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一种瞬态 电压抑制器

阅读：371发布：2023-12-31

专利汇可以提供一种瞬态电压抑制器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器，包括引线框架，所述引线框架上方自下而上设置有第一芯片和第二芯片，所述第一芯片顶部设置有隔离所述第一芯片与所述第二芯片的焊片，所述第二芯片顶部设置有跳线；所述引线框架、所述第一芯片、所述焊片、所述第二芯片和所述跳线之间均通过锡膏连接。有益效果在于：通过在芯片之间设置焊片，由于焊片中不含有助焊剂，减少了焊接过程中的气泡产生与助焊剂残留而造成的空洞，从而减少了电压抑制器的焊接空洞比例，提高瞬态电压抑制器使用的稳定性。，下面是一种瞬态电压抑制器专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括引线框架(1)，所述引线框架(1)上方自下而上设置有第一芯片(3)和第二芯片(7)，所述第一芯片(3)顶部设置有隔离所述第一芯片(3)与所述第二芯片(7)的焊片(5)，所述第二芯片(7)顶部设置有跳线(9)；
所述引线框架(1)、所述第一芯片(3)、所述焊片(5)、所述第二芯片(7)和所述跳线(9)之间均通过锡膏连接。
2.根据权利要求1所述一种瞬态电压抑制器，其特征在于：所述引线框架(1)与所述第一芯片(3)之间为第一锡膏(2)，所述第一芯片(3)与所述焊片(5)之间为第二锡膏(4)，所述焊片(5)与所述第二芯片(7)之间为第三锡膏(6)，所述第二芯片(7)与跳线(9)之间为第四锡膏(8)。
3.根据权利要求2所述一种瞬态电压抑制器，其特征在于：所述焊片(5)通过第二锡膏(4)与第一芯片(3)连接，且所述第二锡膏(4)边沿不超出所述焊片(5)的边沿。
4.根据权利要求2所述一种瞬态电压抑制器，其特征在于：所述焊片(5)通过第三锡膏(6)与第二芯片(7)连接，且所述第三锡膏(6)边沿不超出所述焊片(5)的边沿。
5.根据权利要求1所述一种瞬态电压抑制器，其特征在于：所述引线框架(1)顶部的两侧设置有对第一芯片(3)两侧边沿限位的挡片。

说明书全文

一种瞬态电压抑制器

技术领域

[0001] 本实用新型涉及电子元件技术领域，具体涉及一种瞬态电压抑制器。

背景技术

[0002] 瞬态抑制二极管，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。

[0003] 生产5.0SMDJ叠料瞬态抑制二极管芯片与芯片之间使用锡膏焊接空洞比例达40％，极易引发瞬态抑制二极管短路。最典型的原因是芯片与芯片烧结不良，在烧结界面出现大面积空洞。空洞是由于锡膏中有助焊剂在焊接时锡膏与芯片没有良好的排出或有残留引起的。空洞面积较大时电流在烧结点附近汇聚，管芯散热困难，造成热电应力集中，产生局部热电，严重时引起热奔，使器件烧毁。
实用新型内容

[0004] 本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种瞬态电压抑制器，本实用新型提供的诸多技术方案中优选的技术方案具有：减少了芯片之间的焊接空洞比例，并且减少了焊接过程中气泡的产生和助焊剂残留造成的空洞等技术效果，详见下文阐述。

[0005] 为实现上述目的，本实用新型提供了以下技术方案：

[0006] 本实用新型提供的一种瞬态电压抑制器，包括引线框架，所述引线框架上方自下而上设置有第一芯片和第二芯片，所述第一芯片顶部设置有隔离所述第一芯片与所述第二芯片的焊片，所述第二芯片顶部设置有跳线；

[0007] 所述引线框架、所述第一芯片、所述焊片、所述第二芯片和所述跳线之间均通过锡膏连接。

[0008] 作为优选，所述引线框架与所述第一芯片之间为第一锡膏，所述第一芯片与所述焊片之间为第二锡膏，所述焊片与所述第二芯片之间为第三锡膏，所述第二芯片与跳线之间为第四锡膏。

[0009] 作为优选，所述焊片通过第二锡膏与第一芯片连接，且所述第二锡膏边沿不超出所述焊片的边沿。

[0010] 作为优选，所述焊片通过第三锡膏与第二芯片连接，且所述第三锡膏边沿不超出所述焊片的边沿。

[0011] 作为优选，所述引线框架顶部的两侧设置有对第一芯片两侧边沿限位的挡片。

[0012] 综上，本实用新型的有益效果在于：通过在芯片之间设置焊片，由于焊片中不含有助焊剂，减少了焊接过程中的气泡产生与助焊剂残留而造成的空洞，从而减少了电压抑制器的焊接空洞比例，提高瞬态电压抑制器使用的稳定性。附图说明

[0013] 为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0014] 图1是本实用新型的结构示意图。

[0015] 附图标记说明如下：

[0016] 1、引线框架；2、第一锡膏；3、第一芯片；4、第二锡膏；5、焊片；6、第三锡膏；7、第二芯片；8、第四锡膏；9、跳线。

具体实施方式

[0017] 为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本实用新型的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本实用新型所保护的范围。

[0018] 参见图1所示，本实用新型提供了一种瞬态电压抑制器，包括引线框架1，引线框架1上方自下而上设置有第一芯片3和第二芯片7，第一芯片3顶部设置有隔离第一芯片3与第二芯片7的焊片5，第二芯片7顶部设置有跳线9；

[0019] 引线框架1、第一芯片3、焊片5、第二芯片7和跳线9之间均通过锡膏连接，分别为，引线框架1与第一芯片3之间为第一锡膏2，第一芯片3与焊片5之间为第二锡膏4，焊片5与第二芯片7之间为第三锡膏6，第二芯片7与跳线9之间为第四锡膏8，其中，锡膏的助焊剂含量在10％左右。

[0020] 作为可选的实施方式，焊片5通过第二锡膏4与第一芯片3连接，且第二锡膏4边沿不超出焊片5的边沿；焊片5通过第三锡膏6与第二芯片7连接，且第三锡膏6边沿不超出焊片5的边沿；在第一芯片3与第二芯片7采用锡膏配合回流焊堆叠焊接时，通过焊片5的隔离，可减少第一芯片3与第二芯片7之间的锡膏量，从而有效消除或者减少焊接材料的空洞和氧化及助焊剂残留物，将第一芯片3与第二芯片7之间的空洞率降至10％以下，从而增强设备的抗浪涌能力，提高产品品质和可靠性；

[0021] 引线框架1顶部的两侧设置有对第一芯片3两侧边沿限位的挡片。

[0022] 通过在芯片之间设置焊片5，由于焊片5中不含有助焊剂，减少了焊接过程中的气泡产生与助焊剂残留而造成的空洞，从而减少了电压抑制器的焊接空洞比例，提高瞬态电压抑制器使用的稳定性。

[0023] 以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

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