤其是涉及所谓的TAIKO磨削方法。
背景技术
[0002] 作为用于将半导体晶片磨削为极薄并且提高操作性的加工方法，公知有对半导体晶片的与器件区域对应的背面进行磨削来形成圆形凹部，而使环状凸部残留在外周部的磨削方法(例如，参照专利文献1以及专利文献2)。在本说明书中，将该磨削方法定义为TAIKO磨削。在TAIKO磨削中，通过粗磨削大致形成圆形凹部之后，出于提高器件区域的抗弯强度的目的，通过粒径较细的磨具对圆形凹部的底面进一步进行最终磨削。如果最终磨具与通过粗磨削形成的圆形凹部的内周壁发生碰撞，则最终磨具会磨损，或者在内周壁上产生崩裂，因此使最终磨具下降至比内周壁稍微靠近内侧的位置，以最终磨削速度从规定距离的上方对底面进行磨削。由于直至规定距离的上方的位置，最终磨具不进行磨削，因此以高速下降，缩短了加工时间。
[0003] 专利文献
[0004] 专利文献1：日本特开2009-176896号公报
[0005] 专利文献2：日本特开2008-42081号公报
发明内容
[0006] 由于将最终磨具相对于圆形凹部的内周壁定位于哪个位置决定了器件区域(芯片的量)，因此希望将最终磨具定位于尽可能靠近内周壁的位置。由于粗磨具因消耗产生的变形，因此圆形凹部的连接内周壁与底面的角成为曲面状，越是使最终磨具接近外周，越需要通过最终磨具对曲面部进行磨削。虽然曲面部的体积较小，但是如果以高速进行加工则会促进最终磨具因消耗产生的变形，结果，最终加工后的曲面部增大因此能够用作器件的区域变小。因此，以往通过最终磨具对与曲面部相比靠近内侧的部分进行磨削，会以使最终磨具从曲面部向内侧退避的量、以及最终磨具的变形量成为不能形成器件的区域。
[0007] 因此，研究了对曲面部进行磨削而将能够用作器件的区域扩大的方法，也研究了在通过曲面部时也以最终磨削速度下降的方法，但是存在如下课题：对于曲面部而言，由于在其高度为例如200μm左右的情况下，要对以最终磨削速度进行加工的下降距离加上200μm，因此加工时间变得很长。
[0008] 本发明是鉴于上述情况而完成的，提供一种晶片的加工方法，能够抑制加工时间变长并且扩大器件区域。
[0009] 为了解决上述课题并达成目的，本发明的晶片的加工方法中，该晶片在正面上具备在通过形成为格子状的多条间隔道划分的区域内形成有器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，将所述晶片保持在卡盘工作台的保持面上并通过磨具对与该器件区域对应的背面的区域进行磨削，使该器件区域的厚度形成为规定的最终厚度，该晶片的加工方法具备如下步骤：第1磨削步骤，在加工进给方向上移动第1磨具来对晶片进行磨削，在晶片的背面形成第1圆形凹部，所述加工进给方向是与该保持面垂直的方向；以及第2磨削步骤，在实施该第1磨削步骤之后，使由比该第1磨具细的磨粒形成的第2磨具从晶片的中心侧朝向晶片的外周沿倾斜方向下降，对该第1圆形凹部进行磨削。
[0010] 此外，在所述晶片的加工方法中，在该第2磨削步骤中，使该第2磨具的末端外周倾斜地下降至与该第1圆形凹部的内周壁相比以规定的距离位于内侧、并且与该第1圆形凹部的底面相比以规定的距离位于上方的位置，对该第1圆形凹部的连接内周壁与底面的曲面部的一部分进行磨削，该晶片的加工方法进一步具备如下的第3磨削步骤：在实施该第2磨削步骤之后，在该加工进给方向上移动该第2磨具来对该第1圆形凹部的底面进行磨削，使该器件区域的厚度形成为规定的最终厚度。
[0011] 因此，在本申请发明的晶片的加工方法中，在使第2磨具下降时，通过使第2磨具从晶片的中心侧的斜上方朝向晶片的外周倾斜地下降而实现了如下效果：能够抑制加工时间变长并且能够将晶片的与器件区域对应的背面的平坦区域扩大。附图说明
