液晶显示面板
阅读：761发布：2024-01-13
专利汇可以提供液晶显示面板专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供能够显示所希望的图像的 液晶 显示面板 。具有排列为矩阵状的多个 像素 PIX的液晶显示面板LCP，具备：像素 电极 PIT以及晶体管TR，在多个像素PIX的每一个分别设置有多个；以及扫描线GL，与在第一方向上排列的多个像素PIX的每一个中的多个晶体管TR连接，在多个像素PIX的每一个中，多个像素电极PIT以及多个晶体管TR的每一个，排列在第一方向上。，下面是液晶显示面板专利的具体信息内容。
1.一种液晶显示面板，具有排列为矩阵状的多个像素，
所述液晶显示面板具备：
像素电极以及晶体管，在所述多个像素的每一个分别设置有多个；以及扫描线，与在第一方向上排列的所述多个像素的每一个中的多个所述晶体管连接，在所述多个像素的每一个中，多个所述像素电极以及多个所述晶体管的每一个，排列在所述第一方向上。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板，
所述液晶显示面板，具备：
影像信号线，被设置在所述第一方向上相邻的两个所述像素的每个边界部，并且在第二方向上延伸；以及
引线，在所述多个像素的每一个中，连接所述影像信号线与所述多个晶体管，所述引线具有，从所述影像信号线向所述第一方向延伸的共同引线、以及与所述共同引线和所述多个晶体管各自的源极电极以及漏极电极的一方连接的多个第一个别引线。
3.如权利要求2所述的液晶显示面板，
所述第一个别引线的至少一部分，在平面视中，不与其他的导电部件重叠。
4.如权利要求2或3所述的液晶显示面板，
所述共同引线，在平面视中，不与所述扫描线重叠。
5.如权利要求2或3所述的液晶显示面板，具备：
共同电极，在所述多个像素的每一个中与所述多个像素电极相对，并且被设置为跨在所述多个像素；以及
金属电极，被设置在所述多个像素电极的每一个与所述共同电极之间。
6.如权利要求5所述的液晶显示面板，
所述液晶显示面板具备共同线，
所述共同线，在所述第二方向上延伸，并且被设置在所述共同电极的正上方，所述金属电极，被形成在与所述共同线相同的层。
7.如权利要求6所述的液晶显示面板，
所述液晶显示面板具备绝缘层，
所述绝缘层，被设置在所述多个晶体管与所述多个像素电极之间，
在所述绝缘层，形成有多个接触孔，
所述多个晶体管的每一个与所述多个像素电极的每一个经由所述多个接触孔的每一个连接，
在所述多个接触孔的每一个附近的所述绝缘层上，形成有岛状的层叠膜，所述层叠膜具有第一膜以及第二膜，所述第一膜被形成在与所述共同电极相同的层，所述第二膜层叠在所述第一膜上且被形成在与所述共同线相同的层，
所述第一个别引线，被设置在相邻的两个所述层叠膜之间。
8.如权利要求2或3所述的液晶显示面板，
所述液晶显示面板具备覆盖所述引线以及所述扫描线的遮光层。
9.如权利要求2或3所述的液晶显示面板，
所述液晶显示面板具备，在所述多个像素的每一个中，将所述多个像素电极的每一个与所述多个晶体管的每一个的所述源极电极以及所述漏极电极的另一方连接的多个第二个别引线。
10.如权利要求9所述的液晶显示面板，
所述第二个别引线的至少一部分，在平面视中，不与其他的导电部件重叠。
11.如权利要求1至3的任一项所述的液晶显示面板，
所述多个像素电极各自的宽度为200μm以下。
12.如权利要求1至3的任一项所述的液晶显示面板，
在将所述像素电极的像素电容设为CPIX、将所述晶体管的栅极源极间电容设为Cgs时，关于所述多个像素的每一个中的所述多个像素电极以及所述多个晶体管的全部，示出像素容量比率的CPIX/Cgs为±10％以内。
13.如权利要求12所述的液晶显示面板，
一个所述像素包括的所述多个像素电极之中的至少一个的形状，与该像素内包括的其他的像素电极的形状不同。
14.如权利要求1至3的任一项所述的液晶显示面板，
所述液晶显示面板具备连接电极，所述连接电极将所述多个像素电极之中的相邻的两个所述像素电极电连接。
15.如权利要求14所述的液晶显示面板，
所述连接电极，在平面视中，与相邻的两个所述像素电极各自的一部分重叠，并且不重叠于与所述像素电极相对的共同电极。
16.如权利要求15所述的液晶显示面板，
在所述共同电极，以在平面视中与所述连接电极重叠的方式形成有切口部。
17.如权利要求15或16所述的液晶显示面板，
所述连接电极，被形成在与所述晶体管的源极电极以及漏极电极相同的层。
液晶显示面板
技术领域
[0001] 本公开涉及，液晶显示面板。
背景技术
[0002] 利用了液晶面板的液晶显示装置，能够以低消耗电力显示图像，因此，作为电视机或监视器等的图像显示装置而被利用。
[0003] 液晶显示面板，具备：形成有像素电极以及薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)的TFT基板；与TFT基板相对的对置基板；以及配置在TFT基板与对置基板之间的液晶层。在液晶显示面板中，由按每个像素设置的像素电极，按每个像素对基于液晶层的光透射率进行控制，从而显示图像(例如专利文献1)。
[0004] (现有技术文献)
[0005] (专利文献)
[0006] 专利文献1：日本特开2015-114375号公报
[0008] 本公开的目的在于，提供能够显示所希望的图像的液晶显示面板。
[0009] 为了实现所述目的，本公开涉及的液晶显示面板的实施方案之一，具有排列为矩阵状的多个像素PIX的液晶显示面板，具备：像素电极以及晶体管，在所述多个像素的每一个分别设置有多个；以及扫描线，与在第一方向上排列的所述多个像素的每一个中的多个所述晶体管连接，在所述多个像素的每一个中，多个所述像素电极以及多个所述晶体管的每一个，排列在所述第一方向上。
[0011] 图1是示意性地示出实施例1涉及的液晶显示装置的概略结构的图。
[0012] 图2是示出实施例1涉及的液晶显示面板的像素电路的图。
[0013] 图3是示出实施例1涉及的液晶显示面板的像素的结构的平面图。
[0014] 图4是实施例1涉及的液晶显示面板的像素的晶体管周边的放大平面图。
[0015] 图5是图3的V-V线中的实施例1涉及的液晶显示面板的截面图。
[0016] 图6是图4的VI-VI线中的实施例1涉及的液晶显示面板的截面图。
[0017] 图7是图4的VII-VII线中的实施例1涉及的液晶显示面板的截面图。
[0018] 图8是示出实施例1涉及的液晶显示面板的晶体管周边的共同电极的形状的图。
[0019] 图9是图4的由虚线包围的区域IX的放大图。
[0020] 图10是图4的X-X线中的实施例1涉及的液晶显示面板的截面图。
[0021] 图11是图4的XI-XI线中的实施例1涉及的液晶显示面板的截面图。
[0022] 图12是实施例1的变形例涉及的液晶显示面板的主要部分的放大平面图。
[0023] 图13是示意性地示出实施例2涉及的液晶显示装置的概略结构的图。
[0024] 图14A是示出实施例2涉及的液晶显示装置的第一液晶显示面板的像素的布局的图。
[0025] 图14B是示出实施例2涉及的液晶显示装置的第二液晶显示面板的像素的布局的图。
具体实施方式
[0026] 以下，说明本公开的实施例。而且，以下说明的实施例，都示出本公开的优选的一个具体例子。因此，以下的实施例所示的数值、形状、材料、构成要素、以及构成要素的配置位置及连接形态等是一个例子，而不是限定本公开的主旨。因此，对于以下的实施例的构成要素中的、示出本公开的最上位概念的实施方案中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素而被说明。
[0027] 各个图是示意图，并不一定是严密示出的图。因此，在各个图中，缩尺等并不一定一致。并且，在各个图中，对实质上相同的结构附上相同的符号，省略或简化重复的说明。
[0028] (实施例1)
[0029] 首先，对于利用了液晶显示面板LCP的液晶显示装置LCD1的概略结构，利用图1以及图2进行说明。图1是示意性地示出实施例1涉及的液晶显示装置LCD1的概略结构的图。图2是示出实施例1涉及的液晶显示面板LCP的像素电路的图。
[0030] 液晶显示装置LCD1是，显示静止图像或运动图像的图像显示装置的一个例子，如图1示出，具备液晶显示面板LCP、液晶显示面板驱动电路PDC(源极驱动器SDC，栅极驱动器GDC)、背光灯BL、以及图像处理部IPU。
[0031] 液晶显示面板LCP，被配置在背光灯BL的光射出侧。液晶显示面板LCP，在图像显示区域DSP显示彩色图像或单色图像。液晶显示面板LCP的驱动方式是，例如IPS(In Plane Switching)方式或FFS(Fringe Field Switching)方式等的横电场方式。并且，液晶显示面板LCP，例如，由常黑方式进行电压的控制，但是，电压控制的方式，不仅限于常黑方式。
[0032] 如图1以及图2示出，液晶显示面板LCP具有，排列为矩阵状的多个像素PIX。用于显示图像的图像显示区域DSP，由排列为矩阵状的多个像素PIX构成。
[0033] 如图2示出，在多个像素PIX的每一个中，设置有晶体管TR、像素电极PIT以及共同电极MIT。晶体管TR是，薄膜晶体管，具有栅极电极G、源极电极S以及漏极电极D。而且，在本说明书中，也会有将源极电极S以及漏极电极D，总括记载为源极漏极电极的情况，源极漏极电极意味着，源极电极S以及漏极电极D的至少一方、源极电极S以及漏极电极D的任意的仅一方、或源极电极S以及漏极电极D的双方。
