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卡盘工作台和晶片的加工方法

阅读：815发布：2020-05-08

专利汇可以提供卡盘工作台和晶片的加工方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供卡盘工作台和晶片的加工方法，在对晶片进行半切割的情况下，与具有多孔板的卡盘工作台相比，可降低切削屑的问题，降低保持面所吸引保持的晶片的凹凸。该切削装置的卡盘工作台是一边向晶片的表面供给切削液一边使切削刀具切入，形成未到达晶片的与表面相反一侧的背面的切削槽的切削装置的卡盘工作台，其中，该卡盘工作台具备保持晶片的保持面；外周吸引孔，其在被晶片覆盖的保持面的一部分中设置于与晶片的外周部对应的位置；以及吸引路，其与外周吸引孔连接，使源自吸引源的负压作用于外周吸引孔，除了外周吸引孔以外的持面由非多孔质材料构成。，下面是卡盘工作台和晶片的加工方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种切削装置的卡盘工作台，该切削装置一边向晶片的表面供给切削液一边使切削刀具切入，形成未到达该晶片的与该表面相反一侧的背面的切削槽，该卡盘工作台的特征在于，其具备：
保持该晶片的保持面；
外周吸引孔，其在被该晶片覆盖的该保持面的一部分中设置于与该晶片的外周部对应的位置；以及
吸引路，其与该外周吸引孔连接，使源自吸引源的负压作用于该外周吸引孔，除了该外周吸引孔以外的该保持面由非多孔质材料构成。
2.如权利要求1所述的切削装置的卡盘工作台，其特征在于，该卡盘工作台还具备：
喷出口，其位于该保持面的比该外周吸引孔靠中央部侧的位置，与该晶片的中央部对应地设置，在将该晶片从该保持面剥离时喷出流体；以及
流体供给路，其将该喷出口与流体供给源连接。
3.如权利要求1或2所述的切削装置的卡盘工作台，其特征在于，该外周吸引孔以环状设置于该保持面。
4.如权利要求1～3中任一项所述的切削装置的卡盘工作台，其特征在于，该保持面由非多孔质的金属、玻璃或陶瓷中的任意一种形成。
5.一种晶片的加工方法，其对切削装置的卡盘工作台所保持的晶片进行加工，其特征在于，
该卡盘工作台具有：保持该晶片的保持面；外周吸引孔，其在被该晶片覆盖的该保持面的一部分中设置于与该晶片的外周部对应的位置；以及吸引路，其与该外周吸引孔连接，使源自吸引源的负压作用于该外周吸引孔，除了该外周吸引孔以外的该保持面由非多孔质材料构成，
该晶片的加工方法具备切削槽形成步骤，一边向该卡盘工作台所保持的该晶片的表面供给切削液一边使切削刀具切入，形成未到达该晶片的与该表面相反一侧的背面的切削槽。
6.如权利要求5所述的晶片的加工方法，其特征在于，
该卡盘工作台还具有：
喷出口，其位于该保持面的比该外周吸引孔靠中央部侧的位置，与该晶片的中央部对应地设置，在将该晶片从该保持面剥离时喷出流体；以及
流体供给路，其将该喷出口与流体供给源连接，
该晶片的加工方法还具备剥离搬送步骤，在该切削槽形成步骤后，从该喷出口喷出该流体而将该晶片从该保持面剥离，剥离后利用配置在该卡盘工作台的上方的搬送单元搬送该晶片。
7.如权利要求6所述的晶片的加工方法，其特征在于，从该喷出口喷出的该流体为水。

说明书全文

卡盘工作台和晶片的加工方法

技术领域

[0001] 本发明涉及保持晶片时所使用的卡盘工作台以及使用了该卡盘工作台的晶片的加工方法。

背景技术

[0002] 在将表面侧形成有多个器件的晶片分割成与各器件对应的多个器件芯片的情况下，有时使用在对晶片的背面侧进行磨削后利用切削刀具切削晶片来进行分割的加工方法。但是，在利用切削刀具对磨削后的薄晶片进行分割时，晶片容易产生被称为崩边的缺损，因此器件芯片的强度(抗弯强度)容易降低。