[0012] 图1是通过第1实施方式的晶片的加工方法而进行加工的晶片的立体图。
[0013] 图2是示出第1实施方式的晶片的加工方法的保持部件配设步骤的立体图。
[0014] 图3是实施第1实施方式的晶片的加工方法的磨削装置的主要部位的立体图。
[0015] 图4是示出第1实施方式的晶片的加工方法的第1磨削步骤的概要的侧视图。
[0016] 图5是示出第1实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤的概要的侧视图。
[0017] 图6是示出第1实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤的使第2磨具与第1圆形凹部的底面接触的状态的侧视图。
[0018] 图7是将图6中的VII部放大而示出的侧视图。
[0019] 图8是示出第1实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤的磨削至最终厚度的状态的侧视图。
[0020] 图9是示出第2实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤的概要的侧视图。
[0021] 图10是示出第2实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤后的概要的侧视图。
[0022] 图11是将图10中的XI部放大而示出的侧视图。
[0023] 图12是将第2实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤的概要放大而示出的侧视图。
[0024] 图13是将第2实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤后的概要放大而示出的侧视图。
[0025] 标号说明
[0026] 10：卡盘工作台；10a：保持面；24：第1磨具(磨具)；34：第2磨具(磨具)；D：器件；S：间隔道；T：最终厚度；W：晶片；W1：器件区域；W2：外周剩余区域；WS：正面；WR：背面；R1：第1圆形凹部；B1：底面；C1：曲面部；I1：内周壁。
具体实施方式
[0027] 参照附图并对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细的说明。本发明不被以下的实施方式中记载的内容而限定。此外，在以下所述的构成要素中，包含了本领域技术人员能够容易地推断出的构成要素、以及实质上等同的构成要素。进而，能够对以下所述的结构进行适当组合。此外，在不脱离本发明的主要内容的范围内，能够进行结构的各种省略、取代或者变更。
[0028] 〔第1实施方式〕
[0029] 基于附图对第1实施方式的晶片的加工方法进行说明。图1是通过第1实施方式的晶片的加工方法而进行加工的晶片的立体图。
[0030] 第1实施方式的晶片的加工方法(以下，简单记为加工方法)是对图1所示的晶片W进行加工的方法。
[0031] 通过第1实施方式的加工方法而进行加工的晶片W在第1实施方式中是以硅、蓝宝石、镓等为母材的圆板状的半导体晶片及光器件晶片。如图1所示，晶片W在正面WS上具备：器件区域W1，其在由形成为格子状的多个间隔道S划分的区域内形成有器件D；以及外周剩余区域W2，其围绕器件区域W1。另外，在图1中，为了方便而用点划线来表示器件区域W1与外周剩余区域W2的边界，但是实际上，在边界上不存在线。