[0034] 在本实施例中，晶体管TR以及像素电极PIT，在各个像素PIX分别设置有多个。具体而言，在各个像素PIX设置有，七个晶体管TR以及七个像素电极PIT。各个像素PIX中的七个像素电极PIT的每一个是，子像素电极，被形成为分离。
[0035] 另一方面，共同电极MIT被设置为，跨在多个像素PIX。在本实施例中，共同电极MIT被设置为，跨在图像显示区域DSP的所有的像素PIX。也就是说，共同电极MIT是，所有的像素PIX所共同的一个平面状的电极，被形成在图像显示区域DSP的全体。
[0037] 多个扫描线GL的每一个，被设置在列方向上相邻的两个像素PIX的每个边界部。在本实施例中，扫描线GL，在列方向上相邻的两个像素PIX的每个边界部分别设置有一条。
[0038] 各个扫描线GL，与在行方向上排列的多个像素PIX的每一个的多个晶体管TR连接。也就是说，各个扫描线GL，在各个像素PIX中，与多个晶体管TR连接。具体而言，各个扫描线GL，与各个晶体管TR的栅极电极G连接。
[0039] 多个影像信号线SL，被设置在行方向相邻的两个像素PIX的每个边界部。在本实施例中，影像信号线SL，在行方向上相邻的两个像素PIX的每个边界部分别设置有两条以作为一对第一影像信号线SL1以及第二影像信号线SL2。
[0040] 各个影像信号线SL，与在列方向上排列的多个像素PIX的每一个的多个晶体管TR连接。具体而言，各个影像信号线SL，连接到各个晶体管TR的源极电极S以及漏极电极D之中的漏极电极D。也就是说，在本实施例中，影像信号线SL是，漏极线。
[0041] 并且，液晶显示面板LCP具有，1G2D的布线连接结构，多个扫描线GL，在列方向上，按每两条连接。也就是说，第奇数行的第一扫描线GL1与第偶数行的第二扫描线GL2的相邻的两条扫描线GL彼此连接。第一扫描线GL1以及第二扫描线GL2，例如，也可以在栅极驱动器GDC侧由布线图案等连接，也可以在栅极驱动器GDC内连接。
[0042] 彼此连接的两条扫描线GL之中的一方连接的晶体管TR的漏极电极D，连接到第一影像信号线SL1以及第二影像信号线SL2的一方。并且，彼此连接的两条扫描线GL之中的另一方连接的晶体管TR的漏极电极D，连接到第一影像信号线SL1以及第二影像信号线SL2的另一方。
[0043] 具体而言，第奇数行的第一扫描线GL1连接的晶体管TR的漏极电极D，连接到第二影像信号线SL2，第偶数行的第二扫描线GL2连接的晶体管TR的漏极电极D，连接到第一影像信号线SL1。
[0044] 而且，在各个像素PIX中，晶体管TR的源极电极S，连接到像素电极PIT。具体而言，七个晶体管TR的源极电极S与七个像素电极PIT一对一连接，各个晶体管TR的源极电极S，连接到各个像素电极PIT。
[0045] 如图1示出，在液晶显示面板LCP，为了显示与输入的影像信号对应的图像，而连接有液晶显示面板驱动电路PDC。液晶显示面板驱动电路PDC包括，源极驱动器SDC以及栅极驱动器GDC。源极驱动器SDC以及栅极驱动器GDC是，例如，驱动器IC(IC封装)，被安装在印刷布线基板。安装有源极驱动器SDC的印刷布线基板以及安装有栅极驱动器GDC的印刷布线基板，经由FFC(Flexible Flat Cable)或FPC(Flexible Printed Cable)等的柔性布线基板连接到液晶显示面板LCP。
[0046] 如图2示出，源极驱动器SDC，连接到液晶显示面板LCP的影像信号线SL。源极驱动器SDC，与基于栅极驱动器GDC的扫描线GL的选择对应，将与从图像处理部IPU输入的影像信号对应的电压(数据电压)提供到影像信号线SL。具体而言，源极驱动器SDC，向第一影像信号线SL1以及第二影像信号线SL2分别提供数据电压。
[0047] 栅极驱动器GDC，连接到扫描线GL。栅极驱动器GDC，按照从图像处理部IPU输入的定时信号选择要写入影像信号的像素PIX，将使选择出的像素PIX的晶体管TR接通的电压(栅极接通电压)提供到扫描线GL。在本实施例中，扫描线GL按每两条连接，因此，栅极驱动器GDC，作为连接的两条第一扫描线GL1以及第二扫描线GL2所共同的栅极接通电压，将两倍的栅极Hi期间(2H)的栅极脉冲信号提供到扫描线GL。据此，数据电压经由晶体管TR提供到，选择出的像素PIX的像素电极PI。而且，从共同驱动器(不图示)向共同电极MIT提供共同电压。
[0048] 如此，若栅极接通电压从栅极驱动器GDC提供到扫描线GL，则选择出的像素PIX的晶体管TR接通，从连接到该晶体管TR的影像信号线SL向像素电极PIT提供数据电压。而且，因提供到像素电极PIT的数据电压与提供到共同电极MIT的共同电压的差，而在液晶层产生电场。因该电场，而各个像素PIX的液晶层的液晶分子的定向状态发生变化，通过液晶显示面板LCP的背光灯BL的光的透射率按每像素PIX而被控制。据此，在液晶显示面板LCP的显示区域(像素区域)显示所希望的图像。
[0049] 背光灯BL，如图1示出，被配置在液晶显示面板LCP的背面侧，向液晶显示面板LCP照射光。在本实施例中，背光灯BL是，以LED(Light Emitting Diode)为光源的LED背光灯，但是，不仅限于此。并且，背光灯BL是，以与液晶显示面板LCP相对的方式LED在基板上排列为二维状的直下式的LED背光灯，但是，也可以是侧入式。背光灯BL是，照射平面状的均匀的散射光(扩散光)的面发光单元。在此情况下，背光灯BL也可以，为了使来自光源的光扩散而具有扩散板(扩散薄板)等的光学部件。
[0050] 图像处理部IPU是，具备CPU等的运算处理电路、以及ROM及RAM等的存储器的控制装置。在图像处理部IPU，被输入用于显示在液晶显示面板LCP的图像数据。图像处理部IPU，由CPU读出并执行存储器所存储的程序，从而执行各种处理。具体而言，图像处理部IPU，对从外部的系统(不图示)输入的影像数据进行色调整等的各种图像信号处理，来生成示出各个像素PIX的灰度值的影像信号和示出向各个像素PIX写入影像信号的定时的定时信号，将影像信号输出到源极驱动器SDC，并且将定时信号输出到栅极驱动器GDC。
[0051] 接着，对于液晶显示面板LCP的具体结构，参照图2，利用图3至图7进行说明。图3是示出实施例1涉及的液晶显示面板LCP的像素PIX的结构的平面图。图4是该液晶显示面板LCP的像素PIX的晶体管TR周边的放大平面图。图5是图3的V-V线中的该液晶显示面板LCP的截面图。图6是图4的VI-VI线中的该液晶显示面板LCP的截面图。图7是图4的VII-VII线中的该液晶显示面LCP板的截面图。
[0052] 如图2以及图3示出，各个像素PIX是，由在行方向上延伸的扫描线GL和在列方向上延伸的影像信号线SL包围的区域。在本实施例中，一个像素PIX的像素尺寸，比较大，作为一个例子，行方向的长度为630μm，列方向的长度为630μm。并且，在本实施例中，一个像素PIX，行方向的长度和列方向的长度相同。也就是说，一个像素PIX的纵横比(行方向长度：列方向长度)为，1∶1。而且，一个像素PIX的纵横比，不仅限于此，例如，也可以是1∶3等。
[0053] 并且，如上所述，在本实施例的液晶显示面板LCP中，在一个像素PIX设置有多个像素电极PIT以及多个晶体管TR。如图3以及图4示出，在各个像素PIX中，多个像素电极PIT以及多个晶体管TR的每一个，排列在行方向(第一方向)上。具体而言，七个像素电极PIT，沿着行方向排列为大致等间隔。并且，七个晶体管TR，沿着行方向排列为大致等间隔。
[0054] 如图3以及图4示出，在各个像素电极PIT形成有多个狭缝，各个像素电极PIT具有，在列方向(第二方向)上延伸的多条线电极PITL。在本实施例中，各个像素电极PITL包括，11条线电极PITL。11条线电极PITL的长边方向的两端部，在扫描线GL附近由沿着行方向延伸的连结电极PITC连结。各个像素电极PIT中的所有的线电极PITL，被形成为平行。
[0055] 各个线电极PITL被形成为，彼此同一宽度、且在中央部具有屈曲部的大致“＜”状。而且，在各个像素电极PIT中，相邻的两条线电极PITL的间隔(狭缝宽度)为一定。并且，11条的所有的线电极PITL的间隔，彼此相同。
[0056] 进而，如图4示出，在七个像素电极PIT的全部中，相邻的两个像素电极PIT的间隔sp1(即，一方的像素电极PIT的最后列的线电极与另一方的像素电极PIT的最初列的线电极的间隔)，与一个像素电极PIT中相邻的两条线电极PITL的间隔sp2相同。其结果为，在一个像素PIX中，所有的线电极PITL(11条×7＝77条)的间隔相同，所有的线电极PITL的线与空间(L/S)为一定。据此，能够使各个像素电极PIT中的像素电容CPIX的差变小。例如，也能够使各个像素电极PIT中的像素电容CPIX全部相同。
[0057] 并且，若将晶体管TR的栅极源极间电容设为Cgs，则关于各个像素PIX中的多个像素电极PIT和多个晶体管TR的全部，示出像素容量比率的CPIX/Cgs为±10％以内即可。优选的是，关于像素电极PIT以及与该像素电极PIT对应的晶体管TR的全部，CPIX/Cgs相同。
[0058] 进而，若将晶体管TR的半导体层SC的通道宽度设为WTFT，则关于各个像素PIX中的多个像素电极PIT多个晶体管TR的全部，示出像素容量比率的CPIX/WTFT为±10％以内即可。优选的是，关于像素电极PIT以及与该像素电极PIT对应的晶体管TR的全部，CPIX/WTFT相同。