[0003] 因此开发出了下述的加工方法：在晶片的表面侧利用切削刀具形成深度超过磨削后的晶片的完工厚度且不超过磨削前的晶片的厚度的槽后(即，将晶片半切割后)，对晶片的背面侧进行磨削，由此将晶片分割成器件芯片。

[0004] 该加工方法被称为先切割(DBG：Dicing Before Grinding，先切割后研磨)加工(例如参照专利文献1)。与在对晶片的背面侧磨削后利用切削刀具进行分割的加工方法相比，DBG加工能够抑制在晶片的背面侧产生的崩边，因此能够提高从晶片分割得到的芯片的抗弯强度。

[0005] 另外，在利用切削刀具对晶片进行切削的情况下，晶片通常被吸引保持在多孔卡盘工作台的保持面。常规的多孔卡盘工作台具有：基台部，其由非多孔质的金属形成，具有圆板状的凹部；以及多孔质的多孔板，其嵌入该凹部，具有比晶片小的直径。

[0006] 在采用DBG加工对晶片进行半切割时，由于晶片尚未被分割成器件芯片，因而通常在晶片与多孔卡盘工作台之间未夹设划片带而使晶片的背面与多孔卡盘工作台的保持面接触。

[0007] 晶片的背面与多孔板的表面和基台部的包围凹部的平坦部的一部分接触，多孔板的表面与基台部的平坦部的一部分成为多孔卡盘工作台的保持面。并且，通过从设置于多孔卡盘工作台的下部的吸引源经由多孔板而作用的负压，利用保持面对晶片进行吸引保持。此时，可能在晶片的背面和基台部的位于凹部的周围的平坦部之间稍微形成间隙。

[0008] 该间隙有时会成为异物向多孔板中侵入的路径。例如，在对晶片进行半切割时，向切削刀具供给切削液，并且使切削刀具从晶片的表面侧切入至规定深度，使晶片与切削刀具相对移动，但有时切削中使用的切削液的一部分与由于切削产生的切削屑一起流出到晶片的周围，从该间隙被吸引到多孔板中。

[0009] 现有技术文献

[0010] 专利文献

[0011] 专利文献1：日本特开2003-7653号公报

发明内容

[0012] 发明所要解决的课题

[0013] 多孔板通常由包含具有μm级细孔的陶瓷等的多孔质材料形成，因此包含切削屑的切削液被吸引到多孔板中时，切削屑滞留在多孔板的细孔中，由此使多孔卡盘工作台的吸引力降低。因此，需要更换多孔板或者将卡盘工作台更换成新品。另外，被吸引到多孔板中的切削屑有时会附着在晶片的背面。

[0014] 另外，在通过经由由多孔质材料形成的多孔板而作用的负压，利用保持面进行保持的晶片中，容易反映卡盘工作台中的多孔板的表面的凹凸。在晶片中产生由该凹凸引起的变形的情况下，切削晶片的精度会降低。

[0015] 本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于，在对晶片进行半切割的情况下，与具有多孔板的卡盘工作台相比，可降低切削屑的问题，降低保持面所吸引保持的晶片的凹凸。

[0016] 用于解决课题的手段

[0017] 根据本发明的一个方式，提供一种切削装置的卡盘工作台，该切削装置一边向晶片的表面供给切削液一边使切削刀具切入，形成未到达该晶片的与该表面相反一侧的背面的切削槽，其中，该卡盘工作台具备：保持该晶片的保持面；外周吸引孔，其在被该晶片覆盖的该保持面的一部分中设置于与该晶片的外周部对应的位置；以及吸引路，其与该外周吸引孔连接，使源自吸引源的负压作用于该外周吸引孔，除了该外周吸引孔以外的该保持面由非多孔质材料构成。