[0032] 接下来，对加工方法进行说明。图2是示出第1实施方式的晶片的加工方法的保持部件配设步骤的立体图，图3是实施第1实施方式的晶片的加工方法的磨削装置的主要部位的立体图，图4是示出第1实施方式的晶片的加工方法的第1磨削步骤的概要的侧视图，图5是示出第1实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤的概要的侧视图，图6是示出第1实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤的使第2磨具与第1圆形凹部的底面接触的状态的侧视图，图7是将图6中的VII部放大而示出的侧视图，图8是示出第1实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤的磨削至最终厚度的状态的侧视图。
[0033] 第1实施方式的加工方法中是如下的方法：使晶片W保持于磨削装置1(在图3中示出)的卡盘工作台10的保持面10a，通过磨具24、34(在图4及图5中示出)对背面WR的与器件区域W1对应的区域进行磨削，使器件区域W1的厚度形成为规定的最终厚度T(在图8中示出)。如图3所示，磨削装置1具备：卡盘工作台10，其保持晶片W；第1磨削单元20，其对保持于卡盘工作台10上的晶片W实施第1磨削步骤；以及第2磨削单元30(在图5中示出)，其对保持于卡盘工作台10上的晶片W实施第2磨削步骤。
[0034] 卡盘工作台10是构成保持面10a的部分由多孔陶瓷材料等形成的圆盘形状，并且经由未图示的真空吸引通路与未图示的真空吸引源连接，通过吸引而对载置于保持面10a上的晶片W进行保持。另外，卡盘工作台10设置为在旋转驱动源(未图示)的作用下绕着与铅直方向的Z轴平行的轴心自由旋转。此外，在设置为绕着磨削装置1的轴心自由旋转的转台(未图示)上至少设置一个卡盘工作台10。
[0035] 如图3所示，第1磨削单元20是由绕着与铅直方向的Z轴平行的轴心旋转的未图示的主轴以及安装于主轴的下端的磨轮22构成的。主轴在主轴箱21内以自由旋转的方式设置，并在电机26的作用下绕着轴心旋转。此外，主轴即第1磨削单元20设置为通过未图示的加工进给机构而在Z轴方向上自由移动、并且设置为通过未图示的水平方向移动机构而在与水平方向平行的Y轴方向上自由移动。
[0036] 在加工方法中使用磨轮22，如图3所示，磨轮22具备圆盘状的第1磨具基座23以及多个第1磨具24。第1磨具基座23通过螺栓而安装在设于主轴末端的凸缘部25上。第1磨具24圆环状地安装在第1磨具基座23的下表面。由多个第1磨具24的外周缘所围成的圆的直径形成为比晶片W的半径小。例如，第1磨具24是由磨粒粒径为32～600左右的硬树脂或者陶瓷结合磨粒构成的粗磨削用的磨具。
[0037] 第2磨削单元30配置于第1磨削单元20的转台的旋转方向上的下游侧。如图5所示，第2磨削单元30由绕着与铅直方向的Z轴方向平行的轴心旋转的未图示的主轴以及安装于主轴的下端的磨轮32构成。主轴在未图示的主轴箱内以自由旋转的方式设置，并且在未图示的电机的作用下绕着轴心旋转。此外，主轴即第2磨削单元30设置为通过未图示的加工进给机构而在Z轴方向自由移动、并且设置为通过未图示的水平方向移动机构而在Y轴方向自由移动。
[0038] 在加工方法中使用磨轮32，如图5所示，磨轮32具备圆盘状的第2磨具基座33以及多个第2磨具34。第2磨具基座33通过螺栓而安装在设于主轴的末端的凸缘部35上。第2磨具34圆环状地安装于第2磨具基座33的下表面。由多个第2磨具34的外周缘所围成的圆的直径形成为比晶片W的半径小。例如，第2磨具34是由比第1磨具24的磨粒细的磨粒形成的最终磨削用的磨具。
[0039] 加工方法具备如下步骤：图2所示的保持部件配设步骤；图4所示的第1磨削步骤；以及图5所示的第2磨削步骤。如图2所示，保持部件配设步骤中，在晶片W的正面WS上粘贴与晶片W大致相同大小的圆板状的保持部件P，并进入第1磨削步骤。保持部件P使用例如在厚度为70～200μm左右的聚烯烃等柔软基材膜的单面上涂布厚度为5～20μm左右的粘合材料而形成的部件。