[0059] 如此，若像素电极PIT以及与该像素电极PIT对应的晶体管TR中的像素容量比率(CPIX/Cgs，CPIX/WTFT)处于一定的范围内，则像素电极PIT以及晶体管TR的形状以及大小也可以不同。也就是说，使像素容量比率处于一定的范围内，据此，像素电极PIT以及晶体管TR的设计的自由度提高。因此，一个像素PIX中包括的多个像素电极PIT之中的至少一个也可以，与该像素PIX内包括的其他的像素电极PIT的形状不同。也就是说，一个像素PIX中包括的多个像素电极PIT也可以包括，形状不同的像素电极PIT。
[0060] 在本实施例中，七个像素电极PIT为，相互相同的形状以及相同的大小。据此，能够容易使各个像素电极PIT的像素电容CPIX相同。并且，各个像素电极PIT的宽度为，200μm以下即可，更优选的是，100μm以下。据此，即使因多个像素电极PIT之一中发生不良状况而产生像素缺陷，也能够使像素缺陷不明显。
[0061] 并且，七个晶体管TR为，相互相同的形状以及相同的大小。据此，能够容易使各个晶体管TR的栅极源极间电容Cgs以及通道宽度WTFT相同。并且，使七个晶体管TR的形状以及大小全部相同，从而能够抑制因DC电压残留在像素PIX中而显示图像中发生余像(DC余像)。
[0062] 如图3示出，影像信号线SL(第一影像信号线SL1，第二影像信号线SL2)，沿着像素电极PIT的线电极PITL而被形成。也就是说，第一影像信号线SL1以及第二影像信号线SL2都被形成为，具有屈曲部的大致“＜”状。第一影像信号线SL1以及第二影像信号线SL2被形成为，并列、且邻接。具体而言，第一影像信号线SL1以及第二影像信号线SL2被形成为，平行。而且，在本实施例中，第一影像信号线SL1以及第二影像信号线SL2，均为一定的宽度、且相互相同的宽度，但是，不仅限于此。
[0063] 并且，如图3以及图5示出，像素电极PIT中的多个线电极PITL的至少一个，存在于第一影像信号线SL1与第二影像信号线SL2之间。
[0064] 例如，若将作为行方向上相邻的两个像素PIX之中的一方的像素PIX的第一像素PIX1(图3的右侧的像素PIX)的像素电极PIT设为第一像素电极PIT1，将作为行方向上相邻的两个像素PIX之中的另一方的像素PIX的第二像素PIX2(图3的左侧的像素PIX)的像素电极PIT设为第二像素电极PIT2，则针对第二像素PIX2的多个第二像素电极PIT2之中的离第一像素PIX1最近的第二像素电极PIT2，构成该第二像素电极PIT2的多个线电极PITL之中的离第一像素PIX1最近的线电极PITL，存在于第一影像信号线SL1与第二影像信号线SL2之间。
[0065] 进而，第一影像信号线SL1以及第二影像信号线SL2，一方与像素电极PIT重叠，另一方不与像素电极PIT重叠。在本实施例中，如图3示出，在平面视中，第一影像信号线SL1，与第二像素PIX2的第二像素电极PIT2的线电极PITL重叠，第二影像信号线SL2，位于第一像素PIX1的第一像素电极PIT1与第二像素PIX2的第二像素电极PIT2之间。
[0066] 具体而言，第一影像信号线SL1，与第二像素PIX2中的多个第二像素电极PIT2之中的离第一像素PIX1最近的第二像素电极PIT2的线电极PITL重叠。在本实施例中，第一影像信号线SL1，与第二像素PIX2中的离第一像素PIX1最近的第二像素电极PIT2中的11条线电极PITL之中的从第一像素PIX1侧第2条以及第3条的两条电极PITL重叠。而且，离第一像素PIX1最近的第二像素电极PIT2中的11条线电极PITL之中的从第一像素PIX1侧第1条线电极PITL(即，离第一像素PIX1最近的线电极PITL)，位于第一影像信号线SL1与第二影像信号线SL2之间。
[0067] 另一方面，第二影像信号线SL2，位于第一像素PIX1中的多个第一像素电极PIT1之中的离第二像素PIX2最近的第一像素电极PIT1、与第二像素PIX2中的多个第二像素电极PIT2之中的离第一像素PIX1最近的第二像素电极PIT2之间。具体而言，第二影像信号线SL2，位于第一像素PIX1的第一像素电极PIT1中的11条线电极PITL之中的离第二像素电极PIT2最近的线电极PITL、与第二像素PIX2的第二像素电极PIT2中的11条线电极PITL之中的离第一像素电极PIT1最近的线电极PITL之间。
[0068] 如图4示出，在各个像素PIX，为了将影像信号线SL的数据电压提供到多个晶体管TR的每一个，而设置有连接影像信号线SL与各个像素PIX内的多个晶体管TR的引线LDL。引线LDL，被形成在与源极电极S以及漏极电极D相同的层。也就是说，引线LDL和源极电极S以及漏极电极D，对相同的金属膜进行图案形成而被形成。
[0069] 引线LDL具有，从影像信号线SL向行方向延伸的共同引线LDLC、以及连接到共同引线LDLC和各个像素PIX内的多个晶体管TR的每一个的漏极电极D的多个第一个别引线LDL1。
[0070] 共同引线LDLC是，从影像信号线SL引出的引出线。共同引线LDLC，被形成在与共同电极MIT的开口部OPN重叠的位置，在平面视中，不与扫描线GL重叠。在本实施例中，共同引线LDLC，不与其他的任何导电部件重叠。据此，能够减少共同引线LDLC与扫描线GL等的布线之间产生的寄生电容。而且，共同引线LDLC，在平面视中，与第二基板SUB2的遮光层BM重叠。
[0071] 第一个别引线LDL1，按像素PIX内的每多个晶体管TR而被形成。在本实施例中，在一个像素PIX设置有七个晶体管TR，因此，也形成有七个第一个别引线LDL1。第一个别引线LDL1被形成为，朝向各个晶体管TR从共同引线LDLC向列方向延伸。
[0072] 并且，在各个像素PIX设置有，连接多个像素电极PIT的每一个与多个晶体管TR的每一个的源极电极S的多个第二个别引线LDL2。第二个别引线LDL2，被形成在与像素电极PIT相同的层。也就是说，第二个别引线LDL2和像素电极PIT，对相同的透明导电膜进行图案形成而被形成。
[0073] 第二个别引线LDL2，按像素PIX内的每多个晶体管TR而被形成。在本实施例中，在一个像素PIX设置有七个晶体管TR，因此，也形成有七个第二个别引线LDL2。第二个别引线LDL2被形成为，朝向各个晶体管TR从像素电极PIT向列方向延伸。具体而言，第二个别引线LDL2是，从像素电极PIT的连结电极PITC的中央部引出的引出布线。
[0074] 连接到各个晶体管TR的第一个别引线LDL1以及第二个别引线LDL2是，在像素PIX中产生像素缺陷的情况下，修复像素PIX时能够利用的。像素缺陷是，因导电性异物混入而像素电极PIT与共同电极MIT短路或晶体管TR的电极间短路，从而发生的。在发生这样的像素缺陷的情况下，为了使与共同电极MIT短路的异常状态的像素电极PIT或电极间短路的异常状态的晶体管TR，与正常的像素电极或正常的晶体管TR分离，而切断第一个别引线LDL1以及第二个别引线LDL2。
[0075] 例如，在像素电极PIT与共同电极MIT短路的情况下，首先，通过像素PIX的缺陷检查确定与共同电极MIT短路的异常状态的像素电极PIT，连接到与短路的像素电极PIT对应的晶体管TR的第一个别引线LDL1的一部分由激光切断。接着，连接到与短路的像素电极PIT的第二个别引线LDL2的一部分由激光切断。据此，能够使连接到短路的像素电极PIT的晶体管TR成为电浮起的状态(浮置状态)，能够分离短路的像素电极PIT与正常的像素电极PIT。
[0076] 并且，在晶体管TR的电极间短路的情况下，也同样，首先，通过像素PIX的缺陷检查确定电极间短路的异常状态的晶体管TR，连接到异常状态的晶体管TR的第一个别引线LDL1的一部分由激光切断。接着，连接到与异常状态的晶体管TR对应的像素电极PIT的第二个别引线LDL2的一部分由激光切断。据此，能够使异常状态的晶体管TR成为电浮起的状态，分离异常状态的晶体管TR与连接到它的像素电极PIT以及其他的晶体管TR。
[0077] 如此，个别地切断第一个别引线LDL1的一部分或第二个别引线LDL2的一部分，从而能够个别地分离异常状态的像素电极PIT或异常状态的晶体管TR。
[0078] 而且，优选的是，第一个别引线LDL1的至少一部分，在平面视中，不与其他的导电部件重叠。具体而言，第一个别引线LDL1中的共同引线LDLC侧的根部分，不与其他的任何导电部件重叠。
[0079] 并且，优选的是，第二个别引线LDL2的至少一部分，在平面视中，不与其他的导电部件重叠。具体而言，第二个别引线LDL2中的像素电极PIT的根部分不与其他的任何导电部件重叠。
[0080] 据此，在为了分离异常状态的晶体管TR或异常状态的像素电极PIT而由激光切断第一个别引线LDL1或第二个别引线LDL2的根部分时，能够避免其他的导电部件也由激光切断。
[0081] 接着，以液晶显示面板LCP的截面结构为中心进行说明。
[0082] 如图5至图7示出，液晶显示面板LCP具备，第一基板SUB1、与第一基板SUB1相对的第二基板SUB2、以及配置在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间的液晶层LCL。在本实施例中，第一基板SUB1位于背光灯BL侧，第二基板SUB2位于观察者侧。液晶层LCL，被密封在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间。