[0018] 另外，优选卡盘工作台还具备：喷出口，其位于该保持面的比该外周吸引孔靠中央部侧的位置，与该晶片的中央部对应地设置，在将该晶片从该保持面剥离时喷出流体；以及流体供给路，其将该喷出口与流体供给源连接。

[0019] 另外，优选该外周吸引孔以环状设置于该保持面。

[0020] 另外，优选该保持面由非多孔质的金属、玻璃或陶瓷中的任意一种形成。

[0021] 另外，根据本发明的其他方式，提供一种晶片的加工方法，其对切削装置的卡盘工作台所保持的晶片进行加工，其中，该卡盘工作台具有：保持该晶片的保持面；外周吸引孔，其在被该晶片覆盖的该保持面的一部分中设置于与该晶片的外周部对应的位置；以及吸引路，其与该外周吸引孔连接，使源自吸引源的负压作用于该外周吸引孔，除了该外周吸引孔以外的该保持面由非多孔质材料构成，该晶片的加工方法具备切削槽形成步骤，一边向该卡盘工作台所保持的该晶片的表面供给切削液一边使切削刀具切入，形成未到达该晶片的与该表面相反一侧的背面的切削槽。

[0022] 另外，优选该卡盘工作台还具有：喷出口，其位于该保持面的比该外周吸引孔靠中央部侧的位置，与该晶片的中央部对应地设置，在将该晶片从该保持面剥离时喷出流体；以及流体供给路，其将该喷出口与流体供给源连接，该晶片的加工方法还具备剥离搬送步骤，在该切削槽形成步骤后，从该喷出口喷出该流体而将该晶片从该保持面剥离，剥离后利用配置在该卡盘工作台的上方的搬送单元搬送该晶片。

[0023] 另外，优选从该喷出口喷出的该流体为水。

[0024] 发明效果

[0025] 在本发明的一个方式的切削装置的卡盘工作台中，能够利用设置在与晶片的外周部对应的位置的外周吸引孔对晶片进行吸引保持。另外，除外周吸引孔以外的保持面由非多孔质材料构成，因此切削屑不会滞留在细孔中，而且与具有多孔板的卡盘工作台相比，能够降低保持面所吸引保持的晶片中产生的凹凸。附图说明

[0026] 图1是示出第1实施方式的加工装置的构成例的立体图。

[0027] 图2的(A)是卡盘工作台和晶片的立体图，图2的(B)是卡盘工作台所吸引保持的晶片的立体图。

[0028] 图3是示出将晶片半切割时的状态的局部剖面侧视图。

[0029] 图4是示出搬送半切割后的晶片时的状态的局部剖面侧视图。

[0030] 图5是第2实施方式的卡盘工作台和晶片的立体图。

[0031] 图6是第3实施方式的卡盘工作台等的局部剖面侧视图。

具体实施方式

[0032] 参照附图，对本发明的一个方式的实施方式进行说明。图1是示出第1实施方式的切削装置2的构成例的立体图。如图1所示，切削装置2具备支承各结构的基台4。

[0033] 在基台4的前方的角部设置有俯视时为矩形状的开口4a，在该开口4a内可升降地设置有盒载置台6。在盒载置台6的上表面载置有收纳多个晶片11的长方体状的盒8。需要说明的是，图1中，为了便于说明，仅示出了盒8的轮廓。

[0034] 晶片11例如是由硅等材料形成的大致圆形的板状基板，其表面11a(图1中上表面)侧具有中央的器件区域和包围器件区域的外周剩余区域。

[0035] 器件区域利用排列成格子状的分割预定线(间隔道)进一步划分成多个区域，在各区域形成有IC等器件15。另外，在晶片11的外周边形成有表示晶体取向的切口部17。

[0036] 需要说明的是，对于晶片11的材质、形状、结构、尺寸等没有限制。例如，也可以使用由砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)等构成的半导体基板、树脂基板、陶瓷基板等作为晶片11。同样地，对于器件15的种类、数量、形状、结构、尺寸、配置等也没有限制。