[0040] 在第1磨削步骤中，首先，将粘贴在晶片W的正面WS上的保持部件P载置在卡盘工作台10的保持面10a上，从而隔着保持部件P将晶片W的正面WS侧吸引保持于卡盘工作台10。然后，使卡盘工作台10绕着轴心旋转，并且使第1磨削单元20的第1磨具24绕着轴心旋转，并使转台旋转，而在晶片W的中心的上方使晶片W的背面的与外周剩余区域W2的内周缘对应的位置与第1磨轮22的第1磨具24的外周缘对置。
[0041] 并且，如图4所示，通过加工进给机构使第1磨具24向与作为垂直于保持面10a的方向的Z轴平行的加工进给方向移动(即，下降)，对晶片W进行磨削，在晶片W的背面WR形成与器件区域W1对应的第1圆形凹部R1。在第1磨削步骤中，以相对高速进行加工进给(即，下降)直至第1磨具24与晶片W的背面WR抵接，如果第1磨具24与晶片W的背面WR抵接，则以与抵接之前的速度相比低的速度进行加工进给(即，下降)。并且，在第1磨削步骤中，如果晶片W的第1圆形凹部R1的底部的厚度达到规定的厚度，则使第1磨削单元20上升，进入第2磨削步骤。
[0042] 另外，第1圆形凹部R1形成为平面形状为圆形，并且从晶片W的背面WR凹陷地形成。如图6以及图7所示，第1圆形凹部R1由以下部分构成：与保持面10a平行且平坦的底面B1；与底面B1的外缘相连的曲面部C1；以及与曲面部C1相连并且与保持面10a垂直的内周壁I1。曲面部C1连接内周壁I1与底面B1，并且形成为在底面B1与内周壁I1的双方之间不形成有棱线的曲面。
[0043] 在第2磨削步骤中，使转台旋转，将第2磨削单元30的第2磨具34定位于保持在卡盘工作台10上的晶片W的第1圆形凹部R1的上方，并且使第2磨削单元30的第2磨具34绕着轴心旋转。并且，如图5所示，通过加工进给机构和水平方向移动机构，使第2磨具34与保持面10a交叉、并且使第2磨具34从晶片W的中心侧朝向晶片W的外周沿倾斜方向下降，将第2磨具34推抵于第1圆形凹部R1内而对第1圆形凹部R1内进行磨削。
[0044] 具体而言，在第2磨削步骤中，使第2磨具34从晶片W的中心侧朝向晶片W的外周沿倾斜方向下降，如图6以及图7所示，使第2磨具34与第1圆形凹部R1的底面B1的靠近内周壁I1的外缘部抵接。然后，使第2磨具34进一步从晶片W的中心侧朝向晶片W的外周沿倾斜方向下降，如图8所示，通过第2磨具34的末端外周34a对曲面部C1进行磨削，通过第2磨具34对第1圆形凹部R1的底面B1进行磨削。如图8所示，如果使晶片W的器件区域W1的厚度形成为最终厚度T，则使第2磨削单元30上升。另外，同样在第2磨削步骤中，以相对高速进行加工进给(即，下降)直至第2磨具34与第1圆形凹部R1的底面B1抵接，如果第2磨具34与第1圆形凹部R1的底面B1抵接，则以与抵接之前的速度相比低的速度进行加工进给(即，下降)。另外，期望第2磨具34与第1圆形凹部R1的底面B1抵接之后的Z轴方向的第2磨具34的加工进给速度与只在Z轴方向对第2磨具34进行加工进给的以往的加工进给速度相同。
[0045] 在第2磨削步骤之后的晶片W上，如图8所示，在第1圆形凹部R1的内侧形成有第2圆形凹部R2。第2圆形凹部R2形成为平面形状为圆形，并且从第1圆形凹部R1的底面B1凹陷地形成。如图8所示，第2圆形凹部R2由以下部分构成：与保持面10a平行且平坦的第2底面B2；与第2底面B2的外缘相连的第2曲面部C2；以及与第2曲面部C2相连并且与保持面10a垂直并且与第1圆形凹部R1的曲面部C1连接的内周面I2。第2曲面部C2连接内周面I2与第2底面B2，并且形成为在第2底面B2与内周面I2的双方之间不形成有棱线的曲面。第2曲面部C2的曲率半径形成为比使第2磨具34与Z轴平行地下降的情况下的该曲率半径小。