[0083] 第一基板SUB1是，作为晶体管TR具有TFT的TFT基板。并且，在第一基板SUB1，除了晶体管TR以外，还设置影像信号线SL以及扫描线GL等的各种布线、绝缘这些布线间的层间绝缘膜、像素电极PIT、共同电极MIT以及定向膜PI等。它们，被形成在第一透明基材TSUB1。第一透明基材TSUB1是，例如，玻璃基板等的透明基板。
[0084] 被形成在第一透明基材TSUB1的晶体管TR，由栅极电极G、源极电极S、漏极电极D、以及成为通道层的半导体层SC构成。在本实施例中，晶体管TR是，底栅结构的TFT，具备被形成在第一透明基材TSUB1上的栅极电极G、被形成在栅极电极G上的栅极绝缘层GI、以及经由栅极绝缘层GI被形成在栅极电极G的上方的半导体层SC。源极电极S以及漏极电极D，被形成在半导体层SC上。
[0085] 栅极电极G，例如，由下层的钼膜(例如10nm)和上层的铜膜(例如300nm)的双层结构所组成的金属膜构成。栅极绝缘层GI，例如，由氮化硅膜(例如390nm)构成。半导体层SC，例如，由下层的i-非晶硅膜(例如155nm)和上层的n-非晶硅膜(例如25nm)的双层结构所组成的半导体膜构成。源极电极S以及漏极电极D，例如，由下层的钼膜(例如20nm)和上层的铜膜(例如300nm)的双层结构所组成的金属膜构成。
[0086] 而且，栅极电极G、源极电极S、漏极电极D、半导体层SC以及栅极绝缘层GI的材料，不仅限于此。例如，对于半导体层SC的材料，也可以利用In-Ga-Zn-O系氧化物半导体等。并且，栅极电极G、源极电极S、漏极电极D以及半导体层SC，不仅限于由双层构成，也可以由单层构成，也可以由三层以上构成。并且，栅极绝缘层GI，也不仅限于由单层构成，也可以由两层以上构成。
[0087] 并且，如图5至图7示出，在第一基板SUB1，形成有扫描线GL以及影像信号线SL。扫描线GL，被形成在与栅极电极G相同的层。也就是说，扫描线GL和栅极电极G，对相同的金属膜进行图案形成而被形成。另一方面，影像信号线SL，被形成在与源极电极S以及漏极电极D相同的层。也就是说，影像信号线SL和源极电极S以及漏极电极D，对相同的金属膜进行图案形成而被形成。而且，如图4示出，在本实施例中，晶体管TR的漏极电极D，连接到影像信号线SL，晶体管TR的源极电极S，连接到像素电极PIT。
[0088] 如图4以及图7示出，在第一基板SUB1，设置有遮光体SLD。如图4示出，遮光体SLD，在平面视中，被形成为包围晶体管TR。如图7示出，在本实施例中，遮光体SLD，被形成在与半导体层SC相同的层。也就是说，遮光体SLD和半导体层SC，对相同的半导体膜进行图案形成而被形成。因此，遮光体SLD，由吸收光的非晶硅膜构成，因此，作为光吸收层发挥功能。也就是说，遮光体SLD，吸收光来遮光。如此，在晶体管TR的周围设置遮光体SLD，从而能够抑制因光入射而晶体管TR的特性发生变化。
[0089] 如图5至图7示出，在第一透明基材TSUB1上，以覆盖晶体管TR、扫描线GL(第一扫描线GL1、第二扫描线GL2)以及影像信号线SL(第一影像信号线SL1、第二影像信号线SL2)的方式，形成有第一绝缘膜PAS。第一绝缘膜PAS，例如，由氮化硅膜等的无机材料所组成的无机绝缘膜(例如200nm)构成。作为无机绝缘膜的第一绝缘膜PAS是，能够通过例如CVD法形成的。
[0090] 进而，以覆盖第一绝缘膜PAS的方式形成第二绝缘膜OPAS。在本实施例中，第二绝缘膜OPAS的厚度，比第一绝缘膜PAS的厚度厚。具体而言，第二绝缘膜OPAS的厚度为，第一绝缘膜PAS的厚度的10倍以上，作为一个例子，3000nm。据此，能够使扫描线GL以及影像信号线SL等的布线与共同电极MIT之间的厚度方向的距离变大，因此，能够减轻由扫描线GL以及影像信号线SL等的布线和共同电极MIT形成的寄生电容。而且，使第二绝缘膜OPAS变厚，从而能够减轻因形成晶体管TR、扫描线GL以及影像信号线SL而产生的TFT层的凹凸差，使TFT层成为平坦。据此，能够形成表面平坦的第二绝缘膜OPAS，因此，能够将第二绝缘膜OPAS的正上方的共同电极MIT形成为平坦的平面状。
[0091] 在本实施例中，第二绝缘膜OPAS，由含有碳的有机材料所组成的有机绝缘膜构成。作为有机绝缘膜的第二绝缘膜OPAS是，将例如液状的有机材料涂布并固化来能够形成的。
据此，能够容易实现第二绝缘膜OPAS的厚膜化，因此，能够容易使跨在所有的像素PIX的第二绝缘膜OPAS的表面成为平坦。也就是说，第二绝缘膜OPAS，作为平坦化层发挥功能。
据此，能够容易实现第二绝缘膜OPAS的厚膜化，因此，能够容易使跨在所有的像素PIX的第二绝缘膜OPAS的表面成为平坦。也就是说，第二绝缘膜OPAS，作为平坦化层发挥功能。
[0092] 并且，在第一基板SUB1，形成有共同电极MIT以及像素电极PIT。具体而言，共同电极MIT以及像素电极PIT，经由第三绝缘膜UPS相对层叠。
[0093] 在本实施例中，共同电极MIT，被形成在第二绝缘膜OPAS上。而且，以覆盖共同电极MIT的方式形成第三绝缘膜UPS，在第三绝缘膜UPS上以规定形状形成像素电极PIT。共同电极MIT以及像素电极PIT是，例如，由铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)等的透明金属氧化物构成的透明电极。并且，第三绝缘膜UPS，例如，由氮化硅膜等的无机绝缘膜(例如600nm)构成。作为无机绝缘膜的第三绝缘膜UPS是，能够通过例如CVD法形成的。
[0094] 如上所述，共同电极MIT是，跨在所有的像素PIX而形成的平面状的全面电极。据此，扫描线GL(第一扫描线GL1、第二扫描线GL2)、影像信号线SL(第一影像信号线SL1、第二影像信号线SL2)等的布线由共同电极MIT覆盖，因此，能够由共同电极MIT遮蔽扫描线GL以及影像信号线SL等的布线中发生的电场。也就是说，能够由共同电极MIT屏蔽TFT层中发生的电场。因此，共同电极MIT上形成的像素电极PIT的形状以及大小的设计的自由度提高，因此，能够容易提高像素PIX的光透射率以及开口率。
[0095] 而且，共同电极MIT是薄膜平面状的全面电极，但是，如图4以及图8示出，在共同电极MIT中的扫描线GL上，形成有沿着行方向延伸的开口部OPN。图8是示出晶体管TR周边的共同电极MIT的形状的图，与图4的虚线所包围的区域对应。并且，在图8中，为了示出共同电极MIT存在的部位，而在共同电极MIT适当地示出阴影。
[0096] 并且，像素电极PIT，如上所述，在一个像素PIX设置有多个，各个像素电极PIT具有，在列方向上延伸的多条线电极PITL。在各个像素PIX，由像素电极PIT和共同电极MIT生成像素电容CPIX。而且，在共同电极MIT的开口部OPN，如图6以及图7示出，设置有贯通第一绝缘膜PAS、第二绝缘膜OPAS以及第三绝缘膜UPS的三层结构的绝缘层IL的接触孔CH。
[0097] 第一绝缘膜PAS、第二绝缘膜OPAS以及第三绝缘膜UPS的三层结构的绝缘层IL，被形成为跨在所有的像素PIX，被设置在各个像素PIX中的多个晶体管TR与多个像素电极PIT之间。因此，在各个像素PIX中，在绝缘层IL，形成有与晶体管TR以及像素电极PIT的数量相同的多个接触孔CH。
[0098] 而且，在各个像素PIX中，多个晶体管TR的每一个与多个像素电极PIT的每一个经由多个接触孔CH的每一个电连接。具体而言，各个像素电极PIT，经由接触孔CH与晶体管TR的源极电极S连接。
[0099] 如图4以及图7示出，在本实施例中，接触孔CH具有，作为像素电极PIT与晶体管TR源极电极S电连接的部分的接触部CH1、以及作为从接触部CH1延伸的部分的延伸部CH2。具体而言，在接触部CH1中，从像素电极PIT引出的第二个别引线LDL2与晶体管TR的源极电极S连接。
[0100] 延伸部CH2，在平面视中不与像素电极PIT重叠，而在形成有接触孔CH的像素PIX内，向与像素电极PIT侧相反侧的方向延伸。并且，如图9示出，延伸部CH2的宽度W2，比接触部CH1的宽度W1窄。图9是图4的虚线所包围的区域IX的放大图。但是，在图9中没有示出，半导体层SC、被形成在与半导体层SC相同层的层、以及像素电极PIT。
[0101] 如图4以及图9示出，在本实施例中，接触孔CH全体被形成在共同电极MIT的开口部OPN。因此，不仅接触部CH1不与共同电极MIT重叠，延伸部CH2也不与共同电极MIT重叠。延伸部CH2，在平面视中，与晶体管TR的漏极电极D重叠。
[0102] 并且，如图3至图5示出，在行方向的邻接的两个像素PIX的每个边界部，设置在列方向上延伸的共同线(纵共同)CMT。共同线CMT，被设置在共同电极MIT的正上方。也就是说，共同线CMT，与共同电极MIT接触且层叠在共同电极MIT。共同线CMT，例如，由铜膜(例如300nm)所组成的金属膜构成。如此，由金属膜构成的共同线CMT层叠在共同电极MIT，从而能够降低共同电极MIT的时间常数。
[0103] 如图3示出，共同线CMT，沿着影像信号线SL而被形成。也就是说，共同线CMT被形成为，具有屈曲部的大致“＜”状。共同线CMT，在平面视中，与第一影像信号线SL1或第二影像信号线SL2重叠。具体而言，共同线CMT，与第一影像信号线SL1重叠。