[0037] 在盒载置台6的侧方设置有在X轴方向(前后方向、加工进给方向)上较长的矩形形状的开口4b。在该开口4b内设置有X轴移动工作台10、使X轴移动工作台10沿X轴方向移动的X轴移动机构(加工进给单元)(未图示)、以及覆盖X轴移动机构的波纹状的防尘防滴罩12。

[0038] X轴移动机构具备平行于X轴方向的一对X轴导轨(未图示)，X轴移动工作台10可滑动地设置在X轴导轨上。在X轴移动工作台10的下表面侧设置有螺母部(未图示)，该螺母部以可旋转的方式连接有与X轴导轨平行的X轴滚珠丝杠(未图示)。

[0039] X轴脉冲电动机(未图示)与X轴滚珠丝杠的一个端部连结。通过利用X轴脉冲电动机使X轴滚珠丝杠旋转，X轴移动工作台10沿着X轴导轨在X轴方向移动。

[0040] 在X轴移动工作台10的上方设置有吸引保持晶片11的卡盘工作台14。卡盘工作台14与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，绕着平行于Z轴方向(铅直方向)的旋转轴旋转。另外，卡盘工作台14利用上述X轴移动机构在X轴方向进行加工进给。

[0041] 卡盘工作台14的表面(即上表面)成为吸引保持晶片11的与表面11a相反一侧的背面11b的保持面14a。该保持面14a通过设置于卡盘工作台14的内部的吸引路14d与吸引源44(参照图3和图4等)连接。

[0042] 在切削装置2中的与开口4b接近的位置设置有将上述晶片11从盒8中取出并搬送至卡盘工作台14的搬送装置16。晶片11按照表面11a侧向上方露出的方式利用搬送装置16吸引背面11b侧而保持在搬送装置16上。搬送装置16将所保持的晶片11搬送至第1搬送单元24的正下方。

[0043] 在基台4的上表面以横跨开口4b的方式配置有门型的第1支承结构18。在第1支承结构18的前表面固定有与Y轴方向(左右方向、分度进给方向)平行的第1导轨20，第1搬送单元24借助第1升降单元22与该第1导轨20连结。

[0044] 第1搬送单元24在与第1升降单元22相反的一侧具有吸引晶片11的吸引面24a(参照图4)。在吸引面24a设置有用于按照非接触方式吸附晶片11的表面11a的吸引垫24b。

[0045] 吸引垫24b为所谓的伯努利卡盘，通过朝向位于下方的晶片11喷射空气而在吸引垫24b的底部与晶片11之间形成空气的流动，由此产生用于吸引晶片11的负压。在基于负压的吸引力与源自吸引垫24b的空气的喷射压力和晶片11的重力平衡的位置，利用吸引垫24b按非接触方式对晶片11进行吸引保持。

[0046] 第1搬送单元24通过第1升降单元22在Z轴方向移动，沿着第1导轨20在Y轴方向移动。通过搬送装置16从盒8搬送的晶片11被交接至第1搬送单元24，配置在卡盘工作台14上。

[0047] 在第1支承结构18的前表面，在第1导轨20的上方固定有平行于Y轴方向的第2导轨26，第2搬送单元30借助第2升降单元28与该第2导轨26连结。第2搬送单元30通过第2升降单元28在Z轴方向移动，沿着第2导轨26在Y轴方向移动。

[0048] 第2搬送单元30与第1搬送单元24同样地在与第2升降单元28相反的一侧具有吸引晶片11的吸引面(未图示)。吸引面具有多个吸引垫(未图示)，该多个吸引垫分别具有圆筒形状，能够按非接触方式吸引保持晶片11。

[0049] 在第1支承结构18的后方配置有门型的第2支承结构32。在第2支承结构32的前表面分别借助移动单元34设置有2组刀具单元36。刀具单元36通过移动单元34在Y轴方向和Z轴方向移动。