[0046] 然后，磨削装置1使转台旋转，将实施了第2磨削步骤的晶片W从卡盘工作台10取下，将没有实施第1磨削步骤以及第2磨削步骤的晶片W保持于卡盘工作台10，与先前同样地按顺序实施第1磨削步骤以及第2磨削步骤。
[0047] 根据第1实施方式的加工方法，由于在使第2磨具34下降至尽可能靠近第1圆形凹部R1的内周壁I1的底面B1时，使第2磨具34从晶片W的中心侧朝向外周沿倾斜方向下降，因此，第2磨具34的末端外周34a被从晶片W的中心侧朝向外周沿倾斜方向推抵于曲面部C1。由此，与使第2磨具34与Z轴平行地下降的情况相比，使第2磨具34以相对高速下降直至与底面B1接触，虽然借助第2磨具34对曲面部C1稍微进行了磨削，也能够抑制第2磨具34的磨损(变形)。因此，能够使第2圆形凹部R2的第2曲面部C2的曲率半径形成为比使第2磨具34与Z轴平行地下降的情况下的曲率半径小。因而，根据第1实施方式的加工方法，实现了如下效果：抑制了加工时间变长、最终磨削后形成的第2圆形凹部R2的第2底面B2变宽广、能够使晶片W的与器件区域W1对应的晶片的背面的平坦区域(即，第2底面B2)变宽广。
[0048] 〔第2实施方式〕
[0049] 基于附图对第2实施方式的晶片的加工方法进行说明。图9是示出第2实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤的概要的侧视图，图10是示出第2实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤后的概要的侧视图，图11是将图10中的XI部放大而示出的侧视图，图12是将第2实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤的概要放大而示出的侧视图，图13是将第2实施方式的晶片的加工方法的第2磨削步骤后的概要放大而示出的侧视图。另外，在图9～图13中，对与第1实施方式相同的部分赋予相同标号并省略说明。
[0050] 第2实施方式的晶片的加工方法(以下，简单记作加工方法)具备：与第1实施方式的加工方法同样的保持部件配设步骤以及第1磨削步骤；图9等所示的第2磨削步骤；以及图12所示的第3磨削步骤。
[0051] 第2实施方式的加工方法的第2磨削步骤中，与第1实施方式同样地，使转台旋转，将第2磨削单元30的第2磨具34定位在保持于卡盘工作台10上的晶片W的第1圆形凹部R1的上方，并且使第2磨削单元30的第2磨具34绕着轴心旋转。并且，通过加工进给机构及水平方向移动机构，如图9所示，使第2磨具34与保持面10a交叉，并且使第2磨具34从晶片W的中心侧朝向晶片W的外周沿倾斜方向下降，将第2磨具34推抵于第1圆形凹部R1内而对第1圆形凹部R1内进行磨削。
[0052] 具体而言，在第2实施方式的第2磨削步骤中，使第2磨具34的末端外周34a从晶片W的中心侧朝向晶片W的外周倾斜地下降，直至其到达与第1圆形凹部R1的内周壁I1相比稍微内侧并且与第1圆形凹部R1的底面B1相比稍微上方的位置，如图10以及图11所示，通过第2磨具34的末端外周34a对与第1圆形凹部R1的内周壁I1以及底面B1相连的曲面部C1的一部分进行磨削。然后，进入第3磨削步骤。另外，同样在第2实施方式的加工方法的第2磨削步骤中，以相对高速进行加工进给(即，下降)直至第2磨具34对第1圆形凹部R1的曲面部C1进行磨削。