[0104] 并且，共同线CMT的宽度，比第一影像信号线SL1的宽度窄，在平面视中，共同线CMT被形成为，不越出第一影像信号线SL1，但是，不仅限于此。例如，为了更降低共同电极MIT的时间常数，而可以使共同线CMT的宽度变大，将共同线CMT形成为跨在第一影像信号线SL1和第二影像信号线SL2。
[0105] 并且，如图4以及图7示出，在多个像素电极PIT的每一个与共同电极MIT的厚度方向之间，设置有金属电极MET。金属电极MET，被形成在与共同线CMT相同的层。也就是说，金属电极MET和共同线CMT，对相同的金属膜进行图案形成而被形成。金属电极MET，是与共同线CMT相同的层，因此被形成在共同电极MIT的正上方，如图7示出，在截面视中，经由第三绝缘膜UPS与像素电极PIT相对。具体而言，金属电极MET，按每个像素电极PIT而被形成，在厚度方向上，与各个像素电极PIT的连结电极PITC相对。也就是说，金属电极MET，被形成在像素电极PIT的下方。
[0106] 金属电极MET是，在像素PIX中产生像素缺陷的情况下，由黑点化修复像素PIX时能够利用的。例如，在因晶体管TR的电极间短路而发生像素缺陷的情况下，如上所述，首先，连接到异常状态的晶体管TR的第一个别引线LDL1的一部分由激光切断，接着，连接到与异常状态的晶体管TR对应的像素电极PIT的第二个别引线LDL2的一部分由激光切断。据此，能够使异常状态的晶体管TR成为电浮起的状态，分离异常状态的晶体管TR。在此情况下，像素电极PIT也成为电的浮起状态，但是，若不意图的信号(电荷)施加到电浮起的状态的像素电极PIT，则图像质量降低。于是，以不使不意图的信号施加到电浮起状态的像素电极PIT的方式，有意地使像素电极PIT和共同电极MIT短路即可。此时，利用有色的金属电极MET，从而能够容易使像素电极PIT和共同电极MIT短路。具体而言，通过缺陷检查确定异常状态的晶体管TR，向与连接到该异常状态的晶体管TR的像素电极PIT对应的金属电极MET的形成区域照射激光。据此，能够将位于金属电极MET的上方的像素电极PIT降低到共同电极MIT，因此，能够容易使像素电极PIT和共同电极MIT短路。
[0107] 如图5至图7示出，在像素电极PIT上形成有定向膜PI。定向膜PI，在第一透明基材TSUB1的上方，以覆盖像素电极PIT的方式被形成为跨在所有的像素PIX。定向膜PI，与液晶层LCL接触，对液晶层LCL的液晶分子的初始定向角度进行控制。在本实施例中，为了将液晶分子的初始定向角度一致为一定方向，而对定向膜进行擦处理。
[0108] 如图7以及图9示出，在用于将像素电极PIT和晶体管TR的源极电极S连接的接触孔CH附近的绝缘层IL上，形成有岛状的层叠膜STF。
[0109] 如此，在接触孔CH附近的绝缘层IL上形成岛状的层叠膜STF，从而在绝缘层IL上涂布液状的定向膜材料时，能够由层叠膜STF使定向膜材料濡湿扩展。据此，能够抑制定向膜材料滞留在绝缘层IL的接触孔CH的边缘，并且，能够容易将定向薄膜材料导入到接触孔CH内。因此，能够在绝缘层IL上形成均匀的膜厚的定向膜PI，并且，能够将定向膜PI形成到接触孔CH内。其结果为，能够抑制图像质量降低。
[0110] 在本实施例中，层叠膜STF，在接触孔CH的延伸部CH2的前端部附近，被形成在第二绝缘膜OPAS上。具体而言，层叠膜STF，被形成在第二绝缘膜OPAS与第三绝缘膜UPS之间。
[0111] 并且，如图4示出，层叠膜STF，被形成在扫描线GL的上方。也就是说，层叠膜STF，在平面视中，与扫描线GL重叠。形成有与晶体管TR的数量相同的数量的层叠膜STF。在本实施例中，形成有七个层叠膜STF。七个层叠膜STF，沿着扫描线GL形成为一列。而且，将影像信号线SL和晶体管TR连接的引线LDL的第一个别引线LDL1，被设置在相邻的两个层叠膜STF之间。
[0112] 如图7示出，各个层叠膜STF具有，第一膜STF1、以及层叠在第一膜STF1上的第二膜STF2。在本实施例中，层叠膜STF是，第一膜STF1和第二膜STF2的双层结构。
[0113] 第一膜STF1，被形成在与共同电极MIT相同的层。也就是说，第一膜STF1和共同电极MIT，对相同的透明导电膜进行图案形成而被形成。因此，在本实施例中，第一膜STF1是，与共同电极MIT相同的ITO膜。如图4示出，作为一个例子，第一膜STF1是，被设置为与共同电极MIT具有间隔的岛状的膜。第一膜STF1的平面视形状是，以行方向为长边方向的矩形状。
[0114] 第二膜STF2，被形成在与共同线CMT相同的层。也就是说，第二膜STF2和共同线CMT，对相同的金属膜进行图案形成而被形成。因此，在本实施例中，第二膜STF2是，与共同线CMT相同的铜膜。如图4示出，作为一个例子，第二膜STF2是，被设置为与共同线CMT具有间隔的岛状的膜。第二膜STF2的平面视形状是，以行方向为长边方向的矩形状。
[0115] 而且，层叠膜STF，由与共同电极MIT以及共同线CMT相同的材料构成，但是，被形成为岛状，因此，成为电浮起的状态。据此，在将与从接触孔CH的距离长的共同线CMT的一部分引出形成层叠膜STF的情况相比，能够防止发生基于布线间的寄生电容。
[0116] 如图8以及图9示出，在平面视中，下层的第一膜STF1，比上层的第二膜STF2大。据此，层叠膜STF的端部为阶梯状。也就是说，如图7示出，第一膜STF1具有，作为该第一膜STF1的端部越出第二膜STF2的端部的部分的越出部(阶梯部)STP。越出部STP，被设置在第一膜STF1的接触孔CH侧。并且，越出部STP，也被设置在与第一膜STF1的接触孔CH侧相反侧。也就是说，第一膜STF1，在接触孔CH侧的端部以及与接触孔CH侧相反侧的端部的两端部具有越出部STP。在本实施例中，第一膜STF1的端部的全周越出第二膜STF2的端部，第一膜STF1的全周端部成为越出部STP。也就是说，层叠膜STF的全周端部被形成为阶梯状。
[0117] 而且，如图9示出，将第一膜STF1的端部与延伸部CH2的距离d1(从第一膜STF1的端部的第二绝缘膜OPAS的越出量)设为0.5μm，将第二膜STF2的端部与延伸部CH2的距离d2(从第二膜STF2的端部的第二绝缘膜OPAS的越出量)设为1.0μm。
[0118] 如图5至图7示出，观察者侧的第二基板SUB2是，与第一基板SUB1相对的对置基板。第二基板SUB2具有，第二透明基材TSUB2、以及形成在第二透明基材TSUB2的遮光层BM。第二透明基材TSUB2是，与第一透明基材TSUB1同样，例如，玻璃基板等的透明基板。
[0119] 遮光层BM为，黑色层，例如由碳黑构成。遮光层BM，被形成在第二透明基材TSUB2的液晶层LCL侧的面。在本实施例中，遮光层BM，按在列方向上相邻的两个像素PIX的每个边界部而被形成。具体而言，如图4以及图6示出，遮光层BM，以覆盖第一基板SUB1中的各个扫描线GL的方式形成有多个。也就是说，在平面视中，各个遮光层BM，与各个扫描线GL重叠。各个遮光层BM为，带状，以一定的宽度沿着行方向被形成为线状。
[0120] 遮光层BM的宽度，比扫描线GL的宽度大，扫描线GL被形成为不越出遮光层BM。而且，遮光层BM，还覆盖形成在各个像素PIX的引线LDL。
[0121] 形成遮光层BM，从而能够由遮光层BM遮蔽外光等的光。据此，能够抑制以外光等的光在引线LDL以及扫描线GL的表面反射而图像质量降低。
[0122] 在本实施例中，在行方向上相邻的两个像素PIX的边界部没有形成遮光层BM。也就是说，没有形成沿着第一影像信号线SL1以及第二影像信号线SL2延伸的方向的遮光层BM。因此，存在于第一影像信号线SL1以及第二影像信号线SL2之间的线电极PITL，没有由遮光层BM覆盖。
[0123] 并且，在液晶显示面板LCP显示彩色图像的情况下，第二基板SUB2是，具有滤色器的滤色器基板。在此情况下，例如，与各个像素PIX对应，形成红色滤色器、蓝色滤色器以及绿色滤色器的某个滤色器。滤色器，被形成在遮光层BM之间的区域(即，遮光层BM的开口部OPN)。另一方面，在液晶显示面板LCP显示单色图像的情况下，在第二基板SUB2没有形成滤色器。
[0124] 如图4示出，在第二基板SUB2，设置有第一间隔件PS1以及第二间隔件PS2。在此，利用图10以及图11，说明第一间隔件PS1以及第二间隔件PS2和与它们相对的第一层叠结构体STS1以及第二层叠结构体STS2。图10是图4的X-X线中的实施例1涉及的液晶显示面板LCP的截面图，图11是图4的XI-XI线中的该液晶显示面板LCP的截面图。
[0125] 如图10以及图11示出，第一间隔件PS1以及第二间隔件PS2被形成为，从第二基板SUB2向第一基板SUB1突出。第一间隔件PS1以及第二间隔件PS2是，用于将第一基板SUB1和第二基板SUB2的间隔(单元间隙)维持为一定的柱状的间隔件。也就是说，能够由第一间隔件PS1以及第二间隔件PS2，将液晶层LCL的厚度维持为一定。在本实施例中，第一间隔件PS1以及第二间隔件PS2为，圆柱梯形状，上端部以及下端部的平面视形状为圆形。
[0127] 在本实施例中，第一间隔件PS1的高度与第二间隔件PS2的高度不同。具体而言，第二间隔件PS2的高度比第一间隔件PS1的高度高。并且，如图4示出，第一间隔件PS1的前端部的平面视的面积，比第二间隔件的前端部的平面视的面积大。如此，高度以及形状不同的第一间隔件PS1以及第二间隔件PS2是，能够通过半调掩模或两次的掩模来形成的。
