瞬态电压抑制器件及其制造方法
阅读：138发布：2020-05-12
专利汇可以提供瞬态电压抑制器件及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种瞬态 电压 抑制器件及其制造方法，所述 瞬态电压抑制器 件包括：衬底(110)；第一导电类型阱区，包括第一阱(122)和第二阱(124)；第二导电类型阱区，包括第三阱(132)和第四阱(134)，第三阱(132)设于所述第一阱(122)和第二阱(124)之间从而将第一阱(122)和第二阱(124)相隔离，第二阱(124)设于第三阱(132)和第四阱(134)之间；齐纳管有源区(139)；第一掺杂区(142)，设于所述第一阱(122)中；第二掺杂区(142)，设于所述第一阱(122)中；第三掺杂区(151)，设于所述第二阱(124)中；第四掺杂区(152)，设于所述第二阱(124)中；第五掺杂区(161)，设于所述齐纳管有源区(139)中；第六掺杂区(162)，设于所述齐纳管有源区(139)中。，下面是瞬态电压抑制器件及其制造方法专利的具体信息内容。
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