[0050] 各刀具单元36具备被支承为能够旋转的主轴36a(参照图3)。圆环状的切削刀具38安装在主轴36a的一端侧。在主轴36a的另一端侧分别连结有电动机(未图示)，切削刀具38通过从电动机传递的旋转力而旋转。通过使切削刀具38旋转而使该切削刀具38切入卡盘工作台14所吸引保持的晶片11，能够对晶片11进行加工。

[0051] 在相对于开口4b而与开口4a相反一侧的位置设置有圆形状的开口4c。在开口4c内配置有对晶片11进行清洗的清洗单元40。利用切削刀具38加工后的晶片11利用第2搬送单元30搬送到清洗单元40。利用清洗单元40清洗后的晶片11从第1搬送单元24交接至搬送装置16并搬入到盒8中。

[0052] 接着，对配置在X轴移动工作台10上的卡盘工作台14的构成进行说明。图2的(A)是晶片11和卡盘工作台14的立体图，图2的(B)是卡盘工作台14所吸引保持的晶片11的立体图。

[0053] 卡盘工作台14具有直径大于晶片11的保持面14a。例如，在对直径300mm的晶片11进行切削的情况下，卡盘工作台14的保持面14a的直径为310mm。

[0054] 卡盘工作台14的保持面14a(其中不包括后述的外周吸引孔14b和喷出口14c)由非多孔质的金属、玻璃或陶瓷形成。通过使保持面14a由致密的材料(即，非多孔质材料)形成，在利用保持面14a对晶片11进行吸引保持的情况下，与具有多孔板的卡盘工作台相比，能够降低晶片11中产生的凹凸。

[0055] 在将卡盘工作台14的保持面14a的中心与晶片11的中心对位而将晶片11配置在保持面14a的情况下，保持面14a的一部分被晶片11覆盖。在被该晶片11覆盖的区域设置有吸引保持晶片11的外周吸引孔14b。

[0056] 该外周吸引孔14b以环状设置在与晶片11的外周部11c对应的位置。外周吸引孔14b例如设置在与晶片11的外周剩余区域对应的区域，也可以设置在与晶片11的器件区域对应的区域的一部分。

[0057] 在将保持面14a的中心与晶片11的中心对位而将晶片11配置在保持面14a上的情况下，外周吸引孔14b位于晶片11的外周部11c的内侧。本实施方式的外周吸引孔14b是一个连续的环状的孔，具有292mm的外径。另外，由于外周吸引孔14b具有1mm以上2mm以下的宽度，因而具有290mm以上291mm以下的内径。

[0058] 需要说明的是，若外周吸引孔14b的宽度过大，则在通过外周吸引孔14b吸引晶片11的情况下，晶片11发生挠曲，难以控制利用刀具单元36在晶片11形成的切削槽11d(参照图4)的深度。因此，外周吸引孔14b的宽度优选为2mm以下。

[0059] 在将保持面14a的中心与晶片11的中心对位而将晶片11配置在保持面14a上的情况下，晶片11的外周部11c位于外周吸引孔14b的外径与卡盘工作台14的外周端部之间。外周吸引孔14b的外缘距离卡盘工作台14的外周端部例如为5mm到6mm的程度。

[0060] 吸引路14d与外周吸引孔14b连接，吸引路14d经由电磁阀42与吸引源44连接(参照图3)。通过使电磁阀42为打开状态，能够使源自吸引源44的负压作用于外周吸引孔14b，通过源自外周吸引孔14b的负压，利用保持面14a对晶片11进行吸引保持。

[0061] 需要说明的是，在卡盘工作台14的保持面14a，在比外周吸引孔14b靠中央部侧的位置未设置吸引晶片11的环状的吸引孔。另外，也未设置与器件芯片大致等同的格子状的槽或吸引孔。