[0128] 如图11示出，第二间隔件PS2是，规定第一基板SUB1与第二基板SUB2的间隔的主间隔件，前端部与第一基板SUB1接触。第二间隔件PS2，时常支撑第一基板SUB1以及第二基板SUB2，即使在液晶显示面板LCP的厚度方向上没有被按压时，第二间隔件PS2的前端部，也与第一基板SUB1接触。在本实施例中，第二间隔件PS2的前端部，与作为第一基板SUB1的最上层的定向膜PI接触。而且，第二间隔件PS2能够进行弹性变形，因此，即使因在第一基板SUB1的表面存在凹凸而产生单元间隙变动，如图11示出，第二间隔件PS2的前端部也能够根据第一基板SUB1的表面的凹凸而变形。
[0129] 另一方面，如图10示出，第一间隔件PS1，是子间隔件，在液晶显示面板LCP的厚度方向上没有被按压时，前端部不与第一基板SUB1接触，但是，在液晶显示面板LCP的厚度方向上被按压时，前端部与第一基板SUB1接触。据此，即使在因制造工序中或环境温度变化等而产生第二间隔件PS2的横向偏离或液晶显示面板LCP的厚度方向上被按压的情况下，也能够辅助地支撑第一基板SUB1以及第二基板SUB2，因此，能够容易将第一基板SUB1与第二基板SUB2的间隔维持为一定。而且，第一间隔件PS1也能够进行弹性变形，因此，即使因在第一基板SUB1的表面存在凹凸而产生单元间隙变动，在第一间隔件PS1与第一基板SUB1接触时，第一间隔件PS1的前端部也能够根据第一基板SUB1的表面的凹凸而变形。
[0130] 为了在多个像素PIX的全区域，将第一基板SUB1与第二基板SUB2的间隔维持为一定，而第一间隔件PS1以及第二间隔件PS2，跨在多个像素PIX的全区域配置有多个。在本实施例中，在以多个像素PIX为一个块将全像素分割为多个块时，第一间隔件PS1以及第二间隔件PS2，以一个块为反复单位而被配置在各个块。具体而言，第二间隔件PS2(主间隔件)，按每一个块置有多个，第一间隔件PS1(子间隔件)，在各个像素PIX置有多个。作为一个例子，若将3×2像素设为一个块，则如图4示出，在一个块配置有四个第二间隔件PS2，在各个像素PIX配置有六个第一间隔件PS1(按每一个块配置有36个)。
[0131] 如图4示出，第一间隔件PS1以及第二间隔件PS2，被设置在列方向上相邻的两个像素PIX的边界部。具体而言，第一间隔件PS1以及第二间隔件PS2，被形成在遮光层BM上。也就是说，第一间隔件PS1以及第二间隔件PS2，在平面视中，与遮光层BM以及扫描线GL重叠。
[0132] 第一间隔件PS1，在各个像素PIX中，位于多个晶体管TR之中的相邻的两个晶体管之间。在本实施例中，第一间隔件PS1的一部分，在平面视中，与相邻的两个晶体管TR的一部分重叠，但是，第一间隔件PS1也可以，不与相邻的两个晶体管TR重叠。
[0133] 第二间隔件PS2，在平面视中，与影像信号线SL重叠。具体而言，第二间隔件PS2，与第一影像信号线SL1以及第二影像信号线SL2之中的第一影像信号线SL1重叠。进而，第二间隔件PS2，也与共同线CMT重叠。
[0134] 如图10示出，在第一基板SUB1设置有，第一层叠结构体STS1。第一层叠结构体STS1，被设置在与设置在第二基板SUB2的第一间隔件PS1相对的位置。第一层叠结构体STS1，作为第一间隔件PS1的基座发挥功能。
[0135] 第一层叠结构体STS1，由构成第一基板SUB1的部件形成。在本实施例中，第一层叠结构体STS1，由构成晶体管TR的部件形成，具有被形成在与晶体管TR的栅极电极G相同的层的第一膜STS11、被形成在与半导体层SC以及源极漏极电极的一方相同的层的第二膜STS12、以及被形成在与半导体层SC以及源极漏极电极另一方相同的层的第三膜STS13。在本实施例中，第一膜STS11、第二膜STS12以及第三膜STS13，按该顺序从下向上层叠。
[0136] 具体而言，第一层叠结构体STS1，由被形成在与栅极电极G相同的层的最下层的第一膜STS11、被形成在与半导体层SC相同的层的中间层的第二膜STS12、以及被形成在与源极电极S以及漏极电极D相同的层的最上层的第三膜STS13的三层结构构成。
[0137] 并且，如图11示出，在第一基板SUB1，设置有第二层叠结构体STS2。第二层叠结构体STS2，被设置在与设置在第二基板SUB2的第二间隔件PS2相对的位置。第二层叠结构体STS2，作为第二间隔件PS2的基座发挥功能。
[0138] 第二层叠结构体STS2，与第一层叠结构体STS1同样，由构成第一基板SUB1的部件(在本实施例中，R构成晶体管TR的部件)形成，但是，具有在与第一层叠结构体STS1的层叠结构相同的层叠结构上，还层叠布线的结构。在本实施例中，第二层叠结构体STS2为，在与第一层叠结构体STS1的层叠结构相同的层叠结构上，还层叠作为布线的共同线CMT的结构。
[0139] 具体而言，第二层叠结构体STS2具有，被形成在与晶体管TR的栅极电极G相同的层的第一膜STS21、被形成在与半导体层SC以及源极漏极电极的一方相同的层的第二膜STS22、以及被形成在与半导体层SC以及源极漏极电极的另一方相同的层的第三膜STS23。第二层叠结构体STS2还具有，被形成在与共同电极MIT相同的层的第四膜STS24、以及被形成在与共同线CMT相同的层的第五膜STS25。在本实施例中，第一膜STS21、第二膜STS22、第三膜STS23、第四膜STS24以及第五膜STS25，按该顺序从下向上层叠。
[0140] 更具体而言，第二层叠结构体STS2，由被形成在与栅极电极G相同的层的最下层的第一膜STS21、被形成在与半导体层SC相同的层的第一中间层的第二膜STS22、被形成在与源极电极S以及漏极电极D相同的层的第二中间层的第三膜STS23、作为共同电极MIT的一部分的第三中间层的第四膜STS24、以及作为共同线CMT的一部分的最上层的第五膜STS25的五层结构构成。
[0141] 而且，在第二层叠结构体STS2中，第四膜STS24以及第五STS25也可以是，任一方。并且，第四膜STS24可以与共同电极MIT分离，第五膜STS25也可以与共同线CMT分离。
[0142] 并且，在第一层叠结构体STS1，没有设置与共同电极MIT相同的层的膜以及与共同线CMT相同的层的膜。也就是说，第二层叠结构体STS2的高度，相对于第一层叠结构体STS1，按照第四膜STS24以及第五膜STS25高。
[0143] 在如此构成的液晶显示面板LCP，贴合一对偏振板(不图示)。例如，一对偏振板的一方被形成在第一基板SUB1的外表面，一对偏振板的另一方被形成在第二基板SUB2的外表面。一对偏振板被配置为，偏振方向彼此正交。并且，在一对偏振板也可以，贴合相位差板。
[0144] 接着，对于本实施例涉及的液晶显示面板LCP的作用效果，与得到本发明的经过一起进行说明。
[0145] 会有在液晶显示面板的制造工序中等混入导电性异物的情况。在此情况下，若在像素电极与共同电极之间混入导电性异物，则像素电极和共同电极短路，发生像素缺陷。例如，在一个像素仅存在一个像素电极的常黑方式的液晶显示面板中，若绝缘像素电极和共同电极的绝缘膜的成膜中混入导电性异物，则像素电极和共同电极短路。在此情况下，不能使液晶层的电场发生变化，因此，不能控制液晶分子的定向状态。其结果为，像素总是成为黑点显示。也就是说，在图像显示区域，发生作为像素缺陷的黑点缺陷。
[0146] 此时，在像素尺寸小的像素的情况下，即使一个像素总是成为黑点显示，黑点的像素也不明显。然而，像本实施例的液晶显示面板那样，在采用一边超过600μm的像素尺寸大的像素的情况下，若一个像素总是成为黑点显示，则黑点缺陷明显。
[0147] 并且，像素缺陷，也会有因像素电极和共同电极的短路以外而发生的情况。具体而言，即使在各个像素配置有连接到像素电极的晶体管，也会有因晶体管不正常工作而发生像素缺陷的情况。例如，若晶体管的源极电极和漏极电极短路，则在不意图的定时从晶体管像像素电极提供电压，例如，会有即使想要使像素以黑色显示，也从像素泄漏光的情况。也就是说，发生作为像素缺陷的亮点缺陷。
[0148] 于是，在本实施例的液晶显示面板LCP中，在多个像素PIX的每一个分别设置多个像素电极PIT以及晶体管TR的基础上，在各个像素PIX，将多个像素电极PIT沿着扫描线GL的长边方向排列，并且，将多个晶体管TR沿着扫描线GL的长边方向排列。
[0149] 如此，在一个像素PIX内将多个像素电极PIT沿着扫描线GL的长边方向配置，据此，即使在各个像素PIX，多个像素电极PIT之中的一个和共同电极MIT短路，短路的像素电极PIT以外的其他的像素电极PIT，也如通常正常地发挥功能。据此，即使包括基于像素电极PIT和共同电极MIT的短路的像素缺陷的像素PIX，通过利用没有短路的正常的像素电极PIT，从而也能够控制液晶层LCL。并且，与一个像素PIX整体成为黑点的情况相比，仅一个像素PIX内的一部分成为黑点，因此，能够使黑点缺陷不明显。如此，即使在一个像素PIX内存在基于像素电极PIT和共同电极MIT的短路的像素缺陷，也能够使黑点不明显，显示所希望的图像。
[0150] 而且，基于因导电性异物的混入而导致的像素电极PIT和共同电极MIT的短路的像素缺陷是，通过激光修复处理能够修复的。具体而言，检测包括导电性异物的像素PIX、向该像素PIX的像素电极PIT以及共同电极MIT的短路部位照射激光，从而能够修复像素缺陷。在此情况下，向导电性异物直接照射激光来使短路部位成为绝缘化，或者，以包围导电性异物的方式向像素电极PIT照射激光来使短路部位绝缘分离，从而能够修复像素缺陷。