[0053] 在第3磨削步骤中，在实施第2磨削步骤之后，如图12所示，通过加工进给机构使第2磨具34沿着与Z轴平行的加工进给方向移动，通过第2磨具34的末端外周34a对第1圆形凹部R1的曲面部C1进一步地进行磨削，并且通过第2磨具34对第1圆形凹部R1的底面B1进行磨削。并且，如果对第1圆形凹部R1的曲面部C1以及底面B1进行磨削而使器件区域W1的厚度形成为规定的最终厚度T(图13所示)，则使第2磨削单元30上升。另外，同样在第3磨削步骤中，也以比在第2磨削步骤中第2磨具34对第1圆形凹部R1的曲面部C1进行磨削之前的速度低的速度进行加工进给(即，下降)。
[0054] 在第3磨削步骤后的晶片W上，如图13所示，在第1圆形凹部R1的内侧形成有第2圆形凹部R2。第2圆形凹部R2形成为平面形状为圆形，并且从第1圆形凹部R1的底面B1凹陷地形成。如图13所示，第2圆形凹部R2由以下部分构成：与保持面10a平行且平坦的第2底面B2；与底面B1的外缘相连的第2曲面部C2；以及与第2曲面部C2相连并且与保持面10a垂直并且与第1圆形凹部R1的曲面部C1相连的内周面I2。第2曲面部C2连接内周面I2与第2底面B2，并且形成为第2底面B2与内周面I2的双方之间不形成有棱线的曲面。第2曲面部C2的曲率半径形成为比使第2磨具34与Z轴平行地下降的情况下的曲率半径小。
[0055] 然后，磨削装置1使转台旋转，将实施了第3磨削步骤的晶片W从卡盘工作台10取下，将没有实施第1磨削步骤、第2磨削步骤以及第3磨削步骤的晶片W保持于卡盘工作台10上，与先前同样地按顺序进行第1磨削步骤、第2磨削步骤以及第3磨削步骤。
[0056] 根据第2实施方式的加工方法，在使第2磨具34下降至与第1圆形凹部R1的内周壁I1尽可能靠近的曲面部C1时，由于使第2磨具34从晶片W的中心侧朝向外周沿倾斜方向下降，因此第2磨具34的末端外周34a被从晶片W的中心侧朝向外周沿倾斜方向推抵于曲面部C1。由此，与使第2磨具34与Z轴平行地下降的情况相比，以相对高速使其下降直至第2磨具34与底面B1接触，虽然通过第2磨具34对曲面部C1稍微进行磨削，也能够抑制第2磨具34的磨损(变形)。进而，在第3磨削步骤中，与Z轴平行地对第2磨具34进行加工进给。因此，能够使第2圆形凹部R2的第2曲面部C2的曲率半径形成为比使第2磨具34与Z轴平行地下降的情况下的曲率半径小。因而，根据第2实施方式的加工方法，实现了如下效果：抑制了加工时间变长、在最终磨削后形成的第2圆形凹部R2的第2底面B2变宽广、能够使晶片W的与器件区域W1对应的晶片的背面的平坦区域(即，第2底面B2)变宽广。
[0057] 接下来，本发明的发明人对所述的第1实施方式以及第2实施方式的加工方法的效果进行了确认。确认时，在直径为200mm的晶片W的背面WR上以具有厚度为2.5mm的内周壁I1的方式形成第1圆形凹部R1之后，以器件区域W1的厚度成为50μm的方式，对根据本发明品1(第1实施方式相当品)、本发明品2(第2实施方式相当品)以及比较例(现有技术相当品)的加工方法通过第2磨具34来形成第2圆形凹部R2时的第2圆形凹部R2的第2底面B2的直径以及第2曲面部C2的曲率半径进行测定。使用了由与本发明品1、本发明品2以及比较例同样的陶瓷结合而构成的第2磨具34。其结果，与比较例(现有技术相当品)相比，在本发明品1(第1实施方式相当品)的情况下能够确认第2底面B2的直径扩大0.7mm，在本发明品2(第2实施方式相当品)的情况下能够确认第2底面B2的直径扩大1mm。
[0058] 因此，明确可知在第2磨削步骤中，通过使第2磨具34从晶片W的中心侧朝向外周沿倾斜方向移动，从而第2磨具34的末端外周34a不容易磨损，能够扩大器件区域W1。
[0059] 另外，本发明不限于上述实施方式。即，在不脱离本发明的主旨的范围内能够实施各种变形。
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