[0062] 另外，对于本实施方式的卡盘工作台14，可以利用非多孔质的金属、玻璃、陶瓷等单一的材料来制造卡盘工作台14整体。因此，与使用多孔板和金属制造的基台部这两者来制造卡盘工作台14的情况相比，能够降低制造成本。其中，关于卡盘工作台14的材料，只要为非多孔质材料即可，并不限于金属、玻璃或陶瓷。

[0063] 非多孔质的金属、玻璃或陶瓷的气体透过性显著低于多孔板。因此，对于像本实施方式这样由非多孔质材料形成的卡盘工作台14，在没有有意地形成外周吸引孔14b等贯通孔的情况下，无法使源自吸引源44的负压作用于配置在保持面14a上的晶片11。

[0064] 换言之，由非多孔质材料形成的本实施方式的卡盘工作台14不像多孔板那样具有从保持面连接到保持面的相反侧的面的μm级的细孔，取而代之，具有与吸引路14d连接的mm级的吸引孔。

[0065] 本实施方式的保持面14a不是由具有μm级的细孔的多孔质材料、而是由非多孔质的金属等形成，因此不会发生在多孔板的细孔中滞留切削屑的情况。因此，能够防止切削屑附着在晶片11的背面11b。

[0066] 另外，由于本实施方式的外周吸引孔14b具有1mm以上的宽度，因此即使切削屑等从配置在保持面14a上的晶片11的背面11b与保持面14a之间的微小的间隙被吸引到外周吸引孔14b中，与多孔板的情况相比，切削屑也不容易滞留在外周吸引孔14b中。

[0067] 本实施方式的卡盘工作台14还具有位于保持面14a的比外周吸引孔14b靠中央部侧的位置的喷出口14c。在使保持面14a的中心与晶片11的中心对位而将晶片11配置在保持面14a上的情况下，设置成喷出口14c与晶片11的中央部相对应。本实施方式的喷出口14c位于圆形的保持面14a的大致中心，是具有1mm到6mm的程度的直径的孔的开口部。

[0068] 需要说明的是，本实施方式的喷出口14c也可以在保持面14a的中心附近的周围设置2个以上。例如，可以夹着保持面14a的中心位置设置2个喷出口14c，也可以以保持面14a的中心位置作为对称中心将3个喷出口14c按照三重对称的方式配置。

[0069] 除此以外，也可以在保持面14a的中心附近的周围设置4个以上的喷出口14c。这种情况下，4个以上的喷出口14c以保持面14a的中心位置作为对称中心按照N重对称(N为4以上的自然数)的方式不连续地配置在保持面14a的中心附近的圆周上。

[0070] 喷出口14c与设置在卡盘工作台14的内部的流体供给路14e连接，流体供给路14e经由电磁阀46与流体供给源48连接(参照图3)。通过使电磁阀46成为打开状态，能够从流体供给源48向喷出口14c供给水、空气、或者水和空气的混合物等流体。

[0071] 本实施方式中，在从保持面14a剥离晶片11时，与吸引源44连接的电磁阀42成为关闭状态、与流体供给源48连接的电磁阀46成为打开状态。由此，水等流体从喷出口14c向保持面14a上的晶片11喷出。

[0072] 流体按照从喷出口14c上推的方式喷出时，在保持面14a与晶片11的背面11b之间会产生间隙，因此容易利用第1搬送单元24的吸引垫24b将晶片11从保持面14a提起。

[0073] 接着，说明对卡盘工作台14所吸引保持的晶片11进行切削的晶片11的加工方法。图3是示出对晶片11进行半切割时的状态的局部剖面侧视图。需要说明的是，图3中，用简化的符号示出了吸引路14d、流体供给路14e、电磁阀42和46、吸引源44以及流体供给源48。

[0074] 本实施方式中，使用上述的刀具单元36对晶片11进行半切割。刀具单元36具有按照夹着切削刀具38的两面的方式设置的分别为大致圆筒形状的一对喷嘴36b。