[0151] 并且，在本实施例的液晶显示面板LCP中，在一个像素PIX内多个晶体管TR也沿着扫描线GL的长边方向排列。根据该结构，在各个像素PIX，即使多个晶体管TR之中的一个不正常工作而处于异常状态的情况下，异常状态的晶体管TR以外的其他的晶体管TR，也如通常正常地发挥功能。据此，即使包括基于异常状态的晶体管TR的像素缺陷的像素PIX，也能够利用其他的正常的晶体管TR以及与它连接的像素电极PIT，来控制液晶层LCL。并且，与一个像素PIX整体成为亮点的情况相比，仅一个像素PIX内的一部分成为亮点，因此，能够使亮点缺陷不明显。如此，即使在一个像素PIX内存在基于异常状态的晶体管TR的像素缺陷，也能够使亮点不明显，显示所希望的图像。
[0152] 进而，在存在异常状态的晶体管TR的情况下，该异常状态的晶体管TR是，通过像素PIX的缺陷检查能够找到的。于是，通过缺陷检查找到异常状态的晶体管TR，能够执行向连接到异常状态的晶体管TR的像素电极PIT不提供影像数据的电压的处理(黑点化处理)。据此，能够意图地使与连接到异常状态的晶体管TR的像素电极PIT对应的显示区域成为不能显示来黑点化。也就是说，通过执行黑点化处理，从而使基于亮点缺陷的像素缺陷成为黑点化来修复像素缺陷。在此情况下，在本实施例的液晶显示面板LCP中，在一个像素PIX排列多个像素电极PIT，即使与多个像素电极PIT之中的一个像素电极PIT对应的显示区域成为黑点，黑点也不明显，因此，能够显示所希望的图像。
[0153] 以上，根据本实施例的液晶显示面板LCP，能够使像素缺陷不明显，因此，能够显示所希望的图像。
[0154] 并且，在本实施例的液晶显示面板LCP中，在多个像素PIX的每一个，设置有将影像信号线SL和多个晶体管TR连接的引线LDL。而且，引线LDL具有，从影像信号线SL向行方向延伸的共同引线LDLC、以及连接到共同引线LDLC和各个晶体管TR的漏极电极D的多个第一个别引线LDL1。
[0155] 据此，在因多个像素电极PIT之中的一个像素电极PIT和共同电极MIT短路或多个晶体管TR之中的一个晶体管TR的电极间短路而发生像素缺陷的情况下，第一个别引线LDL1的一部分由激光等切断，从而能够将和共同电极MIT短路的异常状态的像素电极PIT或电极间短路的异常状态的晶体管TR，与正常的像素电极PIT或正常的晶体管TR分离。也就是说，个别地切断第一个别引线LDL1的一部分，从而能够将异常状态的像素电极PIT或异常状态的晶体管TR与正常的像素电极PIT或正常的晶体管TR个别地分离。因此，能够抑制因异常状态的像素电极PIT或异常状态的晶体管TR而图像质量降低。
[0156] 并且，在本实施例中，第一个别引线LDL1的至少一部分，在平面视中，不与其他的导电部件重叠。
[0157] 据此，在将第一个别引线LDL1的一部分切断来修复像素缺陷时，能够避免其他的导电部件也被切断。
[0158] 并且，在本实施例中，共同引线LDLC，在平面视中，不与扫描线GL重叠。
[0159] 据此，能够减少共同引线LDLC与扫描线GL之间产生的寄生电容。
[0160] 并且，本实施例的液晶显示面板LCP，具备：与多个像素PIX的每一个中与多个像素电极PIT相对，被设置为跨在多个像素PIX的共同电极MIT；以及被设置在多个像素电极PIT的每一个与共同电极MIT之间的金属电极MET。
[0161] 根据该结构，如上所述，在修复基于异常状态的晶体管TRd像素缺陷时，利用金属电极MET，从而能够容易将电浮起的状态的像素电极PIT和共同电极MIT短路。据此，能够抑制因不意图的信号施加到电浮起的状态的像素电极PIT而图像质量降低。
[0162] 并且，在本实施例中，金属电极MET，被形成在与设置在共同电极MIT的正上方的共同线CMT相同的层。
[0163] 据此，对构成共同电极MIT的透明导电膜进行图案形成，从而能够同时形成共同电极MIT和金属电极MET。因此，不需要仅对金属电极MET另外形成金属膜。
[0164] 并且，在本实施例中，在将多个晶体管TR和多个像素电极PIT连接的接触孔CH附近的绝缘层IL上，形成有岛状的层叠膜STF。层叠膜STF具有，被形成在与共同电极MIT相同的层的第一膜STF1、以及层叠在第一膜STF1上且被形成在与共同线CMT相同的层的第二膜STF2。
[0165] 如此，在接触孔CH附近的绝缘层IL上形成岛状的层叠膜STF，如上所述，从而在绝缘层IL上涂布液状的定向膜材料时，能够使定向膜材料濡湿扩展到接触孔CH。据此，在绝缘层IL上能够形成均匀的膜厚的定向膜PI。
[0166] 而且，第一个别引线LDL1，被设置在相邻的两个层叠膜STF之间。
[0167] 据此，在第一个别引线LDL1由激光切断时，能够避免层叠膜STF也被切断。
[0168] 并且，本实施例的液晶显示面板LCP具备，覆盖引线LDL以及扫描线GL的遮光层BM。
[0169] 根据该结构，由遮光层BM能够遮蔽外光等的光，因此，即使在引线LDL以及扫描线GL由金属材料构成的情况下，也能够抑制因外光等的光在引线LDL以及扫描线GL的表面反射而图像质量降低。
[0170] 并且，本实施例的液晶显示面板LCP具备，在多个像素PIX的每一个中，将多个像素电极PIT的每一个与多个晶体管TR的每一个的漏极电极D的另一方连接的多个第二个别引线LDL2。
[0171] 据此，能够不仅第一个别引线LDL1，也利用第二个别引线LDL2修复像素缺陷。具体而言，第二个别引线LDL2的一部分由激光等个别地切断，从而能够个别地分离异常状态的像素电极PIT或异常状态的晶体管TR与正常的像素电极PIT或正常的晶体管TR。因此，能够抑制因异常状态的像素电极PIT或异常状态的晶体管TR而像质量降低。
[0172] 并且，在本实施例中，第二个别引线LDL2的至少一部分，在平面视中，不与其他的导电部件重叠。
[0173] 据此，在将第二个别引线LDL2的一部分切断来修复像素缺陷时，能够避免其他的导电部件也被切断
[0174] 并且，在本实施例中，多个像素电极PIT各自的宽度为，200μm以下。
[0175] 据此，即使在因和共同电极MIT的短路等而多个像素电极PIT之一中发生不良状况并发生像素缺陷，也能够使像素缺陷不明显。例如，即使多个像素电极PIT之一和共同电极MIT短路，将像素电极PIT的宽度设为200μm以下，从而也能够使因短路的像素电极PIT而产生的黑点缺陷不明显。
[0176] 并且，在本实施例中，关于多个像素PIX的每一个中的多个像素电极PIT和多个晶体管TR的全部，示出像素容量比率的CPIX/Cgs为±10％以内即可。
[0177] 据此，能够提高像素电极PIT以及晶体管TR的设计的自由度。因此，一个像素PIX包括的多个像素电极PIT之中的至少一个的形状也可以，与该像素PIX内包括的其他的像素电极PIT的形状不同。
[0178] 并且，如图12示出，液晶显示面板LCP也可以具备，将多个像素电极PIT之中的相邻的两个像素电极PIT电连接的连接电极CNCT。图12是实施例1的变形例涉及的液晶显示面板LCP的主要部分的放大平面图。
[0179] 在本变形例中，连接电极CNCT被形成为，平面视形状为矩形状的岛状。并且，在本变形例中，被形成在七个像素电极PIT的电极间的全部，因此，形成六个连接电极CNCT。
[0180] 如此设置连接电极CNCT，据此，即使在因多个晶体管TR之中的一个发生异常而像素电极PIT之一不发挥功能的情况下，也能够使连接到该异常状态的晶体管TR的像素电极PIT成为有效，修复像素PIX。具体而言，能够按照以下的次序修复像素PIX。
[0181] 例如，在因多个晶体管TR之中的一个晶体管TR的电极间短路而发生像素缺陷的情况下，连接到异常状态的晶体管TR的第一个别引线LDL1的一部分和第二个别引线LDL2的一部分由激光切断。据此，能够使异常状态的晶体管TR成为无效。
[0182] 在此情况下，连接到异常状态的晶体管TR的像素电极PIT也成为无效，但是，向将已无效的像素电极PIT与和它邻接的像素电极PIT连接的连接电极CNCT照射激光等，已无效的像素电极PIT以及和它邻接的像素电极PIT的每一个与连接电极CNCT短路，从而能够使已无效的像素电极PIT成为有效。
[0183] 据此，能够对已无效的像素电极PIT，由与和它邻接的像素电极PIT对应的晶体管TR进行控制。在此情况下，由一个晶体管TR同时控制两个像素电极PIT。如此，利用连接电极CNCT，从而不进行黑点化也能够修复像素PIX，能够将像素PIX的全区域作为有效的显示区域利用。
[0184] 并且，在本变形例中，连接电极CNCT，在平面视中，与相邻的两个像素电极PIT的每一个的一部分重叠。在与连接电极CNCT重叠的部分的像素电极PIT没有形成狭缝。进而，共同电极MIT的开口部OPN被形成为避开连接电极CNCT，连接电极CNCT，在平面视中，不与共同电极MIT重叠。具体而言，在共同电极MIT，以在平面视中与连接电极CNCT重叠的方式形成切口部。
[0185] 根据该结构，能够容易由激光使像素电极PIT和连接电极CNCT短路，因此，能够容易修复像素PIX。
[0186] 并且，在本变形例中，连接电极CNCT，被形成在与晶体管TR的源极电极S以及漏极电极D相同的层。也就是说，连接电极CNCT，被形成在与影像信号线SL(漏极线)相同的层。因此，连接电极CNCT的源极电极S以及漏极电极D的影像信号线SL，对相同的金属膜进行图案形成而被形成。据此，不需要仅对金属电极MET另外形成金属膜。
[0187] 而且，在本变形例中，修复像素缺陷时不需要使像素电极PIT和共同电极MIT短路，因此，如图12示出，也可以不形成金属电极MET。
[0188] (实施例2)
[0189] 接着，对于实施例2涉及的液晶显示装置LCD2，利用图13、图14A以及图14B进行说明。图13是示意性地示出实施例2涉及的液晶显示装置LCD2的概略结构的图。图14A是示出实施例2涉及的液晶显示装置LCD2的第一液晶显示面板LCP1的像素的布局的图。图14B是示出实施例2涉及的液晶显示装置LCD2的第二液晶显示面板LCP2的像素的布局的图。
[0190] 液晶显示装置LCD2是，重叠多个液晶显示面板而构成的图像显示装置。作为构成液晶显示装置LCD2的多个液晶显示面板之一，利用所述实施例的液晶显示面板LCP。
[0191] 如图13示出，液晶显示装置LCD2，具备：被配置在与观察者近的位置(前侧)的第一液晶显示面板LCP1；被配置在与第一液晶显示面板LCP1相比离观察者远的位置(后侧)的第二液晶显示面板LCP2；以及被配置在第二液晶显示面板LCP2的后侧的背光灯BL。在本实施例中，第二液晶显示面板LCP2是，所述实施例1的液晶显示面板LCP。
[0192] 第一液晶显示面板LCP1是，主面板，显示用户视觉识别的图像。在本实施例中，第一液晶显示面板LCP1，显示彩色图像。在第一液晶显示面板LCP1，为了将与输入影像信号对应的彩色图像显示在第一图像显示区域DSP1，而设置第一源极驱动器SDC1以及第一栅极驱动器GDC1。第一液晶显示面板LCP1的驱动方式是，例如IPS方式等的横电场方式，但是，不仅限于此，也可以是VA(Vertical Alignment)方式或TN(Twisted Nematic)方式等。
[0193] 第二液晶显示面板LCP2是，配置在第一液晶显示面板LCP1的背面侧的子面板。在本实施例中，第二液晶显示面板LCP2，将与显示在第一液晶显示面板LCP1的彩色图像对应的图像的单色图像(黑白图像)，与其彩色图像同步显示。在第二液晶显示面板LCP2，为了将与输入影像信号对应的单色图像显示在第二图像显示区域DSP2，而设置第二源极驱动器SDC2以及第二栅极驱动器GDC2。
[0194] 背光灯BL，与所述实施例1的用于液晶显示装置LCD1的背光灯BL相同。
[0195] 液晶显示装置LCD2，还具备：对第一液晶显示面板LCP1的第一源极驱动器SDC1以及第一栅极驱动器GDC1进行控制的第一定时控制器TC1；对第二液晶显示面板LCP2的第二源极驱动器SDC2以及第二栅极驱动器GDC2进行控制的第二定时控制器TC2；以及向第一定时控制器TC1以及第二定时控制器TC2输出图像数据的图像处理部IPU。
[0196] 在本实施例中，图像处理部IPU，接收从外部的系统发送的影像数据，执行图像处理之后，向第一定时控制器TC1输出第一图像数据DAT1，向第二定时控制器TC2输出第二图像数据DAT2。并且，图像处理部IPU，向第一定时控制器TC1以及第二定时控制器TC2输出同步信号等的控制信号(不图示)。第一图像数据DAT1是，彩色显示用的图像数据，第二图像数据DAT2是，单色显示用的图像数据。
[0197] 如图14A以及图14B示出，液晶显示装置LCD2被构成为，第一液晶显示面板LCP1的每单位面积的像素PIX的数量、与第二液晶显示面板LCP2的每单位面积的像素PIX的数量相等。并且，第一液晶显示面板LCP1的一个像素PIX的面积、与第二液晶显示面板LCP2的一个像素PIX的面积相等。
[0198] 并且，如图14A示出，在第一液晶显示面板LCP1中，一个像素PIX包括，红色用像素PIXR、绿色用像素PIXG以及蓝色用像素PIXB的三个子像素。在本实施例中，在红色用像素PIXR、绿色用像素PIXG以及蓝色用像素PIXB的每一个，分别配置一个像素电极PIT以及晶体管TR，但是，不仅限于此。
[0199] 如此，在本实施例涉及的液晶显示装置LCD2中，将第一液晶显示面板LCP1以及第二液晶显示面板LCP2的两个显示面板重叠来显示图像，因此，能够使黑色明显。据此，能够显示高对比度的图像。
[0200] 并且，液晶显示装置LCD2是，例如HDR(High Dynamic Range)对应电视机，作为背光灯BL，利用能够进行局部调光控制的背光灯，从而能够显示更高对比度且高画质的彩色图像。
[0201] (变形例)
[0202] 以上，对于本公开涉及的液晶显示面板以及液晶显示装置，根据实施例进行了说明，但是，本公开，不仅限于所述实施例。
[0203] 例如，在所述实施例中，像素电极PIT的多个线电极PITL，由两个连结电极PITC连结，但是，对于离像素PIX内的晶体管TR远的一侧的连结电极PITC也可以不设置。在此情况下，像素电极PIT成为，由多个线电极PITL构成的栉状的电极。
[0204] 并且，在所述实施例中，将影像信号线SL与晶体管TR的漏极电极D连接，将像素电极PIT与晶体管TR的源极电极S连接，但是，不仅限于此。例如，也可以将影像信号线SL与晶体管TR的源极电极S连接，将像素电极PIT与晶体管TR的漏极电极D连接。
[0205] 并且，在所述实施例中，像素电极PIT的多条线电极PITL，沿着列方向(第二方向)延伸，但是，不仅限于此。也就是说，多条线电极PITL的一部分或全部也可以，沿着行方向(第一方向)延伸。在此情况下，多条线电极PITL，不仅限于在行方向上平行延伸的情况，也可以相对于行方向倾斜延伸，也可以大致弯曲“へ”状。
[0206] 并且，在所述实施例中示出了，共同线CMT，被设置在共同电极MIT的正上方的例子，但是，不仅限于此。共同线CMT也可以被构成为，与共同电极MIT相比下层的层，换句话说，被设置在与共同电极MIT相比第一基板SUB1侧的层。
[0207] 另外，对所述实施例以及变形例实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的形态，在不脱离本公开的宗旨的范围内任意组合各个实施例以及变形例的构成要素以及功能来实现的形态，也包含在本公开中。
[0208] 符号说明
[0209] LCD1、LCD2 液晶显示装置
[0210] LCP 液晶显示面板
[0211] LCP1 第一液晶显示面板
[0212] LCP2 第二液晶显示面板
[0213] BL 背光灯
[0214] PDC 液晶显示面板驱动电路
[0215] SDC 源极驱动器
[0216] SDC1 第一源极驱动器
[0217] SDC2 第二源极驱动器
[0218] GDC 栅极驱动器
[0219] GDC1 第一栅极驱动器
[0220] GDC2 第二栅极驱动器
[0221] IPU 图像处理部
[0222] TC1 第一定时控制器
[0223] TC2 第二定时控制器
[0224] DSP 图像显示区域
[0225] DSP1 第一图像显示区域
[0226] DSP2 第二图像显示区域
[0227] PIX 像素
[0228] PIX1 第一像素
[0229] PIX2 第二像素
[0230] PIXR 红色用像素
[0231] PIXG 绿色用像素
[0232] PIXB 蓝色用像素
[0233] SL 影像信号线
[0234] SL1 第一影像信号线
[0235] SL2 第二影像信号线
[0236] GL 扫描线
[0237] GL1 第一扫描线
[0238] GL2 第二扫描线
[0239] PIT 像素电极
[0240] PIT1 第一像素电极
[0241] PIT2 第二像素电极
[0242] PITL 线电极
[0243] PITC 连结电极
[0244] MIT 共同电极
[0245] CMT 共同线
[0246] TR 晶体管
[0247] D 漏极电极
[0248] G 栅极电极
[0249] S 源极电极
[0250] SC 半导体层
[0251] GI 栅极绝缘层
[0252] SUB1 第一基板
[0253] SUB2 第二基板
[0254] LCL 液晶层
[0255] TSUB1 第一透明基材
[0256] TSUB2 第二透明基材
[0257] BM 遮光层
[0258] PI 定向膜
[0259] MET 金属电极
[0260] IL 绝缘层
[0261] PAS 第一绝缘膜
[0262] OPAS 第二绝缘膜
[0263] UPS 第三绝缘膜
[0264] CH 接触孔
[0265] CH1 接触柱部
[0266] CH2 延伸部
[0267] LDL 引线
[0268] LDLC 共同引线
[0269] LDL1 第一个别引线
[0270] LDL2 第二个别引线
[0271] STF 层叠膜
[0272] STF1 第一膜
[0273] STF2 第二膜
[0274] PS1 第一间隔件
[0275] PS2 第二间隔件
[0276] STS1 第一层叠结构体
[0277] STS11 第一膜
[0278] STS12 第二膜
[0279] STS13 第三膜
[0280] STS2 第二层叠结构体
[0281] STS21 第一膜
[0282] STS22 第二膜
[0283] STS23 第三膜
[0284] STS24 第四膜
[0285] STS25 第五膜
[0286] CNCT 连接电极
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