[0075] 喷嘴36b在切削时向切削刀具38与晶片11的接触点(即加工点)供给切削液36c(纯水等水)。切削液36c例如具有将通过利用切削刀具38对晶片11进行切削而产生的切削屑除去的功能。

[0076] 如上所述，在本实施方式的保持面14a中，切削屑不会像使用多孔板的卡盘工作台那样滞留在细孔中，从而切削屑也不会附着在晶片11的背面11b。另外，即使切削屑等从晶片11的背面11b与保持面14a之间的微小的间隙被吸引到外周吸引孔14b中，与多孔板的情况相比，切削屑也不容易滞留在外周吸引孔14b中。

[0077] 在对晶片11进行半切割的切削工序(即切削槽形成步骤)中，首先使保持面14a的中心与晶片11的中心对位而将晶片11配置在保持面14a上。接着，使与吸引源44连接的电磁阀42为打开状态，利用保持面14a吸引保持晶片11。需要说明的是，此时，与流体供给源48连接的电磁阀46为关闭状态。

[0078] 之后，一边向表面11a供给切削液36c，一边将高速旋转的切削刀具38切入晶片11，形成未达到晶片11的背面11b的切削槽11d。使用后的切削液36d的一部分顺着晶片11的表面11a和卡盘工作台14的侧面下落至例如开口4b的防尘防滴罩12。在沿着设定于晶片11的全部分割预定线形成切削槽11d后，结束对晶片11进行半切割的切削工序。

[0079] 接着，对剥离搬送工序进行说明，该工序中，将半切割后的晶片11从保持面14a剥离，之后使用配置在该卡盘工作台的上方的第1搬送单元24对晶片11进行搬送。图4是示出搬送半切割后的晶片11时的状态的局部剖面侧视图。需要说明的是，图4中，与图3同样地用简化的符号表示吸引路14d等。

[0080] 本实施方式的剥离搬送工序中，使用上述的第1搬送单元24将半切割后的晶片11从卡盘工作台14搬送至例如清洗单元40。在剥离晶片11时，首先使与吸引源44连接的电磁阀42为关闭状态、使与流体供给源48连接的电磁阀46为打开状态。

[0081] 之后，将流体以1秒至2秒的程度从喷出口14c向保持面14a上的晶片11喷出后，使电磁阀46为关闭状态。如上所述，通过将流体从喷出口14c喷出，晶片11从保持面14a剥离，因此容易利用第1搬送单元24的吸引垫24b将晶片11从保持面14a提起。

[0082] 需要说明的是，对于从喷出口14c喷出的流体，与空气相比，更优选水。在从流体供给源48供给的流体为空气的情况下，由于空气通常比水更容易压缩，因此从流体供给源48供给的空气暂且蓄积在流体供给路14e中。之后，在流体供给路达到规定的压力后，晶片11被迅猛地从保持面14a剥离。这样，在将晶片11从保持面14a迅猛地剥离时，晶片11可能会受到损害或发生破损。

[0083] 与之相对，在从流体供给源48供给的流体为水的情况下，水通常比空气更不容易压缩，因此在从流体供给源48供给的水达到与流体供给路14e大致相同的体积时，与空气的情况相比，可更平稳地将晶片11从下方上推。因此，与使用空气的情况相比，能够平稳地剥离晶片11，能够降低对晶片11的损害等。

[0084] 在晶片11的剥离后，利用设置于第1搬送单元24的吸引垫24b对晶片11进行吸引保持，并且使第1升降单元22上升。之后，将晶片11从保持面14a卸下并搬送至清洗单元40等。由此结束剥离搬送工序。

[0085] 接着，对卡盘工作台14的第2实施方式进行说明。该第2实施方式中，将外周吸引孔14b以环状且离散的方式设置。图5是第2实施方式的卡盘工作台14和晶片11的立体图。第2实施方式的卡盘工作台14具有将第1实施方式的外周吸引孔14b沿圆周方向大致分割成4个部分而得到的4个圆弧状的外周吸引孔14b1、14b2、14b3和14b4。

[0086] 在周向上相邻的外周吸引孔14b1和外周吸引孔14b2之间设置有由与保持面14a相同材料形成的平坦的平坦部14g1。即，保持面14a中的外周吸引孔14b1和外周吸引孔14b2在平坦部14g1不连续。

[0087] 同样地，在外周吸引孔14b2与14b3之间设置有平坦部14g2，在外周吸引孔14b3与14b4之间设置有平坦部14g3，在外周吸引孔14b4与14b1之间设置有平坦部14g4。

[0088] 在第2实施方式中，与第1实施方式相比，保持面14a中的外周吸引孔14b的面积减少，相应地，与晶片11相接的保持面14a的平坦区域增加。因此，与第1实施方式相比，能够进一步提高保持面14a的平坦性。

[0089] 接着，对第3实施方式进行说明。第3实施方式中，将喷出口14c与流体供给源48连接的流体供给路14e与吸引路14d连接。图6是第3实施方式的卡盘工作台14等的局部剖面侧视图。第3实施方式的卡盘工作台14中，吸引路14d和流体供给路14e由连接点14f连接，其他方面与第1实施方式的卡盘工作台14相同。

[0090] 在使用第3实施方式的卡盘工作台14对晶片11进行半切割的切削工序(即，切削槽形成步骤)中，首先使与吸引源44连接的电磁阀42成为打开状态，由此使源自吸引源44的负压作用于外周吸引孔14b和喷出口14c。

[0091] 由此，利用外周吸引孔14b和喷出口14c吸引保持晶片11。需要说明的是，此时，与流体供给路14e连接的电磁阀46成为关闭状态。之后，与第1实施方式同样地利用切削刀具38对晶片11的表面11a侧进行半切割。

[0092] 接着，在第3实施方式的剥离搬送工序中，使电磁阀42为关闭状态、电磁阀46为打开状态。由此，将流体以1秒至2秒的程度从外周吸引孔14b和喷出口14c向保持面14a上的晶片11喷出。之后，利用第1搬送单元24的吸引垫24b将晶片11提起并进行搬送。

[0093] 除此以外，只要不脱离本发明目的的范围，则上述实施方式的结构、方法等可以适宜地变更来实施。例如，可以将第2和第3实施方式进行组合。

[0094] 符号说明

[0095] 2 切削装置

[0096] 4 基台

[0097] 4a、4b、4c 开口

[0098] 6 盒载置台

[0099] 8 盒

[0100] 10 X轴移动工作台

[0101] 11 晶片

[0102] 11a 表面

[0103] 11b 背面

[0104] 11c 外周部

[0105] 11d 切削槽

[0106] 12 防尘防滴罩

[0107] 14 卡盘工作台

[0108] 14a 保持面

[0109] 14b、14b1、14b2、14b3、14b4 外周吸引孔

[0110] 14c 喷出口

[0111] 14d 吸引路

[0112] 14e 流体供给路

[0113] 14f 连接点

[0114] 14g1、14g2、14g3、14g4 平坦部

[0115] 15 器件

[0116] 16 搬送装置

[0117] 17 切口部

[0118] 18 第1支承结构

[0119] 20 第1导轨

[0120] 22 第1升降单元

[0121] 24 第1搬送单元

[0122] 24a 吸引面

[0123] 24b 吸引垫

[0124] 26 第2导轨

[0125] 28 第2升降单元

[0126] 30 第2搬送单元

[0127] 32 第2支承结构

[0128] 34 移动单元

[0129] 36 刀具单元

[0130] 36a 主轴

[0131] 36b 喷嘴

[0132] 36c 切削液

[0133] 36d 使用后的切削液

[0134] 38 切削刀具

[0135] 40 清洗单元

[0136] 42 电磁阀

[0137] 44 吸引源

[0138] 46 电磁阀

[0139] 48 流体供给源

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